CN104555904A - 基于bcb转印工艺实现mems器件圆片级封装的方法 - Google Patents

基于bcb转印工艺实现mems器件圆片级封装的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104555904A
CN104555904A CN201310479034.9A CN201310479034A CN104555904A CN 104555904 A CN104555904 A CN 104555904A CN 201310479034 A CN201310479034 A CN 201310479034A CN 104555904 A CN104555904 A CN 104555904A
Authority
CN
China
Prior art keywords
bcb
wafer
glue
bonding
bcb glue
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310479034.9A
Other languages
English (en)
Inventor
张威
李雷
夏文
苏卫国
李宋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Peking University
Original Assignee
Peking University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Peking University filed Critical Peking University
Priority to CN201310479034.9A priority Critical patent/CN104555904A/zh
Publication of CN104555904A publication Critical patent/CN104555904A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Micromachines (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基于BCB转印工艺实现MEMS器件圆片级封装的方法。本发明采用先在辅助圆片上涂覆BCB胶,然后将带有三维结构的圆片与辅助片放在一起,进行BCB胶转印,之后去掉转印完的辅助片,并对结构片上的BCB胶进行处理,最后将带有BCB胶的结构片,与器件圆片放入键合机中进行对准并键合。本发明采用BCB胶作粘附剂,键合温度低,热应力小,工艺实现方便;采用转印工艺,可以实现复杂结构的顶盖与器件圆片直接进行BCB键合;选用合适的BCB预处理条件,完成BCB部分聚合化,能有效降低BCB的形变,避免BCB粘附到器件上。

Description

基于BCB转印工艺实现MEMS器件圆片级封装的方法
技术领域:
本发明属于微机电系统(MEMS)加工工艺领域,特别应用于MEMS圆片级封装工艺领域,具体涉及一种基于BCB转印工艺实现MEMS器件圆片级封装的方法。
背景技术:
由于MEMS器件具有感应外界信号的可动部件,以及长时间接触复杂的工作环境,所以MEMS器件的封装很重要。近年来,圆片级封装已成为MEMS技术发展和实际应用的关键技术。圆片级封装既能满足器件所要求的内部环境,又可以提高器件的性能,同时可以对器件内部环境进行调整,减少器件尺寸和降低封装成本。随着半导体技术向系统化、集成化的发展,圆片级气密性封装技术成为MEMS领域研究和探索的重要技术之一。
圆片级键合主要使用的技术包括硅-硅直接键合,阳极键合,共晶键合,玻璃粉键合及粘附剂键合。而粘附剂键合因为其键合温度低,键合强度高,对圆片表面平坦度要求低等优点,在MEMS器件封装获得越来越多的关注。
苯并环丁烯(Benzo-Cyclo-Butene,BCB)是一种目前常用于圆片级键合的有机粘结材料。BCB具有低的介电常数、低介电损耗,出色的热学、化学和力学稳定性,用于圆片级键合时,其优点如下:(1)与集成电路工艺兼容性好;(2)相对较低的键合温度(250℃);(3)键合过程中不需催化剂、不产生副产品;(4)良好的粘结性能,几乎可以实现任何晶片间键合;(5)对晶片表面平整度要求不高。因此在微加速度冲击开关中,结构片与顶盖的粘结将采用BCB键合工艺。
对于简单结构的顶盖而言,采用一般的BCB键合工艺能够实现圆片级封装,不仅保护内部MEMS器件,还可以起到防水和限位作用。然而对于一些复杂结构的顶盖,除了凹槽,还有一些引线孔等其他结构,很难在上面涂覆BCB胶并对其进行光刻和图形化处理,这时一般的BCB键合工艺没法实现。
发明内容:
针对现有BCB键合技术中存在的问题,本发明提供一种基于BCB转印工艺实现MEMS器件圆片级封装的方法,利用BCB转印工艺的优点,实现复杂结构的顶盖与衬底圆片的键合。
本发明的目的在于提供一种:基于BCB转印工艺实现MEMS器件圆片级封装的方法。
本发明的技术方案是:
1)在辅助圆片上涂覆BCB胶。
2)将带有三维结构的圆片与辅助片放在一起,进行BCB胶转印。
3)从结构片上去掉转印完的辅助片,然后对结构片上的BCB胶进行处理。
4)将转印完的带有BCB胶的结构片,与设置有MEMS器件的圆片放入键合机中进行对准并键合。
其中,在步骤1)中,光敏或非光敏BCB胶涂覆在辅助圆片上,之后预处理一段时间。一般,辅助圆片可以是PI或PDMS薄片。
在步骤2)中,将具有三维结构的圆片压在辅助圆片上,并保持一段时间。因为BCB在两个圆片表面的粘附力不同,BCB将保形性的沿着结构片的突出面边缘转印到突出面上。
在步骤3)中,从结构片上剥离辅助片,结构片突出面上将覆盖BCB,腔槽底部没有BCB,实现BCB的转印。然后对结构片上BCB曝光或前烘,进行预固化,以便进行双面对准操作。
在步骤4)中,结构片和设置有MEMS器件的圆片进行双面对准和热压键合。键合机腔室可以设置一定的真空度,或者进行非真空的键合。
与现有的技术相比,本发明的优点是:
本发明实现了一种复杂的顶盖与衬底进行BCB键合的工艺方法——转印工艺。先采用传统加工工艺实现复杂的顶盖结构,与此同时将BCB胶涂覆到辅助片上,然后将顶盖与压到辅助片上,通过转印工艺,将BCB胶转印到顶盖上,然后经过预处理。最终将带有BCB胶的顶盖圆片与有MEMS器件的器件圆片进行对准键合。本发明采用BCB胶作粘附剂,键合温度低,热应力小,工艺实现方便,具有与集成电路兼容的特性;采用转印工艺,可以将带有贯穿孔、微空腔等复杂三维结构的顶盖与带有的结构的圆片直接进行BCB键合,这是实现带有复杂结构的顶盖与带有精细结构的结构片进行BCB键合的唯一方法。通过选用合适的BCB胶预处理条件,完成BCB胶的部分聚合化,从而能有效降低BCB胶的形变,避免BCB胶流入腔体和粘附在MEMS器件上。
附图说明:
图1为本发明的基于BCB转印工艺实现MEMS器件圆片级封装的方法的一个实施例的示意图。
图2为本发明的基于BCB转印工艺实现MEMS器件圆片级封装的方法的一个实施例的流程图。
具体实施方式:
下面结合附图,通过实施例对本发明做进一步说明。
图1是本发明的基于BCB转印工艺实现MEMS器件圆片级封装的方法封装的一个实施例的示意图,包括:顶盖晶片1、BCB胶2、器件晶片3、MEMS器件4、微空腔5和引线孔6。MEMS器件4设置在器件晶片3;引线孔6设置在顶盖晶片1;微空腔5与MEMS器件4相对应,置在顶盖晶片1内;器件晶片3与顶盖晶片1通过BCB胶2粘附在一起;顶盖晶片1采用单晶硅。
如图2所示,本实施例的基于BCB转印工艺实现MEMS器件圆片级封装的方法,包括以下步骤:
1)涂覆BCB胶:此时器件晶片3上的MEMS器件4已经完成,如图2(a)所示。此时顶盖晶片1上的微空腔5和引线孔6已经完成,如图2(b)所示。辅助晶片选用玻璃晶片7,在玻璃晶片7的正面,根据所需BCB胶2的厚度,1~20μm,调整转速,旋涂BCB胶2,之后常温放置10min,如图2(c)所示。
2)BCB胶转印:将顶盖晶片1与玻璃晶片7压在一起。施加在顶盖晶片1和玻璃晶片7上的压力大约为0.15MPa,持续240s。如图2(d)所示。
3)去辅助片:采用小刀将顶盖晶片1与玻璃晶片7分开,此时BCB胶2转移到顶盖晶片1,之后放入氮气烘箱进行软烘,软烘温度在180℃之间,时间为30min,完成BCB胶2的部分聚合化,如图2(e)所示。
4)BCB键合:将转印完的带有BCB胶2的顶盖晶片1倒扣过来,先采用光刻机进行对准,之后在键合机中将顶盖晶片1与带有MEMS器件4的器件晶片3进行BCB键合,控制键合条件为键合温度250C,维持60分钟,确保BCB胶完全聚合化,同时需要施加750mbar的键合压力和保持腔室高真空度(1e-4mbar),完成键合,如图2(f)所示。
最后需要注意的是,公布实施方式的目的在于帮助进一步理解本发明,但是本领域的技术人员可以理解:在不脱离本发明及所附的权利要求的精神和范围内,各种替换和修改都是可能的。因此,本发明不应局限于实施例所公开的内容,本发明要求保护的范围以权利要求书界定的范围为准。

Claims (5)

1.一种基于BCB转印工艺实现MEMS器件圆片级封装的方法,其特征在于,所述制作方法至少包含以下步骤:
1)在辅助圆片上涂覆BCB胶。
2)将带有三维结构的圆片与辅助片放在一起,进行BCB胶转印。
3)从结构片上去掉转印完的辅助片,然后对结构片上的BCB胶进行处理。
4)将转印完的带有BCB胶的结构片,与设置有MEMS器件的圆片放入键合机中进行对准并键合。
2.根据权利要求1所述的制作工艺,其特征在于:在步骤1)中,选用合适的辅助片,然后采用一定方法将BCB胶涂覆在辅助片上,再对BCB胶进行预处理。
3.根据权利要求1所述的制作工艺,其特征在于:在步骤2)中,将结构片与辅助片放到一起,做必要的处理使它们粘附成一体。
4.根据权利要求1所述的制作工艺,其特征在于:在步骤3)中,采用一定的手段将结构片与辅助片分开,使BCB胶转印到结构片上,然后对转印后的BCB胶做进一步处理。
5.根据权利要求1所述的制作工艺,其特征在于:在步骤4)中,将两圆片置于键合机中,在一定的温度和压力的条件下保持一段时间完成键合,键合腔内可以采用真空或非真空形式。
CN201310479034.9A 2013-10-14 2013-10-14 基于bcb转印工艺实现mems器件圆片级封装的方法 Pending CN104555904A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310479034.9A CN104555904A (zh) 2013-10-14 2013-10-14 基于bcb转印工艺实现mems器件圆片级封装的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310479034.9A CN104555904A (zh) 2013-10-14 2013-10-14 基于bcb转印工艺实现mems器件圆片级封装的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104555904A true CN104555904A (zh) 2015-04-29

Family

ID=53073117

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310479034.9A Pending CN104555904A (zh) 2013-10-14 2013-10-14 基于bcb转印工艺实现mems器件圆片级封装的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104555904A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110190036A (zh) * 2019-06-10 2019-08-30 华天慧创科技(西安)有限公司 一种泛光照明模组的晶圆级封装结构及封装方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1821052A (zh) * 2006-01-13 2006-08-23 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种圆片级微机械器件和光电器件的低温气密性封装方法
CN101327904A (zh) * 2002-08-28 2008-12-24 伊利诺斯大学理事会 微结构及其制造方法
US20090057868A1 (en) * 2007-08-31 2009-03-05 China Wafer Level Csp Ltd. Wafer Level Chip Size Package For MEMS Devices And Method For Fabricating The Same
US20110048625A1 (en) * 2009-08-27 2011-03-03 Caldwell Joshua D METHOD FOR THE REDUCTION OF GRAPHENE FILM THICKNESS AND THE REMOVAL AND TRANSFER OF EPITAXIAL GRAPHENE FILMS FROM SiC SUBSTRATES
CN102963864A (zh) * 2012-12-11 2013-03-13 北京大学 一种基于bcb胶的晶片级微空腔的密封方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101327904A (zh) * 2002-08-28 2008-12-24 伊利诺斯大学理事会 微结构及其制造方法
CN1821052A (zh) * 2006-01-13 2006-08-23 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种圆片级微机械器件和光电器件的低温气密性封装方法
US20090057868A1 (en) * 2007-08-31 2009-03-05 China Wafer Level Csp Ltd. Wafer Level Chip Size Package For MEMS Devices And Method For Fabricating The Same
US20110048625A1 (en) * 2009-08-27 2011-03-03 Caldwell Joshua D METHOD FOR THE REDUCTION OF GRAPHENE FILM THICKNESS AND THE REMOVAL AND TRANSFER OF EPITAXIAL GRAPHENE FILMS FROM SiC SUBSTRATES
CN102963864A (zh) * 2012-12-11 2013-03-13 北京大学 一种基于bcb胶的晶片级微空腔的密封方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110190036A (zh) * 2019-06-10 2019-08-30 华天慧创科技(西安)有限公司 一种泛光照明模组的晶圆级封装结构及封装方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102046534B1 (ko) 기판 가공 방법
CN105474375B (zh) 用于处理半导体装置的方法及结构
CN102862947B (zh) 一种mems器件及其晶圆级真空封装方法
CN102963864B (zh) 一种基于bcb胶的晶片级微空腔的密封方法
CN106935547B (zh) 一种柔性显示装置的制作方法及柔性显示装置
CN111370336B (zh) 一种凹槽芯片放置的封装方法
CN103035482A (zh) 硅片的临时键合方法
CN109003907A (zh) 封装方法
TWI256082B (en) Method of segmenting a wafer
CN109494182A (zh) 一种用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法
CN108565244B (zh) 减薄工艺的揭膜方法
CN104241147A (zh) 一种基于铝锗共晶的低温键合方法
CN101844740A (zh) 一种基于金硅共晶的低温键合方法
CN103258773A (zh) 半导体元件镀膜制程方法
CN106115608A (zh) 针对射频mems器件应用的横向互连低温圆片级封装方法
CN100445195C (zh) 一种圆片级微机械器件或光电器件的低温气密性封装方法
CN106409732B (zh) 一种利用uv实现晶圆与玻璃分离的方法
CN104555904A (zh) 基于bcb转印工艺实现mems器件圆片级封装的方法
WO2008139684A1 (ja) Soi基板の製造方法及びsoi基板
CN105097431A (zh) 一种晶圆正面的保护方法
JP2009212439A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
CN106384711A (zh) 一种GaN功率半导体器件的衬底转移方法
CN108231646A (zh) 一种半导体器件的制造方法
CN105336581A (zh) 功率半导体器件制作方法及装置
US7147531B2 (en) Method for manufacturing a flexible panel for a flat panel display

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20150429