CN110205675A - 惰性气体的稳流调节方法、单晶硅的制造方法及单晶硅 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种惰性气体的稳流调节方法、单晶硅的制造方法及单晶硅，应用于拉晶炉，所述调节方法包括：从拉晶炉的副炉室向拉晶炉内通入惰性气体，调节通入所述拉晶炉的副炉室内的惰性气体的流向。根据本发明的稳流装置，可以约束惰性气体流动方向，降低单晶硅棒的摆动幅度，减少单晶生长位错现象发生的几率，避免不纯物对晶棒和热场部件侧壁造成污染和侵蚀。

Description

惰性气体的稳流调节方法、单晶硅的制造方法及单晶硅

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种惰性气体的稳流调节方法、单晶硅的制造方法及单晶硅。

背景技术

磁场直拉法即MCZ(Magnetic Field Applied Czochralski Method)作为目前最为普遍的一种拉晶工艺方法，以抑制晶体生长中多晶硅熔液的热对流而普及，同时亦可作为降低单晶硅棒中氧含量的一种方式。

现有技术中，采用拉晶炉制造单晶硅棒，通过拉晶炉内的石英坩埚熔融多晶硅原料，在多晶硅原料熔融状态下，石英坩埚会发生如下反应：SiO₂(s)→Si(l)+2O，由石英坩埚壁产生的氧原子，受到自然对流的搅拌作用，而均匀分布于硅溶液之中，而部分存在于硅溶液表面的氧原子，会发生如下反应：Si(l)+O→SiO(g)，以一氧化硅(SiO)的形式挥发掉。为了控制拉晶炉内的不纯物，需要将炉内抽真空后通入氩气。作为保护气体，通过副炉室的上方将氩气进行给入，并在主炉室内设置如导流筒等装置，以调节氩气流动方向和速度，改善拉晶炉内的氧化物传输方向。然而，当氩气通入拉晶炉副炉室内时，由于氩气在炉内的速度范围在0.9m/s～8.0m/s之间，所以副炉室炉内整体乱流较多，由于牵引绳较长、单晶硅棒拉制初期，容易造成晃动，不利于长晶界面的稳定接触，极易造成晶体位错等，增加晶棒回熔次数，提高成本，且传统的导流筒也会使主炉室存在较多的乱流，不利于不纯物的排出，导致不纯物粘结在热场部件边壁上。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种惰性气体的稳流调节方法，通过将该稳流装置安装在拉晶炉的副炉室内，可以对通入副炉室内的惰性气体的流向进行整理，以解决副炉室内气体乱流较多而使单晶硅棒生长初期容易晃动，进而导致长晶界面与熔液表面接触不稳定，晶体易发生位错的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种惰性气体的稳流调节方法。

根据本发明第一方面实施例的惰性气体的稳流调节方法，应用于拉晶炉，所述调节方法包括：

从拉晶炉的副炉室向拉晶炉内通入惰性气体，调节通入所述拉晶炉的副炉室内的惰性气体的流向。

优选地，惰性气体的稳流调节方法包括：

对所述副炉室内的惰性气体进行整流；

对整流后的所述惰性气体均匀的分流。

优选地，惰性气体的稳流调节方法还包括:

对分流后的所述惰性气体再次整流；

对再次整流后的所述惰性气体再次分流。

优选地，惰性气体的稳流调节方法，在气体整流与分流之间形成有稳流区间，所述方法还包括：

调整稳流区间的大小以调整气流的流向和流速。

优选地，惰性气体的稳流调节方法还包括：

控制所述惰性气体在所述副炉室内分流时的高度以适应不同长度的晶棒的生长。

根据本发明第二方面实施例的单晶硅的制造方法，应用于拉晶炉，所述拉晶炉包括主炉室和副炉室，所述制造方法包括：

在所述拉晶炉的主炉室熔融多晶硅；

将籽晶与多晶硅熔液相接触；

向拉晶炉的副炉室通入惰性气体，并对所述惰性气体进行稳流，所述惰性气体的稳流方法包括如上述实施例的所述的惰性气体的稳流调节方法。

优选地，所述制造方法还包括：

在所述多晶硅原料完全熔融后，所述籽晶与所述多晶硅熔融液相接触，且在晶棒生长的长度未到达副炉室底部时，调整稳流区间的大小以调整气流的流向和流速。

优选地，所述制造方法还包括；

控制所述惰性气体在所述副炉室内分流时的高度以适应不同长度的晶棒的生长。

优选地，所述拉晶炉的主炉室还设置有导流筒，所述制造方法还包括：

在所述惰性气体流进所述主炉室内时，通过所述导流筒对所述惰性气体进行导流，以使惰性气体流向所述多晶硅熔液与籽晶的接触面。

根据本发明第三方面实施例的单晶硅，通过如上述实施例所述的单晶硅的制造方法制备的得到。

本发明的上述技术方案的有益效果如下：

1)根据本发明实施例的惰性气体稳流调节方法，可以对通入拉晶炉副炉室的惰性气体的流向进行整理，以降低拉晶炉副炉室内部惰性气体的紊流强度，通过约束惰性气体流动方向，减少因气流引起的单晶硅棒的摆动，有助于单晶硅棒与熔融液面的稳定接触，减少单晶生长位错等现象发生的几率，同时，降低主炉室的不纯物被乱流携带至副炉室，对晶棒和热场部件侧壁造成污染和侵蚀；

2)通过间距调节稳流区间，进一步改善主炉室单晶生长环境，抑制乱流发生，降低晶体重熔几率；

3)可以适应生长不同长度的晶棒。

附图说明

图1a为本发明的稳流装置的一个结构的正视图；

图1b为图1中稳流装置的俯视图；

图1c为本发明的稳流装置的另一个结构的正视图；

图1d为图1c中稳流装置的俯视图；

图1e为本发明的稳流装置的又一个结构的正视图；

图1f为图1e中稳流装置的俯视图；

图1g为本发明的稳流装置的又一个结构的正视图；

图2a为本发明的第一稳流罩和第二稳流罩的一个结构示意图；

图2b为本发明的第一稳流罩和第二稳流罩的另一个结构示意图；

图2c为本发明的第一稳流罩和第二稳流罩的又一个结构示意图；

图2d为本发明的第一稳流罩和第二稳流罩的又一个结构示意图；

图2e为本发明的第一稳流罩和第二稳流罩的又一个结构示意图；

图2f为本发明的第一稳流罩和第二稳流罩的又一个结构示意图；

图2g为本发明的第一稳流罩和第二稳流罩的又一个结构示意图；

图2h为本发明的第一稳流罩和第二稳流罩的又一个结构示意图；

图2i为本发明的第一稳流罩和第二稳流罩的又一个结构示意图；

图3a为本发明的传动部件的一个结构示意图；

图3b为本发明的传动部件的另一个结构示意图；

图3c为本发明的传动部件的又一个结构示意图；

图3d为本发明的传动部件的又一个结构示意图；

图4为本发明的一个拉晶炉内的气体流动的状态图；

图5为本发明的另一拉晶炉内的气体流动的状态图。

附图标记

稳流装置100；

第一稳流罩110；第一通孔111；

第二稳流罩120；第二通孔121；

间距调节机构130；间距调节支架131；第一驱动机构132；传动部件133；

高度调节机构140；

拉晶炉200；

炉体210；主炉室211；副炉室212；导流筒213；

惰性气体300；

不纯物400。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

下面首先结合附图具体描述根据本发明实施例的稳流装置100。

如图1a至图5所示，根据本发明实施例的稳流装置100，应用于拉晶炉200，包括第一稳流罩110和第二稳流罩120。

具体地，第一稳流罩110上设有多个第一通孔111，第一稳流罩110用于安装在拉晶炉200的副炉室212内，以调节通入拉晶炉200内的惰性气体300的流向；第二稳流罩120上设有多个第二通孔121，第二稳流罩120用于安装在拉晶炉200的副炉室212，并与第一稳流罩110相对设置，用于调整经过第一稳流罩110调整后的惰性气体300的流向。

也就是说，当向拉晶炉200的副炉室212通入惰性气体300后，惰性气体300首先经过第一稳流罩110的第一通孔111后，其流动方向被梳理，由原来的乱流变成竖直向下的流向，从而减轻惰性气体300的气流紊乱现象，随后气流从第二稳流罩120的第二通孔121流出并在此梳理，形成更加稳定有序的气流，当经过梳理的气体流经主炉室211的单晶硅棒表面时，可以降低单晶硅棒因气流影响的摆动幅度，有助于单晶硅棒与熔融液面的稳定接触，降低单晶生长位错等现象发生几率，提高单晶硅棒的生产效率。同时，由于气流均匀稳定的流动，可以降低主炉室211的不纯物400被乱流携带至副炉室212，有利于不纯物400的排出，避免不纯物400对晶棒和热场部件侧壁造成污染和侵蚀等问题。

由此，根据本发明实施例的稳流装置100，可以对通入拉晶炉200副炉室212的惰性气体300的流向进行梳理，使气体流向更加有序，可以降低拉晶炉200副炉室212内部惰性气体300的紊流强度，约束惰性气体300流动方向，减少因气流引起的单晶硅棒的摆动，有助于单晶硅棒与熔融液面的稳定接触，降低单晶生长位错等现象发生的几率，提高单晶硅棒的生产效率，可以降低主炉室211的不纯物400被乱流携带至副炉室212，避免不纯物400对晶棒和热场部件侧壁造成污染和侵蚀等问题。

优选地，如图1c、图4和图5所示，第一稳流罩110形成为一端宽口，另一端窄口的漏斗型，第一稳流罩110用于对通入拉晶炉200内的惰性气体300整流，惰性气体300从第一稳流罩110的宽口端流入，窄口端流出，第二稳流罩120形成为一端宽口，另一端窄口的漏斗型，第二稳流罩120的窄口端与第一稳流罩110的窄口端相对设置，第二稳流罩120用于对整流后的惰性气体300均匀的分流。

也就是说，第一稳流罩110与第二稳流罩120均为漏斗型，即一端为宽口，另一端为窄口，第一稳流罩110的窄口端与第二稳流罩120的窄口端相邻设置，稳流时，惰性气体300首先从第一稳流罩110的宽口端流入，窄口端流出，惰性气体300经过第一通孔111后流动方向被梳理、整流，减轻惰性气体300的气流紊乱现象，随后气流从第二稳流罩120的窄口端流进，宽口端流出，整流后的气流经过第二通孔121均匀的分流后，形成更加稳定有序的气流，进一步降低单晶硅棒因气流影响的摆动幅度，降低单晶生长位错等现象发生几率，进一步提高单晶硅棒的生产效率，更加有利于不纯物400的排出，更好的保护晶棒和热场部件。

其中，本发明中的第一稳流罩110和第二稳流罩120的形状并不限于此，本发明的其他实施例中，也可以采用其他形状的稳流罩，如锥形等，可以根据拉晶炉副炉室212的形状进行设计，且第一稳流罩110与第二稳流罩120的形状也可以不同。

本发明中的惰性气体300可以优选为氩气，氩气作为保护气体具有较好的稳定性。

根据本发明的一个实施例，稳流装置100还包括间距调节机构130，用于调节第一稳流罩110和第二稳流罩120之间的距离以扩大稳流区间。

换言之，第一稳流罩110与第二稳流罩120通过间距调节机构130相连，间距调节机构130可以调节第一稳流罩110和第二稳流罩120之间的距离，从而使经过第一稳流罩110的气流经过较长的稳流区间后流向第二稳流罩120，进一步稳定气体的流速，气流经过第二稳流罩120后更加平稳有序，以进一步改善主炉室211的单晶硅棒的生长环境。

优选地，间距调节机构130包括间距调节支架131和第一驱动机构132，间距调节支架131分别与第一稳流罩110和第二稳流罩120连接，或者，间距调节支架131与第一稳流罩110或第二稳流罩120连接，第一驱动机构132与间距调节支架131连接，用于驱动间距调节支架131，使间距调节支架131带动第一稳流罩110和第二稳流罩120向彼此靠拢或背离。

也就是说，第一稳流罩110和第二稳流罩120可以分别与间距调节支架131连接，也可以是第一稳流罩与间距调节支架连接，或者是第二稳流罩120与间距调节支架131连接，当间距调节支架131与第一稳流罩110和第二稳流罩120连接时，第一驱动机构132可以驱动间距调节支架131带动第一稳流罩110和第二稳流罩120向彼此靠拢或远离，进而调整第一稳流罩110和第二稳流罩120之间的距离，该距离可以有效的提高气流的稳流效果，使气流经过该间距后再次调整方向，不仅便于控制流速，又可以更好的调节气流的流向。也可以采用间距调节支架131与第一稳流罩110连接，而第二稳流罩120固定，或者，第一稳流罩110固定，间距调节支架131与第二稳流罩120连接，通过驱动第一稳流罩110或第二稳流罩120以调整第一稳流罩110和第二稳流罩120之间的间距。

优选地，第一驱动机构132与间距调节支架131通过传动部件133连接，传动部件133包括传动带或传动链。

如图3a至3d所示，第一驱动机构132与间距调节支架131可以通过传动带或传动链连接，传动带可以为齿轮与传送带的传动方式，也可以是传动链与齿轮的传动方式，该结构具有较好的传动效果，且移动较为平稳。当然，本发明的其他实施例中也可以采用其他的结构以实现第一驱动机构132带动间距调节支架131移动，进而实现第一驱动机构132驱动第一稳流罩110或第二稳流罩120移动，其中，第一驱动机构132可以采用电机。也可以采用气缸等驱动方式，在此并不作为限定。

根据本发明的另一个实施例，稳流装置100还包括高度调节机构140，高度调节机构140与间距调节机构130连接，用于驱动间距调节机构130移动以调整第一稳流罩110和第二稳流罩120在拉晶炉200的副炉室212内的高度。

如图5所示，高度调节机构140与间距调节机构130连接，高度调节机构140可以带动间距调节机构130上下移动，以调节第一稳流罩110和第二稳流罩120在拉晶炉副炉室212内的高度，进而使拉晶炉能够适应生长不同长度的晶棒，提高了拉晶炉的使用灵活性。

优选地，高度调节机构140与间距调节机构130也可以采用传动部件133连接，具体的结构可参见上述实施例的传动部件133，在此不再赘述。

根据本发明的一些实施例，每一第一稳流罩110和每一第二稳流罩120为一组，稳流装置100包括多组第一稳流罩110和第二稳流罩120。

如图1e至图1g所示，稳流装置100包括多组第一稳流罩110和第二稳流罩120的组合，也就是说，使用时可以根据实际情况在拉晶炉的副炉室212内设置一组第一稳流罩110和第二稳流罩120的组合，也可以是多组第一稳流罩110和第二稳流罩120的组合，这样，可以在适当的情况下更好的调整拉晶炉副炉室212内的惰性气体300的流向和流速，进一步提高稳流装置100的使用灵活性。

可选地，第一稳流罩110和第二稳流罩120的开孔率为80％～95％。

也就是说，第一稳流罩110和第二稳流罩120的开孔率可以控制在80％～95％之间，该开孔率可以更好的控制惰性气体300的流动速度和分布的均匀性，确保气体平稳有序的流动情况，其中，第一稳流罩110的开孔率为第一稳流罩110上所有的第一通孔111的横截面积之和占第一稳流罩110的外周壁的表面积的百分比，第二稳流罩120的开孔率为第二稳流罩120上所有的第二通孔121的横截面积之和占第二稳流罩120的外周壁的表面积的百分比。

进一步地，第一通孔111与第二通孔211的横截面为圆形、方形、三角形、或多种混合。

如图2a至2e所示，第一通孔111与第二通孔211的横截面的形状可以根据实际情况进行设定，不同的形状以及大小会影响开孔率的，因此，可以根据实际情况选择圆形、三角形、方形或其他形状，也可以选择几种形状混合使用以确保开孔率控制在80％～95％，其中，孔的横截面的形状并不作为限定。

在本发明的一个优选实施例中，第一通孔111与第二通孔211的横截面为圆形，第一通孔111与第二通孔211的孔径范围在5～20mm之间。

也就是说，本发明中的孔径的大小可以限制在一定的范围内，通过控制孔径的大小可以确保开孔率，优选地，当第一通孔111与第二通孔211的横截面为圆形时，孔径范围控制在5～20mm之间，以更好的控制气流的流向和流速。当然，本发明的其他实施例中，也可以根据第一稳流罩110和第二稳流罩120的表面积的大小适当的调整第一通孔111与第二通孔120的横截面的形状以及孔径的大小，在此并不作为限定。

总之，根据本发明实施例的稳流装置100，可以对通入拉晶炉200副炉室212的惰性气体300的流向进行梳理，使气体流向更加有序，可以降低副炉室212内的惰性气体300的紊流强度，约束惰性气体300流动方向，减少因气流引起的单晶硅棒的摆动，有助于单晶硅棒与熔融液面的稳定接触，降低单晶生长位错等现象发生的几率，提高单晶硅棒的生产效率，可以降低主炉室211的不纯物400被乱流携带至副炉室212，避免不纯物400对晶棒和热场部件侧壁造成污染和侵蚀等问题。同时，可以调节第一稳流罩110和第二稳流罩120之间的间距进一步调整气流的流速和确保气流的平稳，可以调节第一稳流罩110和第二稳流罩120在副炉室212内的高度，可以适应生长不同长度的晶棒，提高稳流装置100使用的灵活性。

如图1和图5所示，本发明实施例的拉晶炉200，包括炉体210，炉体210内包括主炉室211和与主炉室211相连通的副炉室212，副炉室212设有如上述实施例的稳流装置100。

也就是说，稳流装置100设置在拉晶炉200的副炉室212内，稳流时，惰性气体300从副炉室212的上端流入，依次经过第一稳流罩110、第二稳流罩120，主炉室211的导流筒213，惰性气体300经过第一稳流罩110和第二稳流罩120后，其流向得到改变，使气流更加有序，经过改向的惰性气体300进入主炉室211后，气流的流动平稳有序的流动，减少了惰性气体300的气流紊乱现象，该气流经过主炉室211的导流筒213流向单晶硅棒表面时，可以降低单晶硅棒因气流影响的摆动幅度，有助于单晶硅棒与熔融液面的稳定接触，降低单晶生长位错等现象发生几率，提高单晶硅棒的生产效率，可以降低主炉室211的不纯物400被乱流携带至副炉室212，有利于不纯物400及时从主炉室内排出，避免不纯物400对晶棒和热场部件侧壁造成污染和侵蚀等问题。

优选地，稳流装置100还包括间距调节机构130，用于调节第一稳流罩110和第二稳流罩120之间的距离以扩大稳流区间，第一稳流罩110和第二稳流罩120的一端穿过副炉室212的炉体，且第一稳流罩110的一端和/或第二稳流罩120的一端与间距调节机构130连接。

也就是说，第一稳流罩110和第二稳流罩120的一端可以穿过副炉室212的炉壁，并与间距调节机构130相连，也可以是，第一稳流罩110的一端或者是第二稳流罩120的一端穿过副炉室212的炉壁与间距调节机构130连接，进而实现间距调节机构130对第一稳流罩110和第二稳流罩120之间的间距的调整。当然，本发明的其他实施例中，也可以采用，间距调节机构130的一端穿过副炉室212的炉壁并与第一稳流罩110和/或第二稳流罩120连接，在此并不作为限定。

优选地，间距调节机构130包括间距调节支架131和第一驱动机构132，间距调节支架131的一端分别与第一稳流罩110和第二稳流罩120相连，或者，间距调节支架与第一稳流罩的一端或第二稳流罩的一端连接，第一驱动机构132与间距调节支架131的连接，用于驱动间距调节支架131向彼此靠拢或背离以调节第一稳流罩110与第二稳流罩120之间的距离。

也就是说，通过间距调节支架131可以设置在副炉室的外侧，第一稳流罩110和/或第二稳流罩120一端穿过副炉室的炉壁与间距调节支架连接，第一驱动机构132与间距调节支架131相连，第一驱动机构驱动间距调节支架移动以使第一稳流罩110和第二稳流罩120在副炉室212内上下移动，进而控制第一稳流罩110和第二稳流罩120之间的间距，以更好的实现对惰性气体的流向和流速的控制，如上述实施例，通过高度调节机构可以调节第一稳流罩110和第二稳流罩120在副炉室212内的高度，以适应生长不同长度的晶棒，提高了拉晶炉的使用灵活性。

本发明中的稳流装置100，采用上述实施例的稳流装置100，由于上述实施例中已详细说明了稳流装置100的结构及技术效果，因此，稳流装置的其他的具体结构及效果请参见上述实施例中的稳流装置100，在此不再赘述。

本发明的拉晶炉200，可以减少因气流引起的单晶硅棒的摆动，有助于单晶硅棒与熔融液面的稳定接触，降低单晶生长位错等现象发生的几率，提高单晶硅棒的生产效率，可以降低主炉室211的不纯物400被乱流携带至副炉室212，避免不纯物400对晶棒和热场部件侧壁造成污染和侵蚀等问题。

根据本发明的惰性气体的稳流调节方法，应用于拉晶炉200，所述调节方法包括从拉晶炉200的副炉室212向拉晶炉200内通入惰性气体300，调节通入拉晶炉200的副炉室212内的惰性气体300的流向。

如图4和5所示，可以通过在拉晶炉200的副炉室212内设置第一稳流罩110和第二稳流罩120对通入拉晶炉200的副炉室212内的惰性气体300的流向进行调节。

优选地，可以采用如图1c所示的漏斗型的第一稳流罩110对副炉室212内的惰性气体300进行整流；采用倒漏斗型的第二稳流装置120对整流后的惰性气体均匀的分流。

优选地，如图1e和1g所示，惰性气体的稳流调节方法还包括对分流后的惰性气体300再次整流，对再次整流后的惰性气体300再次分流，以进一步提高气流的稳定效果，或根据不同的需求的生产需求选择适当的稳流罩。

优选地，还可以通过调整稳流区间的大小以调整气流的流向和流速。

优选地，还包括控制惰性气体300在副炉室212内分流时的高度以适应不同长度的晶棒的生长。

由于在上述实施例的稳流装置中已经详细的说明的稳流装置的稳流方法，本发明中的惰性气体的稳流调节方法可以通过稳流装置进行稳流，因此，稳流调节方法可以参照上述实施例的描述，在此不再赘述。

根据本发明实施例的单晶硅的制造方法，应用于拉晶炉200，拉晶炉200包括主炉室211和副炉室212，制造方法包括：

步骤1，在拉晶炉200的主炉室211熔融多晶硅；

步骤2，将籽晶与多晶硅熔液相接触；

步骤3，向拉晶炉200的副炉室通入惰性气体300，并对惰性气体300进行稳流，惰性气体300的稳流方法包括如上述实施例的惰性气体的稳流调节方法。

优选地，制造方法还包括：

在多晶硅原料完全熔融后，籽晶与多晶硅熔融液相接触，且在晶棒生长的长度未到达副炉室底部时，调整稳流区间的大小以调整气流的流向和流速。

优选地，制造方法还包括；

控制惰性气体在副炉室内分流时的高度以适应不同长度的晶棒的生长。

优选地，制造方法还包括在惰性气体流进主炉室211内时，通过导流筒213对惰性气体300进行导流，以使惰性气体300流向多晶硅熔液与籽晶的接触面，可以有效的将稳流后的惰性气体300引流至熔液与籽晶的接触面，更有利于晶棒的快速生长。

本发明实施例的单晶硅的制造方法，采用上述实施例的惰性气体的稳流调节方法，由于上述实施例中已详细说明了惰性气体的稳流调节方法，具体请参见上述实施例中的方法，在此不再赘述。

根据本发明实施的单晶硅的制造方法，可以减少因气流引起的单晶硅棒的摆动，有助于单晶硅棒与熔融液面的稳定接触，降低单晶生长位错等现象发生的几率，提高单晶硅棒的生产效率，可以降低主炉室211的不纯物400被乱流携带至副炉室212，避免不纯物400对晶棒和热场部件侧壁造成污染和侵蚀等问题。

根据本发明实施例的单晶硅，通过如上述实施例的单晶硅的制造方法制备的得到。

本发明的单晶硅能够避免产生位错，具有较高的纯度。

除非另作定义，本发明中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种惰性气体的稳流调节方法，其特征在于，应用于拉晶炉，所述调节方法包括：

从拉晶炉的副炉室向拉晶炉内通入惰性气体，调节通入所述拉晶炉的副炉室内的惰性气体的流向。

2.根据权利要求1所述的惰性气体的稳流调节方法，其特征在于，包括：

对所述副炉室内的惰性气体进行整流；

对整流后的所述惰性气体均匀的分流。

3.根据权利要求2所述的惰性气体的稳流调节方法，其特征在于，还包括:

对分流后的所述惰性气体再次整流；

对再次整流后的所述惰性气体再次分流。

4.根据权利要求1所述的惰性气体的稳流调节方法，其特征在于，在气体整流与分流之间形成有稳流区间，所述方法还包括：

调整稳流区间的大小以调整气流的流向和流速。

5.根据权利要求4所述的惰性气体的稳流调节方法，其特征在于，还包括：

控制所述惰性气体在所述副炉室内分流时的高度以适应不同长度的晶棒的生长。

6.一种单晶硅的制造方法，其特征在于，应用于拉晶炉，所述拉晶炉包括主炉室和副炉室，所述制造方法包括：

在所述拉晶炉的主炉室熔融多晶硅；

将籽晶与多晶硅熔液相接触；

向拉晶炉的副炉室通入惰性气体，并对所述惰性气体进行稳流，所述惰性气体的稳流方法包括如权利要求1-5任一项所述的惰性气体的稳流调节方法。

7.根据权利要求6所述的单晶硅的制造方法，其特征在于，应用权利要求4所述的惰性气体的稳流调节方法，所述制造方法还包括：

在所述多晶硅原料完全熔融后，所述籽晶与所述多晶硅熔融液相接触，且在晶棒生长的长度未到达副炉室底部时，调整稳流区间的大小以调整气流的流向和流速。

8.根据权利要求7所述的单晶硅的制造方法，其特征在于，应用于权利要求5所述的惰性气体的稳流调节方法，所述制造方法还包括；

控制所述惰性气体在所述副炉室内分流时的高度以适应不同长度的晶棒的生长。

9.根据权利要求6所述的单晶硅的制造方法，其特征在于，所述拉晶炉的主炉室还设置有导流筒，所述制造方法还包括：

在所述惰性气体流进所述主炉室内时，通过所述导流筒对所述惰性气体进行导流，以使惰性气体流向所述多晶硅熔液与籽晶的接触面。

10.一种单晶硅，其特征在于，通过如权利要求6-9所述的任一项所述的单晶硅的制造方法制备的得到。