CN110265286B - 一种衬底基板的清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种衬底基板的清洗方法，步骤如下：在衬底基板上形成剥离膜层，所述剥离膜层可与所述衬底基板上的脏污杂质结合；将所述剥离膜层连同与所述剥离膜层结合的脏污杂质从所述衬底基板上去除；对所述衬底基板进行清洗。该清洗方法征对衬底基板上通过常规清洗方法难以除掉的污染物有较好的清洁效果。
Description
技术领域
本发明涉及一种衬底基板的清洗方法。
背景技术
在半导体和微电子领域，需要在衬底基板上制作复杂的电路图案或其他功能图案，这就涉及到衬底基板的清洗工艺。
现有技术中，衬底基板的清洗工艺一般有毛刷清洗、等离子清洗（或UV清洗）、超声波清洗和清洁剂清洗等方法，由于微图案或元件的脆弱性，决定了毛刷直接清洗的方法很少被采用，使用较多的是等离子清洗（或UV清洗）、超声波清洗和清洁剂清洗等方法，这导致衬底基板上的一些顽固颗粒、纤维等脏污杂质不容易去除，尤其是当衬底基板的表面为复杂图案或具有凹凸不平的形貌（比如FET的电路图案、TFT的漫反射图案、经过摩擦取向后的TFT基板、EPD的半球形前板图案等）时，脏污杂质容易停驻或隐藏在狭缝或低洼处，则更难被清洗掉。
发明内容
为了解决上述现有技术的不足，本发明提供一种衬底基板的清洗方法，对衬底基板上通过常规清洗方法难以除掉的污染物有较好的清洁效果。
本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：
一种衬底基板的清洗方法，步骤如下：
在衬底基板上形成剥离膜层，所述剥离膜层可与所述衬底基板上的脏污杂质结合；
将所述剥离膜层连同与所述剥离膜层结合的脏污杂质从所述衬底基板上去除；
对所述衬底基板进行清洗。
进一步地，所述剥离膜层为光刻胶膜层，其与所述衬底基板上的脏污杂质结合的步骤如下：
在所述衬底基板上涂布所述光刻胶膜层；
对所述光刻胶膜层进行预烘烤；
对所述光刻胶膜层进行曝光。
进一步地，通过显影液将曝光后的光刻胶膜层连同与所述光刻胶膜层结合的脏污杂质从所述衬底基板上去除。
进一步地，所述光刻胶为正性胶。
进一步地，所述光刻胶膜层的厚度大于0.5μm。
进一步地，所述剥离膜层为金属膜层，其与所述衬底基板上的脏污杂质结合的步骤如下：
在所述衬底基板上溅镀所述金属膜层。
进一步地，通过刻蚀液将所述金属膜层连同与所述金属膜层结合的脏污杂质从所述衬底基板上去除。
进一步地，所述金属膜层为Mo、Cr、W、Ti金属之一或者含有Mo、Cr、W、Ti金属之一的合金。
进一步地，通过刻蚀液将所述金属膜层连同与所述金属膜层结合的脏污杂质从所述衬底基板上去除。
进一步地，对所述衬底基板进行清洗的步骤依序包括如下至少一种：
对所述衬底基板进行等离子清洗；
对所述衬底基板进行超声波清洗；
对所述衬底基板进行清洗剂清洗；
对所述衬底基板进行去离子水清洗。
本发明具有如下有益效果：该清洗方法通过在所述衬底基板上形成所述剥离膜层，利用所述剥离膜层与所述衬底基板上的脏污杂质结合，然后在去除所述剥离膜层时，连同与所述剥离膜层结合的脏污杂质一同去除，可去除所述衬底基板表面上的顽固颗粒、纤维等脏污杂质，对所述衬底基板上通过常规清洗方法难以除掉的污染物有较好的清洁效果。
附图说明
图1为本发明提供的衬底基板的清洗方法的步骤框图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行详细的说明。
如图1所示，一种衬底基板的清洗方法，步骤如下：
S101：在衬底基板上形成剥离膜层，所述剥离膜层可与所述衬底基板上的脏污杂质结合；
在该步骤S101中，所述衬底基板既可以是表面无任何电路图案或其他功能图案的裸基板，也可以是制作有电路图案或其他功能图案的功能基板。
所述剥离膜层覆盖于所述衬底基板的表面后，可通过物理方式和/或化学方式与脏污杂质结合，其中所述剥离膜层和脏污杂质之间的结合力大于脏污杂质在所述衬底基板上的附着力。
在一实施例中，所述剥离膜层为光刻胶膜层，其与所述衬底基板上的脏污杂质结合的步骤如下：
在所述衬底基板上涂布所述光刻胶膜层；
对所述光刻胶膜层进行预烘烤；
对所述光刻胶膜层进行曝光。
其中，所述光刻胶膜层在涂布于所述衬底基板上后，与脏污杂质之间形成物理结合，在经过预烘烤后，其与脏污杂质结合的活性提高，活性提高的光刻胶膜层与脏污杂质之间形成第一次化学结合，在经过曝光后，其由高分子链结构分解为与脏污杂质结合能力更好的小分子结构，小分子结构的光刻胶膜层与脏污杂质之间形成第二次化学结合。
其中，所述光刻胶膜层优选为正性胶，厚度大于0.5μm。
在另一实施例中，所述剥离膜层为金属膜层，其与所述衬底基板上的脏污杂质结合的步骤如下：
在所述衬底基板上溅镀所述金属膜层。
所述金属膜层可为Mo、Cr、W、Ti等金属之一或含有Mo、Cr、W、Ti等金属之一的合金，厚度小于0.5μm，其溅镀环境中的等离子电浆具有活性原子、电子、光子及自由基等，而等离子电浆中的活性原子、电子、光子及自由基等可将所述衬底基板上的脏污杂质激活，激活后的脏污杂质与所述金属膜层产生化学结合。
S102：将所述剥离膜层连同与所述剥离膜层结合的脏污杂质从所述衬底基板上去除；
在该步骤S102中，若所述剥离膜层为光刻胶层，则通过显影液将曝光后的光刻胶膜层连同与所述光刻胶膜层结合的脏污杂质从所述衬底基板上去除；若所述剥离膜层为金属膜层，则通过刻蚀液将所述金属膜层连同与所述金属膜层结合的脏污杂质从所述衬底基板上去除。
S103：对所述衬底基板进行清洗；
在该步骤S103中，对所述衬底基板进行清洗的步骤依序包括如下至少一种：
对所述衬底基板进行等离子清洗；
对所述衬底基板进行超声波清洗；
对所述衬底基板进行清洗剂清洗；
对所述衬底基板进行去离子水清洗。
其中，脏污杂质由于与所述剥离膜层发生了化学结合，其分子结构产生了改变，导致其在所述衬底基板上的附着力下降，附着力下降的脏污杂质即使在步骤S102中去除所述剥离膜层后，仍然在所述衬底基板上存在残留，也可在步骤S103的清洗剂清洗中更容易被清洗剂去除。
该清洗方法通过在所述衬底基板上形成所述剥离膜层，利用所述剥离膜层与所述衬底基板上的脏污杂质结合，然后在去除所述剥离膜层时，连同与所述剥离膜层结合的脏污杂质一同去除，可去除所述衬底基板表面上的顽固颗粒、纤维等脏污杂质，对所述衬底基板上通过常规清洗方法难以除掉的污染物有较好的清洁效果。
以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种衬底基板的清洗方法，其特征在于，步骤如下：
在衬底基板上形成剥离膜层，所述剥离膜层可与所述衬底基板上的脏污杂质结合；
将所述剥离膜层连同与所述剥离膜层结合的脏污杂质从所述衬底基板上去除；
对所述衬底基板进行清洗；
所述剥离膜层为光刻胶膜层，其与所述衬底基板上的脏污杂质结合的步骤如下：
在所述衬底基板上涂布所述光刻胶膜层，以使所述光刻胶膜层与脏污杂质之间形成物理结合；
对所述光刻胶膜层进行预烘烤，以使所述光刻胶膜层与脏污杂质结合的活性提高，活性提高的光刻胶膜层与脏污杂质之间形成第一次化学结合；
对所述光刻胶膜层进行曝光，以使所述光刻胶膜层由高分子链结构分解为与脏污杂质结合能力更好的小分子结构，小分子结构的光刻胶膜层与脏污杂质之间形成第二次化学结合。
2.根据权利要求1所述的衬底基板的清洗方法，其特征在于，通过显影液将曝光后的光刻胶膜层连同与所述光刻胶膜层结合的脏污杂质从所述衬底基板上去除。
3.根据权利要求1或2所述的衬底基板的清洗方法，其特征在于，所述光刻胶为正性胶。
4.根据权利要求1或2所述的衬底基板的清洗方法，其特征在于，所述光刻胶膜层的厚度大于0.5μm。
5.根据权利要求1所述的衬底基板的清洗方法，其特征在于，对所述衬底基板进行清洗的步骤依序包括如下至少一种：
对所述衬底基板进行等离子清洗；
对所述衬底基板进行超声波清洗；
对所述衬底基板进行清洗剂清洗；
对所述衬底基板进行去离子水清洗。
6.一种衬底基板的清洗方法，其特征在于，步骤如下：
在衬底基板上形成剥离膜层，所述剥离膜层可与所述衬底基板上的脏污杂质结合；
将所述剥离膜层连同与所述剥离膜层结合的脏污杂质从所述衬底基板上去除；
对所述衬底基板进行清洗；
所述剥离膜层为金属膜层，其与所述衬底基板上的脏污杂质结合的步骤如下：
在所述衬底基板上溅镀所述金属膜层，通过溅镀环境中的等离子电浆将所述衬底基板上的脏污杂质激活，激活后的脏污杂质与所述金属膜层产生化学结合。
7.根据权利要求6所述的衬底基板的清洗方法，其特征在于，通过刻蚀液将所述金属膜层连同与所述金属膜层结合的脏污杂质从所述衬底基板上去除。
8.根据权利要求6或7所述的衬底基板的清洗方法，其特征在于，所述金属膜层为Mo、Cr、W、Ti金属之一或者含有Mo、Cr、W、Ti金属之一的合金。
9.根据权利要求6或7所述的衬底基板的清洗方法，其特征在于，所述金属膜层的厚度小于0.5μm。
10.根据权利要求6所述的衬底基板的清洗方法，其特征在于，对所述衬底基板进行清洗的步骤依序包括如下至少一种：
对所述衬底基板进行等离子清洗；
对所述衬底基板进行超声波清洗；
对所述衬底基板进行清洗剂清洗；
对所述衬底基板进行去离子水清洗。
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| GR01 | Patent grant | ||
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