CN110190036A - 一种泛光照明模组的晶圆级封装结构及封装方法 - Google Patents
一种泛光照明模组的晶圆级封装结构及封装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110190036A CN110190036A CN201910497174.6A CN201910497174A CN110190036A CN 110190036 A CN110190036 A CN 110190036A CN 201910497174 A CN201910497174 A CN 201910497174A CN 110190036 A CN110190036 A CN 110190036A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- spacer
- functional chip
- floodlighting
- optical component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 41
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 230000013011 mating Effects 0.000 claims description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims description 2
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 claims description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 2
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供一种泛光照明模组的晶圆级封装结构及封装方法,所述结构基板,功能芯片,间隔件,光学元器件;功能芯片设置在基板表面,功能芯片表面与基板表面之间通过金属线电性连接;功能芯片外围的基板上设置有间隔件,间隔件的上端高于功能芯片;光学元器件设置在功能芯片上方,光学元器件的两端分别与功能芯片外围的间隔件顶端连接,光学元器件与间隔件共同形成一空腔结构,功能芯片位于空腔结构下方。本发明的光学元器件采用光刻机压印形成,与基板的对准精度高,成品良率高;泛光照明模组采用晶圆级工艺制程,将光学元器件与基板以晶圆级工艺压合在一起,然后切割成单颗模块,具有尺寸小、高度低、一致性好等特点。
Description
技术领域
本发明涉及光电模组领域,尤其涉及一种泛光照明模组的晶圆级封装结构及封装方法。
背景技术
随着TOF(time of flight)和结构光3D感应技术日渐成熟,以及3D摄像行业的快速发展,普通的泛光模组远远不能满足市场需求,例如摄像模组和泛光模组配合工作,在三维重建、人脸识别等领域都得到广泛的应用,但是受限于现有模组生产的制作工艺,产品一致性、对准精度等都还有提高的空间。
传统光学器件的加工技术,对器件的体积要求不高,器件的尺寸通常较大,已不能满足电子行业产品小型化、微型化的需求。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题,本发明提供了如下技术方案:
一种泛光照明模组的晶圆级封装结构,包括基板,功能芯片,间隔件,光学元器件;其中,
功能芯片设置在基板表面,功能芯片表面与基板表面之间通过金属线电性连接;
功能芯片外围的基板上设置有间隔件,间隔件的上端高于功能芯片;
光学元器件设置在功能芯片上方,光学元器件的两端分别与功能芯片外围的间隔件顶端连接,光学元器件与间隔件共同形成一空腔结构,功能芯片位于空腔结构下方。
一优选方案为,功能芯片可以是但不限于垂直腔面发射激光器(Vertical CavitySurface Emitting Laser)、激光二极管、感光芯片。
一优选方案为,光学元器件可以是但不限于晶圆级光学镜头、匀光片。
一优选方案为,基板是陶瓷基板。
一优选方案为,基板具有至少一对定位标记。
本发明同时还提供了一种泛光照明模组的晶圆级封装方法,包括以下步骤:
一、提供一清洁基板,该基板具有至少一对定位标记;
二、将多颗功能芯片通过贴片(die bond)工艺集成到基板上;
三、采用引线键合(wire bond)工艺,实现功能芯片与基板表面之间通过金属线电性连接;
四、应用点胶工艺,在多颗功能芯片之间的基板表面涂覆胶层A;
五、使用光刻机,通过半导体背面对准(Back Side Alignment)方式,完成基板与间隔件的对准,对准后的间隔件下端与胶层A接触;锁住基板与间隔件,将胶层A固化,实现基板与间隔件的键合;
六、应用点胶工艺,在步骤五中的间隔件上表面涂覆胶层B;
七、使用光刻机,通过背面对准(Back Side Alignment)方式,实现光学元器件与间隔件的对准,对准后的光学元器件下表面与胶层B接触;锁住光学元器件与间隔件,将胶层B固化,实现光学元器件与间隔件的键合;
八、对步骤七形成的结构进行切割,获得单颗晶圆级泛光照明模组。
一优选方案为,步骤四、步骤六中,通过滚胶工艺或丝网印刷工艺涂覆胶层A、胶层B。
一优选方案为,胶层A、胶层B的固化方式为UV固化、热固化或二者结合。
与现有技术相比,本发明提供的一种泛光照明模组的晶圆级封装结构和封装方法,光学元器件采用光刻机压印形成,与基板的对准精度高,成品良率高;泛光照明模组采用晶圆级工艺制程,将光学元器件与基板以晶圆级工艺压合在一起,然后切割成单颗模块,具有尺寸小、高度低、一致性好等特点。各光学元器件间的位置精度达到nm级,精度更高的同时,也有助于实现设备的小型化、微型化;本发明中晶圆级光学镜头采用玻璃晶圆制成,玻璃镜头的光学特性例如透光性、折射率优于塑料镜头,可以提供更优异的光学性能;同时,玻璃镜头的耐高温性能也优于塑料镜头,使得后端生产的程序如回流焊接更加简便;并且,与传统玻璃镜头生产流程相比,成本大幅降低。
附图说明
图1为本发明一种泛光照明模组的晶圆级封装结构的示意图。
图2-图7为本发明一种泛光照明模组的晶圆级封装方法的流程示意图。
结合附图,对附图标记做以下说明:
1—基板;2—功能芯片;3—金属线;4—间隔件;5—光学元器件;6—单颗晶圆级泛光照明模组。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而非全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“上端”、“顶端”、“上方”、“下方”、“下端”、“上表面”、“下表面”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明的技术方案和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。
实施例一
如图1所示,本实施例中的一种泛光照明模组的晶圆级封装结构,包括基板1,功能芯片2,间隔件4,光学元器件5;其中,基板1为陶瓷基板,基板1上具有至少一对定位标记(未示出);功能芯片2设置在基板表面,功能芯片2为垂直腔面发射激光器,功能芯片2表面与基板1表面之间通过金属线3电性连接;功能芯片2外围的基板上设置有间隔件4,间隔件4的上端高于功能芯片2;光学元器件5设置在功能芯片2上方,光学元器件5的两端分别与功能芯片2外围的间隔件4的顶端连接,光学元器件5与间隔件4共同形成一空腔结构,功能芯片2位于空腔结构下方。
在本实施例中,光学元器件5为晶圆级光学镜头。
在另一实施例中,光学元器件5为匀光片。
在其它实施例中,功能芯片2可以是激光二极管或感光芯片。
实施例二
一种泛光照明模组的晶圆级封装方法,包括以下步骤:
一、参见图2,提供一清洁基板1,该基板1具有至少一对定位标记(未示出)。
二、参见图3,将多颗功能芯片2通过贴片(die bond)工艺集成到基板上。
三、参见图4,采用引线键合(wire bond)工艺,实现功能芯片2与基板1表面之间通过金属线3电性连接。
四、应用点胶工艺,在多颗功能芯片2之间的基板表面涂覆胶层A(未示出);
五、使用光刻机,通过半导体背面对准(Back Side Alignment)方式,完成间隔件4与基板1的对准,对准完成后的间隔件4下端与胶层A接触;锁住基板1与间隔件3,通过UV照射和加热处理使胶层A固化,实现基板1与间隔件4的键合,如图5所示。
六、应用点胶工艺,在步骤五中的间隔件4的上表面涂覆胶层B(未示出);
七、使用光刻机,通过背面对准(Back Side Alignment)方式,实现光学元器件5与间隔件4的对准,对准完成后的光学元器件5的下表面与胶层B接触;锁住光学元器件5与间隔件4,通过加热处理使胶层B固化,实现光学元器件5与间隔件4的键合,如图6所示。
八、参见图7,对步骤七形成的结构进行切割,获得单颗晶圆级泛光照明模组6。
在其它实施例中,步骤四、步骤六中通过滚胶工艺或丝网印刷工艺涂覆胶层A、胶层B。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种泛光照明模组的晶圆级封装结构,包括基板,功能芯片,间隔件,光学元器件;其中,
功能芯片设置在基板表面,功能芯片表面与基板表面之间通过金属线电性连接;
功能芯片外围的基板上设置有间隔件,间隔件的上端高于功能芯片;
光学元器件设置在功能芯片上方,光学元器件的两端分别与功能芯片外围的间隔件顶端连接,光学元器件与间隔件共同形成一空腔结构,功能芯片位于空腔结构下方。
2.根据权利要求1所述的一种泛光照明模组的晶圆级封装结构,其特征在于,功能芯片为垂直腔面发射激光器、激光二极管或感光芯片。
3.根据权利要求1所述的一种泛光照明模组的晶圆级封装结构,其特征在于,光学元器件为晶圆级光学镜头或匀光片。
4.根据权利要求1所述的一种泛光照明模组的晶圆级封装结构,其特征在于,基板是陶瓷基板。
5.根据权利要求1至4任一项所述的一种泛光照明模组的晶圆级封装结构,其特征在于,基板具有至少一对定位标记。
6.一种泛光照明模组的晶圆级封装方法,包括以下步骤:
一、提供一清洁基板,该基板具有至少一对定位标记;
二、将多颗功能芯片通过贴片工艺集成到基板上;
三、采用引线键合工艺,实现功能芯片与基板表面之间通过金属线电性连接;
四、应用点胶工艺,在多颗功能芯片之间的基板表面涂覆胶层A;
五、使用光刻机,通过半导体背面对准方式,完成基板与间隔件的对准,对准后的间隔件下端与胶层A接触;锁住基板与间隔件,将胶层A固化,实现基板与间隔件的键合;
六、应用点胶工艺,在步骤五中的间隔件上表面涂覆胶层B;
七、使用光刻机,通过背面对准方式,实现光学元器件与间隔件的对准,对准后的光学元器件下表面与胶层B接触;锁住光学元器件与间隔件,将胶层B固化,实现光学元器件与间隔件的键合;
八、对步骤七形成的结构进行切割,获得单颗晶圆级泛光照明模组。
7.根据权利要求6所述的一种泛光照明模组的晶圆级封装方法,其特征在于,步骤四、步骤六中,通过滚胶工艺或丝网印刷工艺涂覆胶层A、胶层B。
8.根据权利要求6或7所述的一种泛光照明模组的晶圆级封装方法,其特征在于,胶层A、胶层B的固化方式为UV固化、热固化或二者结合。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910497174.6A CN110190036B (zh) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | 一种泛光照明模组的晶圆级封装结构及封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910497174.6A CN110190036B (zh) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | 一种泛光照明模组的晶圆级封装结构及封装方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110190036A true CN110190036A (zh) | 2019-08-30 |
CN110190036B CN110190036B (zh) | 2021-11-30 |
Family
ID=67721140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910497174.6A Active CN110190036B (zh) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | 一种泛光照明模组的晶圆级封装结构及封装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110190036B (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110571199A (zh) * | 2019-09-12 | 2019-12-13 | 华天慧创科技(西安)有限公司 | 一种泛光照明模组的晶圆级封装结构及封装工艺方法 |
CN110828633A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-02-21 | 武汉高星紫外光电科技有限公司 | 一种深紫外led晶圆级封装方法 |
CN111477733A (zh) * | 2020-04-26 | 2020-07-31 | 深圳市环基实业有限公司 | 一种晶片封装方法 |
CN113314620A (zh) * | 2021-05-25 | 2021-08-27 | 苏州高邦半导体科技有限公司 | 光学指纹芯片的晶圆级封装方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1450651A (zh) * | 2003-05-15 | 2003-10-22 | 王鸿仁 | 影像传感器封装结构及应用该影像传感器的影像撷取模块 |
CN1817784A (zh) * | 2006-03-10 | 2006-08-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 凸点连接气密封装微机械系统器件的结构及制作方法 |
CN101817256A (zh) * | 2010-04-30 | 2010-09-01 | 华中科技大学 | 基于双碳纳米管微气泡发生器的喷印头及其制备方法 |
CN102403308A (zh) * | 2010-09-13 | 2012-04-04 | 上海新储集成电路有限公司 | 一种不对称多芯片系统级集成封装器件及其封装方法 |
CN102963864A (zh) * | 2012-12-11 | 2013-03-13 | 北京大学 | 一种基于bcb胶的晶片级微空腔的密封方法 |
CN104555904A (zh) * | 2013-10-14 | 2015-04-29 | 北京大学 | 基于bcb转印工艺实现mems器件圆片级封装的方法 |
CN105174209A (zh) * | 2015-06-15 | 2015-12-23 | 中国科学院半导体研究所 | 晶圆级光刻机键合方法 |
CN206664000U (zh) * | 2017-03-30 | 2017-11-24 | 华中科技大学 | 基于石墨烯‑碳纳米管复合结构的热喷印头 |
CN108728328A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-11-02 | 中北大学 | 集成单细胞捕获的微流控细胞分选芯片 |
CN109038209A (zh) * | 2018-08-29 | 2018-12-18 | Oppo(重庆)智能科技有限公司 | 晶圆级封装方法、激光器模组、摄像头组件及电子装置 |
-
2019
- 2019-06-10 CN CN201910497174.6A patent/CN110190036B/zh active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1450651A (zh) * | 2003-05-15 | 2003-10-22 | 王鸿仁 | 影像传感器封装结构及应用该影像传感器的影像撷取模块 |
CN1817784A (zh) * | 2006-03-10 | 2006-08-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 凸点连接气密封装微机械系统器件的结构及制作方法 |
CN101817256A (zh) * | 2010-04-30 | 2010-09-01 | 华中科技大学 | 基于双碳纳米管微气泡发生器的喷印头及其制备方法 |
CN102403308A (zh) * | 2010-09-13 | 2012-04-04 | 上海新储集成电路有限公司 | 一种不对称多芯片系统级集成封装器件及其封装方法 |
CN102963864A (zh) * | 2012-12-11 | 2013-03-13 | 北京大学 | 一种基于bcb胶的晶片级微空腔的密封方法 |
CN104555904A (zh) * | 2013-10-14 | 2015-04-29 | 北京大学 | 基于bcb转印工艺实现mems器件圆片级封装的方法 |
CN105174209A (zh) * | 2015-06-15 | 2015-12-23 | 中国科学院半导体研究所 | 晶圆级光刻机键合方法 |
CN206664000U (zh) * | 2017-03-30 | 2017-11-24 | 华中科技大学 | 基于石墨烯‑碳纳米管复合结构的热喷印头 |
CN108728328A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-11-02 | 中北大学 | 集成单细胞捕获的微流控细胞分选芯片 |
CN109038209A (zh) * | 2018-08-29 | 2018-12-18 | Oppo(重庆)智能科技有限公司 | 晶圆级封装方法、激光器模组、摄像头组件及电子装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110571199A (zh) * | 2019-09-12 | 2019-12-13 | 华天慧创科技(西安)有限公司 | 一种泛光照明模组的晶圆级封装结构及封装工艺方法 |
CN110828633A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-02-21 | 武汉高星紫外光电科技有限公司 | 一种深紫外led晶圆级封装方法 |
CN111477733A (zh) * | 2020-04-26 | 2020-07-31 | 深圳市环基实业有限公司 | 一种晶片封装方法 |
CN113314620A (zh) * | 2021-05-25 | 2021-08-27 | 苏州高邦半导体科技有限公司 | 光学指纹芯片的晶圆级封装方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110190036B (zh) | 2021-11-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110190036A (zh) | 一种泛光照明模组的晶圆级封装结构及封装方法 | |
US8455902B2 (en) | Optical device and method for manufacturing optical device, and camera module and endoscope module equipped with optical device | |
CN101981913B (zh) | 晶片级光学元件的安装 | |
US9018663B2 (en) | Lens-equipped optical semiconductor device and method for manufacturing the same | |
KR101378418B1 (ko) | 이미지센서 모듈 및 그 제조방법 | |
CN107742630A (zh) | 影像感测器封装结构 | |
US20140168988A1 (en) | Optical element, optoelectronic component and method for the production thereof | |
US20150008462A1 (en) | Flip-chip light emitting diode package module and manufacturing method thereof | |
JP2008041844A (ja) | 光学装置及びその製造方法 | |
JP2008219854A (ja) | 光学デバイス,光学デバイスウエハおよびそれらの製造方法、ならびに光学デバイスを搭載したカメラモジュールおよび内視鏡モジュール | |
DE102009042479A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Anordnung mit einem Bauelement auf einem Trägersubstrat und Anordnung sowie Verfahren zum Herstellen eines Halbzeuges und Halbzeug | |
CN102237470A (zh) | 发光二极管封装结构及其制造方法以及其基座的制造方法 | |
CN104752597B (zh) | 发光二极管封装结构及其封装方法 | |
CN110376699B (zh) | 镜片对位方法、镜头模组及成像装置 | |
CN101355126A (zh) | 侧面发光型发光二极管封装体及其制造方法 | |
CN104979452A (zh) | 在晶圆上制造和封装发光二极管芯片的工艺方法 | |
US20060017127A1 (en) | Optical package for a semiconductor sensor | |
CN103247740B (zh) | 光学半导体装置用封装体及其制造方法、以及光学半导体装置及其制造方法 | |
TWI549250B (zh) | 用於光半導體裝置之引線框架及使用其之光半導體裝置 | |
TW201721204A (zh) | 埋入式光纖模組 | |
TW201501368A (zh) | 發光二極體元件的製造方法 | |
KR101945057B1 (ko) | 광학 반도체 장치용 베이스 및 그의 제조 방법, 및 광학 반도체 장치 | |
JP2006528834A5 (zh) | ||
CN105405777B (zh) | 一种大面积平行堆栈式封装结构和封装方法 | |
CN105185798B (zh) | 一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法及其封装结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |