CN110233170A - 显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
显示基板及其制作方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110233170A CN110233170A CN201910544739.1A CN201910544739A CN110233170A CN 110233170 A CN110233170 A CN 110233170A CN 201910544739 A CN201910544739 A CN 201910544739A CN 110233170 A CN110233170 A CN 110233170A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- insulation
- base plate
- hydrophobic
- display base
- hydrophobic insulation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 184
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims abstract description 119
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 65
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 11
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 17
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 79
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- -1 can stop heating Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 1
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
- B32B37/06—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the heating method
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
- B32B37/08—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the cooling method
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/70—Other properties
- B32B2307/728—Hydrophilic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
- B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
- B32B2457/206—Organic displays, e.g. OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。其中,显示基板的制作方法,包括:在衬底基板上形成流变性的绝缘材料,所述流变性的绝缘材料中包括疏水绝缘结构,所述疏水绝缘结构包括疏水绝缘壳体和包裹在所述疏水绝缘壳体内的金属;对所述流变性的绝缘材料进行固化,并对固化后的绝缘材料进行构图得到绝缘图形,对所述绝缘图形进行加热所述疏水绝缘结构在所述绝缘图形远离所述衬底基板的上表面聚集;对所述疏水绝缘结构进行加热,使得所述疏水绝缘壳体和所述金属熔融,所述金属冷却后在所述绝缘图形的上表面形成金属图形。通过本发明的技术方案,能够减少制作显示基板的构图工艺的次数,降低显示基板的生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是指一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着社会的发展需求,人们对显示器件分辨率的要求也越来越高,在有限的空间内顶发射OLED显示器件拥有更高的分辨率。但是对于顶发射OLED显示器件而言,阴极的厚度比较薄,这导致在OLED显示器件的面积比较大时,由于阴极的电阻比较大,阴极上的IRdrop(压降)非常明显,为了保证OLED显示器件,可以在像素界定层远离衬底基板的一侧表面上形成辅助电极,通过辅助电极与阴极并联来降低阴极的电阻,但这样需要额外的构图工艺来制作辅助电极,增加了OLED显示器件的制程的复杂性,增加了制作OLED显示器件的构图工艺的次数以及生产成本。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,能够减少制作显示基板的构图工艺的次数,降低显示基板的生产成本。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种显示基板,包括层叠设置的绝缘图形和金属图形,所述金属图形位于所述绝缘图形远离所述显示基板的衬底基板的一侧,所述金属图形在所述衬底基板上的正投影落入所述绝缘图形在所述衬底基板上的正投影内。
可选地,所述显示基板为OLED显示基板,所述绝缘图形为OLED显示基板的像素界定层的图形。
可选地,所述绝缘图形远离所述显示基板的衬底基板的一侧采用疏水绝缘材料。
可选地,所述显示基板还包括:
位于所述金属图形远离所述衬底基板一侧的面状的阴极,所述阴极与所述金属图形连接。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的显示基板。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法,包括:
在衬底基板上形成流变性的绝缘材料,所述流变性的绝缘材料中包括疏水绝缘结构,所述疏水绝缘结构包括疏水绝缘壳体和包裹在所述疏水绝缘壳体内的金属;
对所述流变性的绝缘材料进行固化,并对固化后的绝缘材料进行构图得到绝缘图形,对所述绝缘图形进行加热所述疏水绝缘结构在所述绝缘图形远离所述衬底基板的上表面聚集;
对所述疏水绝缘结构进行加热,使得所述疏水绝缘壳体和所述金属熔融,所述金属冷却后在所述绝缘图形的上表面形成金属图形。
可选地,所述绝缘图形为OLED显示基板的像素界定层的图形,形成所述绝缘图形之后,对所述疏水绝缘结构进行加热之前,所述方法还包括:
在所述像素界定层的图形限定出的像素区域内形成发光层;
对所述疏水绝缘结构进行加热包括:
对所述像素界定层的图形上表面的所述疏水绝缘结构进行加热,使得所述疏水绝缘壳体和所述金属熔融,所述金属冷却后在所述像素界定层的图形的上表面形成金属图形。
可选地,所述疏水绝缘壳体采用含氟疏水绝缘材料。
可选地,所述疏水绝缘壳体中的含氟量为0.5%-5%。
可选地,所述对所述疏水绝缘结构进行加热包括:
利用激光对所述疏水绝缘结构进行照射,使得所述疏水绝缘结构处的温度超过所述疏水绝缘壳体和所述金属的熔点。
本发明的实施例具有以下有益效果:
上述方案中,在衬底基板上形成流变性的绝缘材料,流变性的绝缘材料中包括疏水绝缘结构,疏水绝缘结构包括疏水绝缘壳体和包裹在疏水绝缘壳体内的金属;对流变性的绝缘材料进行固化,并对固化后的绝缘材料进行构图得到绝缘图形,对绝缘图形进行加热使得绝缘图形的上表面为疏水绝缘结构;对疏水绝缘结构进行加热,使得疏水绝缘壳体和金属熔融,金属冷却后在绝缘图形的上表面形成金属图形,通过本发明的技术方案,仅需通过一次构图工艺即可形成绝缘图形和位于绝缘图形上的金属图形,无需通过两次构图工艺分别制作绝缘图形和金属图形,能够减少制作显示基板的构图工艺的次数,降低显示基板的生产成本。
附图说明
图1为本发明实施例形成流变性的绝缘材料的示意图;
图2为本发明实施例对绝缘材料进行固化并进行构图后的示意图;
图3为本发明实施例对像素界定层的图形进行烘烤后的示意图;
图4为本发明实施例利用激光对疏水绝缘结构进行加热的示意图;
图5为本发明实施例形成金属图形的示意图。
附图标记
1基板
2绝缘材料
3疏水绝缘结构
4激光
5金属图形
6发光层
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本发明的实施例提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,能够减少制作显示基板的构图工艺的次数,降低显示基板的生产成本。
本发明的实施例提供一种显示基板,包括层叠设置的绝缘图形和金属图形,所述金属图形位于所述绝缘图形远离所述显示基板的衬底基板的一侧,所述金属图形在所述衬底基板上的正投影落入所述绝缘图形在所述衬底基板上的正投影内。
本实施例中,绝缘图形和金属图形层叠设置,金属图形位于所述绝缘图形远离所述显示基板的衬底基板的一侧,所述金属图形在所述衬底基板上的正投影落入所述绝缘图形在所述衬底基板上的正投影内,这样通过本发明的技术方案,可以通过一次构图工艺形成绝缘图形和位于绝缘图形上的金属图形,无需通过两次构图工艺分别制作绝缘图形和金属图形,能够减少制作显示基板的构图工艺的次数,降低显示基板的生产成本。
其中,绝缘图形可以为栅绝缘层的图形,金属图形可以为栅绝缘层的图形上的栅金属层的图形;或者,绝缘图形可以为层间绝缘层的图形,金属图形可以为层间绝缘层的图形上的源漏金属层的图形。
进一步地,所述显示基板可以为OLED显示基板,所述绝缘图形为OLED显示基板的像素界定层的图形,所述像素界定层的图形的上表面设置有金属图形,这样金属图形可以作为辅助电极,与阴极并联,降低阴极的电阻,进而解决阴极上的IR drop问题,保证显示基板的显示效果。
在显示基板为OLED显示基板时,所述显示基板还包括:
位于所述金属图形远离所述衬底基板一侧的面状的阴极,所述阴极与所述金属图形连接。
在绝缘图形为OLED显示基板的像素界定层的图形时,所述绝缘图形远离所述显示基板的衬底基板的一侧采用疏水绝缘材料,这样像素界定层的图形的上表面具有疏水性,在像素区域内喷墨打印有机墨水制备发光层时,有机墨水在具有疏水性的像素界定层的图形的上表面时,会形成一个很大的接触角而成水滴状,可以有效地防止有机墨水溢流的问题,进而将形成的发光层限定在像素区域内。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的显示基板。该显示装置包括但不限于:射频单元、网络模块、音频输出单元、输入单元、传感器、显示单元、用户输入单元、接口单元、存储器、处理器、以及电源等部件。本领域技术人员可以理解,上述显示装置的结构并不构成对显示装置的限定,显示装置可以包括上述更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者不同的部件布置。在本发明实施例中,显示装置包括但不限于显示器、手机、平板电脑、电视机、可穿戴电子设备、导航显示设备等。
所述显示装置可以为:电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件,其中,所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
本发明的实施例提供一种显示基板的制作方法,包括:
在衬底基板上形成流变性的绝缘材料,所述流变性的绝缘材料中包括疏水绝缘结构,所述疏水绝缘结构包括疏水绝缘壳体和包裹在所述疏水绝缘壳体内的金属;
对所述流变性的绝缘材料进行固化,并对固化后的绝缘材料进行构图得到绝缘图形,对所述绝缘图形进行加热使得所述疏水绝缘结构在所述绝缘图形的上表面聚集;
对所述疏水绝缘结构进行加热,使得所述疏水绝缘壳体和所述金属熔融,所述金属冷却后在所述绝缘图形的上表面形成金属图形。
本实施例中,在衬底基板上形成流变性的绝缘材料,流变性的绝缘材料中包括疏水绝缘结构,疏水绝缘结构包括疏水绝缘壳体和包裹在疏水绝缘壳体内的金属;对流变性的绝缘材料进行固化,并对固化后的绝缘材料进行构图得到绝缘图形,对所述绝缘图形进行加热使得绝缘图形的上表面为疏水绝缘结构;对疏水绝缘结构进行加热,使得疏水绝缘壳体和金属熔融,金属冷却后在绝缘图形的上表面形成金属图形,通过本发明的技术方案,仅需通过一次构图工艺即可形成绝缘图形和位于绝缘图形上的金属图形,无需通过两次构图工艺分别制作绝缘图形和金属图形,能够减少制作显示基板的构图工艺的次数,降低显示基板的生产成本。并且在绝缘图形为像素界定层的图形时,可以利用本发明的技术方案在像素界定层的图形上形成金属图形作为辅助电极,解决阴极上的IR drop问题,保证显示基板的显示效果。
利用本发明的技术方案可以通过一次构图工艺制作栅绝缘层的图形和位于栅绝缘层上的栅金属层的图形;和/或利用本发明的技术方案可以通过一次构图工艺制作层间绝缘层的图形和位于层间绝缘层上的源漏金属层的图形;和/或利用本发明的技术方案还可以通过一次构图工艺制作像素界定层的图形和位于像素界定层上的金属图形,该金属图形可以作为与阴极并联的辅助电极,降低阴极的电阻,进而解决阴极上的IR drop问题,保证显示基板的显示效果。
在对疏水绝缘结构进行加热时,为了避免热量影响显示基板其他器件的性能,可以将加热位置仅限定在绝缘图形的上表面,具体地,可以采用激光照射绝缘图形的上表面,激光具有很高的精度,可以将加热位置限定在绝缘图形的上表面。利用激光照射绝缘图形的上表面设定时间,激光在绝缘图形的上表面产生的热能使得绝缘图形的上表面的温度超过疏水绝缘壳体以及金属的熔点,疏水绝缘壳体以及金属熔融,金属从疏水绝缘壳体内暴露出来,在绝缘图形上表面形成金属图形。
具体地,所述疏水绝缘壳体可以采用含氟疏水绝缘材料,比如含氟的有机硅类,聚酰亚胺类,各种透明树脂类。氟具有非常低的表面能,在对流变性的绝缘材料进行固化时,在流变性的绝缘材料中为了使总的混合表面能最低,对绝缘材料进行烘烤,含氟疏水绝缘材料有向表面迁移的趋势,最终在绝缘材料的上表面富集。
其中,所述疏水绝缘壳体中的含氟量可以为0.5%-5%,这样可以保证在对流变性的绝缘材料进行固化后,绝缘材料的上表面富集疏水绝缘壳体。
本实施例中,可以采用光固化或热固化的方式对绝缘材料进行固化,其中,光固化是采用紫外光对流变性的绝缘材料进行照射,使得流变性的绝缘材料固化;热固化是对流变性的绝缘材料进行加热,使得流变性的绝缘材料固化。
本实施例中,疏水绝缘壳体中的金属可以采用常规的导电性能比较好的金属,比如金、铝、铜等,优选采用熔点比较低的金属,比如熔点低于1000摄氏度的金属,这样无需将疏水绝缘结构处的温度加热至太高,即可使得疏水绝缘壳体和金属熔融。应当得知,疏水绝缘壳体的熔点一般都低于金属的熔点,在对疏水绝缘结构进行加热时,首先是疏水绝缘壳体熔融,暴露出金属,之后金属再发生熔融,在金属发生熔融之后,即可停止加热,金属冷却后在所述绝缘图形的上表面形成金属图形。
本实施例中,疏水绝缘结构可以为球状,包括球状中空的疏水绝缘壳体和位于疏水绝缘壳体内的金属,当然,本实施例的疏水绝缘结构并不局限为球状,还可以为其他形状,比如椭圆球状、不规则形状等。
一具体实施例中,在显示基板为OLED显示基板,所述绝缘图形为OLED显示基板的像素界定层的图形时,形成所述绝缘图形之后,对所述疏水绝缘结构进行加热之前,所述方法还包括:
在所述像素界定层的图形限定出的像素区域内形成发光层;
对所述疏水绝缘结构进行加热包括:
对所述像素界定层的图形上表面的所述疏水绝缘结构进行加热,使得所述疏水绝缘壳体和所述金属熔融,所述金属冷却后在所述像素界定层的图形的上表面形成金属图形。
由于像素界定层的图形的上表面为所述疏水绝缘结构,因此,像素界定层的图形的上表面具有疏水性,这样在像素区域内喷墨打印有机墨水制备发光层时,有机墨水在具有疏水性的像素界定层的图形的上表面时,会形成一个很大的接触角而成水滴状,可以有效地防止有机墨水溢流的问题,进而将形成的发光层限定在像素区域内。
在对像素界定层的图形上表面的所述疏水绝缘结构进行加热时,为了避免影响显示基板其他器件的性能,可以将加热范围仅限定在像素界定层的图形的上表面,具体地,可以采用激光照射像素界定层的图形的上表面,激光具有很高的精度,可以将加热位置限定在像素界定层的图形的上表面。利用激光照射像素界定层的图形的上表面设定时间,激光在像素界定层的图形的上表面产生的热能使得像素界定层的图形的上表面的温度超过疏水绝缘壳体以及金属的熔点,疏水绝缘壳体以及金属熔融,金属从疏水绝缘壳体内暴露出来,在像素界定层的图形上表面形成金属图形。
进一步地,在像素界定层的图形上表面形成金属图形之后,所述制作方法还包括:
形成面状的阴极,所述阴极与所述金属图形连接。在顶发射OLED显示基板中,阴极的厚度比较薄,导致阴极的电阻比较大,本实施例中,通过金属图形与阴极并联,可以有效降低阴极的电阻,进而解决阴极上的IR drop问题。
值得注意的是,本发明所要保护的显示基板也包括利用上述制作方法制作得到的显示基板。
下面以绝缘图形为像素界定层的图形为例,结合附图对本发明的显示基板的制作方法进行进一步介绍,本实施例的显示基板的制作方法包括以下步骤:
步骤1:如图1所示,提供一基板1,在基板1上形成流变性的绝缘材料2,流变性的绝缘材料2中包括疏水绝缘结构3,疏水绝缘结构3包括疏水绝缘壳体和包裹在疏水绝缘壳体内的金属;
其中,基板1包括衬底基板和形成在衬底基板上的薄膜晶体管阵列以及阳极。由于制作薄膜晶体管阵列以及阳极的方案与现有技术相同,在此不再赘述。衬底基板可以采用柔性衬底基板或刚性衬底基板,柔性衬底基板可以采用聚酰亚胺,刚性衬底基板可以采用石英基板或玻璃基板。
流变性的绝缘材料2除包括疏水绝缘结构3外,其他组分可以为现有技术中用以制作像素界定层的材料。
步骤2:如图2所示,对流变性的绝缘材料2进行固化,并对固化后的绝缘材料2进行构图,形成像素界定层的图形,像素界定层的图形限定出多个像素区域;
本实施例中,可以采用光固化或热固化的方式对绝缘材料2进行固化,其中,光固化是采用紫外光对流变性的绝缘材料2进行照射,使得流变性的绝缘材料固化;热固化是对流变性的绝缘材料2进行加热,使得流变性的绝缘材料固化。
在绝缘材料2本身为感光材料时,可以利用掩膜板对绝缘材料2进行曝光,显影后直接形成像素界定层的图形;
在绝缘材料2为不感光材料时,在绝缘材料2表面涂覆光刻胶,利用掩膜板对光刻胶进行曝光,显影后形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域,刻蚀掉光刻胶去除区域的绝缘材料2,去除剩余的光刻胶,形成像素界定层的图形。
步骤3、如图3所示,对像素界定层的图形进行烘烤,使得像素界定层的上表面为疏水绝缘结构3;
在步骤2后,像素界定层的图形中,疏水绝缘结构3均匀分布,对像素界定层的图形进行烘烤,使得疏水绝缘结构3聚集到像素界定层的图形的上表面。
具体地,疏水绝缘结构3的疏水绝缘壳体可以采用含氟疏水绝缘材料,比如含氟的有机硅类,聚酰亚胺类,各种透明树脂类。氟具有非常低的表面能,为了使总的混合表面能最低,对像素界定层的图形进行烘烤,使含氟疏水绝缘材料有向表面迁移的趋势,最终在像素界定层的上表面富集。
其中,疏水绝缘壳体中的含氟量可以为0.5%-5%,这样可以保证在对像素界定层进行烘烤后,像素界定层的上表面富集疏水绝缘壳体。
步骤4:如图4所示,在像素区域内形成发光层6,利用激光4照射像素界定层的图形上表面的疏水绝缘结构3;
由于像素界定层的图形的上表面为疏水绝缘结构3,因此,像素界定层的图形的上表面具有疏水性,这样在像素区域内喷墨打印有机墨水制备发光层6时,有机墨水在具有疏水性的像素界定层的图形的上表面时,会形成一个很大的接触角而成水滴状,可以有效地防止有机墨水溢流的问题,进而将形成的发光层6限定在像素区域内。
在对疏水绝缘结构3进行加热时,为了避免热量影响显示基板其他器件的性能,采用激光4照射像素界定层的图形的上表面,激光具有很高的精度,可以将加热位置限定在像素界定层的图形的上表面。
步骤5:如图5所示,在像素界定层的图形上表面形成金属图形5。
利用激光照射像素界定层的图形的上表面设定时间,激光在像素界定层的图形的上表面产生的热能使得像素界定层的图形的上表面的温度超过疏水绝缘壳体以及金属的熔点,疏水绝缘壳体以及金属熔融,金属从疏水绝缘壳体内暴露出来,在像素界定层的图形上表面形成金属图形5。
本实施例中,疏水绝缘壳体中的金属可以采用常规的导电性能比较好的金属,比如金、铝、铜等,优选采用熔点比较低的金属,比如熔点低于1000摄氏度的金属,这样无需将疏水绝缘结构处的温度加热至太高,即可使得疏水绝缘壳体和金属熔融。应当得知,疏水绝缘壳体的熔点一般都低于金属的熔点,在对疏水绝缘结构3进行加热时,首先是疏水绝缘壳体熔融,暴露出金属,之后金属再发生熔融,在金属发生熔融之后,即可停止加热,金属冷却后在像素界定层的图形的上表面形成金属图形5。
之后在经过步骤1-5的基板1上形成OLED显示基板的阴极,阴极与金属图形5并联,可以降低阴极的电阻,进而解决阴极上的IR drop问题。
通过本实施例的技术方案,仅需通过一次构图工艺即可形成像素界定层的图形和辅助电极,无需通过两次构图工艺分别制作像素界定层的图形和辅助电极,能够减少制作显示基板的构图工艺的次数,降低显示基板的生产成本。
在本发明各方法实施例中,所述各步骤的序号并不能用于限定各步骤的先后顺序,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,对各步骤的先后变化也在本发明的保护范围之内。
需要说明,本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其,对于实施例而言,由于其基本相似于产品实施例,所以描述得比较简单,相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解,当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时,该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”,或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中,具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种显示基板,其特征在于,包括层叠设置的绝缘图形和金属图形,所述金属图形位于所述绝缘图形远离所述显示基板的衬底基板的一侧,所述金属图形在所述衬底基板上的正投影落入所述绝缘图形在所述衬底基板上的正投影内。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板为OLED显示基板,所述绝缘图形为OLED显示基板的像素界定层的图形。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述绝缘图形远离所述显示基板的衬底基板的一侧采用疏水绝缘材料。
4.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括:
位于所述金属图形远离所述衬底基板一侧的面状的阴极,所述阴极与所述金属图形连接。
5.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-4中任一项所述的显示基板。
6.一种显示基板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成流变性的绝缘材料,所述流变性的绝缘材料中包括疏水绝缘结构,所述疏水绝缘结构包括疏水绝缘壳体和包裹在所述疏水绝缘壳体内的金属;
对所述流变性的绝缘材料进行固化,并对固化后的绝缘材料进行构图得到绝缘图形,对所述绝缘图形进行加热所述疏水绝缘结构在所述绝缘图形远离所述衬底基板的上表面聚集;
对所述疏水绝缘结构进行加热,使得所述疏水绝缘壳体和所述金属熔融,所述金属冷却后在所述绝缘图形的上表面形成金属图形。
7.根据权利要求6所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述绝缘图形为OLED显示基板的像素界定层的图形,形成所述绝缘图形之后,对所述疏水绝缘结构进行加热之前,所述方法还包括:
在所述像素界定层的图形限定出的像素区域内形成发光层;
对所述疏水绝缘结构进行加热包括:
对所述像素界定层的图形上表面的所述疏水绝缘结构进行加热,使得所述疏水绝缘壳体和所述金属熔融,所述金属冷却后在所述像素界定层的图形的上表面形成金属图形。
8.根据权利要求6或7所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述疏水绝缘壳体采用含氟疏水绝缘材料。
9.根据权利要求8所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述疏水绝缘壳体中的含氟量为0.5%-5%。
10.根据权利要求6或7所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述对所述疏水绝缘结构进行加热包括:
利用激光对所述疏水绝缘结构进行照射,使得所述疏水绝缘结构处的温度超过所述疏水绝缘壳体和所述金属的熔点。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910544739.1A CN110233170B (zh) | 2019-06-21 | 2019-06-21 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
PCT/CN2020/092528 WO2020253481A1 (zh) | 2019-06-21 | 2020-05-27 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
US17/254,811 US11856834B2 (en) | 2019-06-21 | 2020-05-27 | Display substrate and method for preparing the same, and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910544739.1A CN110233170B (zh) | 2019-06-21 | 2019-06-21 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110233170A true CN110233170A (zh) | 2019-09-13 |
CN110233170B CN110233170B (zh) | 2021-10-12 |
Family
ID=67857033
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910544739.1A Active CN110233170B (zh) | 2019-06-21 | 2019-06-21 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11856834B2 (zh) |
CN (1) | CN110233170B (zh) |
WO (1) | WO2020253481A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020253481A1 (zh) * | 2019-06-21 | 2020-12-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200135682A (ko) * | 2019-05-24 | 2020-12-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104704930A (zh) * | 2012-10-05 | 2015-06-10 | 泰科电子公司 | 电气部件和制造电气部件的方法和系统 |
CN107093680A (zh) * | 2017-05-04 | 2017-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 金属辅助电极及使用其的显示器件的制造方法 |
CN107393945A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4990415B2 (ja) * | 2009-12-04 | 2012-08-01 | パナソニック株式会社 | 有機elデバイスおよびその製造方法 |
KR102230653B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2021-03-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
JP5813839B1 (ja) | 2014-09-10 | 2015-11-17 | 日本航空電子工業株式会社 | 被覆金属微粒子の組成物を含む複合体 |
CN108172605B (zh) | 2018-01-03 | 2020-11-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管基板及其制备方法、显示面板 |
CN109585502B (zh) | 2018-10-25 | 2020-09-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于喷墨打印的基板及其制作方法 |
JP2020087810A (ja) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | セイコーエプソン株式会社 | 活物質、活物質の製造方法、電極複合体、二次電池および電子機器 |
CN109817669B (zh) | 2019-01-23 | 2021-07-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有机发光二极管显示器 |
CN110233170B (zh) | 2019-06-21 | 2021-10-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN115917791A (zh) * | 2020-06-26 | 2023-04-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 二次电池、二次电池的制造方法、电子设备及车辆 |
KR20230039320A (ko) * | 2021-09-14 | 2023-03-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 이를 포함하는 표시장치 |
-
2019
- 2019-06-21 CN CN201910544739.1A patent/CN110233170B/zh active Active
-
2020
- 2020-05-27 US US17/254,811 patent/US11856834B2/en active Active
- 2020-05-27 WO PCT/CN2020/092528 patent/WO2020253481A1/zh active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104704930A (zh) * | 2012-10-05 | 2015-06-10 | 泰科电子公司 | 电气部件和制造电气部件的方法和系统 |
CN107093680A (zh) * | 2017-05-04 | 2017-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 金属辅助电极及使用其的显示器件的制造方法 |
CN107393945A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020253481A1 (zh) * | 2019-06-21 | 2020-12-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
US11856834B2 (en) | 2019-06-21 | 2023-12-26 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate and method for preparing the same, and display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11856834B2 (en) | 2023-12-26 |
CN110233170B (zh) | 2021-10-12 |
WO2020253481A1 (zh) | 2020-12-24 |
US20210265601A1 (en) | 2021-08-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7223652B2 (en) | Capacitor and manufacturing method thereof, semiconductor device and substrate for a semiconductor device | |
WO2020211537A1 (zh) | 阵列基板、显示面板及其制造方法、显示装置 | |
WO2017045341A1 (zh) | 触控结构及其制作方法、触控基板和显示装置 | |
CN111312742B (zh) | 背光模组及其制备方法、显示装置 | |
CN110212091B (zh) | 蒸镀掩膜板、oled显示基板及其制作方法、显示装置 | |
TW200924180A (en) | Electronic assembly for image sensor device | |
JP6521534B2 (ja) | 薄膜トランジスタとその作製方法、アレイ基板及び表示装置 | |
JP2010141055A (ja) | 半導体モジュール、半導体モジュールの製造方法および携帯機器 | |
JP2004186333A (ja) | 半導体装置及びその製造方法と回路基板及び電気光学装置、並びに電子機器 | |
CN109461839A (zh) | Oled显示基板及其制作方法、显示装置 | |
CN110233170A (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
CN109524421B (zh) | 转接基板及其制造方法、阵列基板及显示装置 | |
EP3291285A1 (en) | Semiconductor package structure with a polymer gel surrounding solders connecting a chip to a substrate and manufacturing method thereof | |
TW201025529A (en) | Substrate structure and manufacturing method thereof | |
CN109449186B (zh) | Oled显示基板母板及其制作方法、和oled显示装置 | |
TWI307613B (en) | Circuit board formed conductor structure method for fabrication | |
JP2005109110A (ja) | 半導体装置とその製造方法、回路基板、電気光学装置、及び電子機器 | |
CN110098236A (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
CN107644880B (zh) | 氧化物薄膜晶体管显示基板及其制作方法、显示装置 | |
KR20110131674A (ko) | 감광성 유리 기판을 이용한 디바이스 보호용 캡 및 그 제조 방법 | |
JP2001244366A (ja) | 半導体集積回路装置及びその製造方法 | |
TW200527097A (en) | Liquid crystal display and fabricating the same | |
CN104335335A (zh) | 半导体构造及形成半导体构造的方法 | |
CN210245482U (zh) | 大板扇出型双面天线封装结构 | |
WO2016123933A1 (zh) | 一种阵列基板的制作方法、显示基板及显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |