CN110299346A - 一种电磁屏蔽封装器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种电磁屏蔽封装器件及其制造方法，所述制造方法包括：在塑封后的封装体的表面溅射或喷涂形成第一电磁屏蔽层，其中，所述封装体包括：胶膜；多个封装单元，间隔设置于所述胶膜的第一侧，每一所述封装单元远离所述胶膜一侧表面形成有所述第一电磁屏蔽层；在每一所述封装单元的侧壁上点胶形成第二电磁屏蔽层，相邻所述封装单元的所述第二电磁屏蔽层之间非连接；从所述胶膜上获得单颗具有电磁屏蔽性能的封装器件。通过上述方式，本申请能够使得封装器件的侧壁上覆盖的电磁屏蔽层厚度较为均匀。
Description
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种电磁屏蔽封装器件及其制造方法。
背景技术
随着电子元件的运算速度越来越快、或是资讯传递的讯号频率越来越高，封装器件中的芯片容易与其他内部或外部电子元件相互产生电磁干扰，例如串扰、传输损耗、讯号反射等等，这会使得芯片的运作效能受到削减，所以在封装器件中对芯片进行电磁干扰的防护显得尤为重要。
现有的对芯片进行电磁干扰防护的方式包括：在封装器件的塑封层的外表面采用溅射或是喷涂的方式形成电磁屏蔽层。
本申请的发明人在长期研究过程中发现，上述方式形成的电磁屏蔽层在封装器件的侧壁上的覆盖率较差，且电磁屏蔽层从上至下厚度越来越薄，这将会降低电磁屏蔽层的屏蔽效果。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种电磁屏蔽封装器件及其制造方法，能够使得封装器件的侧壁上覆盖的电磁屏蔽层厚度较为均匀。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种电磁屏蔽封装器件的制造方法，所述制造方法包括：在塑封后的封装体的表面溅射或喷涂形成第一电磁屏蔽层，其中，所述封装体包括：胶膜；多个封装单元，间隔设置于所述胶膜的第一侧，每一所述封装单元远离所述胶膜一侧表面形成有所述第一电磁屏蔽层；在每一所述封装单元的侧壁上点胶形成第二电磁屏蔽层，相邻所述封装单元的所述第二电磁屏蔽层之间非连接；从所述胶膜上获得单颗具有电磁屏蔽性能的封装器件。
其中，所述在塑封后的封装体的表面溅射或喷涂形成第一电磁屏蔽层，包括：在所述胶膜所述第一侧设置基板，所述基板包括互相连接的多个基板单元；在所述基板远离所述胶膜一侧设置芯片；在所述基板远离所述胶膜一侧形成塑封层，所述塑封层覆盖所述芯片；沿垂直于所述第一侧方向切割掉相邻所述基板单元之间的区域，以形成第一缝隙；在每个所述基板单元对应的所述塑封层远离所述胶膜一侧溅射或喷涂形成所述第一电磁屏蔽层。
其中，所述在塑封后的封装体的表面溅射或喷涂形成第一电磁屏蔽层，包括：在所述胶膜所述第一侧设置基板，所述基板包括互相连接的多个基板单元；在所述基板远离所述胶膜一侧设置芯片；在所述基板远离所述胶膜一侧形成塑封层，所述塑封层覆盖所述芯片；在所述塑封层远离所述胶膜一侧溅射或喷涂形成所述第一电磁屏蔽层；沿垂直于所述第一侧方向切割掉相邻所述基板单元之间的区域，以形成第一缝隙。
其中，所述在每一所述封装单元的侧壁上点胶形成第二电磁屏蔽层之前，所述制造方法还包括：在所述第一缝隙内设置防溢墙，所述防溢墙与相邻所述封装单元的所述侧壁之间具有空隙；所述在每一所述封装单元的侧壁上点胶形成第二电磁屏蔽层，包括：在所述空隙内点胶形成所述第二电磁屏蔽层。
其中，所述防溢墙的高度大于所述第一电磁屏蔽层与胶膜之间的距离。
其中，所述从所述胶膜上获得单颗具有电磁屏蔽性能的封装器件之前，所述制造方法包括：去除所述防溢墙。
其中，所述在每一所述封装单元的侧壁上点胶形成第二电磁屏蔽层，包括：在所述第一缝隙内点胶形成电磁屏蔽块；沿垂直于所述第一侧方向切割掉所述电磁屏蔽块的中间区域，残留的所述电磁屏蔽块与相邻所述封装单元接触的部分形成所述第二电磁屏蔽层。
其中，所述在塑封后的封装体的表面溅射或喷涂形成第一电磁屏蔽层，包括：在所述胶膜所述第一侧设置基板，所述基板包括互相连接的多个基板单元；在所述基板远离所述胶膜一侧设置芯片；在所述基板远离所述胶膜一侧形成塑封层，所述塑封层覆盖所述芯片；沿垂直于所述第一侧方向对相邻所述基板单元之间的区域进行切割，以形成间隔的第一通槽和第二通槽，且所述第一通槽和所述第二通槽之间残留的所述基板和所述塑封层形成阻挡墙；在每个所述基板单元对应的所述塑封层远离所述胶膜一侧溅射或喷涂形成所述第一电磁屏蔽层。
其中，所述在每一所述封装单元的侧壁上点胶形成第二电磁屏蔽层，包括：在所述第一通槽和所述第二通槽内点胶形成所述第二电磁屏蔽层；和/或，所述从所述胶膜上获得单颗具有电磁屏蔽性能的封装器件之前，所述制造方法包括：去除所述阻挡墙。
为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种电磁屏蔽封装器件，所述封装器件包括：封装单元，包括第一表面以及与所述第一表面相邻的第二表面和第三表面，所述第二表面和所述第三表面相对设置；第一电磁屏蔽层，位于所述第一表面，且所述第一电磁屏蔽层由溅射或喷涂形成；第二电磁屏蔽层，位于所述第二表面和所述第三表面，且所述第二电磁屏蔽层由点胶形成。
本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请所提供的制造方法中先在封装单元的一侧表面利用溅射或喷涂的方式形成第一电磁屏蔽层；然后在封装单元的侧壁上利用点胶的方式形成第二屏蔽层，点胶的方式相对于溅射或者喷涂而言，其厚度可控且更为均匀。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
图1为本申请电磁屏蔽封装器件的制造方法一实施方式的流程示意图；
图2为图1中步骤S101对应的一实施方式的流程示意图；
图3为图2中步骤S201-步骤S205对应的一实施方式的结构示意图；
图4为图1中步骤S101对应的另一实施方式的流程示意图；
图5为图4中步骤S301-步骤S305对应的一实施方式的结构示意图；
图6为图1中步骤S102对应的一实施方式的结构示意图；
图7为图1中步骤S102对应的另一实施方式的结构示意图；
图8为图1中步骤S101对应的一实施方式的流程示意图；
图9为图8中步骤S401-S405对应的一实施方式的结构示意图；
图10为本申请电磁屏蔽封装器件一实施方式的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1，图1为本申请电磁屏蔽封装器件的制造方法一实施方式的流程示意图，该制造方法包括：
S101：在塑封后的封装体的表面溅射或喷涂形成第一电磁屏蔽层，其中，封装体包括：胶膜；多个封装单元，间隔设置于胶膜的第一侧，每一封装单元远离胶膜一侧表面形成有第一电磁屏蔽层。
具体地，在本实施例中，第一电磁屏蔽层的材质可以为金属等。封装体一般包含基板、设置于基板一侧的芯片、以及设置于基板一侧的塑封层，且塑封层覆盖芯片。对于在一整个封装体上划分形成多个封装单元的步骤可以在形成第一电磁屏蔽层之前，也可在形成第一电磁屏蔽层之后，具体将在后续详细说明。
S102：在每一封装单元的侧壁上点胶形成第二电磁屏蔽层，相邻封装单元的第二电磁屏蔽层之间非连接。
具体地，在本实施例中，第二电磁屏蔽层的材质可以为导电胶等，实现相邻封装单元的第二电磁屏蔽层之间非连接的方式有多种，具体将在后续详细说明。
S103：从胶膜上获得单颗具有电磁屏蔽性能的封装器件。
具体地，在本实施例中，胶膜一般具有粘附性，上述步骤S103可以包括：利用紫外照射或者其他方式使胶膜的粘附性降低，以使得机械臂可以较为容易地将单颗封装器件从胶膜上取下。
在一个实施方式中，请参阅图2-图3，图2为图1中步骤S101对应的一实施方式的流程示意图，图3为图2中步骤S201-步骤S205对应的一实施方式的结构示意图。上述步骤S101中在塑封后的封装体的表面溅射或喷涂形成第一电磁屏蔽层具体包括：
S201：在胶膜10第一侧100设置基板12，基板12包括互相连接的多个基板单元120。具体地，如图3a所示，胶膜10具有粘附性，基板12可直接粘附在胶膜10上。基板12上可预先蚀刻有线路，基板12的相邻基板单元120之间可以设置有切割道(图未示)。
S202：在基板12远离胶膜10一侧设置芯片14。具体地，如图3b所示，可以在基板12的每个基板单元120上均设置芯片14，每个基板单元120上设置的芯片14的个数可以为至少一个；且每个基板单元120上除了可以设置芯片14外，也可设置其他元器件，例如，电阻、电容等。
S203：在基板12远离胶膜10一侧形成塑封层16，塑封层16覆盖芯片14。具体地，如图3c所示，塑封层16的材质可以为环氧树脂等，塑封层16为一整体，可以覆盖全部的芯片14和基板12的表面。
S204：沿垂直于第一侧100方向切割掉相邻基板单元120之间的区域，以形成第一缝隙18。具体地，如图3d所示，上述步骤S204具体为：沿垂直于第一侧100的方向切割掉相邻基板单元120之间的塑封层16和基板10，而不切割胶膜10。S205：在每个基板单元120对应的塑封层16远离胶膜10一侧溅射或喷涂形成第一电磁屏蔽层11。
在上述实施方式中，先进行切割后形成第一电磁屏蔽层11，在其他实施方式中，也可先形成第一电磁屏蔽层26后切割，具体请参阅图4-图5，图4为图1中步骤S101对应的另一实施方式的流程示意图，图5为图4中步骤S301-步骤S305对应的一实施方式的结构示意图。上述步骤S101中在塑封后的封装体的表面溅射或喷涂形成第一电磁屏蔽层包括：
S301：在胶膜20的第一侧200设置基板22，基板22包括互相连接的多个基板单元220。具体地，如图5a所示，该步骤与上述实施例中步骤S201相同，在此不再赘述。
S302：在基板22远离胶膜20一侧设置芯片24。具体地，如图5b所示，该步骤与上述实施例中步骤S202相同，在此不再赘述。
S303：在基板22远离胶膜20一侧形成塑封层26，塑封层26覆盖芯片24。具体地，如图5c所示，该步骤与上述实施例中步骤S203相同，在此不再赘述。
S304：在塑封层26远离胶膜20一侧溅射或喷涂形成第一电磁屏蔽层21。具体地，如图5d所示。
S305：沿垂直于第一侧200方向切割掉相邻基板单元220之间的区域，以形成第一缝隙28。具体地，如图5e所示，上述步骤S305具体为沿垂直于第一侧200的方向切割掉相邻基板单元220之间的第一电磁屏蔽层21、塑封层26和基板22，而不切割胶膜20。
在一个应用场景中，请参阅图6，图6为图1中步骤S102对应的一实施方式的结构示意图。在上述图3和图5对应的实施例中形成第一缝隙18或28之后，步骤S102中每一封装单元(未标示)的侧壁A上点胶形成第二电磁屏蔽层17具体包括：A、在第一缝隙18内设置防溢墙13，防溢墙13与相邻封装单元(未标示)的侧壁A之间具有空隙15。具体地，请参阅图6a；当步骤S101对应的流程为图2中所示时，该设置防溢墙13的步骤可以是上述步骤S205之前或者是上述步骤S205之后；当步骤S101对应的流程图为图4中所示时，该设置防溢墙13的步骤可以上述步骤S305之后。此外，在本实施例中，防溢墙13的材质可以为光刻胶等可被后续清除的物质，防溢墙13与胶膜10接触的端部可以设计一层粘性物质，进而使得防溢墙13与胶膜10之间固定连接。B、在空隙15内点胶形成第二电磁屏蔽层17。具体地，如图6b所示。第二电磁屏蔽层17的材质可以为导电胶等，其可填充整个空隙15。此外，在本实施例中，防溢墙13的高度d1大于第一电磁屏蔽层11与胶膜10之间的距离d2。该设计方式可以降低后续形成的各个封装单元对应的第二电磁屏蔽层17之间互连。
当设计上述防溢墙13时，后续在步骤S103之前，即从胶膜10上获得单颗具有电磁屏蔽性能的封装器件之前，本申请所提供的制造方法包括：去除防溢墙13；去除的方式可以为利用溶剂溶解以及超声波震荡以使得防溢墙13从胶膜10上去除。
在另一个应用场景中，当在上述图3和图5对应的实施例中形成第一缝隙18或28之后，也可不设置防溢墙13以实现相邻封装单元的第二电磁屏蔽层17不连接的目的。例如，请参阅图7，图7为图1中步骤S102对应的另一实施方式的结构示意图，上述步骤S102具体包括：a)在第一缝隙(未标示)内点胶形成电磁屏蔽块22，此时电磁屏蔽块22填充满整个第一缝隙。b)沿垂直于第一侧100方向切割掉电磁屏蔽块22的中间区域，残留的电磁屏蔽块22与相邻封装单元的侧壁B接触的部分形成第二电磁屏蔽层20。该方式可以省去后续去除防溢层的步骤，进一步简化制作工艺流程。
在另一个实施方式中，也可通过封装体本身形成类似于防溢墙功能的阻挡墙，具体请参阅图8-图9，图8为图1中步骤S101对应的一实施方式的流程示意图，图9为图8中步骤S401-S405对应的一实施方式的结构示意图，上述步骤S101中在塑封后的封装体的表面溅射或喷涂形成第一电磁屏蔽层具体包括：
S401：在胶膜30的第一侧300设置基板32，基板32包括互相连接的多个基板单元320。具体地，如图9a所示，该步骤与上述实施例中步骤S201相同，在此不再赘述。
S402：在基板32远离胶膜30一侧设置芯片34。具体地，如图9b所示，该步骤与上述实施例中步骤S202相同，在此不再赘述。
S403：在基板32远离胶膜30一侧形成塑封层36，塑封层36覆盖芯片34。具体地，如图9c所示，该步骤与上述实施例中步骤S203相同，在此不再赘述。
S404：沿垂直于第一侧300方向对相邻基板单元320之间的区域进行切割，以形成间隔的第一通槽38和第二通槽31，且第一通槽38和第二通槽31之间残留的基板32和塑封层36形成阻挡墙33。具体地，如图9d所示。
S405：在每个基板单元320对应的塑封层36远离胶膜30一侧溅射或喷涂形成第一电磁屏蔽层35。具体地，如图9e所示，在本实施例中，阻挡墙33的上方也可溅射或者喷涂形成第一电磁屏蔽层35。
当然，在其他应用场景中，上述步骤S404和步骤S405的顺序也可调换，即先形成第一电磁屏蔽层35，后切割形成第一通槽38和第二通槽31。另外，后续步骤S102中在每一封装单元的侧壁上点胶形成第二电磁屏蔽层可以包括：在第一通槽38和第二通槽31内点胶形成第二电磁屏蔽层。进一步，后续步骤S103中从胶膜30上获得单颗具有电磁屏蔽性能的封装器件之前，本申请所提供的制造方法还包括：去除阻挡墙33。去除阻挡墙33的方式可以为溶液溶解去除等。
请参阅图10，图10为本申请电磁屏蔽封装器件一实施方式的结构示意图，该封装器件包括：
封装单元40，包括第一表面400以及与第一表面400相邻的第二表面402和第三表面404，第二表面402和第三表面404相对设置。在本实施例中，封装单元40包括基板406、位于基板406一侧的至少一个芯片408、以及覆盖基板406一侧和芯片408的塑封层401。
第一电磁屏蔽层42，位于第一表面400，且第一电磁屏蔽层42由溅射或喷涂形成；第一电磁屏蔽层42的材质可以为金属等。
第二电磁屏蔽层44，位于第二表面402和第三表面404，且第二电磁屏蔽层44由点胶形成；第二电磁屏蔽层44的材质可以为导电胶等。
以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种电磁屏蔽封装器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
在塑封后的封装体的表面溅射或喷涂形成第一电磁屏蔽层，其中，所述封装体包括：胶膜；多个封装单元，间隔设置于所述胶膜的第一侧，每一所述封装单元远离所述胶膜一侧表面形成有所述第一电磁屏蔽层；
在每一所述封装单元的侧壁上点胶形成第二电磁屏蔽层，相邻所述封装单元的所述第二电磁屏蔽层之间非连接；
从所述胶膜上获得单颗具有电磁屏蔽性能的封装器件。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在塑封后的封装体的表面溅射或喷涂形成第一电磁屏蔽层，包括：
在所述胶膜所述第一侧设置基板，所述基板包括互相连接的多个基板单元；
在所述基板远离所述胶膜一侧设置芯片；
在所述基板远离所述胶膜一侧形成塑封层，所述塑封层覆盖所述芯片；
沿垂直于所述第一侧方向切割掉相邻所述基板单元之间的区域，以形成第一缝隙；
在每个所述基板单元对应的所述塑封层远离所述胶膜一侧溅射或喷涂形成所述第一电磁屏蔽层。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在塑封后的封装体的表面溅射或喷涂形成第一电磁屏蔽层，包括：
在所述胶膜所述第一侧设置基板，所述基板包括互相连接的多个基板单元；
在所述基板远离所述胶膜一侧设置芯片；
在所述基板远离所述胶膜一侧形成塑封层，所述塑封层覆盖所述芯片；
在所述塑封层远离所述胶膜一侧溅射或喷涂形成所述第一电磁屏蔽层；
沿垂直于所述第一侧方向切割掉相邻所述基板单元之间的区域，以形成第一缝隙。
4.根据权利要求2或3所述的制造方法，其特征在于，
所述在每一所述封装单元的侧壁上点胶形成第二电磁屏蔽层之前，所述制造方法还包括：在所述第一缝隙内设置防溢墙，所述防溢墙与相邻所述封装单元的所述侧壁之间具有空隙；
所述在每一所述封装单元的侧壁上点胶形成第二电磁屏蔽层，包括：在所述空隙内点胶形成所述第二电磁屏蔽层。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，
所述防溢墙的高度大于所述第一电磁屏蔽层与胶膜之间的距离。
6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述从所述胶膜上获得单颗具有电磁屏蔽性能的封装器件之前，所述制造方法包括：
去除所述防溢墙。
7.根据权利要求2或3所述的制造方法，其特征在于，所述在每一所述封装单元的侧壁上点胶形成第二电磁屏蔽层，包括：
在所述第一缝隙内点胶形成电磁屏蔽块；
沿垂直于所述第一侧方向切割掉所述电磁屏蔽块的中间区域，残留的所述电磁屏蔽块与相邻所述封装单元接触的部分形成所述第二电磁屏蔽层。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在塑封后的封装体的表面溅射或喷涂形成第一电磁屏蔽层，包括：
在所述胶膜所述第一侧设置基板，所述基板包括互相连接的多个基板单元；
在所述基板远离所述胶膜一侧设置芯片；
在所述基板远离所述胶膜一侧形成塑封层，所述塑封层覆盖所述芯片；
沿垂直于所述第一侧方向对相邻所述基板单元之间的区域进行切割，以形成间隔的第一通槽和第二通槽，且所述第一通槽和所述第二通槽之间残留的所述基板和所述塑封层形成阻挡墙；
在每个所述基板单元对应的所述塑封层远离所述胶膜一侧溅射或喷涂形成所述第一电磁屏蔽层。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，
所述在每一所述封装单元的侧壁上点胶形成第二电磁屏蔽层，包括：在所述第一通槽和所述第二通槽内点胶形成所述第二电磁屏蔽层；和/或，
所述从所述胶膜上获得单颗具有电磁屏蔽性能的封装器件之前，所述制造方法包括：去除所述阻挡墙。
10.一种电磁屏蔽封装器件，其特征在于，所述封装器件包括：
封装单元，包括第一表面以及与所述第一表面相邻的第二表面和第三表面，所述第二表面和所述第三表面相对设置；
第一电磁屏蔽层，位于所述第一表面，且所述第一电磁屏蔽层由溅射或喷涂形成；
第二电磁屏蔽层，位于所述第二表面和所述第三表面，且所述第二电磁屏蔽层由点胶形成。
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