CN110295296A - 一种钼基碳纳米管电子封装材料的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种钼基碳纳米管电子封装材料的制备方法，具体涉及封装材料领域，具体步骤如下：步骤一、钼粉提纯，使用热浓硫酸对钼粉表面的氧化层进行清洗；步骤二、制取金属陶瓷粉末；步骤三、超声波镀铜；步骤四、烧结。本发明通过先使用热浓硫酸对钼粉表面的氧化物清洗掉，对钼粉进行提纯，然后再将氧化铝和经过提纯的钼粉放入炉中烧结形成金属陶瓷粉末，再利用超声波对金属陶瓷表面进行镀铜，最后将镀铜的金属陶瓷和碳纳米管放入到烧结炉中进行烧结完成制备，由氧化铝和钼粉制成的金属陶瓷粉末具有熔点高、抗氧化性好、耐熔渣腐蚀抗热震、耐磨的优点，整体使得本发明能够有效提升耐磨性能，从而能够延长集成电路的使用寿命。

Description

一种钼基碳纳米管电子封装材料的制备方法
技术领域
本发明涉及封装材料技术领域，更具体地说，本发明涉及一种钼基碳纳米管电子封装材料的制备方法。
背景技术
集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。
集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高
对其进行封装可加强其散热效果，能够将集成电路工作所产生的热量及时散发出去，从而使得各个元件的工作温度保持正常，延长工作寿命。
专利申请公布号CN 108213413 A的发明专利公开了一种钼基碳纳米管电子封装材料的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，钼粉提纯，将钼粉在氢气炉内进行高温还原以祛除表面的氧化层，步骤2，磁控溅射，所用靶材为铜或者铬，步骤3，碳纳米管生长，将步骤2中表面已经溅射铜，铬催化剂的钼粉，放入CVD炉内进行碳纳米管生长，步骤4，热压，将拓扑结构的钼与碳纳米管的复合材料，在热压炉内尽心热压烧结，将拓扑结构的钼与碳纳米管的复合材料，在热压炉内尽心热压烧结。采用碳纳米管进行复合的方法，解决了现有技术中制备的封装材料热导率不高和孔隙率高的缺点。
但是上述技术方案在实际运用时，仍旧存在较多缺点，如封装材料的强度不足，容易导致集成电路上的封装破损，从而降低了集成电路的使用寿命。
发明内容
为了克服现有技术的上述缺陷，本发明的实施例提供一种钼基碳纳米管电子封装材料的制备方法，通过先使用热浓硫酸对钼粉表面的氧化物清洗掉，对钼粉进行提纯，然后再将氧化铝和经过提纯的钼粉放入炉中烧结形成金属陶瓷粉末，再利用超声波对金属陶瓷表面进行镀铜，最后将镀铜的金属陶瓷和碳纳米管放入到烧结炉中进行烧结完成制备，由氧化铝和钼粉制成的金属陶瓷粉末具有熔点高、抗氧化性好、耐熔渣腐蚀抗热震、耐磨的优点，整体使得本发明能够有效提升耐磨性能，从而能够延长集成电路的使用寿命。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种钼基碳纳米管电子封装材料的制备方法，包括具体步骤如下：
步骤一、钼粉提纯，使用热浓硫酸将钼粉表面的氧化层进行清洗，然后再用清水将浓硫酸洗掉并干燥；
步骤二、制取金属陶瓷粉末，将氧化铝和钼粉烧结形成金属陶瓷粉末；
步骤三、超声波镀铜，使用超声波发生器发出超声波进行镀铜；
步骤四、烧结，使用烧结炉对金属陶瓷粉末和碳纳米管进行烧结。
在一个优选地实施方式中，所述步骤一具体为，由于在生产过程中需要经过高温加热，钼粉表面的钼元素会发生氧化还原反应，从而产生一层氧化物，这些氧化物溶于热浓硫酸，因此使用热浓硫酸对钼粉表面的氧化层进行清洗，再将经过热浓硫酸清洗的钼粉放入清水中，将钼粉上带有的热浓硫酸去除，再进行加热干燥。
在一个优选地实施方式中，所述加热干燥的温度为60-70摄氏度，所述加热干燥时间为1-2min。
在一个优选地实施方式中，所述步骤二具体为，将氧化铝和经过提纯的钼粉放入到炉中进行烧结形成金属陶瓷粉末，由氧化铝和钼粉制成的金属陶瓷粉末具有熔点高、抗氧化性好、耐熔渣腐蚀抗热震、耐磨的优点，能够有效提升本发明的耐磨性能，从而能够延长集成电路的使用寿命。
在一个优选地实施方式中，所述制取温度为1500-1600摄氏度，采用氩气作为保护气。
在一个优选地实施方式中，所述步骤三具体为，使用超声波对金属陶瓷粉末表面镀铜，镀铜时间为50-60min，使用超声波发生器发出超声波，超声波能够在镀铜时增加镀铜的稳定性，并同时缩短了镀铜时间，增加了镀铜效率。
在一个优选地实施方式中，所述步骤四具体为，将经过超声波镀铜的金属陶瓷粉末和碳纳米管放入到烧结炉中进行烧结。
在一个优选地实施方式中，所述烧结温度为1600-1700摄氏度，采用氩气作为保护气，氩气是一种稀有气体，在热处理工艺中用于代替氮气和氨气，效果更是超过氮气和氨气，从而能够有效对金属陶瓷粉末和碳纳米管进行保护。
本发明的技术效果和优点：
1、本发明通过先使用热浓硫酸对钼粉表面的氧化物清洗掉，对钼粉进行提纯，然后再将氧化铝和经过提纯的钼粉放入炉中烧结形成金属陶瓷粉末，再利用超声波对金属陶瓷表面进行镀铜，最后将镀铜的金属陶瓷和碳纳米管放入到烧结炉中进行烧结完成制备，由氧化铝和钼粉制成的金属陶瓷粉末具有熔点高、抗氧化性好、耐熔渣腐蚀抗热震、耐磨的优点，整体使得本发明能够有效提升耐磨性能，从而能够延长集成电路的使用寿命；
2、本发明通过超声波对金属陶瓷粉末表面进行镀铜，使用超声波发生器发出超声波，超声波能够在镀铜时增加镀铜的稳定性，并同时大幅度缩短了镀铜时间，增加了镀铜效率，从而缩短了制备时间，整体使得本发明的制备效率更高。
具体实施方式
下面将结合本发明中的实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1：
本发明提供了一种钼基碳纳米管电子封装材料的制备方法，其中包括，具体步骤如下：
步骤一、钼粉提纯，由于在生产过程中需要经过高温加热，钼粉表面的钼元素会发生氧化还原反应，从而产生一层氧化物，这些氧化物溶于热浓硫酸，因此使用热浓硫酸对钼粉表面的氧化层进行清洗，再将经过热浓硫酸清洗的钼粉放入清水中，将钼粉上带有的热浓硫酸去除，再进行加热干燥，所述加热干燥的温度为60摄氏度，所述加热干燥时间为1min；
步骤二、制取金属陶瓷粉末，将氧化铝和经过提纯的钼粉放入到炉中进行烧结形成金属陶瓷粉末，所述制取温度为1500摄氏度，采用氩气作为保护气，由氧化铝和钼粉制成的金属陶瓷粉末具有熔点高、抗氧化性好、耐熔渣腐蚀抗热震、耐磨的优点，能够有效提升本发明的耐磨性能，从而能够延长集成电路的使用寿命；
步骤三、超声波镀铜，使用超声波对金属陶瓷粉末表面镀铜，镀铜时间为50min，使用超声波发生器发出超声波，超声波能够在镀铜时增加镀铜的稳定性，并同时缩短了镀铜时间，增加了镀铜效率；
步骤四、烧结，将经过超声波镀铜的金属陶瓷粉末和碳纳米管放入到烧结炉中进行烧结，所述烧结温度为1600摄氏度，采用氩气作为保护气，氩气是一种稀有气体，在热处理工艺中用于代替氮气和氨气，效果更是超过氮气和氨气，从而能够有效对金属陶瓷粉末和碳纳米管进行保护。
实施例2：
步骤一、钼粉提纯，由于在生产过程中需要经过高温加热，钼粉表面的钼元素会发生氧化还原反应，从而产生一层氧化物，这些氧化物溶于热浓硫酸，因此使用热浓硫酸对钼粉表面的氧化层进行清洗，再将经过热浓硫酸清洗的钼粉放入清水中，将钼粉上带有的热浓硫酸去除，再进行加热干燥，所述加热干燥的温度为62.5摄氏度，所述加热干燥时间为1.2min；
步骤二、制取金属陶瓷粉末，将氧化铝和经过提纯的钼粉放入到炉中进行烧结形成金属陶瓷粉末，所述制取温度为1525摄氏度，采用氩气作为保护气，由氧化铝和钼粉制成的金属陶瓷粉末具有熔点高、抗氧化性好、耐熔渣腐蚀抗热震、耐磨的优点，能够有效提升本发明的耐磨性能，从而能够延长集成电路的使用寿命；
步骤三、超声波镀铜，使用超声波对金属陶瓷粉末表面镀铜，镀铜时间为52min，使用超声波发生器发出超声波，超声波能够在镀铜时增加镀铜的稳定性，并同时缩短了镀铜时间，增加了镀铜效率；
步骤四、烧结，将经过超声波镀铜的金属陶瓷粉末和碳纳米管放入到烧结炉中进行烧结，所述烧结温度为1625摄氏度，采用氩气作为保护气，氩气是一种稀有气体，在热处理工艺中用于代替氮气和氨气，效果更是超过氮气和氨气，从而能够有效对金属陶瓷粉末和碳纳米管进行保护。
实施例3：
步骤一、钼粉提纯，由于在生产过程中需要经过高温加热，钼粉表面的钼元素会发生氧化还原反应，从而产生一层氧化物，这些氧化物溶于热浓硫酸，因此使用热浓硫酸对钼粉表面的氧化层进行清洗，再将经过热浓硫酸清洗的钼粉放入清水中，将钼粉上带有的热浓硫酸去除，再进行加热干燥，所述加热干燥的温度为65摄氏度，所述加热干燥时间为1.5min；
步骤二、制取金属陶瓷粉末，将氧化铝和经过提纯的钼粉放入到炉中进行烧结形成金属陶瓷粉末，所述制取温度为1550摄氏度，采用氩气作为保护气，由氧化铝和钼粉制成的金属陶瓷粉末具有熔点高、抗氧化性好、耐熔渣腐蚀抗热震、耐磨的优点，能够有效提升本发明的耐磨性能，从而能够延长集成电路的使用寿命；
步骤三、超声波镀铜，使用超声波对金属陶瓷粉末表面镀铜，镀铜时间为55min，使用超声波发生器发出超声波，超声波能够在镀铜时增加镀铜的稳定性，并同时缩短了镀铜时间，增加了镀铜效率；
步骤四、烧结，将经过超声波镀铜的金属陶瓷粉末和碳纳米管放入到烧结炉中进行烧结，所述烧结温度为1650摄氏度，采用氩气作为保护气，氩气是一种稀有气体，在热处理工艺中用于代替氮气和氨气，效果更是超过氮气和氨气，从而能够有效对金属陶瓷粉末和碳纳米管进行保护。
实施例4：
步骤一、钼粉提纯，由于在生产过程中需要经过高温加热，钼粉表面的钼元素会发生氧化还原反应，从而产生一层氧化物，这些氧化物溶于热浓硫酸，因此使用热浓硫酸对钼粉表面的氧化层进行清洗，再将经过热浓硫酸清洗的钼粉放入清水中，将钼粉上带有的热浓硫酸去除，再进行加热干燥，所述加热干燥的温度为67摄氏度，所述加热干燥时间为1.7min；
步骤二、制取金属陶瓷粉末，将氧化铝和经过提纯的钼粉放入到炉中进行烧结形成金属陶瓷粉末，所述制取温度为1575摄氏度，采用氩气作为保护气，由氧化铝和钼粉制成的金属陶瓷粉末具有熔点高、抗氧化性好、耐熔渣腐蚀抗热震、耐磨的优点，能够有效提升本发明的耐磨性能，从而能够延长集成电路的使用寿命；
步骤三、超声波镀铜，使用超声波对金属陶瓷粉末表面镀铜，镀铜时间为57min，使用超声波发生器发出超声波，超声波能够在镀铜时增加镀铜的稳定性，并同时缩短了镀铜时间，增加了镀铜效率；
步骤四、烧结，将经过超声波镀铜的金属陶瓷粉末和碳纳米管放入到烧结炉中进行烧结，所述烧结温度为1675摄氏度，采用氩气作为保护气，氩气是一种稀有气体，在热处理工艺中用于代替氮气和氨气，效果更是超过氮气和氨气，从而能够有效对金属陶瓷粉末和碳纳米管进行保护。
实施例5：
步骤一、钼粉提纯，由于在生产过程中需要经过高温加热，钼粉表面的钼元素会发生氧化还原反应，从而产生一层氧化物，这些氧化物溶于热浓硫酸，因此使用热浓硫酸对钼粉表面的氧化层进行清洗，再将经过热浓硫酸清洗的钼粉放入清水中，将钼粉上带有的热浓硫酸去除，再进行加热干燥，所述加热干燥的温度为70摄氏度，所述加热干燥时间为2min；
步骤二、制取金属陶瓷粉末，将氧化铝和经过提纯的钼粉放入到炉中进行烧结形成金属陶瓷粉末，所述制取温度为1600摄氏度，采用氩气作为保护气，由氧化铝和钼粉制成的金属陶瓷粉末具有熔点高、抗氧化性好、耐熔渣腐蚀抗热震、耐磨的优点，能够有效提升本发明的耐磨性能，从而能够延长集成电路的使用寿命；
步骤三、超声波镀铜，使用超声波对金属陶瓷粉末表面镀铜，镀铜时间为60min，使用超声波发生器发出超声波，超声波能够在镀铜时增加镀铜的稳定性，并同时缩短了镀铜时间，增加了镀铜效率；
步骤四、烧结，将经过超声波镀铜的金属陶瓷粉末和碳纳米管放入到烧结炉中进行烧结，所述烧结温度为1700摄氏度，采用氩气作为保护气，氩气是一种稀有气体，在热处理工艺中用于代替氮气和氨气，效果更是超过氮气和氨气，从而能够有效对金属陶瓷粉末和碳纳米管进行保护。
分别取上述实施例1-5所制得的钼基碳纳米管电子封装材料给50个集成电路进行封装，每10个集成电路为一组，分五组分别试用五个实施例中制备的钼基碳纳米管电子封装材料，再取现有技术中的封装材料对50个集成电路进行封装，每10个集成电路为一组，共同进行耐磨试验后，得到以下数据：
集成电路数量 现有技术中封装材料的磨损程度 本发明的磨损程度 耐磨性能（相对于现有技术中的封装材料）
实施例1 10 60% 55％ 耐磨性能提升不明显
实施例2 10 60% 50％ 耐磨性能稍有提升
实施例3 10 60% 30％ 耐磨性能显著提高
实施例4 10 60% 50% 耐磨性能稍有提升
实施例5 10 60% 55% 耐磨性能提升不明显
由上表可知，实施例3中原料配合比例适中，经过耐磨实验后，与现有技术中的电子封装材料进行对比，磨损程度大幅度降低，耐磨性能显著提高，从而在使用本发明中的钼基碳纳米管电子封装材料进行封装时可有效提高耐磨性能，进而使得使用寿命更长。
最后：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种钼基碳纳米管电子封装材料的制备方法，其特征在于：具体步骤如下：
步骤一、钼粉提纯，使用热浓硫酸将钼粉表面的氧化层进行清洗，然后再用清水将浓硫酸洗掉并干燥；
步骤二、制取金属陶瓷粉末，将氧化铝和钼粉烧结形成金属陶瓷粉末；
步骤三、超声波镀铜，使用超声波发生器发出超声波进行镀铜；
步骤四、烧结，使用烧结炉对金属陶瓷粉末和碳纳米管进行烧结。
2.根据权利要求1所述的一种钼基碳纳米管电子封装材料的制备方法，其特征在于：所述步骤一具体为，使用热浓硫酸对钼粉表面的氧化层进行清洗，再将经过热浓硫酸清洗的钼粉放入清水中，将钼粉上带有的热浓硫酸去除，再进行加热干燥。
3.根据权利要求2所述的一种钼基碳纳米管电子封装材料的制备方法，其特征在于：所述加热干燥的温度为60-70摄氏度，所述加热干燥时间为1-2min。
4.根据权利要求1所述的一种钼基碳纳米管电子封装材料的制备方法，其特征在于：所述步骤二具体为，将氧化铝和经过提纯的钼粉放入到炉中进行烧结形成金属陶瓷粉末。
5.根据权利要求4所述的一种钼基碳纳米管电子封装材料的制备方法，其特征在于：所述制取温度为1500-1600摄氏度，采用氩气作为保护气。
6.根据权利要求1所述的一种钼基碳纳米管电子封装材料的制备方法，其特征在于：所述步骤三具体为，使用超声波对金属陶瓷粉末表面镀铜，镀铜时间为50-60min。
7.根据权利要求1所述的一种钼基碳纳米管电子封装材料的制备方法，其特征在于：所述步骤四具体为，将经过超声波镀铜的金属陶瓷粉末和碳纳米管放入到烧结炉中进行烧结。
8.根据权利要求7所述的一种钼基碳纳米管电子封装材料的制备方法，其特征在于：所述烧结温度为1600-1700摄氏度，采用氩气作为保护气。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115821137A (zh) * 2022-11-24 2023-03-21 广州市华司特合金制品有限公司 一种滑雪板配重件用钨合金及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1331202A2 (en) * 2002-01-22 2003-07-30 Samsung SDI Co. Ltd. Electronic device having an electrode made of metal on which carbon nanotubes are deposited
CN101255544A (zh) * 2008-03-21 2008-09-03 中国科学院上海硅酸盐研究所 纳米金属或金属氧化物/碳纳米管复合材料的制备方法
CN105803241A (zh) * 2016-03-21 2016-07-27 中南大学 一种螺旋体增强金属基或聚合物基复合材料及制备方法
US20180151467A1 (en) * 2016-11-26 2018-05-31 Texas Instruments Incorporated Semicondctor device package thermal conduit
CN108213413A (zh) * 2017-12-13 2018-06-29 金堆城钼业股份有限公司 一种钼基碳纳米管电子封装材料的制备方法
CN109037165A (zh) * 2018-07-18 2018-12-18 上海电机学院 一种铝基电子封装材料及其加工方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1331202A2 (en) * 2002-01-22 2003-07-30 Samsung SDI Co. Ltd. Electronic device having an electrode made of metal on which carbon nanotubes are deposited
CN101255544A (zh) * 2008-03-21 2008-09-03 中国科学院上海硅酸盐研究所 纳米金属或金属氧化物/碳纳米管复合材料的制备方法
CN105803241A (zh) * 2016-03-21 2016-07-27 中南大学 一种螺旋体增强金属基或聚合物基复合材料及制备方法
US20180151467A1 (en) * 2016-11-26 2018-05-31 Texas Instruments Incorporated Semicondctor device package thermal conduit
CN108213413A (zh) * 2017-12-13 2018-06-29 金堆城钼业股份有限公司 一种钼基碳纳米管电子封装材料的制备方法
CN109037165A (zh) * 2018-07-18 2018-12-18 上海电机学院 一种铝基电子封装材料及其加工方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115821137A (zh) * 2022-11-24 2023-03-21 广州市华司特合金制品有限公司 一种滑雪板配重件用钨合金及其制备方法
CN115821137B (zh) * 2022-11-24 2024-01-05 广州市华司特合金制品有限公司 一种滑雪板配重件用钨合金及其制备方法

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PB01 Publication
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
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RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20191001

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