CN110246834A - 半导体发光器件封装件 - Google Patents

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Abstract

提供了一种半导体发光器件封装件。该半导体发光器件封装件包括引线框架结构，该引线框架结构包括第一引线框架和第二引线框架。树脂部与第一引线框架和第二引线框架的侧表面相邻。半导体发光器件通过共晶键合以倒装芯片的形式安装在第一引线框架和第二引线框架上。第一引线框架和第二引线框架中的每个具有在第一方向上延伸的多个第一凹槽。

Description

半导体发光器件封装件
本申请要求于2018年3月8日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0027585号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此，本申请要求于2018年6月8日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0066316号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明构思的示例性实施例涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种半导体发光器件封装件。
背景技术
半导体发光器件被称为具有相对长的寿命、相对低的功耗、相对快的响应速度和环境友好的下一代光源。半导体发光器件作为光源在诸如照明装置、显示装置或汽车照明的各种产品中受到关注。然而，半导体发光器件的制造成本会相对高。
发明内容
本发明构思的示例性实施例提供了一种具有相对低的制造成本和增加的可靠性的半导体发光器件封装件。
根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体发光器件封装件包括引线框架结构，引线框架结构包括第一引线框架和第二引线框架。树脂部与第一引线框架和第二引线框架的侧表面相邻。半导体发光器件以倒装芯片的形式安装在第一引线框架和第二引线框架上。第一引线框架和第二引线框架中的每个具有在第一方向上延伸的多个第一凹槽。
根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体发光器件封装件包括引线框架结构，引线框架结构包括第一引线框架和第二引线框架。树脂部与第一引线框架和第二引线框架的侧表面相邻。半导体发光器件以倒装芯片的形式安装在引线框架结构上。半导体发光器件包括分别连接到第一引线框架和第二引线框架的第一结合层和第二结合层。荧光体层设置在半导体发光器件的上表面上。封装部设置在荧光体层的侧表面和半导体发光器件的侧表面上。封装部设置在引线框架结构上。第一引线框架和第二引线框架中的每个具有在第一方向上彼此平行地延伸的多个第一凹槽。
根据本发明构思的示例性实施例，一种半导体发光器件封装件包括引线框架结构，引线框架结构包括第一引线框架和第二引线框架。树脂部设置在第一引线框架和第二引线框架的侧表面上。半导体发光器件以倒装芯片的形式安装在引线框架结构上。半导体发光器件包括分别与第一引线框架和第二引线框架接触的第一结合层和第二结合层。荧光体层设置在半导体发光器件的上表面上。封装部设置在荧光体层的侧表面和半导体发光器件的侧表面上。封装部设置在引线框架结构上。第一引线框架和第二引线框架中的每个具有在第一方向上彼此平行地延伸的多个第一凹槽。树脂部包括硅酮模塑料。
附图说明
通过参照附图详细地描述发明构思的示例性实施例，发明构思的以上和其他特征将变得更明显，在附图中：
图1是根据本发明构思的示例性实施例的半导体发光器件封装件的透视图；
图2是图1的从其省略一部分的半导体发光器件封装件的透视图；
图3是根据本发明构思的示例性实施例的半导体发光器件封装件的平面图；
图4是根据本发明构思的示例性实施例的引线框架结构的透视图；
图5是根据本发明构思的示例性实施例的引线框架的透视图；
图6是根据本发明构思的示例性实施例的引线框架结构的平面图；
图7A和图7B分别是沿图6的线A-A'和线B-B'截取的剖视图；
图8是根据本发明构思的示例性实施例的半导体发光器件的剖视图；
图9至图16均是根据本发明构思的示例性实施例的引线框架结构的平面图；
图17是根据本发明构思的示例性实施例的引线框架结构的透视图；
图18是根据本发明构思的示例性实施例的用于车辆的前照灯的图；以及
图19是根据本发明构思的示例性实施例的灯泡型灯的分解透视图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本发明构思的示例性实施例。在这方面，示例性实施例可以具有不同的形式并且不应解释局限于这里描述的本发明构思的示例性实施例。贯穿说明书和附图，同样的附图标记可以表示同样的元件。
图1是根据本发明构思的示例性实施例的半导体发光器件封装件的透视图。图2是图1的从其省略一部分的半导体发光器件封装件的透视图。图3是根据本发明构思的示例性实施例的半导体发光器件封装件的平面图。
参照图1至图3，半导体发光器件封装件1可以包括引线框架结构10、半导体发光器件100、荧光体层20和封装部30。
引线框架结构10可以包括至少一个引线框架14(例如，一对引线框架14)和树脂部12。作为示例，引线框架14可以包括沿第一方向(例如，X方向)彼此分隔开的第一引线框架和第二引线框架(见，例如，图3)。树脂部12可以与引线框架14的侧表面相邻。例如，树脂部12可以设置在引线框架14的侧表面上并且可以基本围绕引线框架14的侧表面。树脂部12可以包括例如硅酮模塑料(SMC)。引线框架14可以包括例如铜(Cu)。引线框架结构10可以被称为封装基底。引线框架14中的每个可以具有多个凹槽G。多个凹槽G可以在第一方向(例如，X方向)上延伸。多个凹槽G中的凹槽可以彼此基本平行地延伸。凹槽G可以在第二方向(例如，Y方向)上以基本规则的间隔布置。第二方向(例如，Y方向)可以垂直于第一方向(例如，X方向)。凹槽G的宽度Wg可以彼此基本相等。例如，在第二方向(例如，Y方向)上，凹槽G的宽度Wg可以彼此基本相等。
作为示例，第一方向X可以垂直于第二方向Y。第一方向X和第二方向Y可以限定半导体发光器件封装件延伸所沿的平面。第三方向Z可以与第一方向X和第二方向Y垂直。因此，第三方向Z可以与在第一方向X和第二方向Y上延伸的平面正交。
半导体发光器件100可以以倒装芯片的形式安装在引线框架14上。半导体发光器件100可以利用共晶键合安装在引线框架14上。对于共晶键合，半导体发光器件100可以包括包含例如共晶合金(例如，AuSn合金)的结合层170n和170p，而引线框架14可以包括具有多层结构并包括例如镍(Ni)/钯(Pd)/金(Au)的镀层。半导体发光器件100可以发射例如蓝光或紫外光。
半导体发光器件100可以安装在半导体发光器件与凹槽G叠置(例如，沿Z方向叠置)的位置中。当半导体发光器件100的尺寸相对小时，半导体发光器件可以安装在半导体发光器件与凹槽G的一部分叠置(例如，沿Z方向叠置)的位置中。半导体发光器件100的结合层170n和170p的边缘可以与凹槽G叠置。结合层170n和170p的位于在第二方向(例如，Y方向)上的相对的端部处的第一边缘可以沿与第一方向和第二方向正交的第三方向(例如，Z方向)而与凹槽G之中的设置在外部的外凹槽G叠置。结合层170n和170p的位于在第一方向(例如，X方向)上的相对的端部处的第二边缘的部分可以沿与第一方向和第二方向正交的第三方向(例如，Z方向)而与凹槽G叠置。结合层170n和170p可以彼此分隔开。
荧光体层20可以设置在半导体发光器件100的上表面上并且可以附着到半导体发光器件100的上表面。荧光体层20可以包括荧光体粉末颗粒与树脂(例如，硅酮树脂)混合的荧光膜。荧光体粉末颗粒可以是例如黄色荧光体粉末颗粒。
封装部30可以设置在引线框架结构10上并且可以暴露荧光体层20的上表面，同时围绕半导体发光器件100的侧表面。封装部30在第一方向(例如，X方向)上的尺寸和封装部30在第二方向(例如，Y方向)上的尺寸可以基本等于引线框架结构10的尺寸。封装部30的侧表面可以与引线框架结构10的侧表面基本共面。封装部30可以包括例如包括TiO2粉末的硅酮树脂。
半导体发光器件封装件1可以包括设置在半导体发光器件100的一侧上并安装在引线框架14上的稳压二极管50。封装部30可以完全覆盖稳压二极管50。稳压二极管50可以是单向稳压二极管或双向稳压二极管。稳压二极管50可以例如利用共晶键合安装在引线框架14上。半导体发光器件100和稳压二极管50可以彼此连接(例如，并联连接)。
半导体发光器件封装件1的厚度(例如，沿Z方向的厚度)可以是例如0.46mm。引线框架结构10的厚度可以是例如0.20mm。
根据本发明构思的示例性实施例，与其中陶瓷基底(AlN、Al2O3等)用作封装基底且陶瓷荧光体板(CPP)用于波长转换的半导体发光器件封装件相比，半导体发光器件封装件1可以以相对低的制造成本制造。引线框架14可以包括多个凹槽G，因此可以减小或消除由于引线框架结构10与半导体发光器件100之间的热膨胀系数的差异引起的热应力，从而增加半导体发光器件封装件的可靠性。此外，在不使用焊料的情况下，半导体发光器件100可以利用共晶键合(例如，利用AuSn)直接安装在引线框架14中。因此，当使用半导体发光器件封装件1时，可以消除焊料的再熔化的发生。此外，在不包括环氧树脂的半导体发光器件封装件1中，可以消除黄化的发生。
下面将更详细地描述利用共晶键合将半导体发光器件100安装在引线框架结构10上的工艺。在本发明构思的示例性实施例中，在不加热具有比半导体发光器件100的热膨胀系数大的热膨胀系数的引线框架结构10的情况下，用加热的夹头利用真空吸附法提高半导体发光器件100，并加热半导体发光器件100。然后，将半导体发光器件100设置在引线框架结构10上。使已经被加热的半导体发光器件100的结合层170n和170p熔化，提供与引线框架结构10的引线框架14的镀层的共晶键合。利用这样的安装工艺，可以减小或消除由于半导体发光器件100与引线框架结构10之间的热膨胀系数的差异而产生的热应力。
图4是根据本发明构思的示例性实施例的引线框架结构的透视图。图5是根据本发明构思的示例性实施例的引线框架的透视图。图6是根据本发明构思的示例性实施例的引线框架结构的平面图。图7A和图7B分别是沿图6的线A-A′和线B-B′截取的剖视图。
参照图4、图5、图6、图7A和图7B，引线框架结构10可以包括一对引线框架14和树脂部12。引线框架结构10可以具有基本平坦的上表面。引线框架14的上表面可以与树脂部12的上表面基本共面。引线框架结构10可以具有基本平坦的下表面。引线框架14的下表面可以与树脂部12的下表面基本共面。
引线框架14中的每个可以具有多个凹槽G(例如，三个凹槽G)。凹槽G可以在第一方向(例如，X方向)上延伸。凹槽G可以基本彼此平行地延伸。凹槽G可以在第一方向(例如，X方向)上诸如彼此平行地延伸。凹槽G的延伸长度可以小于引线框架14的宽度。凹槽G的延伸长度可以彼此基本相等。在本发明构思的示例性实施例中，凹槽G中的至少一个凹槽的延伸长度可以比凹槽G中的其他凹槽的延伸长度短。例如，位于三个凹槽G的中间的中间凹槽G的长度可以比定位为与三个凹槽G中的中间凹槽G相邻的两个外凹槽G的长度短。凹槽G可以从引线框架14的内侧表面朝向引线框架14的外侧表面延伸。这里，内侧表面指一对引线框架14彼此面对的侧表面，外侧表面指与内侧表面相对的侧表面。凹槽G可以在第二方向(例如，Y方向)上彼此分隔开。凹槽G可以在第二方向(例如，Y方向)上以基本规则的间隔布置。
引线框架14的宽度可以指引线框架14在第一方向(例如，X方向)上的尺寸，引线框架14的长度可以指引线框架14在第二方向(例如，Y方向)上的尺寸，引线框架14的厚度可以指引线框架14在第三方向(例如，Z方向)上的尺寸。因此，第一方向(例如，X方向)可以是宽度方向，第二方向(例如，Y方向)可以是长度方向，第三方向(例如，Z方向)可以是厚度方向。
引线框架14中的每个可以具有上区域14t和下区域14s，下区域14s的宽度和长度可以比上区域14t的宽度和长度小。凹槽G可以形成在上区域14t中。凹槽G的深度可以等于上区域14t的厚度Tt。凹槽G可以基本用树脂部12填充。填充凹槽G的树脂部12的上表面可以与引线框架14的上表面基本共面。例如，填充凹槽G的树脂部12的上表面可以与上区域14t的上表面基本共面。
引线框架14的上区域14t的厚度Tt可以小于引线框架14的下区域14s的厚度Ts。引线框架结构10的总厚度T可以是例如0.2mm，引线框架14的上区域14t的厚度Tt可以是例如0.07mm，引线框架14的下区域14s的厚度Ts可以是例如0.13mm。
图8是根据本发明构思的示例性实施例的半导体发光器件的剖视图。
参照图8，根据本发明构思的示例性实施例的半导体发光器件100可以包括基底105、发光结构110、第一绝缘层130、第二绝缘层150、第三绝缘层160、第一透明电极层140、第二透明电极层142、反射电极层144、透明保护层138、第一连接电极155n、第二连接电极155p、第一电极垫(pad，或称为“焊盘”或“焊垫”)165n、第二电极垫165p、第一结合层170n和第二结合层170p。
半导体发光器件100可以利用共晶键合以倒装芯片的形式安装在封装基底上。
基底105可以具有前表面105s1和与前表面105s1相对的后表面105s2。基底105可以是用于半导体生长的基底，并且可以包括绝缘材料、导电材料或半导体材料，诸如蓝宝石、Si、SiC、MgAl2O4、MgO、LiAlO2、LiGaO2或GaN。蓝宝石可以用作用于氮化物半导体生长的基底。
贯穿说明书，诸如“前表面”和“后表面”的术语可以用于识别组件中的相对位置，本发明构思的示例性实施例不受这些术语限制。因此，诸如“前表面”和“后表面”的术语可以被诸如“第一表面”和“第二表面”或“上表面”和“下表面”的术语代替，并且可以用于描述这里的各种组件。因此，基底105的前表面105s1和后表面105s2可以可互换地称为基底105的上表面105s1和下表面105s2，或者可以可互换地称为基底105的第一表面105s1和第二表面105s2。
发光结构110可以设置在基底105的前表面105s1上。
根据本发明构思的示例性实施例，基底105的前表面105s1可以设置为具有凹凸结构，该凹凸结构可以增大形成发光结构110的半导体层的结晶度和发光效率。在本发明构思的示例性实施例中，通过示例的方式，基底105的前表面105s1的凹凸结构可以具有凸的圆拱形形状，但是本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，基底105的前表面105s1的凹凸结构可以以诸如四边形形状或三角形形状的各种形式设置。基底105的前表面105s1的凹凸结构可以被选择性地设置，或者可以被省略。
在本发明构思的示例性实施例中，可以去除基底105。例如，基底105可以设置为用于生长发光结构110的基底，并且然后可以通过分离工艺被去除。基底105可以利用激光剥离(LLO)工艺或化学剥离(CLO)工艺与发光结构110分离。
缓冲层(未示出)可以设置在基底105的前表面105s1上。缓冲层可以被设置为用于在基底105上生长的半导体层的晶格缺陷弛豫，并且可以由未掺杂的半导体层形成，该未掺杂的半导体层由例如氮化物形成。未掺杂的GaN、AlN或InGaN可以应用于缓冲层，并且可以在从大约500℃至大约600℃的相对低的温度下生长到数十至数百的厚度以提供缓冲层。这里，术语“未掺杂的”可以表示不对半导体层单独执行杂质掺杂工艺。然而，根据本发明构思的示例性实施例，可以省略这样的缓冲层。
发光结构110可以包括第一导电型半导体层115、活性层120和第二导电型半导体层125。
第一导电型半导体层115可以从基底105的前表面105s1生长以设置在基底105的前表面105s1上。第一导电型半导体层115可以包括掺杂有n型杂质的半导体，并且可以是n型氮化物半导体层。当在平面图中(例如，沿Z方向)观看时，第一导电型半导体层115可以具有四边形形状。
第二导电型半导体层125可以包括掺杂有p型杂质的半导体，并且可以是p型氮化物半导体层。
在本发明构思的示例性实施例中，可以堆叠第一导电型半导体层115和第二导电型半导体层125。第一导电型半导体层115和第二导电型半导体层125的位置可以改变(例如，颠倒)。第一导电型半导体层115和第二导电型半导体层125均可以具有与诸如GaN、AlGaN、InGaN或AlInGaN的材料对应的AlxInyGa(1-x-y)N(其中，0≤x<1，0≤y<1，0≤x+y<1)的经验式。
活性层120可以设置在第一导电型半导体层115与第二导电型半导体层125之间。活性层120可以在半导体发光器件100的操作时通过电子和空穴的复合发射具有预定能量的光。活性层120可以包括具有小于第一导电型半导体层115和第二导电型半导体层125的能带间隙的能带间隙的材料。例如，当第一导电型半导体层115和第二导电型半导体层125是GaN基化合物半导体时，活性层120可以包括具有小于GaN的能带间隙的能带间隙的InGaN基化合物半导体。作为示例，活性层120可以具有量子阱层和量子垒层彼此交替地堆叠的多量子阱(MQW)结构，例如，InGaN/GaN结构。然而，活性层120不限于此，并且也可以具有单量子阱(SQW)结构。
发光结构110可以包括蚀刻了第一导电型半导体层115的一部分、第二导电型半导体层125和活性层120的凹陷区域E以及在凹陷区域E周围的台面区域M。在说明书和附图中，附图标记“B”可以称为凹陷区域E与台面区域M之间的边界B。台面区域M的上表面可以定位为高于(例如，沿Z方向高于)凹陷区域E的上表面。根据本发明构思的示例性实施例，台面区域M可以具有从底部到顶部逐渐变窄的形状。因此，台面区域M可以具有倾斜的侧表面。
根据本发明构思的示例性实施例，凹陷区域E的上表面的一部分可以被定义为第一接触区域CT1。根据本发明构思的示例性实施例，台面区域M的上表面的至少一部分可以被定义为第二接触区域CT2。
第一透明电极层140可以设置在发光结构110的第二导电型半导体层125上。第一透明电极层140可以设置在第二导电型半导体层125的第二接触区域CT2上并且可以电连接到第二导电型半导体层125。
第一绝缘层130可以设置在第一透明电极层140上。第一绝缘层130可以基本覆盖第一导电型半导体层115的一部分和第二导电型半导体层125的一部分。第一绝缘层130可以包括位于台面区域M中的多个孔PD。第一绝缘层130可以部分地覆盖台面区域M中的第一透明电极层140。例如，多个孔PD可以以诸如方格形式的各种形式设置。通过示例的方式，多个孔PD可以具有圆形截面，但是本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，多个孔PD可以具有多边形截面或环形截面。作为示例，当在平面图中(例如，沿Z方向)观看时，多个孔PD可以具有圆形形状或多边形形状。
在本发明构思的示例性实施例中，第一透明电极层140可以具有与多个孔PD未对准或不叠置的多个孔(未示出)。在这种情况下，第一绝缘层130可以基本填充第一透明电极层140的多个孔。
第一绝缘层130可以包括具有比第二导电型半导体层125的折射率低的折射率的材料。第一绝缘层130可以包括从例如SiO2、SiN、TiO2、HfO和MgF2中选择的至少一种。在本发明构思的示例性实施例中，第一绝缘层130可以具有交替并重复地堆叠具有不同的折射率的绝缘膜的分布式布拉格反射器结构。
第二透明电极层142可以设置在第一绝缘层130上，并且可以通过多个孔PD来与第一透明电极层140直接接触。
第一透明电极层140和第二透明电极层142均可以包括从氧化铟锡(ITO)、掺杂锌的氧化铟锡(ZITO)、氧化锌铟(ZIO)、氧化镓铟(GIO)、氧化锌锡(ZTO)、掺杂氟的氧化锡(FTO)、掺杂铝的氧化锌(AZO)、掺杂镓的氧化锌(GZO)、In4Sn3O12和氧化锌镁(Zn(1-x)MgxO，0≤x≤1)中选择的至少一种。
反射电极层144可以设置在第二透明电极层142上。第二透明电极层142可以增加反射电极层144与第一绝缘层130之间的粘合性质。反射电极层144可以包括银(Ag)、铬(Cr)、镍(Ni)、钛(Ti)、铝(Al)、铑(Rh)、钌(Ru)或它们的组合。
透明保护层138可以保护反射电极层144，可以设置在反射电极层144的上表面和侧表面上并且可以基本覆盖反射电极层144的上表面和侧表面。透明保护层138可以设置在第二透明电极层142的侧表面上并且可以基本覆盖第二透明电极层142的侧表面。透明保护层138可以包括具有凸表面的上部R1，上部R1可以设置在反射电极层144的上表面上并且可以基本覆盖反射电极层144的上表面。透明保护层138可以包括具有倾斜的表面的侧部R2，侧部R2可以设置在反射电极层144的侧表面和第二透明电极层142的侧表面上并且可以基本覆盖反射电极层144的侧表面和第二透明电极层142的侧表面。可以设置透明保护层138，因此增加反射电极层144的粘合性质。因此，可以减少或消除包括在反射电极层144中的金属元素的迁移的发生。
第一绝缘层130、第二透明电极层142和反射电极层144可以形成全方位反射器。全方位反射器增大相对于从活性层120发射的光的反射率，因此增大光提取效率。在本发明构思的示例性实施例中，可以省略第二透明电极层142。在这种情况下，第一绝缘层130和反射电极层144可以形成全方位反射器。
透明保护层138可以包括透明导电材料或透明绝缘材料。透明导电材料可以包括从氧化铟锡(ITO)、掺杂锌的氧化铟锡(ZITO)、氧化锌铟(ZIO)、氧化镓铟(GIO)、氧化锌锡(ZTO)、掺杂氟的氧化锡(FTO)、掺杂铝的氧化锌(AZO)、掺杂镓的氧化锌(GZO)、In4Sn3O12和氧化锌镁(Zn(1-x)MgxO，0≤x≤1)中选择的至少一种，或者可以包括导电聚合物。透明绝缘材料可以包括从SiO2、SiN、TiO2、HfO和MgF2中选择的至少一种。
第二绝缘层150可以设置在透明保护层138和第一绝缘层130上。
可以设置穿过第一绝缘层130和第二绝缘层150以暴露第一导电型半导体层115的第一接触区域CT1的第一开口OPa。当透明保护层138包括透明绝缘材料时，可以设置穿过第二绝缘层150和透明保护层138以暴露反射电极层144的第三接触区域CT3的第二开口OPb。第一开口OPa可以位于凹陷区域E中，而第二开口OPb可以位于台面区域M中。
第一连接电极155n可以设置在第二绝缘层150上并且可以通过第一开口OPa延伸到第一导电型半导体层115的第一接触区域CT1以电连接到第一导电型半导体层115。第一连接电极155n可以与第一导电型半导体层115的第一接触区域CT1直接接触。在本发明构思的示例性实施例中，为了减小第一连接电极155n与第一导电型半导体层115的第一接触区域CT1之间的接触电阻，导电缓冲层可以设置在第一连接电极155n与第一导电型半导体层115的第一接触区域CT1之间。
第二连接电极155p可以设置在第二绝缘层150上并且可以通过第二开口OPb延伸到反射电极层144的第三接触区域CT3以电连接到反射电极层144。因此，第二连接电极155p可以通过反射电极层144电连接到第二导电型半导体层125。
根据本发明的示例性实施例，当透明保护层138包括透明导电材料时，可以设置穿过第二绝缘层150以暴露透明保护层138的第三接触区域的第二开口。第二连接电极155p可以设置在第二绝缘层150上并且可以通过第二开口电连接到反射电极层144。
第一连接电极155n和第二连接电极155p可以设置在第二绝缘层150上，可以包括彼此相同的材料，并且可以彼此分隔开。例如，第一连接电极155n和第二连接电极155p均可以包括包含诸如Al、Au、钨(W)、铂(Pt)、硅(Si)、铱(Ir)、Ag、Cu、Ni、Ti和Cr的金属中的一种或更多种或者它们的合金的材料。
第三绝缘层160可以具有暴露第一连接电极155n的第三开口160a。例如，第三开口160a可以暴露第一连接电极155n的第四接触区域CT4。第三绝缘层160可以具有暴露第二连接电极155p的第五接触区域CT5的第四开口160b。
第一电极垫165n可以设置在第一连接电极155n的第四接触区域CT4上，第二电极垫165p可以设置在第二连接电极155p的第五接触区域CT5上。第一结合层170n可以设置在第一电极垫165n上，而第二结合层170p可以设置在第二电极垫165p上。第一结合垫170n可以与第一电极垫165n直接接触。第二结合垫170p可以与第二电极垫165p直接接触。第一电极垫165n和第二电极垫165p可以具有堆叠有诸如Ti、Ni或Au的金属的多层结构。第一结合层170n和第二结合层170p均可以包括诸如Sn或AuSn的导电材料。在本发明构思的示例性实施例中，可以省略第一电极垫165n和第二电极垫165p。在这种情况下，第一结合层170n和第二结合层170p可以分别设置在第一连接电极155n和第二连接电极155p上并且可以分别与第一连接电极155n和第二连接电极155p直接接触。
可以设置成型部172，成型部172设置在第一结合层170n和第二结合层170p中的每个的侧表面上并基本覆盖第一结合层170n和第二结合层170p中的每个的侧表面。成型部172可以包括包含诸如TiO2或Al2O3的光反射粉末颗粒的树脂(例如，硅酮树脂)。成型部172的上表面可以与第一结合层170n和第二结合层170p的上表面基本共面，但是本发明构思的示例性实施例不限于此。成型部172的上表面可以定位为比第一结合层170n和第二结合层170p的上表面低。与成型部172的上表面相比，第一结合层170n和第二结合层170p可以相对远地突出。
根据本发明构思的示例性实施例，第二透明电极层142可以设置在反射电极层144与第一绝缘层130之间。
根据本发明构思的示例性实施例，第二透明电极层142可以通过多个孔PD中的孔与第一透明电极层140直接接触。例如，多个孔PD中的孔可以沿与第二导电型半导体层125的上表面正交的方向完全穿透第一绝缘层130，因此第二透明电极层142可以通过多个孔PD中的孔与第一透明电极层140的上表面直接接触。
根据本发明构思的示例性实施例，第二透明电极层142的上表面可以与反射电极层144的底表面直接接触，第二透明电极层142的底表面可以与第一绝缘层130的上表面直接接触。
图9至图16均是根据本发明构思的示例性实施例的引线框架结构的平面图。
参照图9，在引线框架结构10A的情况下，引线框架14a的三个凹槽G可以从引线框架14a的外侧表面朝向引线框架14a的内侧表面延伸。
参照图10和图11，在引线框架结构10B和10C的情况下，引线框架14b和14c的多个凹槽G中的至少一个凹槽可以从引线框架14b和14c的外侧表面朝向引线框架14b和14c的内侧表面延伸，多个凹槽G中的其他凹槽可以从引线框架14b和14c的内侧表面朝向引线框架14b和14c的外侧表面延伸。
作为示例，在图10的引线框架结构10B的情况下，三个凹槽G之中的位于两个相邻的凹槽之间的中间的凹槽G可以从引线框架14b的外侧表面朝向引线框架14b的内侧表面延伸。可选择地，在图11的引线框架结构10C的情况下，三个凹槽G之中的与中间的凹槽相邻的两个凹槽G可以从引线框架14c的外侧表面朝向引线框架14c的内侧表面延伸。
参照图12，在引线框架结构10D的情况下，每个引线框架14d可以包括两个凹槽G。图12的引线框架14d可以具有可以省略基本位于引线框架14(见，例如，图4至图6)的中间的凹槽G的结构。
参照图13，在引线框架结构10E的情况下，每个引线框架14e可以包括四个凹槽G。图13的引线框架14e可以包括以与图4至图6中示出的间隔相比较窄的间隔设置的凹槽G。例如，凹槽G可以沿Y方向彼此分隔开，但是可以比参照图4至图6描述的凹槽G相对靠近在一起。
参照图14，在引线框架结构10F的情况下，位于三个凹槽G之中的中间的凹槽G(称为中间凹槽G)的宽度Wgc可以大于位于中间凹槽G的相对侧上的两个凹槽G(称为外凹槽G)的宽度Wgo。当已经安装的半导体发光器件100包括两个第一结合层170n和两个第二结合层170p时，每个引线框架14f的中间凹槽G可以与两个第一结合层170n的相邻边缘叠置，或者可以与两个第二结合层170p的相邻边缘叠置。
根据半导体发光器件100的第一结合层170n和第二结合层170p的结构，一对引线框架14f中的一个可以包括具有比外凹槽G的宽度大的宽度的中间凹槽G。
参照图15，在引线框架结构10G的情况下，每个引线框架14g可以具有在第一方向(例如，X方向)上延伸的三个第一凹槽G1和在第二方向(例如，Y方向)上延伸的第二凹槽G2。第二凹槽G2可以设置为与第一凹槽G1的端部叠置。
当半导体发光器件100安装在图15的引线框架14g上时，结合层170n和170p的位于在第二方向(例如，Y方向)上的相对端处的第一边缘可以与第一凹槽G1叠置。结合层170n和170p的位于在第一方向(例如，X方向)上的相对端处的第二边缘可以与第二凹槽G2叠置。
参照图16，在引线框架结构10H的情况下，每个引线框架14h可以具有在第一方向(例如，X方向)上延伸的两个第一凹槽G1和在第二方向(例如，Y方向)上延伸的第二凹槽G2。第二凹槽G2可以设置为与第一凹槽G1的端部叠置。
当半导体发光器件100安装在图16的引线框架14h上时，结合层170n和170p的位于在第二方向(例如，Y方向)上的两端处的第一边缘可以与第一凹槽G1叠置。结合层170n和170p的位于在第一方向(例如，X方向)上的相对端处的第二边缘可以与第二凹槽G2叠置。
在本发明构思的示例性实施例中，图15和图16的第二凹槽G2可以应用于图9至图11、图13和图14的引线框架。
图17是根据本发明构思的示例性实施例的引线框架结构的透视图。
在图17中，引线框架结构10r可以包括不具有凹槽G的引线框架14r和树脂部12r。
相对于参照图17描述的引线框架结构10r所应用到的半导体发光器件封装件(对比示例)和根据本发明构思的示例性实施例的参照图4描述的引线框架结构10所应用到的半导体发光器件封装件1，可以执行热应力模拟(例如，在从-45℃至125℃的范围的温度下)。与对比示例相比，在根据本发明构思的示例性实施例的半导体发光器件封装件1中，可以确定施加到半导体发光器件的热应力减小了大约36％。在根据本发明构思的示例性实施例的半导体发光器件封装件1中，可以应用具有多个凹槽G的引线框架14，因此可以分散并减小施加到半导体发光器件的应力。
根据本发明的示例性实施例的具有如这里描述的凹槽的半导体发光器件封装件因为可以减小或消除由于引线框架结构与半导体发光器件之间的热膨胀系数的差异引起的热应力而可以具有相对高的可靠性，并且可以具有相对低的制造成本。因此，根据本发明构思的示例性实施例的半导体发光器件封装件可以应用于需要相对高的可靠性的领域，诸如汽车灯或相对高功率LED照明。
图18是根据本发明构思的示例性实施例的用于车辆的前照灯的图。
参照图18，根据本发明构思的示例性实施例的用于车辆300的前照灯可以具有为了不同目的而发光的多个光源。用于车辆300的前照灯可以包括光源，诸如近光前照灯310和320、远光前照灯330、转向灯340、昼行灯(DRL)350和转向信号灯360。根据本发明构思的示例性实施例的半导体发光器件封装件可以应用于光源310、320、330、340、350和360中的每个。
根据本发明构思的示例性实施例的半导体发光器件封装件可以应用于可以包括在用于车辆的后组合灯中的诸如刹车灯、尾灯、倒车灯或转向信号灯的光源。
图19是根据本发明构思的示例性实施例的灯泡型灯的分解透视图。
图19的照明装置1100可以包括插座1110、电源1120、散热器1130、光源模块1140和光学部1150。
插座1110可以被构造为代替传统的照明装置的插座。可以通过插座1110施加供应到照明装置1100的电力。电源1120可以包括第一电源1121和第二电源1122。散热器1130可以包括内部散热器1131和外部散热器1132，内部散热器1131可以直接连接到光源模块1140和/或电源1120，因此将热量传递到外部散热器1132。光学部1150可以被构造为均匀地散射由光源模块1140发射的光。
光源模块1140可以从电源1120接收电力以向光学部1150发射光。光源模块1140可以包括一个或更多个光源1141、电路板1142和控制器1143，控制器1143可以存储光源1141的驱动信息。根据本发明构思的示例性实施例的半导体发光器件封装件可以应用于光源1141。
照明装置1100还可以包括通信模块，可以通过通信模块实现家庭网络通信。例如，通信模块可以是使用无线保真(Wi-Fi)或光保真(Li-Fi)的无线通信模块，并且可以通过智能手机或无线控制器来控制安装在家内和在家周围的照明设备的开/关功能以及亮度。
这里提供了一种具有相对低的制造成本和增加的可靠性的半导体发光器件封装件。
虽然已经参照本发明构思的示例性实施例示出并描述了本发明构思，但是对本领域普通技术人员而言将明显的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以对其作出形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种半导体发光器件封装件，所述半导体发光器件封装件包括：
引线框架结构，包括第一引线框架和第二引线框架以及与所述第一引线框架和所述第二引线框架的侧表面相邻的树脂部；以及
半导体发光器件，以倒装芯片的形式安装在所述第一引线框架和所述第二引线框架上，
其中，所述第一引线框架和所述第二引线框架中的每个具有在第一方向上延伸的多个第一凹槽。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，其中，所述半导体发光器件安装为与所述多个第一凹槽的至少一部分叠置。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，其中，所述第一引线框架和所述第二引线框架中的每个具有上区域和下区域，所述上区域和所述下区域具有彼此不同的宽度，所述多个第一凹槽形成在所述上区域中。
4.根据权利要求3所述的半导体发光器件封装件，其中，所述多个第一凹槽的深度等于所述上区域的厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，其中，所述多个第一凹槽从所述第一引线框架和所述第二引线框架的内侧表面朝向所述第一引线框架和所述第二引线框架的外侧表面延伸。
6.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，其中，所述多个第一凹槽从所述第一引线框架和所述第二引线框架的外侧表面朝向所述第一引线框架和所述第二引线框架的内侧表面延伸。
7.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，其中，所述多个第一凹槽中的至少一个第一凹槽从所述第一引线框架和所述第二引线框架的内侧表面朝向所述第一引线框架和所述第二引线框架的外侧表面延伸，其中，所述多个第一凹槽中的其他第一凹槽从所述第一引线框架和所述第二引线框架的所述外侧表面朝向所述第一引线框架和所述第二引线框架的所述内侧表面延伸。
8.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，其中，所述多个第一凹槽中的至少一个第一凹槽具有第一宽度，其中，所述多个第一凹槽中的其他第一凹槽具有与所述第一宽度不同的第二宽度。
9.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，其中，所述第一引线框架和所述第二引线框架具有与所述多个第一凹槽交叉并在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第二凹槽。
10.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，其中，所述第一引线框架和所述第二引线框架的上表面与所述树脂部的上表面彼此共面，并且
所述第一引线框架和所述第二引线框架的下表面与所述树脂部的下表面彼此共面。
11.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，其中，所述树脂部包括硅酮模塑料。
12.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，其中，所述半导体发光器件包括：
发光结构，包括第一导电型半导体层、活性层和第二导电型半导体层；
第一透明电极层，设置在所述第二导电型半导体层上；
第一绝缘层，设置在所述第一透明电极层上，并且具有多个孔；
反射电极层，设置在所述第一绝缘层上，并且通过所述多个孔连接到所述第一透明电极层；
透明保护层，设置在所述反射电极层的上表面和侧表面上，并且设置在所述第一绝缘层的区域上；以及
第一结合层和第二结合层，分别电连接到所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层。
13.根据权利要求12所述的半导体发光器件封装件，其中，所述第一结合层和所述第二结合层包括金锡合金。
14.根据权利要求12所述的半导体发光器件封装件，其中，所述第一结合层的边缘和所述第二结合层的边缘具有与所述多个第一凹槽的至少一部分叠置的部分。
15.一种半导体发光器件封装件，所述半导体发光器件封装件包括：
引线框架结构，包括第一引线框架和第二引线框架以及与所述第一引线框架和所述第二引线框架的侧表面相邻的树脂部；
半导体发光器件，以倒装芯片的形式安装在所述引线框架结构上，并且包括分别连接到所述第一引线框架和所述第二引线框架的第一结合层和第二结合层；
荧光体层，设置在所述半导体发光器件的上表面上；以及
封装部，设置在所述荧光体层的侧表面和所述半导体发光器件的侧表面上，并且设置在所述引线框架结构上，
其中，所述第一引线框架和所述第二引线框架中的每个具有在第一方向上彼此平行地延伸的多个第一凹槽。
16.根据权利要求15所述的半导体发光器件封装件，其中，所述多个第一凹槽的延伸长度小于所述第一引线框架的宽度和所述第二引线框架的宽度。
17.根据权利要求15所述的半导体发光器件封装件，其中，所述第一结合层和所述第二结合层的边缘具有与所述多个第一凹槽的至少一部分叠置的部分。
18.根据权利要求15所述的半导体发光器件封装件，其中，所述第一引线框架和所述第二引线框架中的每个具有与所述多个第一凹槽交叉并在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第二凹槽。
19.根据权利要求18所述的半导体发光器件封装件，其中，所述第一结合层和所述第二结合层的边缘具有与所述多个第一凹槽的至少一部分和所述第二凹槽叠置的部分。
20.一种半导体发光器件封装件，所述半导体发光器件封装件包括：
引线框架结构，包括第一引线框架和第二引线框架以及设置在所述第一引线框架和所述第二引线框架的侧表面上的树脂部；
半导体发光器件，以倒装芯片的形式安装在所述引线框架结构上，并且包括分别与所述第一引线框架和所述第二引线框架接触的第一结合层和第二结合层；
荧光体层，设置在所述半导体发光器件的上表面上；以及
封装部，设置在所述荧光体层的侧表面和所述半导体发光器件的侧表面上，并且设置在所述引线框架结构上，
其中，所述第一引线框架和所述第二引线框架中的每个具有在第一方向上彼此平行地延伸的多个第一凹槽，并且
所述树脂部包括硅酮模塑料。
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