CN110282609B - 回转窑法氮化物自蔓延合成设备 - Google Patents
回转窑法氮化物自蔓延合成设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110282609B CN110282609B CN201910498991.3A CN201910498991A CN110282609B CN 110282609 B CN110282609 B CN 110282609B CN 201910498991 A CN201910498991 A CN 201910498991A CN 110282609 B CN110282609 B CN 110282609B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- rotary kiln
- self
- propagating
- nitride
- solid powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 50
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 18
- 238000003892 spreading Methods 0.000 title description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 39
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 18
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 239000000446 fuel Substances 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 6
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 5
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910001337 iron nitride Inorganic materials 0.000 description 2
- XWHPIFXRKKHEKR-UHFFFAOYSA-N iron silicon Chemical compound [Si].[Fe] XWHPIFXRKKHEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- -1 silicon nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/0602—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with two or more other elements chosen from metals, silicon or boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/068—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
- C01B21/0682—Preparation by direct nitridation of silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/072—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with aluminium
- C01B21/0722—Preparation by direct nitridation of aluminium
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B7/00—Rotary-drum furnaces, i.e. horizontal or slightly inclined
- F27B7/20—Details, accessories, or equipment peculiar to rotary-drum furnaces
- F27B7/32—Arrangement of devices for charging
- F27B7/3205—Charging
Abstract
本发明公开了一种回转窑法氮化物自蔓延合成设备，包括：回转窑主体，倾斜设置，配置为经驱动旋转；固体粉末入料口，设置于倾斜设置的回转窑主体位置较高的一端，用于输入固体粉末；氮气入口，用于向回转窑主体内通入氮气；脉冲气动式组件，设置于固体粉末入料口上，用于喷吹固体粉末以脉冲方式进入回转窑主体；所述氮气和固体粉末配置为在回转窑主体内产生自蔓延反应生成氮化物。本发明的回转窑法氮化物自蔓延合成设备，可以实现氮化物(尤其是氮化铝)的大量连续合成。
Description
技术领域
本发明涉及氮化物合成领域，进一步涉及一种回转窑法氮化物自蔓延合成设备。
背景技术
氮化物尤其是硅氮化物，在工业上应用广泛。例如，氮化硅，其具有多种优良性能，耐磨损、自润滑、高温抗氧化等，可以用来制备耐高温部件，传热部件，耐磨损材料等等。
自蔓延技术是利用化学反应自身放热合成材料的一种方式，由于通过化学反应自身放热就能延续反应进行，不用外加热源即可持续反应，因而受到产业界的青睐。
回转窑作为一种氮化物合成反应器，在微正压状态下，反应物连续入炉、合成反应连续进行、产物连续出炉。是一种高效节能的合成设备。
现有氮化物的合成反应器主要为密闭反应器。有些需要在高压状态下进行(如高压自蔓延法)；有些需要进行加热，能耗很高(如真空电阻炉法)。现有方法为间歇生产法，生产效率低，亟需整体性设备和工艺改进。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种回转窑法氮化物自蔓延合成设备，至少部分解决上述问题。
(二)技术方案
为实现上述目的，本发明提供一种回转窑法氮化物自蔓延合成设备，其中包括：
回转窑主体：该主体倾斜设置，配置为经驱动旋转；
固体粉末入料口：设置于倾斜设置的回转窑主体位置较高的一端，用于输入固体粉末；
氮气入口：用于向回转窑主体内通入氮气；
脉冲气动式组件：设置于固体粉末入料口上，用于喷吹固体粉末以脉冲方式进入回转窑主体；所述氮气和固体粉末配置为在回转窑主体内产生自蔓延反应生成氮化物。
在进一步的实施方案中，对应进行自蔓延反应的区域砌筑有耐火、保温、隔热层。
在进一步的实施方案中，所述固体粉末入料口前端设置有粉末计重装置。
在进一步的实施方案中，其中所述氮气入口前端设置有气体流量计。
在进一步的实施方案中，回转窑主体包括一位于其较低一端的出料口，所述合成设备还包括：
冷却系统，连接于出料口后，以对反应产物进行强制冷却。
在进一步的实施方案中，冷却系统包括：冷却水进以及冷却水出口，冷却水进口和冷却水出口之间连接有环绕设置的冷却管道；冷却系统出料口，设置于冷却系统底部。
在进一步的实施方案中，回转窑法氮化物自蔓延合成设备还包括：能移动的燃料喷嘴，用于在自蔓延反应前对炉体内部进行加热。
在进一步的实施方案中，回转窑法氮化物自蔓延合成设备还包括：
电机，用于驱动所述回转窑主体旋转。
(三)有益效果
本发明的氮化物通过回转窑法氮化物自蔓延合成设备进行制备，可以实现氮化物的大量连续合成；
本发明的回转窑法氮化物自蔓延合成设备通过在物料入口处通过脉冲气动方式入料，布料均匀，供粉速度可调，无粉尘泄漏；
本发明的回转窑法氮化物自蔓延合成设备采用微正压自蔓延反应法，反应时不用进行加热，可以节省能源。
本发明的回转窑法氮化物自蔓延合成设备对于制备氮化铝、氮化硅和氮化硅铁效果尤其显著，可以实现高效、高质量、低能耗的氮化物制备。
附图说明
图1是本发明实施例的回转窑法氮化物自蔓延合成设备示意图。
图2是本发明实施例的氮化物回转窑式制备方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。
在整个说明书中，对“一个实施例”、“实施例”、“一个示例”或“示例”的提及意味着：结合该实施例或示例描述的特定特征、结构或特性被包含在本发明至少一个实施例中。因此，在整个说明书的各个地方出现的短语“在一个实施例中”、“在实施例中”、“一个示例”或“示例”不一定都指同一实施例或示例。此外，可以以任何适当的组合和/或子组合将特定的特征、结构或特性组合在一个或多个实施例或示例中。此外，本领域普通技术人员应当理解，这里使用的术语“和/或”包括一个或多个相关列出的项目的任何和所有组合。
图1是本发明实施例的回转窑法氮化物自蔓延合成设备示意图。本发明实施例提供一种回转窑法氮化物自蔓延合成设备，包括回转窑主体1、固体粉末入料口2和氮气入口3。回转窑主体1倾斜设置，配置为经驱动旋转。固体粉末入料口2设置于倾斜设置的回转窑主体位置较高的一端，用于输入固体粉末；氮气入口3用于向回转窑主体内通入氮气，向脉冲气动组件提供输送气源，脉冲气动式组件21设置于固体粉末入料口2上，用于将反应固体粉末喷入回转窑主体1，通过上述设置，使氮气和固体粉末在回转窑内产生自蔓延反应生成氮化物。本发明实施例的回转窑工作于微正压状态(100Pa-1000Pa)，参与反应的反应物连续入炉，自蔓延合成反应连续进行，产物连续出炉。
合成设备的回转窑主体1外形为筒状结构，与地面呈一定角度的倾斜，倾斜角度大于0°且小于90°，进一步的优选的倾斜角度为大于0°小于等于10°。在倾斜的回转窑主体1的适当点位设置两处滚圈，第一滚圈11和第二滚圈12，两个滚圈坐落在支撑托轮上。回转窑旋转的时候，一只托轮61与回转窑同向旋转，另外一只托轮62反向旋转。实施例中回转窑主体1的材料可以选择外部为钢板结构，内部砌筑耐火、保温、隔热层。由于自蔓延反应无需额外进行加热，因此回转窑主体1的非反应区可以设计选择耐火度较低的耐火材料砌筑。回转窑主体1内反应产生的氮化物逐渐沿着回转窑的轴向方向向回转窑较低的一端移动。本实施例中的回转窑主体1配置为经驱动旋转，回转窑的旋转由电机7驱动实现，可采用自动调速系统对回转窑转速进行调整。为实现氮化物的高效、连续生产，优选的回转窑主体1的长度介于1米至40米之间。
在一实施例中，在反应区对应的回转窑主体1内壁上砌筑有耐火保温隔热层，对筒体外壳起保护作用，同时保证反应区域有足够的温度。
固体粉末入料口2开设于回转窑主体1较高的一端，以引导固料进入回转窑主体1内；氮气入口3开设于炉体较高的一端，配置为通入氮气后在回转窑主体1内与固体粉末形成自蔓延反应，同时为粉末输送提供气源。出料口4开设于回转窑主体1较低的一端(也就是炉体底部)，配置为输出经自蔓延反应后的氮化物。
合成设备的固体粉末入料口2是粒度合格的反应物粉末的进料口，这些粉末可以提前制备。对于粉末的粒径，应尽可能小以能够进行自蔓延反应为要求。自蔓延反应的粒径一般为0.1μm-100μm。现有技术中并未有采用回转窑自蔓延方式制备氮化铝、氮化硅和氮化硅铁的工艺，用回转窑自蔓延方式能够大量、连续、高效、节能制备上述氮化物。
在一实施例中，合成设备的固体粉末入料口2上设置有脉冲气动组件21。由于回转窑主体1内进行自蔓延反应时需要通入氮气作为反应气体，炉膛须有一定压力，内外会存在压差。在固体粉末入料口2上设置脉冲气动组件21，将反应粉末喷入炉内。该脉冲气动组件21可以对固体粉末喷入量进行控制。
合成设备的氮气入口3用于通入反应气体，本实施例中通入反应的含氮气体优选为氮气。一实施例中，氮气入口3处可设置有阀门和流量计31，用于控制气体流量。在一实施例中，氮气入口3可开设于回转窑主体1位置较高的一端，在该端即与固体粉末开始混合。从入口3进入的氮气充满回转窑主体1，在其中保持微正压气氛(100Pa-1000Pa)。
在一实施例中，合成设备还可配置有能移动的燃料喷嘴，为保证自蔓延反应的起始条件，预处理阶段，可以通过燃料喷嘴产生火焰，对炉体内部进行加热，经加热可将回转窑主体加热至可以进行自蔓延反应的温度，且加热过程中去除炉体内的水汽和氧气等，正常生产时不用外加热设备，也不用抽真空设备。
在一实施例中，回转窑主体1的出料口4后连接冷却系统，以对反应产物进行强制冷却。冷却系统可以包括底部冷却系统出料口53，冷却水进口51以及冷却水出口52，冷却水进口51和冷却水出口52之间连接有环绕设置的冷却管道，从冷却水进口51通入冷却介质(例如水)，经循环后从冷却水出口52流出，该过程中会逐步降低位于冷却系统内的氮化物的温度，当氮化物物料温度降低至设定温度后，氮化物可以从冷却系统出料口4排出。
图2是本发明实施例的回转窑式自蔓延氮化物制备方法工艺流程图。如图2所示，通过上述合成设备进行氮化物制备的典型方法可以包括如下步骤：
S101：由回转窑主体上的固体粉末入料口喷入固体粉末；
S102：由回转窑主体上的氮气入口通入氮气；
S103：所述氮气和固体粉末在回转窑主体内进行自蔓延反应，生成氮化物。
一些实施例中，开炉过程为，在步骤S101之前，点燃燃料喷嘴，通过该点燃的燃料喷嘴加热炉体内部，让炉体内脱水，加热至自蔓延反应能够进行的温度，以及通过该过程消耗位于炉体内的氧气，保证自蔓延反应的氮气气氛，该过程概括为干燥蓄热。
步骤S101中，需要选择小于设定粒径的固体粉末参与反应以保证自蔓延反应持续进行，可选的粒径为0.1μm-100μm；同时，可以选择通过脉冲气动方式由固料入口喷入固体粉末，该方式能够保证输入的固体反应物流量，可选的质量流量为1-4500kg/h，优选的质量流量为2000-2800kg/h。
步骤S102中，自蔓延反应通常为气体与固体的反应，在喷入固体粉末时也通入反应气体，基于生成物(氮化物)的要求，这里的反应气体为氮气。可选的，通入的氮气流量为1-4800Nm3/h(标态立方米每小时)，优选的为2000-3000Nm3/h，通入的氮气温度为常温。
步骤S103中，在满足自蔓延反应的条件下，自蔓延反应持续进行，炉体内持续生成氮化物。
在一实施例中，上述氮化物为氮化铝或者含硅氮化物，对应的固体粉末为铝粉、硅粉和氮化硅铁粉。当反应产物为氮化铝时，通入回转窑主体的固体粉末为铝粉末，颗粒粒径优选的为数微米(0.1μm-10μm)，通入的粉末质量流量为1-1000kg/h；当反应产物为硅氮化物时，通入回转窑主体的固体粉末为含硅粉末，颗粒粒径优选的为数十微米(0.1μm-100μm)，通入的粉末质量流量为1-4500kg/h。
此外，应当说明的是，上述步骤S1-S3仅用于区分各反应步骤，部分步骤顺序可以有所不同或者同步进行，例如步骤S1和S2之间可以同时进行。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种回转窑法氮化物自蔓延合成设备，其包括：
回转窑主体：该主体倾斜设置，配置为经驱动旋转；
固体粉末入料口：设置于倾斜设置的回转窑主体位置较高的一端，用于输入固体粉末；
氮气入口：设置于回转窑主体位置较高的一端，用于向回转窑主体内通入氮气；
脉冲气动式组件：设置于固体粉末入料口上，用于喷吹固体粉末以脉冲方式进入回转窑主体；
所述氮气和固体粉末配置为在回转窑主体内产生自蔓延反应生成氮化物；
能移动的燃料喷嘴，用于在自蔓延反应前对炉体内部进行加热；
其中，所述回转窑配置为工作于微正压状态。
2.根据权利要求1所述的回转窑法氮化物自蔓延合成设备，其中，对应进行自蔓延反应的区域砌筑有耐火、保温、隔热层。
3.根据权利要求1所述的回转窑法氮化物自蔓延合成设备，其中所述固体粉末入料口前端设置有粉末计重装置。
4.根据权利要求1所述的回转窑法氮化物自蔓延合成设备，其中所述氮气入口前端设置有气体流量计。
5.根据权利要求1所述的回转窑法氮化物自蔓延合成设备，其中，回转窑主体包括一位于其较低一端的出料口，所述合成设备还包括：
冷却系统，连接于出料口后，以对反应产物进行强制冷却。
6.根据权利要求5所述的回转窑法氮化物自蔓延合成设备，其中，所述冷却系统包括：
冷却水进口以及冷却水出口，冷却水进口和冷却水出口之间连接有环绕设置的冷却管道；
冷却系统出料口，设置于冷却系统底部。
7.根据权利要求1所述的回转窑法氮化物自蔓延合成设备，其中，还包括：
电机，用于驱动所述回转窑主体旋转。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910498991.3A CN110282609B (zh) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | 回转窑法氮化物自蔓延合成设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910498991.3A CN110282609B (zh) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | 回转窑法氮化物自蔓延合成设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110282609A CN110282609A (zh) | 2019-09-27 |
| CN110282609B true CN110282609B (zh) | 2020-04-21 |
Family
ID=68003738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910498991.3A Active CN110282609B (zh) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | 回转窑法氮化物自蔓延合成设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110282609B (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101003867A (zh) * | 2006-01-20 | 2007-07-25 | 蔡惜辉 | 一种氮化钒合金的制备方法 |
| CN101172586A (zh) * | 2007-09-30 | 2008-05-07 | 冯良荣 | 一种制备氮化锰的方法 |
| CN103112834A (zh) * | 2012-10-17 | 2013-05-22 | 浙江欣万飞科技有限公司 | 一种制备超高氮化锰的方法 |
| CN103849829A (zh) * | 2012-12-03 | 2014-06-11 | 安徽港铭新材料科技有限公司 | 一种锰氮合金的制备方法 |
| CN104176716A (zh) * | 2013-05-22 | 2014-12-03 | 安徽港铭新材料科技有限公司 | 一种氮化锆的制备方法 |
| CN108557780A (zh) * | 2018-04-27 | 2018-09-21 | 浙江东瓷新材料有限公司 | 一种氮化硅粉体的制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1191194C (zh) * | 2003-06-04 | 2005-03-02 | 北京科技大学 | 一种燃烧合成制备铝的氮化物或氮氧化物的方法 |
-
2019
- 2019-06-10 CN CN201910498991.3A patent/CN110282609B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101003867A (zh) * | 2006-01-20 | 2007-07-25 | 蔡惜辉 | 一种氮化钒合金的制备方法 |
| CN101172586A (zh) * | 2007-09-30 | 2008-05-07 | 冯良荣 | 一种制备氮化锰的方法 |
| CN103112834A (zh) * | 2012-10-17 | 2013-05-22 | 浙江欣万飞科技有限公司 | 一种制备超高氮化锰的方法 |
| CN103849829A (zh) * | 2012-12-03 | 2014-06-11 | 安徽港铭新材料科技有限公司 | 一种锰氮合金的制备方法 |
| CN104176716A (zh) * | 2013-05-22 | 2014-12-03 | 安徽港铭新材料科技有限公司 | 一种氮化锆的制备方法 |
| CN108557780A (zh) * | 2018-04-27 | 2018-09-21 | 浙江东瓷新材料有限公司 | 一种氮化硅粉体的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110282609A (zh) | 2019-09-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001263632A (ja) | オキシダント駆動式リサイクル方法と回転キルン用装置 | |
| KR101978862B1 (ko) | 용광로 내에 대체 환원제를 주입하기 위한 방법 | |
| CN101297057A (zh) | 火焰喷涂过程和装置 | |
| CN102060538B (zh) | 利用高温旋转炉合成氮化硅粉末的方法 | |
| CN202881205U (zh) | 一种多管路组合式气化喷嘴 | |
| CN110282609B (zh) | 回转窑法氮化物自蔓延合成设备 | |
| RU2170617C2 (ru) | Универсальная противоточная струйная установка для высокотемпературной обработки сырья | |
| CN110182771B (zh) | 回转窑法合成硅氮化物的方法 | |
| CN110182772B (zh) | 回转窑法合成氮化铝的方法 | |
| EP2566939B1 (en) | Method and device for carbon injection and recirculation of synthesis gas when producing synthesis gas | |
| US20080289364A1 (en) | Method and system for preheating glass batch or ingredient(s) | |
| CN103423997A (zh) | 一种烧结机的辅助装置 | |
| HU223445B1 (hu) | Eljárás reakcióknak fluidizált részecskerétegben történő lefuttatására | |
| CN114438272B (zh) | 一种铁矿石回转窑高温直接还原物料冷却的隔氧方法 | |
| US3817711A (en) | Apparatus for preparation of finely particulate silicon oxides | |
| CN200985280Y (zh) | 流化床直接制取氮化硅的装置 | |
| CN110204342B (zh) | 沉降式自蔓延氮化铝的制备方法 | |
| AU3982395A (en) | Reactor for heating and treating materials in a controlled atmosphere | |
| CN103033044B (zh) | 连续高温碳化炉及连续生产粗颗粒碳化物粉末的方法 | |
| JPH0649911B2 (ja) | 金属化合物粒子分散金属複合材料の製造方法及び装置 | |
| CN110156477B (zh) | 沉降式自蔓延硅氮化物反应器 | |
| CN220310398U (zh) | 一种一体化硝酸盐热分解装置 | |
| KR101102327B1 (ko) | 탄소 나노튜브 합성 장치의 촉매 공급 장치 | |
| CN100352761C (zh) | 制备纳米氮化硅粉体的气相合成装置 | |
| Estrin | Prospects for reducing energy consumption in zinc oxide technology |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20211231 Address after: 750021 south of Jingtian West Road and east of Hongtu South Street, West District, economic development zone, Yinchuan City, Ningxia Hui Autonomous Region Patentee after: Ningxia Shixing Technology Co.,Ltd. Address before: 753000 1st floor, building h, science and Technology Finance Plaza, Dawukou District, Shizuishan City, Ningxia Hui Autonomous Region Patentee before: Ningxia Qin's New Materials Co.,Ltd. |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Self propagating synthesis equipment for nitrides using rotary kiln method Effective date of registration: 20240102 Granted publication date: 20200421 Pledgee: Ningxia East Guarantee Co.,Ltd. Pledgor: Ningxia Shixing Technology Co.,Ltd. Registration number: Y2023640000053 |