CN110190840B - 控制装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种控制装置，在第一FET的源极(或漏极)及栅极短路的情况下停止经由第一FET及第二FET的供电。在控制装置中，升压电路(43)将电阻(45)的升压电路(43)侧的一端的电压上升为比第一FET(21)的源极的电压高的预定电压。在AND电路(40)指示升压电路(43)使电阻(45)的升压电路(43)侧的一端升压的情况下，在电阻(45)的另一端的电压小于阈值电压时，指示放电电路(44)使电阻(45)的另一端的电压降低。阈值电压小于预定电压。而且，阈值电压超过电阻(45)的升压电路(43)侧的一端的电压为预定电压且第一FET(21)的源极及栅极短路的情况下的电阻(45)的一端的电压。

Description

控制装置
技术领域
本发明涉及控制装置。
背景技术
在车辆中搭载有控制从蓄电池向负载的供电的控制装置(例如，参照专利文献1)。该控制装置具备第一FET及第二FET。第一FET及第二FET的型是N沟道型。第一FET的漏极与第二FET的漏极连接。第一FET的源极与蓄电池的正极连接。第二FET的源极与负载的一端连接。蓄电池的负极与负载的另一端连接。
对于第一FET及第二FET的各FET，栅极的电压越高，则漏极与源极之间的电阻值越小。因此，在第一FET及第二FET的栅极的电压高的情况下，蓄电池和负载电连接，电流经由第一FET及第二FET从蓄电池向负载流动，向负载供给电力。在第一FET及第二FET的栅极的电压低的情况下，蓄电池及负载间的电连接被切断，电流不经由第一FET及第二FET流动，向负载的供电停止。通过调整第一FET及第二FET的栅极的电压，控制从蓄电池向负载的供电。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-82374号公报
发明内容
在专利文献1所记载的控制装置中，在向负载供给电力的情况下，第一FET及第二FET的栅极的电压调整为高于蓄电池的输出电压的电压。因此，在第一FET的源极及栅极短路的情况下，第一FET的栅极的电压是蓄电池的输出电压，较低。
在第一FET及第二FET的各FET中，形成有在漏极及源极各自连接有阴极及阳极的寄生二极管。在第二FET的栅极的电压高的状态下第一FET的源极及栅极短路的情况下，第一FET的漏极与源极之间的电阻值大，因此电流依次向第一FET的寄生二极管及第二FET流动。在电流经由寄生二极管流过的情况下，第一FET的温度急速地上升，存在第一FET发生故障的可能性。因此，在第一FET的源极及栅极短路的情况下，需要停止经由第一FET及第二FET的供电，使经由寄生二极管的通电停止。
此外，在控制从蓄电池向负载的供电的控制装置中，存在第一FET的源极与第二FET的漏极连接的控制装置。在这种情况下，第一FET的漏极与蓄电池的正极连接，第二FET的源极与负载的一端连接，蓄电池的负极与负载的另一端连接。在这种情况下中，在第一FET的漏极及栅极短路的情况下，第一FET的栅极的电压也是蓄电池的输出电压，较低。此时，第一FET的栅极的电压没有低到能够切断经由第一FET的漏极及栅极的通电的程度。
因此，在第二FET的栅极的电压高的状态下第一FET的漏极及栅极短路的情况下，电流依次向第一FET及第二FET流动。此时，第一FET的漏极与源极之间的电阻值没有充分小，因此存在第一FET中产生的热的热量大，第一FET的温度急速地上升，第一FET发生故障的可能性。因此，在第一FET的源极与第二FET的漏极连接的结构中，在第一FET的漏极及栅极短路的情况下，需要停止经由第一FET及第二FET的供电，使经由寄生二极管的通电停止。
本发明是鉴于上述事情而发明的，其目的在于，提供一种控制装置，在第一FET的源极(或漏极)及栅极短路的情况下停止经由第一FET及第二FET的供电。
本发明的一方式所涉及的控制装置具备：N沟道型的第一FET；N沟道型的第二FET，漏极连接于所述第一FET的漏极(或源极)；第一电阻，连接于所述第一FET与第二FET的栅极之间；第二电阻，一端连接于所述第二FET的栅极；升压电路，与所述第二电阻的另一端连接，使所述第二电阻的另一端的电压上升为比所述第一FET的源极(或漏极)的电压高的预定电压；降低电路，使所述第二电阻的一端的电压降低；及指示部，指示所述升压电路使所述第二电阻的另一端的电压上升，在向所述升压电路指示所述上升的情况下，在所述第二电阻的一端的电压小于阈值电压时，所述指示部指示所述降低电路使所述第二电阻的一端的电压降低，所述阈值电压小于所述预定电压，所述阈值电压超过所述第二电阻的另一端的电压为所述预定电压且所述第一FET的源极(或漏极)及栅极短路的情况下的所述第二电阻的一端的电压。
发明效果
根据上述方式，在第一FET的源极(或漏极)及栅极短路的情况下停止经由第一FET及第二FET的供电。
附图说明
图1是实施方式1中的电源系统的电路图。
图2是驱动器的电路图。
图3是示出驱动器的动作的第一例的时序图。
图4是示出驱动器的动作的第二例的时序图。
图5是示出驱动器的动作的第三例的时序图。
图6是不发生短路情况下的升压电路及导体间的电路图。
图7是发生了短路的情况下的升压电路及导体间的电路图。
图8是实施方式2中的电源系统的电路图。
具体实施方式
[本发明的实施方式的说明]
首先列举说明本发明的实施方式。也可以任意组合以下记载的实施方式的至少一部分。
(1)本发明的一方式所涉及的控制装置具备：N沟道型的第一FET；N沟道型的第二FET，漏极连接于所述第一FET的漏极(或源极)；第一电阻，连接于所述第一FET与第二FET的栅极之间；第二电阻，一端连接于所述第二FET的栅极；升压电路，与所述第二电阻的另一端连接，使所述第二电阻的另一端的电压上升为比所述第一FET的源极(或漏极)的电压高的预定电压；降低电路，使所述第二电阻的一端的电压降低；及指示部，指示所述升压电路使所述第二电阻的另一端的电压上升，在向所述升压电路指示所述上升的情况下，在所述第二电阻的一端的电压小于阈值电压时，所述指示部指示所述降低电路使所述第二电阻的一端的电压降低，所述阈值电压小于所述预定电压，所述阈值电压超过所述第二电阻的另一端的电压为所述预定电压且所述第一FET的源极(或漏极)及栅极短路的情况下的所述第二电阻的一端的电压。
在上述一方式中，在指示升压电路使第二电阻的另一端的电压向预定电压上升的情况下，在第一FET的源极(或漏极)及栅极短路时，第二电阻的一端的电压小于阈值电压。此时，指示降低电路使第二电阻的一端的电压降低。由此，第二FET的栅极的电压降低，第二FET的漏极与源极之间的电阻值上升。其结果是，经由第一FET及第二FET的供电停止。
(2)本发明的一方式所涉及的控制装置具备将所述第一FET的源极与栅极之间的电压维持为第二预定电压以下的电压维持体。
在上述一方式中，通过电压维持体的作用，第一FET的源极与栅极之间的电压维持为第二预定电压以下。
(3)本发明的一方式所涉及的控制装置具备开关，所述电压维持体为稳压二极管，所述电压维持体的阴极与所述第一FET的源极连接，所述电压维持体的阳极经由所述开关而与所述第一FET的栅极连接。
在上述一方式中，在开关从关切换为开的情况下，第一FET的源极及栅极短路，第一FET的栅极的电压降低。假定为第一FET的漏极与第二FET的漏极连接。在这种情况下，第一FET的寄生二极管的阴极与第二FET的寄生二极管的阴极连接。在该结构中，在开关从关切换为开时，第一FET的漏极与源极之间的电阻值上升，防止电流从第二FET的源极向第一FET的源极流动。
此外，在开关的一端连接稳压二极管的阳极，因此防止电流从稳压二极管向开关流动。
(4)本发明的一方式所涉及的控制装置具备：开关；及二极管，阴极与所述第一FET的源极连接，阳极经由所述开关而与所述第一FET的栅极连接。
在上述一方式中，在开关从关切换为开的情况下，第一FET的源极及栅极短路，第一FET的栅极的电压降低。假定为第一FET的漏极与第二FET的漏极连接。在这种情况下，第一FET的寄生二极管的阴极与第二FET的寄生二极管的阴极连接。在该结构中，在开关从关切换为开时，第一FET的漏极与源极之间的电阻值上升，防止电流从第二FET的源极向第一FET的源极流动。
此外，在开关的一端连接二极管的阳极，因此防止电流从二极管向开关流动。
(5)本发明的一方式所涉及的控制装置中，在向所述升压电路指示所述上升的情况下，在所述第二电阻的一端的电压小于所述阈值电压的期间为预定期间以上时，所述指示部指示所述降低电路使所述第二电阻的一端的电压降低。
在上述一方式中，在指示升压电路使第二电阻的另一端的电压向预定电压上升的情况下，在第二电阻的一端的电压小于阈值电压的期间成为预定期间以上时，即发生故障的可能性高时，指示降低电路使第二电阻的一端的电压降低。由此，经由第一FET及第二FET的供电停止。
(6)本发明的一方式所涉及的控制装置中，所述第一电阻的个数为2以上。
在上述一方式中，即使是经由多个第一电阻中的一个的通电停止的情况，也进行经由其他第一电阻的通电，因此第一FET及第二FET适当地作用。
[本发明的实施方式的详细]
以下参照附图说明本发明的实施方式所涉及的电源系统的具体例。需要说明的是，本发明并非限定于这些例示，而由权利要求书示出，并旨在包括与权利要求书均等的含义及范围内的全部变更。
(实施方式1)
图1是实施方式1中的电源系统1的电路图。电源系统1适合搭载于车辆，具备控制装置10、蓄电池11、负载12及导体13。控制装置10与蓄电池11的正极所连接的正极端子T1和负载12的一端连接。蓄电池11的负极所连接的负极端子T2和负载12的另一端与导体13连接。控制装置10进一步与导体13和外部装置G1连接。导体13是例如车辆的车体。向导体13的连接是指所谓接地。
在正极端子T1及负极端子T2的各端子连接有蓄电池11的正极及负极的情况下，蓄电池11的连接是正常连接。在正极端子T1及负极端子T2的各端子中连接有蓄电池11的负极及正极的情况下，蓄电池11的连接是逆连接。
在蓄电池11的连接是正常连接的情况下，蓄电池11经由控制装置10向负载12供给电力。此时，电流依次向正极端子T1、控制装置10、负载12、导体13及负极端子T2流动。负载12是搭载于车辆的电气设备。在从蓄电池11向负载12供给电力的情况下，负载12工作。在从蓄电池11向负载12的供电停止的情况下，负载12停止动作。
从外部装置G1向控制装置10输入有控制信号。控制信号通过高电平电压及低电平电压而构成。在蓄电池11的连接是正常连接的情况下，在控制信号所表示的电压从低电平电压切换为高电平电压时，控制装置10将正极端子T1及负载12电连接。由此，从蓄电池11向负载12供给电力，负载12工作。
在蓄电池11的连接是正常连接的情况下，在控制信号所表示的电压从高电平电压切换为低电平电压时，控制装置10切断正极端子T1与负载12之间的电连接。由此，从蓄电池11向负载12的供电停止，负载12停止动作。
在蓄电池11的连接是逆连接的情况下，控制装置10与控制信号所表示的电压无关地，将正极端子T1及负载12的电连接切断。因此，在蓄电池11的连接是逆连接的情况下，不向负载12供给电力。
控制装置10具有第一FET21、第二FET22、驱动器23、电阻24、25a、25b、26、27、28、二极管29a、29b、30、稳压二极管31a、31b及开关32。第一FET21及第二FET22的型是N沟道型。开关32是NPN型的双极晶体管。
在制造了第一FET21的情况下，形成有寄生电容Cs1、Cd1及寄生二极管Dp1。寄生电容Cs1连接于第一FET21的源极与栅极之间。寄生电容Cd1连接于第一FET21的漏极与栅极之间。寄生二极管Dp1的阴极及阳极各自与第一FET21的漏极及源极连接。
同样地，在制造了第二FET22的情况下，形成有寄生电容Cs2、Cd2及寄生二极管Dp2。寄生电容Cs2连接于第二FET22的源极与栅极之间。寄生电容Cd2连接于第二FET22的漏极与栅极之间。寄生二极管Dp2的阴极及阳极各自与第二FET22的漏极及源极连接。
第一FET21的源极与正极端子T1连接。第一FET21的漏极与第二FET22的漏极连接。第二FET22的源极与负载12的一端连接。电阻24连接于第一FET21的源极与栅极之间。电阻25a、25b各自的一端与第一FET21的栅极连接。电阻25a、25b各自的另一端与二极管29a、29b的阴极连接。驱动器23、二极管29a、29b的阳极经由电阻26而与第二FET22的栅极连接。
因此，电阻25a、25b各自连接于第一FET21及第二FET22的栅极之间。电阻25a、25b各自作为第一电阻发挥功能。
驱动器23进一步与导体13和外部装置G1单独连接。在第一FET21的源极进一步连接稳压二极管31a的阴极。稳压二极管31a的阳极连接稳压二极管31b的阳极。稳压二极管31b的阴极与第一FET21的栅极连接。在稳压二极管31a的阳极进一步连接开关32的发射极。开关32的集电极与第一FET21的栅极连接。因此，稳压二极管31a的阳极经由开关32而与第一FET21的栅极连接。
在开关32的发射极与基极之间连接电阻27。在开关32的基极进一步连接电阻28的一端。电阻28的另一端与二极管30的阴极连接。二极管30的阳极与导体13连接。
对于第一FET21及第二FET22的各FET，在以源极的电位为基准的栅极的电压上升的情况下，漏极与源极之间的电阻值降低。在蓄电池11的连接是正常连接的情况下，在第一FET21的漏极与源极之间的电阻值和第二FET22的漏极与源极之间的电阻值小时，电流依次向正极端子T1、第一FET21、第二FET22、负载12、导体13及负极端子T2流动。此时，电流从正极端子T1向第一FET21的源极输入，从第一FET21的漏极输出电流。电流从第一FET21的漏极向第二FET22的漏极输入。电流从第二FET22的源极向负载12输出。
外部装置G1向驱动器23输出控制信号。驱动器23在控制信号所表示的电压从低电平电压切换为高电平电压的情况下，使以导体13的电位为基准的电阻26的驱动器23侧的一端的电压上升。该电压经由二极管29a及电阻25a，或经由二极管29b及电阻25b向第一FET21的栅极施加，并且经由电阻26向第二FET22的栅极施加。以下，将电阻26的驱动器23侧的一端的电压记载为输出端电压。输出端电压由Ve表示。
以下，假定为蓄电池11的连接是正常连接。在蓄电池11的连接是正常连接的情况下，如下所述，开关32为关，电流不在开关32的集电极与发射极之间流动。
在驱动器23使输出端电压Ve上升的情况下，电流如下流动。电流经由二极管29a及电阻25a，或经由二极管29b及电阻25b，向第一FET21的寄生电容Cs1、Cd1流动。而且，电流经由电阻26向寄生电容Cs2、Cd2流动。由此，寄生电容Cs1、Cd1、Cs2、Cd2被充电。在寄生电容Cs1、Cd1、Cs2、Cd2被充电的情况下，在第一FET21及第二FET22的各FET中，以源极的电位为基准的栅极的电压上升，漏极与源极之间的电阻值降低。其结果是，正极端子T1及负载12电连接，蓄电池11经由第一FET21及第二FET22向负载12供给电力。
在第一FET21及第二FET22的各FET中，漏极与源极之间的电阻值小的情况下，第一FET21及第二FET22的源极的电压与蓄电池11的输出电压大致一致。因此，输出端电压Ve高于蓄电池11的输出电压。
在控制信号所表示的电压从高电平电压切换为低电平电压的情况下，驱动器23通过使寄生电容Cs2、Cd2放电，使输出端电压Ve降低。此时，电流从第二FET22的栅极侧的一端依次向电阻26及驱动器23流动。在寄生电容Cs2、Cd2放电的期间，寄生电容Cs1、Cd1放电。此时，对于寄生电容Cs1、Cd1的各寄生电容，电流从第一FET21的栅极侧的一端在电阻24中流动。在寄生电容Cs1、Cd1、Cs2、Cd2放电的情况下，在第一FET21及第二FET22的各FET中，以源极的电位为基准的栅极的电压降低，漏极与源极之间的电阻值上升。其结果是，正极端子T1与负载12间的电连接被切断，向负载12的供电停止。
二极管29a、29b防止蓄电池11经由电阻24、26向第二FET22的栅极施加电压。假设，在不存在二极管29a、29b而蓄电池11向第二FET22的栅极施加了电压的情况下，在第二FET22中，以源极的电位为基准的栅极的电压成为不完整的值。
在这种情况下，第二FET22的漏极与源极之间的电阻值没有充分大，因此电流依次向寄生二极管Dp1及第二FET22流动。而且，第二FET22的漏极与源极之间的电阻值没有充分小，因此第二FET22中产生的热的量大，存在第二FET22发生故障的可能性。对于第一FET21及第二FET22的各FET，以源极的电位为基准的栅极的电压成为不完整的值的现象称为半开。
在稳压二极管31a、31b的各稳压二极管中，在以阳极的电位为基准的阴极的电压小于击穿电压的情况下，电流不从阴极向阳极流动。于是，在以阳极的电位为基准的阴极的电压为击穿电压以上的情况下，电流从阴极向阳极流动，将阴极与阳极之间的电压维持为击穿电压。稳压二极管31a、31b的击穿电压为一定的电压。
对于稳压二极管31a、31b的各稳压二极管，在无视电流依次向阳极及阴极流过时产生的电压的情况下，稳压二极管31a在第一FET21中，将以栅极的电位为基准的源极的电压维持为击穿电压以下。稳压二极管31b在第一FET21中，将以源极的电位为基准的栅极的电压维持为击穿电压以下。稳压二极管31a作为电压维持体发挥功能，稳压二极管31a的击穿电压相当于第二预定电压。
需要说明的是，稳压二极管31a、31b的击穿电压可以相同，也可以互不相同。
关于开关32，在以发射极的电位为基准的基极的电压为正的一定电压以上的情况下，电流可在集电极与发射极之间流动。此时，开关32为开。关于开关32，在以发射极的电位为基准的基极的电压小于正的一定电压的情况下，电流不经由集电极及发射极流动。此时，开关32为关。
在蓄电池11的连接是正常连接的情况下，通过二极管30的作用，电流不向电阻27流动。此时，在开关32中，以发射极的电位为基准的基极的电压为零V，小于上述的一定电压。因此，开关32为关。
在蓄电池11的连接是逆连接的情况下，电流依次向负极端子T2、导体13、二极管30、电阻28、27、稳压二极管31a及正极端子T1流动。由此，由电阻27产生电压降下，因此在开关32中，以发射极的电位为基准的基极的电压为一定电压以上，开关32为开。
在开关32从关切换为开的情况下，在第一FET21中，源极及栅极短路，以源极的电位为基准的栅极的电压与输出端电压Ve无关地，大致降低为零V。由此，第一FET21的漏极与源极之间的电阻值上升到充分大的值，防止电流从第二FET22的源极朝向第一FET21的源极流动。
在开关32为关的情况下，输出端电压Ve上升时，如上所述，在第一FET21中，以源极的电位为基准的栅极的电压上升。
在蓄电池11的连接是正常连接的情况下，稳压二极管31a防止电流依次向电阻27、开关32的基极及开关32的集电极流动。在双极晶体管中，未假定为电流依次向基极及集电极流动。因此，在开关32中，在电流依次向基极及集电极流动的情况下，存在开关32发生故障的可能性。通过稳压二极管31a的作用，防止该故障。
综上，在蓄电池11的连接是逆连接的情况下，开关32为开，与输出端电压Ve、即控制信号所表示的电压无关地，正极端子T1与负载12之间的连接被切断。此外，在蓄电池11的连接是正常连接的情况下，驱动器23通过调整输出端电压Ve，进行正极端子T1与负载12之间的电连接和该连接的切断。
接着，说明驱动器23的结构。在驱动器23的结构的说明中，以蓄电池11的连接是正常连接为前提。
图2是驱动器23的电路图。驱动器23具有AND电路40、反转器41、42、升压电路43、放电电路44、电阻45、比较器46、直流电源47、OR电路48及滤波电路49。AND电路40及OR电路48各自具有两个输入端和一个输出端。反转器41、42各自具有一个输入端和一个输出端。比较器46具有正端、负端及输出端。
在AND电路40的一方的输入端和反转器41的输入端连接外部装置G1。AND电路40的输出端与反转器42的输入端和升压电路43连接。反转器42的输出端与放电电路44连接。升压电路43进一步与电阻45的一端连接。电阻45的另一端经由电阻26而与第二FET22的栅极连接。放电电路44进一步与导体13和电阻45的另一端连接。电阻45作为第二电阻发挥功能。
对于比较器46，正端与电阻45的另一端连接，负端与直流电源47的正极连接，输出端与OR电路48的一方的输入端连接。直流电源47的负极与导体13连接。反转器41的输出端与OR电路48的另一方的输入端连接。OR电路48的输出端与滤波电路49连接。滤波电路49进一步与AND电路40的另一方的输入端连接。
需要说明的是，升压电路43进一步与导体13连接。图2中，省略该连接的记载。
外部装置G1向AND电路40输出控制信号。如上所述，控制信号表示高电平电压或低电平电压。滤波电路49向AND电路40输出高电平电压或低电平电压。
在滤波电路49输出高电平电压的情况下，在控制信号表示高电平电压时，AND电路40将高电平电压向反转器42及升压电路43输出。在同样的情况下，在控制信号表示低电平电压时，AND电路40将低电平电压向反转器42及升压电路43输出。因此，在滤波电路49输出高电平电压的情况下，AND电路40输出控制信号所表示的电压。在滤波电路49输出低电平电压的情况下，AND电路40与控制信号所表示的电压无关地，将低电平电压向反转器42及升压电路43输出。
在从AND电路40输入的电压从低电平电压切换为高电平电压的情况下，升压电路43使以导体13的电位为基准的电阻45的一端的电压上升为比正极端子T1即第一FET21的源极的电压高的预定电压。由此，电阻45的另一端的电压即输出端电压Ve上升，对于第一FET21及第二FET22的各FET，漏极与源极之间的电阻值降低。在从AND电路40输入的电压从高电平电压切换为低电平电压的情况下，升压电路43停止电压向电阻45的一端的施加。此时，电流不向电阻45流动，因此电阻45的两端的电压与输出端电压Ve大致一致。
升压电路43将例如以导体13的电位为基准的正极端子T1的电压升压，向电阻45的一端施加升压后的电压。由此，电阻45的一端的电压上升。在将正极端子T1的电压升压的结构中，升压电路43通过停止升压，停止向电阻45的一端施加电压。
综上，AND电路40通过输出高电平电压，指示升压电路43使电阻45的一端的电压上升，通过输出低电平电压，指示升压电路43停止向电阻45的一端的施加电压。AND电路40作为指示部发挥功能。
反转器42在从AND电路40输入高电平电压的情况下，将低电平电压向放电电路44输出。反转器42在从AND电路40输入低电平电压的情况下，将高电平电压向放电电路44输出。
在从反转器42输入的电压从低电平电压切换为高电平电压的情况下，放电电路44将电阻26的电阻45侧的一端与导体13电连接。由此，第二FET22的寄生电容Cs2、Cd2放电，输出端电压Ve降低。此时，电流从寄生电容Cs2、Cd2各自的电阻26侧的一端，依次向电阻26、放电电路44及导体13流动。在从反转器42输入的电压从高电平电压切换为低电平电压的情况下，放电电路44将导体13与电阻26之间的电连接切断。由此，寄生电容Cs2、Cd2停止放电。
放电电路44具有例如连接于导体13与电阻26之间的放电开关。在这种情况下，通过将放电开关切换为开，将导体13及电阻26电连接，通过将放电开关切换为关，将导体13与电阻26之间的电连接切断。
综上，AND电路40通过输出低电平电压，指示放电电路44使输出端电压Ve降低，通过输出高电平电压，指示放电电路44使输出端电压Ve的降低停止。放电电路44作为降低电路发挥功能。
升压电路43在放电电路44将导体13与电阻26之间的电连接切断的状态下使电阻45的一端的电压上升。放电电路44在升压电路43使电阻45的一端的电压降低的状态下将导体13及电阻26电连接。换言之，AND电路40在指示放电电路44使输出端电压Ve的降低停止的状态下指示升压电路43使电阻45的一端的电压上升，在指示升压电路43停止向电阻45的一端施加电压的状态下指示放电电路44使输出端电压Ve降低。
外部装置G1还向反转器41输出控制信号。反转器41在控制信号表示高电平电压的情况下，将低电平电压向OR电路48输出。反转器41在控制信号表示低电平电压的情况下，将高电平电压向OR电路48输出。
比较器46在输出端电压Ve为直流电源47的两端间的电压以上的情况下，将高电平电压向OR电路48输出。比较器46在输出端电压Ve小于直流电源47的两端间的电压的情况下，将低电平电压向OR电路48输出。直流电源47的两端间的电压大致固定。
以下，将直流电源47的两端间的电压记载为阈值电压。阈值电压由Vth表示(参照图3～图5)。
OR电路48在反转器41或比较器46输出高电平电压的情况下，将高电平电压向滤波电路49输出。OR电路48在反转器41及比较器46的两方输出低电平电压的情况下，将低电平电压向滤波电路49输出。
换言之，OR电路48在控制信号表示低电平电压、或输出端电压Ve为阈值电压Vth以上的情况下，将高电平电压向滤波电路49输出。尽管控制信号表示高电平电压，OR电路48在输出端电压Ve小于阈值电压Vth的情况下，也将低电平电压向滤波电路49输出。
滤波电路49在OR电路48输出高电平电压、或OR电路48持续输出低电平电压的期间小于预定期间的情况下，将高电平电压向AND电路40输出。滤波电路49在OR电路48以预定期间持续输出低电平电压的情况下，将低电平电压向AND电路40输出。
因此，尽管控制信号表示高电平电压，滤波电路49在输出端电压Ve小于阈值电压Vth的期间持续预定期间的情况下，也将低电平电压向AND电路40输出。
如上所述，在滤波电路49向AND电路40输出低电平电压的情况下，AND电路40与控制信号所表示的电压无关地输出低电平电压。在这种情况下，升压电路43停止向电阻45的一端施加电压，放电电路44向寄生电容Cs2、Cd2进行放电。如上所述，在寄生电容Cs2、Cd2放电的期间，寄生电容Cs1、Cd1放电。通过寄生电容Cs1、Cd1、Cs2、Cd2的放电，第一FET21及第二FET22的栅极的电压降低，正极端子T1与负载12之间的电连接被切断。
图3是示出驱动器23的动作的第一例的时序图。在此，说明不发生故障的情况下的驱动器23的动作。图3中，示出控制信号所表示的电压、输出端电压Ve及比较器46、反转器41、OR电路48及滤波电路49输出的输出电压的推移。横轴表示时间。“H”表示高电平电压，“L”表示低电平电压。
在控制信号表示低电平电压的情况下，AND电路40输出低电平电压，在升压电路43停止向电阻45的一端施加电压的状态下放电电路44向寄生电容Cs2、Cd2进行放电。因此，输出端电压Ve为零V，小于阈值电压Vth。因此，比较器46输出低电平电压。此外，在控制信号表示低电平电压的情况下，反转器41、OR电路48及滤波电路49输出高电平电压。
在输出端电压Ve为零V的情况下，对于第一FET21及第二FET22的各FET，栅极的电压低，正极端子T1与负载12之间的电连接切断。
在控制信号所表示的电压从低电平电压切换为高电平电压的情况下，反转器41将向OR电路48输出的电压切换为低电平电压。而且，AND电路40将向反转器42及升压电路43输出的电压切换为高电平电压，因此放电电路44将导体13与电阻26之间的电连接切断，升压电路43使电阻45的一端的电压上升为预定电压。由此，输出端电压Ve也上升，寄生电容Cs1、Cd1、Cs2、Cd2被充电，第一FET21及第二FET22的栅极的电压上升。
在控制信号所表示的电压从低电平电压切换为高电平电压的时刻，输出端电压Ve小于阈值电压Vth。因此，在控制信号所表示的电压从低电平电压切换为高电平电压的情况下，OR电路48将向滤波电路49输出的电压切换为低电平电压。
在输出端电压Ve成为阈值电压Vth以上的情况下，比较器46将向OR电路48输出的电压切换为高电平电压，因此OR电路48将向滤波电路49输出的电压切换为高电平电压。在不发生故障的情况下，输出端电压Ve从零V达到阈值电压Vth为止的期间小于滤波电路49的说明中所述的预定期间。因此，在输出端电压Ve从零V达到阈值电压Vth为止的期间，滤波电路49向AND电路40持续输出高电平电压。
在电阻45的一端的电压达到预定电压后，升压电路43将电阻45的一端的电压维持为预定电压。在电阻45的一端的电压维持为预定电压的期间，输出端电压Ve也固定。此时，对于第一FET21及第二FET22的各FET，以源极的电位为基准的栅极的电压高，从蓄电池11向负载12供给电力，负载12工作。
在控制信号所表示的电压从高电平电压切换为低电平电压的情况下，如上所述，AND电路40输出低电平电压。由此，升压电路43停止向电阻45的一端施加电压，放电电路44将电阻26及导体13电连接，使寄生电容Cs2、Cd2放电。此时，寄生电容Cs1、Cd1如上所述，经由电阻24放电。通过寄生电容Cs2、Cd2的放电，输出端电压Ve降低。
在控制信号所表示的电压从高电平电压切换为低电平电压的情况下，反转器41将向OR电路48输出的电压切换为高电平电压。
在输出端电压Ve小于阈值电压Vth的情况下，比较器46将向OR电路48输出的电压切换为低电平电压。此时，反转器41输出高电平电压，因此OR电路48不将向滤波电路49输出的电压切换为低电平电压，而维持为高电平电压。在OR电路48输出高电平电压的期间，滤波电路49输出高电平电压。
输出端电压Ve在达到零V后，直至控制信号所表示的电压切换为高电平电压为止，维持零V。
通过寄生电容Cs1、Cd1、Cs2、Cd2的放电，在第一FET21及第二FET22的各FET中，以源极的电位为基准的栅极的电压降低。由此，在第一FET21及第二FET22的各FET中，漏极与源极之间的电阻值上升，正极端子T1与负载12之间的电连接被切断，负载12停止动作。
综上，在不发生故障的情况下，滤波电路49向AND电路40持续输出高电平电压，AND电路40不将向反转器42及升压电路43输出的电压切换为低电平电压。因此，与控制信号所表示的电压无关地，正极端子T1与负载12之间的电连接不会强制地切断。
此外，在控制信号表示高电平电压的情况下，第一FET21及第二FET22的源极被电连接，在控制信号表示低电平电压的情况下，第一FET21及第二FET22的源极之间的电连接被切断。
因此，控制信号表示高电平电压相当于控制信号指示第一FET21及第二FET22的源极之间的电连接。控制信号表示低电平电压相当于指示第一FET21及第二FET22的源极之间的电连接的切断。
图4是表示驱动器23的动作的第二例的时序图。在此，说明在升压电路43发生故障、升压电路43不能使电阻45的一端的电压上升到预定电压、输出端电压Ve未成为阈值电压Vth以上的情况下的驱动器23的动作。图4中，也示出控制信号所表示的电压、输出端电压Ve及比较器46、反转器41、OR电路48及滤波电路49输出的输出电压的推移。横轴表示时间。“H”表示高电平电压，“L”表示低电平电压。
如上所述，在控制信号表示低电平电压的情况下，AND电路40输出低电平电压，输出端电压Ve为零V，小于阈值电压Vth。因此，比较器46输出低电平电压。此外，在控制信号表示低电平电压的情况下，反转器41、OR电路48及滤波电路49输出高电平电压。在输出端电压Ve为零V的情况下，正极端子T1与负载12之间的电连接被切断。
在控制信号所表示的电压从低电平电压切换为高电平电压的情况下，反转器41将向OR电路48输出的电压切换为低电平电压。而且，AND电路40将向反转器42及升压电路43输出的电压切换为高电平电压，因此放电电路44将导体13与电阻26之间的电连接切断，升压电路43使电阻45的一端的电压上升。由此，输出端电压Ve也上升，寄生电容Cs1、Cd1、Cs2、Cd2被充电，对于第一FET21及第二FET22的各FET，以源极的电位为基准的栅极的电压上升。
如上所述，升压电路43不能使电阻45的一端的电压上升到预定电压，输出端电压Ve未成为阈值电压Vth以上。因此，输出端电压Ve维持为小于阈值电压Vth。在此，如图4所示，在输出端电压Ve成为不完整的值的情况下，存在第一FET21及第二FET22成为半开的可能性。在这种情况下，如上所述，电流经由第一FET21及第二FET22流动，第一FET21及第二FET22的温度上升，存在第一FET21及第二FET22发生故障的可能性。
在控制信号所表示的电压从低电平电压切换为高电平电压的时刻，输出端电压Ve小于阈值电压Vth。因此，在控制信号所表示的电压从低电平电压切换为高电平电压的情况下，OR电路48将向滤波电路49输出的电压切换为低电平电压。而且，输出端电压Ve未成为阈值电压Vth以上，因此比较器46持续输出低电平电压。其结果是，在OR电路48输出低电平电压的期间、即尽管控制信号表示高电平电压但输出端电压Ve小于阈值电压Vth的期间成为预定期间以上的情况下，滤波电路49将向AND电路40输出的电压切换为低电平电压。
此时，与控制信号所表示的电压无关地，AND电路40将向反转器42及升压电路43输出的电压切换为低电平电压。由此，升压电路43停止向电阻45的一端施加电压，放电电路44将电阻26及导体13电连接，使寄生电容Cs2、Cd2放电。其结果是，输出端电压Ve降低为零V。在寄生电容Cs2、Cd2放电的期间，寄生电容Cs1、Cd1如上所述，经由电阻24放电。通过寄生电容Cs1、Cd1、Cs2、Cd2的放电，正极端子T1与负载12之间的电连接强制地切断，负载12停止动作。
之后，在控制信号所表示的电压切换为低电平电压的情况下，反转器41将向OR电路48输出的电压切换为高电平电压，OR电路48将向滤波电路49输出的电压切换为高电平电压。由此，滤波电路49将向AND电路40输出的电压切换为高电平电压。其结果是，AND电路40输出控制信号所表示的电压，强制的切断被解除。
需要说明的是，升压电路43在将电阻45的一端的电压维持为预定电压的状态下发生故障，在电阻45的一端的电压从预定电压降低的情况下，在输出端电压Ve小于阈值电压Vth时OR电路48将向滤波电路49输出的电压切换为低电平。于是，在OR电路48输出低电平电压的期间成为预定期间以上的情况下，使输出端电压Ve降低为零V，正极端子T1与负载12之间的电连接被强制地切断。在控制信号所表示的电压切换为低电平电压的情况下，如上所述，强制的切断被解除。
图5是示出驱动器23的动作的第三例的时序图。在此，说明在升压电路43将电阻45的一端的电压维持为预定电压的状态下第一FET21的源极及栅极短路的情况下的驱动器23的动作。图5中，也示出控制信号所表示的电压、输出端电压Ve及比较器46、反转器41、OR电路48及滤波电路49输出的输出电压的推移。横轴表示时间。“H”表示高电平电压，“L”表示低电平电压。
如上所述，在控制信号表示低电平电压的情况下，AND电路40输出低电平电压，输出端电压Ve为零V，小于阈值电压Vth。因此，比较器46输出低电平电压。此外，控制信号表示低电平电压的情况下，反转器41、OR电路48及滤波电路49输出高电平电压。在输出端电压Ve为零V的情况下，正极端子T1与负载12间的电连接被切断。
如上所述，在控制信号所表示的电压从低电平电压切换为高电平电压的情况下，反转器41将向OR电路48输出的电压切换为低电平电压。而且，AND电路40输出的电压切换为高电平电压，因此放电电路44切断导体13与电阻26之间的电连接，升压电路43使电阻45的一端的电压上升到预定电压。由此，输出端电压Ve上升，对于第一FET21及第二FET22的各FET，以源极的电位为基准的栅极的电压上升。
在控制信号所表示的电压从低电平电压切换为高电平电压的情况下，OR电路48将向滤波电路49输出的电压切换为低电平电压。在控制信号所表示的电压切换为高电平电压之后直至经过预定期间为止输出端电压Ve成为阈值电压Vth以上，OR电路48将向滤波电路49输出的电压切换为高电平电压。滤波电路49持续输出高电平电压。
在电阻45的一端的电压达到预定电压后，升压电路43将电阻45的一端的电压维持为预定电压。在电阻45的一端的电压维持为预定电压的期间，输出端电压Ve也固定。此时，对于第一FET21及第二FET22的各FET，以源极的电位为基准的栅极的电压高，从蓄电池11向负载12供给电力，负载12工作。
在第一FET21的源极及栅极短路的情况下，如下所述，以分压比的关系，输出端电压Ve降低。在此，阈值电压Vth小于预定电压，并且设定为超过因短路而降低的输出端电压Ve的电压。因此，在第一FET21的源极及栅极短路的情况下，输出端电压Ve小于阈值电压Vth。
在输出端电压Ve小于阈值电压Vth的情况下，在反转器41输出低电平电压的状态下，比较器46将向OR电路48输出的电压切换为低电平电压。由此，OR电路48将向滤波电路49输出的电压切换为低电平电压。
在AND电路40输出高电平电压的情况下，在OR电路48输出低电平电压的期间，即尽管控制信号表示高电平电压但输出端电压Ve小于阈值电压Vth的期间成为预定期间以上的情况下，滤波电路49将向AND电路40输出的电压切换为低电平电压。此时，与控制信号所表示的电压无关地，AND电路40将向反转器42及升压电路43输出的电压切换为低电平电压。由此，升压电路43停止电压向电阻45的一端的施加，放电电路44将电阻26及导体13电连接，使寄生电容Cs2、Cd2放电。其结果是，输出端电压Ve降低为零V。在寄生电容Cs2、Cd2放电的期间，寄生电容Cs1、Cd1如上所述，经由电阻24放电。通过寄生电容Cs1、Cd1、Cs2、Cd2的放电，正极端子T1与负载12之间的电连接被强制地切断，负载12停止动作。
在放电电路44将电阻26及导体13电连接后，将控制信号所表示的电压切换为低电平电压的情况下，如上所述，强制的切断被解除。
需要说明的是，在第一FET21的源极及栅极短路的状态下控制信号所表示的电压切换为高电平电压的情况下，输出端电压Ve未达到阈值电压Vth。在这种情况下，如图4所示，在控制信号所表示的电压切换为高电平电压之后经过预定期间时，滤波电路49将向AND电路40输出的电压切换为高电平电压，正极端子T1及导体13之间的电连接被强制地切断。在控制信号所表示的电压切换为低电平电压的情况下，如上所述，强制的切断被解除。
接着，说明在升压电路43将电阻45的一端的电压维持为预定电压的状态下第一FET21的源极及栅极短路的情况下输出端电压Ve降低的理由。
以下，将蓄电池11的两端之间的电压记载为蓄电池电压。预定电压及蓄电池电压各自由Vs及Vb表示。此外，对于二极管29a、29b的各二极管，无视电流向顺方向流动的情况下产生的电压降下。而且，将电阻24、45各自的电阻值记载为r24、r45，将并联的电阻25a、25b的合成电阻值记载为r25。
图6是不发生短路情况下的升压电路43及导体13间的电路图。在第一FET21的源极及栅极未短路的情况下，输出端电压Ve是通过电阻45和电阻24、25a、25b的合成电阻分压而得到的电压。电阻45的一端的电压为预定电压Vs，并且第一FET21的源极及栅极未短路的情况下的输出端电压Ve(以下，称为非短路电压Ve1)由下述的(1)式表示。“·”表示乘积。
Ve1＝(Vs-Vb)·((r24+r25)/(r24+r25+r45))+Vb…(1)
预定电压Vs高于蓄电池电压Vb。因此，非短路电压Ve1是正的电压。预定电压Vs为例如25V。蓄电池电压Vb为例如12V。电阻值r24大于电阻25a、25b各自的电阻值。因此，电阻值r24大于电阻25a、25b的合成电阻值r25。因此，非短路电压Ve1较高，例如18V。
图7是发生短路的情况下的升压电路43及导体13之间的电路图。在第一FET21的源极及栅极短路的情况下，输出端电压Ve是通过电阻45和电阻25a、25b的合成电阻分压而得到的电压。电阻45的一端的电压为预定电压Vs，并且第一FET21的源极及栅极短路的情况下的输出端电压Ve(以下，称为短路电压Ve2)由下述的(2)式表示。
Ve2＝(Vs-Vb)·(r25/(r25+r45))+Vb…(2)
(2)式通过在(1)式中在r24代入零而导出。如上所述，预定电压Vs高于蓄电池电压Vb，因此短路电压Ve2也是正的电压。
通过从非短路电压Ve1减去短路电压Ve2而导出差值。该差值由(Vs-Vb)·r24·r45/((r25+r45)·(r24+r25+r45))表示。在此，预定电压Vs高于蓄电池电压Vb，并且电阻值r24、r45及合成电阻值r25各自为正的值。因此，差值为正的值。其结果是，非短路电压Ve1高于短路电压Ve2。
综上，可知在第一FET21的源极及栅极短路的情况下，输出端电压Ve降低。阈值电压Vth为非短路电压Ve1以下，并且设定为超过短路电压Ve2的电压。非短路电压Ve1小于预定电压Vs。
综上，在控制装置10中，在通过AND电路40输出高电平电压、指示升压电路43使电阻45的一端的电压向预定电压Vs上升的情况下，第一FET21的源极及栅极短路时，输出端电压Ve小于阈值电压Vth。此时，AND电路40输出低电平电压，升压电路43停止向电阻45的一端施加电压，放电电路44使电阻45的一端的电压降低。由此，第二FET22的栅极的电压降低，第二FET22的漏极与源极之间的电阻值上升。其结果是，经由第一FET21及第二FET22的从蓄电池11向负载12的供电停止。
此外，在控制装置10中，在AND电路40输出高电平电压的情况下，输出端电压Ve小于阈值电压Vth的期间成为预定期间以上时，即发生故障的可能性高时，AND电路40输出低电平电压。由此，输出端电压Ve降低，停止经由第一FET21及第二FET22的供电。
而且，电阻25a及二极管29a的串联电路和电阻25b及二极管29b的串联电路并联。因此，即使是经由电阻25a、25b中的一个的通电停止的情况，也经由其他电阻进行通电，因此第一FET及第二FET适当地作用。
在经由电阻25a、25b中的一个的通电停止的情况下，非短路电压Ve1及短路电压Ve2上升。因此，即使是经由电阻25a、25b中的一个的通电停止的情况，阈值电压Vth也是非短路电压Ve1以下，并且设定为超过短路电压Ve2的电压。
具体而言，阈值电压Vth为经由全部电阻25a、25b而进行通电时的非短路电压Ve1以下，并且设定为超过仅经由电阻25a、25b中电阻值最大的电阻而进行通电时的短路电压Ve2的电压。
需要说明的是，在对第一FET21的源极与栅极之间施加大电压的可能性低的情况下，不需要基于稳压二极管31b的开关32的两端之间的连接，代替稳压二极管31a，也可以连接通常的二极管。在这种情况下，二极管与稳压二极管同样地连接。因此，二极管的阴极及阳极与第一FET21的漏极及栅极连接。即使该结构，在开关32从关切换为开的情况下，在第一FET21中，源极及栅极短路，以源极的电位为基准的栅极的电压与输出端电压Ve无关地，降低为大致零V。由此，防止电流从第二FET22的源极向第一FET21的源极流动。而且，二极管防止电流依次向电阻27、开关32的基极及开关32的集电极流动。
此外，开关32不限定为NPN型的双极晶体管，也可以是例如N沟道型的FET。
(实施方式2)
图8是实施方式2中的电源系统1的电路图。
以下，关于实施方式2，说明与实施方式1不同的点。除了后述的结构以外其他结构与实施方式1共通。因此，在与实施方式1共通的结构部中，标注与实施方式1相同的参照附图标记而省略其说明。
实施方式2中的电源系统1与实施方式1同样地，具备控制装置10、蓄电池11、负载12及导体13。这些与实施方式1同样地连接。实施方式2中的控制装置10以在正极端子T1及负极端子T2各自连接蓄电池11的正极及负极为前提而进行动作。实施方式2中的控制装置10与实施方式1同样地作用。因此，控制装置10在控制信号所表示的电压从低电平电压切换为高电平电压的情况下，将正极端子T1及负载12电连接。此外，控制装置10在控制信号所表示的电压从高电平电压切换为低电平电压的情况下，正极端子T1与负载12之间的电连接被切断。由此，控制装置10控制从蓄电池11向负载12的供电。
实施方式2中的控制装置10与实施方式1同样地，具有第一FET21、第二FET22、驱动器23及电阻24、25a、25b。除了第一FET21的连接和电阻25a、25b的另一端的连接以外，这些与实施方式1同样地连接。第一FET21的漏极与正极端子T1连接。第一FET21的源极与第二FET22的漏极连接。在第一FET21的栅极连接电阻25a、25b各自的一端。驱动器23和电阻25a、25b各自的另一端经由电阻26而与第二FET22的栅极连接。
因此，电阻25a、25b各自连接于第一FET21及第二FET22的栅极之间。电阻24与实施方式1同样地，连接于第一FET21的源极与栅极之间。
驱动器23与实施方式1同样地构成。因此，电阻45的另一端经由电阻26而与第二FET22的栅极连接。放电电路44进一步与导体13和电阻45的另一端连接。
驱动器23的结构部与实施方式1同样地作用。
升压电路43在从AND电路40输入的电压从低电平电压切换为高电平电压的情况下，使以导体13的电位为基准的电阻45的一端的电压上升为比正极端子T1即第一FET21的漏极的电压高的预定电压。由此，电阻45的另一端的电压即输出端电压Ve上升，电流经由电阻25a或电阻25b向寄生电容Cd1、Cs1流动，电流经由电阻26向寄生电容Cd2、Cs2流动。由此，寄生电容Cs1、Cd1、Cs2、Cd2被充电，在第一FET21及第二FET22的各FET中，以源极的电位为基准的栅极的电压上升，漏极与源极之间的电阻值降低。其结果是，将正极端子T1及负载12电连接，蓄电池11经由第一FET21及第二FET22向负载12供给电力。
升压电路43在从AND电路40输入的电压从高电平电压切换为低电平电压的情况下，停止向电阻45的一端施加电压。此时，电流不向电阻45流动，因此电阻45的两端的电压与输出端电压Ve大致一致。
放电电路44在从反转器42输入的电压从低电平电压切换为高电平电压的情况下，将电阻26的电阻45侧的一端与导体13电连接。由此，第一FET21及第二FET22的寄生电容Cs1、Cd1、Cs2、Cd2放电，输出端电压Ve降低。此时，电流从寄生电容Cs1、Cd1各自的电阻24侧的一端，经由电阻25a或电阻25b，依次向放电电路44及导体13流动。而且，电流从寄生电容Cs2、Cd2各自的电阻26侧的一端，依次向电阻26、放电电路44及导体13流动。此外，电流从寄生电容Cs1的第一FET21的栅极侧的一端在电阻24流动。由此，在第一FET21及第二FET22的各FET中，以源极的电位为基准的栅极的电压降低，漏极与源极之间的电阻值上升。其结果是，正极端子T1与负载12之间的电连接被切断，向负载12的供电停止。
放电电路44在从反转器42输入的电压从高电平电压切换为低电平电压的情况下，切断导体13与电阻26之间的电连接。由此，寄生电容Cs2、Cd2停止放电。
AND电路40通过输出高电平电压，指示升压电路43使电阻45的一端的电压上升，指示放电电路44使输出端电压Ve的降低停止。此外，AND电路40通过输出低电平电压，指示升压电路43停止向电阻45的一端施加电压，指示放电电路44使输出端电压Ve降低。
控制装置10在例如第一FET21及第二FET22中的一方的FET中漏极及源极短路的情况下，通过将漏极及源极的不发生短路的另一方的FET设为关，停止从蓄电池11向负载12的供电。
在实施方式2中，电阻45的一端的电压为预定电压Vs，并且第一FET21的漏极及栅极未短路的情况下的输出端电压Ve记载为非短路电压Ve1。此外，电阻45的一端的电压为预定电压Vs，并且第一FET21的漏极及栅极短路的情况下的输出端电压Ve记载为短路电压Ve2。在实施方式2中，非短路电压Ve1为预定电压Vs，短路电压Ve2为蓄电池电压Vb。阈值电压Vth为非短路电压Ve1，即小于预定电压Vs，并且设定为超过短路电压Ve2的电压。
实施方式2中的控制装置10的作用与图3～图5所示的实施方式1的作用同样地，实施方式2中的控制装置10与实施方式1同样地，实现下述的效果。
首先，在控制装置10中，在通过AND电路40输出高电平电压、指示升压电路43使电阻45的一端的电压向预定电压Vs上升的情况下，在第一FET21的漏极及栅极短路时，输出端电压Ve小于阈值电压Vth。此时，AND电路40输出低电平电压，升压电路43停止向电阻45的一端施加电压，放电电路44使电阻45的一端的电压降低。由此，第二FET22的栅极的电压降低，第二FET22的漏极与源极之间的电阻值上升。其结果是，经由第一FET21及第二FET22的从蓄电池11向负载12的供电停止。
此外，在控制装置10中，在AND电路40输出高电平电压的情况下，输出端电压Ve小于阈值电压Vth的期间成为预定期间以上时，即发生故障的可能性高时，AND电路40输出低电平电压。由此，输出端电压Ve降低，停止经由第一FET21及第二FET22的供电。
而且，电阻25a、25b并联。因此，即使是经由电阻25a、25b中的一个的通电停止的情况，也经由其他电阻进行通电，因此第一FET及第二FET适当地作用。
此外，在实施方式2中的控制装置10中，与实施方式1同样地，在升压电路43发生故障，升压电路43不能使电阻45的一端的电压上升到预定电压，输出端电压Ve未成为阈值电压Vth以上的情况下，正极端子T1与负载12之间的电连接被强制地切断。
需要说明的是，在实施方式1、2中，滤波电路49也可以与锁存器电路连接而不是与AND电路40连接，锁存器电路与AND电路40的另一方的输入端连接。在这种情况下，滤波电路49将高电平电压或低电平电压向锁存器电路输出。在滤波电路49输出高电平电压的情况下，锁存器电路将高电平电压向AND电路40输出。在滤波电路49将向锁存器电路输出的电压切换为低电平电压的情况下，锁存器电路将向AND电路40输出的电压切换为低电平电压。由此，正极端子T1与负载12之间的电连接被强制地切断。锁存器电路在将向AND电路40输出的电压切换为低电平电压后，与滤波电路49输出的电压无关地，将向AND电路40输出的电压维持为低电平电压。在这种情况下，即使控制信号所表示的电压切换为低电平电压，也不会解除强制的切断。
此外，在实施方式1中，连接于第一FET21及第二FET22的栅极之间，包括电阻及二极管的串联电路的个数不限于2，也可以是1或3以上。同样地，在实施方式2中，连接于第一FET21及第二FET22的栅极之间，电阻的个数不限于2，也可以是1或3以上。
公开的实施方式的全部点应认为是例示，并非是进行限定。本发明的范围并非上述的含义，而是由权利要求书表示，并旨在包括与权利要求书均等的含义及范围内的全部变更。
附图标记说明
1 电源系统
10 控制装置
11 蓄电池
12 负载
13 导体
21 第一FET
22 第二FET
23 驱动器
24 电阻
25a、25b 电阻(第一电阻)
26、27、28 电阻
29a、29b、30 二极管
31a 稳压二极管(电压维持体)
31b 稳压二极管
32 开关
40 AND电路(指示部)
41、42反转器
43 升压电路
44 放电电路(降低电路)
45 电阻(第二电阻)
46 比较器
47 直流电源
48 OR电路
49 滤波电路
Cd1、Cd2、Cs1、Cs2 寄生电容
Dp1、Dp2 寄生二极管
G1 外部装置
T1 正极端子
T2 负极端子。

Claims (10)

1.一种控制装置，具备：
N沟道型的第一FET；
N沟道型的第二FET，漏极连接于所述第一FET的漏极；
第一电阻，连接于所述第一FET与第二FET的栅极之间；
第二电阻，一端连接于所述第二FET的栅极；
升压电路，与所述第二电阻的另一端连接，使所述第二电阻的另一端的电压上升为比所述第一FET的源极的电压高的预定电压；
降低电路，使所述第二电阻的一端的电压降低；及
指示部，指示所述升压电路使所述第二电阻的另一端的电压上升，
在向所述升压电路指示所述上升的情况下，在所述第二电阻的一端的电压小于阈值电压时，所述指示部指示所述降低电路使所述第二电阻的一端的电压降低，
所述阈值电压小于所述预定电压，
所述阈值电压超过所述第二电阻的另一端的电压为所述预定电压且所述第一FET的源极及栅极短路的情况下的所述第二电阻的一端的电压。
2.根据权利要求1所述的控制装置，其中，
具备将所述第一FET的源极与栅极之间的电压维持为第二预定电压以下的电压维持体。
3.根据权利要求2所述的控制装置，其中，
具备开关，
所述电压维持体为稳压二极管，
所述电压维持体的阴极与所述第一FET的源极连接，
所述电压维持体的阳极经由所述开关而与所述第一FET的栅极连接。
4.根据权利要求1所述的控制装置，具备：
开关；及
二极管，阴极与所述第一FET的源极连接，阳极经由所述开关而与所述第一FET的栅极连接。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的控制装置，其中，
在向所述升压电路指示所述上升的情况下，在所述第二电阻的一端的电压小于所述阈值电压的期间为预定期间以上时，所述指示部指示所述降低电路使所述第二电阻的一端的电压降低。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的控制装置，其中，
所述第一电阻的个数为2以上。
7.根据权利要求5所述的控制装置，其中，
所述第一电阻的个数为2以上。
8.一种控制装置，具备：
N沟道型的第一FET；
N沟道型的第二FET，漏极连接于所述第一FET的源极；
第一电阻，连接于所述第一FET与第二FET的栅极之间；
第二电阻，一端连接于所述第二FET的栅极；
升压电路，与所述第二电阻的另一端连接，使所述第二电阻的另一端的电压上升为比所述第一FET的漏极的电压高的预定电压；
降低电路，使所述第二电阻的一端的电压降低；及
指示部，指示所述升压电路使所述第二电阻的另一端的电压上升，
在向所述升压电路指示所述上升的情况下，在所述第二电阻的一端的电压小于阈值电压时，所述指示部指示所述降低电路使所述第二电阻的一端的电压降低，
所述阈值电压小于所述预定电压，
所述阈值电压超过所述第二电阻的另一端的电压为所述预定电压且所述第一FET的漏极及栅极短路的情况下的所述第二电阻的一端的电压。
9.根据权利要求8所述的控制装置，其中，
在向所述升压电路指示所述上升的情况下，在所述第二电阻的一端的电压小于所述阈值电压的期间为预定期间以上时，所述指示部指示所述降低电路使所述第二电阻的一端的电压降低。
10.根据权利要求8或9所述的控制装置，其中，
所述第一电阻的个数为2以上。
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