CN110184631A - 一种无氰镀金电镀液及其制备方法和电镀工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种无氰镀金电镀液及其制备方法和电镀工艺,所述无氰镀金电镀液包括如下组分:金盐、非氰络合剂、导电盐和光亮剂,所述非氰络合剂的分子中至少含有两个双键,且至少有两个双键上的原子能参与同一个金离子的络合。本发明的无氰镀金电镀液中,不含氰化物,环保无污染,镀液稳定性好,采用的络合剂分子中至少有两个双键上的原子能参与同一个金离子的络合,形成络合物时通过d‑π*形成至少两个π键,大大降低了金属离子的电子云密度,络合剂的络合能力强,镀层的光亮平整性好、分散性能佳。
Description
技术领域
本发明涉及电镀技术领域,尤其涉及一种无氰镀金电镀液及其制备方法和电镀工艺。
背景技术
由于金镀层具有瑰丽的色泽、良好的导电性、低而稳定的接触电阻、极佳的稳定性以及高抗腐蚀性,因而电镀金被广泛应用于首饰、钟表、工艺品以及电子元器件等诸多领域。
目前,应用最广泛的镀金工艺是氰化物镀金。氰化物镀金具有分散能力和覆盖能力良好、电流效率高、稳定性好及镀层结晶细致等特点,因而成为广泛应用的镀金工艺。氰化镀金镀液主要由金氰配盐和游离氰化物组成,主要原料是氰化亚金钾或氰化金钾及氰化钾。然而,氰化物作为剧毒化学品,其会对环境和人体构成极大的威胁,这也制约了电子工业的发展。因此,研究无氰电镀金工艺,并用其来代替氰化物电镀金,具有重要意义。
我国开展无氰镀金技术已有三十多年的历史,尽管行业研究人员投入了大量的精力对工艺技术进行研究,但无氰工艺始终无法完全替代氰化物进行镀金。究其原因,主要是因为现有的无氰镀金工艺在效果和成本上都与氰化物镀金存在较大差距。首先是现有的无氰镀金镀液的稳定性差,难以保证稳定的电镀条件,且成分复杂,镀液的维护与管理困难,维护成本比氰化物镀液高。其次是采用现有的无氰镀金工艺获得的镀层性能差,其从结晶细致度、分散能力和覆盖能力上都无法达到氰化镀金的效果。由于电流效率的原因,无氰镀金很难实现厚镀。再者,无氰镀液成分复杂,采用的络合剂和各种添加剂可能会对环境带来新的危害。
另外,还有一些无氰碱性镀金体系中,镀液中的主络合剂为乙二胺、乙二胺二硫酸盐、硫脲、乙内酰脲、巯基丙磺酸钠、5,5-二甲基乙内酰脲等。然而,这些络合剂的络合性能不足,其分子中只有一个双键或没有双键,因而这些络合剂与金离子形成的螯合物中,只能形成一个d-π*的反馈π键或无反馈π键,使得金离子上的电子不能充分分散到配体中,电子云密度较大,能量较高,络合物稳定性不如两个或多个配位原子形成双键的络合物,络合能力相对有限,络合常数相对较小。根据能斯特方程可知,电极电位负移不足,电镀过程中的过电位相对不足,晶核产生速度相对较慢,进而导致晶粒相对较大,最终导致镀层光亮平整性相对不足,分散能力相对有限。
发明内容
为解决上述现有技术中存在的缺点和不足,本发明的目的在于提供一种无氰镀金电镀液及其制备方法和电镀工艺。本发明的无氰镀金电镀液中,不含氰化物,符合环保要求,镀液稳定性好,采用的络合剂分子中至少有两个双键上的原子能参与同一个金离子的络合,形成络合物时通过d-π*形成至少两个π键,大大降低了金属离子的电子云密度,络合剂的络合能力强,镀层的光亮平整性好、分散性能佳。
为实现其目的,本发明采取的技术方案为:
一种无氰镀金电镀液,其包括如下组分:金盐、非氰络合剂、导电盐和光亮剂,所述非氰络合剂的分子中至少含有两个双键,且至少有两个双键上的原子能参与同一个金离子的络合。
优选地,所述无氰镀金电镀液中,以单质金含量计,所述金盐的含量为0.5~10g/L,所述非氰络合剂的含量为20~150g/L,所述导电盐的含量为10~30g/L,所述光亮剂的含量为0.5~2g/L。上述配方的无氰镀金电镀液具有较好的稳定性和电镀效果,能替代现有的氰化物镀金。
更优选地,所述无氰镀金电镀液中,以单质金含量计,所述金盐的含量为3~5g/L,所述非氰络合剂的含量为50~100g/L,所述导电盐的含量为15~25g/L,所述光亮剂的含量为0.8~1.5g/L。用上述无氰镀金电镀液镀出的金层,光亮、平整性更好,分散性更佳,与基体的结合力更好。
优选地,所述非氰络合剂选自乙酰硫脲、二硫代缩二脲、1-苯甲酰-2-硫脲、乙撑二苯甲酰硫脲中的至少一种。上述络合剂均为非氰类环保络合剂,络合能力强,能与金离子形成五元或六元环的稳定螯合物。更重要的是,上述络合剂的分子中均有两个双键上的原子能参与同一个金离子的络合,其与金离子形成络合物时,通过d-π*形成两个反馈π键,最大程度地降低了金属离子的电子云密度,提高配位键能,增加了络合物的稳定性及稳定常数,增强了络合剂的络合能力,使电镀过程中电极电位负移更多,增加了电镀过程中阴极上的过电位,加快晶核产生速度,增加晶核量,减小晶粒体积,最终使产生的晶粒更细小,能够得到光亮平整性更好,分散性能更佳的镀层。本发明通过实现还发现,上述非氰主络合剂中,乙撑二苯甲酰硫脲的络合效果更为突出。
优选地,所述金盐为水溶性金盐。优选地,所述金盐为亚硫酸金钾、亚硫酸金钠中的至少一种。本发明采用的金盐为无氰金盐,环保无害,可通过商业途径购买获得。
优选地,所述导电盐选自碳酸钾、碳酸钠中的至少一种。
优选地,所述光亮剂选自2-甲巯基苯并咪唑、1-氨基环丙烷羧酸、2,5-噻吩二羧酸中的至少一种。
本发明还提供了一种所述乙撑二苯甲酰硫脲的合成方法,具体如下:在快速搅拌下,将乙二胺缓慢加入苯甲酰异氰酸酯中,加入过程保持散热良好,且反应温度保持在0~30℃,加入完成后,继续搅拌0.5~2h,除杂,制得所述乙撑二苯甲酰硫脲。所述除杂的具体操作为:抽真空至1kPa以下,用-10℃的冰盐水冷凝回收馏出气体,直至无馏出物为止。本发明合成乙撑二苯甲酰硫脲的方法简单,容易实施。
优选地,所述乙撑二苯甲酰硫脲的合成方法中,苯甲酰异氰酸酯与乙二胺的摩尔份数比为1.5:1~4:1。最优选地,所述乙撑二苯甲酰硫脲的合成方法中,苯甲酰异氰酸酯与乙二胺的摩尔份数比为2.5:1。苯甲酰异氰酸酯的用量占比越大,产物的纯度越高,但成本也越高。苯甲酰异氰酸酯的用量占比越小,产物纯度越低。苯甲酰异氰酸酯与乙二胺的摩尔份数比为2.5:1时,产物的纯度较高,且成本较合理,能满足使用要求。
此外,本发明还提供了一种所述的无氰镀金电镀液的电镀工艺,具体如下:
优选地,所述无氰镀金电镀液的电镀工艺如下:
在上述电镀工艺下,本发明电镀液的络合性更佳,镀层性能更好。
与现有技术相比,本发明的有益效果为:
1、本发明的络合剂,其分子中有两个双键上的原子能参与同一个金离子的络合,络合能力强,获得的镀层光亮平整性好、分散能力佳。
2、本发明的电镀液稳定性高,易于维护与管理,不含氰化物,符合环保要求,适用于滚镀及挂镀工艺。
3、经试验验证,本发明的无氰镀金工艺与氰化镀金溶液兼容,可在氰化镀金液的基础上直接转缸。
具体实施方式
为更好的说明本发明的目的、技术方案和优点,本发明通过下列实施例进一步说明。显然,下列实施例仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。应理解,本发明实施例仅用于说明本发明的技术效果,而非用于限制本发明的保护范围。
本发明提供了一种无氰镀金电镀液及其电镀工艺,具体如下:
其中,所述非氰络合剂的分子中至少含有两个双键,且至少有两个双键上的原子能参与同一个金离子的络合。
作为一个优选实施方式,所述非氰络合剂选自乙酰硫脲、二硫代缩二脲、1-苯甲酰-2-硫脲、乙撑二苯甲酰硫脲中的至少一种。上述络合剂均为非氰类环保络合剂,且分子中均有两个双键上的原子能参与同一个金离子的络合。
作为一个优选实施方式,所述金盐为水溶性金盐。更优选地,所述金盐为亚硫酸金钾、亚硫酸金钠中的至少一种。本发明采用的金盐为无氰金盐,环保无害。
作为一个优选实施方式,所述导电盐选自碳酸钾、碳酸钠中的至少一种。
作为一个优选实施方式,所述光亮剂选自2-甲巯基苯并咪唑、1-氨基环丙烷羧酸、2,5-噻吩二羧酸中的至少一种。
本发明还提供了一种所述乙撑二苯甲酰硫脲的合成方法,具体如下:在反应釜内加入1.5~4摩尔份数的苯甲酰异氰酸酯,快速搅拌下,逐渐缓慢加入1摩尔份数的乙二胺,反应温度不超过30℃(优选0~30℃),保持散热良好。待乙二胺全部加入完成后,继续搅拌0.5~2h。抽真空至1kPa以下,馏出气体用-10℃的冰盐水冷凝回收,直至无馏出物为止。反应釜内剩余物质主要为乙撑二苯甲酰硫脲,其中含有少量的乙撑三苯甲酰硫脲及乙撑四苯甲酰硫脲。优选地,苯甲酰异氰酸酯与乙二胺的摩尔份数比为2.5:1时,产物的纯度较高,且成本较合理,能满足使用要求。
本申请发明人在前期研究中已通过实验证实了上述无氰镀金体系能获得与氰化镀金相当、甚至更优的电镀效果,而且,本发明的无氰镀金体系不含氰化物,环保安全,因而,可替代氰化镀金。
本发明还对上述无氰镀金电镀液及其电镀工艺进行优化,得出进一步优选的电镀体系,具体如下:
本发明通过实验发现,用上述优选的无氰镀金体系镀出的金层具有更好的光亮平整性,分散性更佳,与基体的结合力更好。
为更清楚的理解本发明,下面将结合部分实施例和对比例对本发明的技术方案作进一步说明。应理解的是,若要完全体现本发明无氰镀金体系的各组分和各工艺参数的端值,需例举很多的实施例,受篇幅所限,故本发明在此仅例举了部分实施例,但其不应用于限制本发明的保护范围。
实施例1
一种乙撑二苯甲酰硫脲的合成方法,反应式如下:
在反应釜内加入2.5摩尔份数的苯甲酰异氰酸酯,快速搅拌下,逐渐缓慢加入1摩尔份数的乙二胺,反应温度为30℃,保持散热良好。待乙二胺全部加入完成后,继续搅拌1h。抽真空至1kPa以下,馏出气体用-10℃的冰盐水冷凝回收,直至无馏出物为止。反应釜内剩余物质主要为乙撑二苯甲酰硫脲,其中含有少量的乙撑三苯甲酰硫脲及乙撑四苯甲酰硫脲。本实施例用络合滴定法测定生成物中乙撑二苯甲酰硫脲的浓度,经测定,乙撑二苯甲酰硫脲的含量为95%,纯度较高,能满足使用要求。
实施例2
一种无氰镀金电镀液的制备方法,包括如下步骤:向容器中加入单质金含量为3g的亚硫酸金钾,然后加入乙撑二苯甲酰硫脲80g、碳酸钾20g和2-甲硫基苯并咪唑1.0g,再加入去离子水定容至1L,混合均匀,得到所述无氰镀金电镀液。
本实施例采用的乙撑二苯甲酰硫脲按实施例1的方法合成。
采用本实施例制得的无氰镀金电镀液进行电镀,电镀过程的电镀参数为:温度为50℃,阴极电流密度为0.5A/dm2,316不锈钢阳极。hullcell试验,电镀时间为20s,阴极采用5cm×10cm镀镍铜片(镀镍层厚度为5μm)。电镀过程中,镀液的稳定性好,对杂质不敏感。
对电镀后的试片进行电镀实验测试,结果为:沉积速度0.18μm/min,电流效率75%,覆盖能力91%,分散能力92%;通过250℃热震试验,金层与镍层的结合力好,弯折不断,镀层韧塑性好,均匀光亮,结晶细致。
实施例3
一种无氰镀金电镀液的制备方法,包括如下步骤:向容器中加入单质金含量为4g的亚硫酸金钠,然后加入乙撑二苯甲酰硫脲60g、碳酸钾20g和1-氨基环丙烷羧酸0.9g,再加入去离子水定容至1L,混合均匀,得到所述无氰镀金电镀液。
本实施例采用的乙撑二苯甲酰硫脲按实施例1的方法合成。
采用本实施例制得的无氰镀金电镀液进行电镀,电镀过程的电镀参数为:温度为50℃,阴极电流密度为0.5A/dm2,316不锈钢阳极。hullcell试验,电镀时间为20s,阴极采用5cm×10cm镀镍铜片(镀镍层厚度为5μm)。电镀过程中,镀液的稳定性好,对杂质不敏感。
对电镀后的试片进行电镀实验测试,结果为:沉积速度0.20μm/min,电流效率80%,覆盖能力90%,分散能力90%;通过250℃热震试验,金层与镍层的结合力好,弯折不断,镀层韧塑性好,均匀光亮,结晶细致。
实施例4
一种无氰镀金电镀液的制备方法,包括如下步骤:向容器中加入单质金含量为4g的亚硫酸金钾,然后加入乙撑二苯甲酰硫脲100g、碳酸钾20g和2,5-噻吩二羧酸1.2g,再加入去离子水定容至1L,混合均匀,得到所述无氰镀金电镀液。
本实施例采用的乙撑二苯甲酰硫脲按实施例1的方法合成。
采用本实施例制得的无氰镀金电镀液进行电镀,电镀过程的电镀参数为:温度为50℃,阴极电流密度为0.5A/dm2,316不锈钢阳极。hullcell试验,电镀时间为20s,阴极采用5cm×10cm镀镍铜片(镀镍层厚度为5μm)。电镀过程中,镀液的稳定性好,对杂质不敏感。
对电镀后的试片进行电镀实验测试,结果为:沉积速度0.16μm/min,电流效率72%,覆盖能力93%,分散能力94%;通过250℃热震试验,金层与镍层的结合力好,弯折不断,镀层韧塑性好,均匀光亮,结晶细致。
实施例5
一种无氰镀金电镀液的制备方法,包括如下步骤:向容器中加入单质金含量为3g的亚硫酸金钠,然后加入乙酰硫脲60g、碳酸钾20g和1-氨基环丙烷羧酸0.8g,再加入去离子水定容至1L,混合均匀,得到所述无氰镀金电镀液。
采用本实施例制得的无氰镀金电镀液进行电镀,电镀过程的电镀参数为:温度为55℃,阴极电流密度为0.5A/dm2,316不锈钢阳极。hullcell试验,电镀时间为20s,阴极采用5cm×10cm镀镍铜片(镀镍层厚度为5μm)。电镀过程中,镀液的稳定性好,对杂质不敏感。
对电镀后的试片进行电镀实验测试,结果为:沉积速度0.18μm/min,电流效率76%,覆盖能力90%,分散能力89%;通过250℃热震试验,金层与镍层的结合力好,弯折不断,镀层韧塑性好,均匀光亮,结晶细致。
实施例6
一种无氰镀金电镀液的制备方法,包括如下步骤:向容器中加入单质金含量为3g的亚硫酸金钾,然后加入二硫代缩二脲68g、碳酸钠18g和2,5-噻吩二羧酸1.2g,再加入去离子水定容至1L,混合均匀,得到所述无氰镀金电镀液。
采用本实施例制得的无氰镀金电镀液进行电镀,电镀过程的电镀参数为:温度为55℃,阴极电流密度为0.5A/dm2,316不锈钢阳极。hullcell试验,电镀时间为20s,阴极采用5cm×10cm镀镍铜片(镀镍层厚度为5μm)。电镀过程中,镀液的稳定性好,对杂质不敏感。
对电镀后的试片进行电镀实验测试,结果为:沉积速度0.19μm/min,电流效率78%,覆盖能力89%,分散能力90%;通过250℃热震试验,金层与镍层的结合力好,弯折不断,镀层韧塑性好,均匀光亮,结晶细致。
实施例7
一种无氰镀金电镀液的制备方法,包括如下步骤:向容器中加入单质金含量为3g的亚硫酸金钠,然后加入1-苯甲酰-2-硫脲75g、碳酸钾22g和2-甲硫基苯并咪唑1.0g,再加入去离子水定容至1L,混合均匀,得到所述无氰镀金电镀液。
采用本实施例制得的无氰镀金电镀液进行电镀,电镀过程的电镀参数为:温度为60℃,阴极电流密度为0.5A/dm2,铂-钛阳极。hullcell试验,电镀时间为20s,阴极采用5cm×10cm镀镍铜片(镀镍层厚度为5μm)。电镀过程中,镀液的稳定性好,对杂质不敏感。
对电镀后的试片进行电镀实验测试,结果为:沉积速度0.18μm/min,电流效率77%,覆盖能力90%,分散能力88%;通过250℃热震试验,金层与镍层的结合力好,弯折不断,镀层韧塑性好,均匀光亮,结晶细致。
实施例8
一种无氰镀金电镀液的制备方法,包括如下步骤:向容器中加入单质金含量为3g的亚硫酸金钾,然后加入乙撑二苯甲酰硫脲20g、碳酸钾20g和2-甲硫基苯并咪唑1.0g,再加入去离子水定容至1L,混合均匀,得到所述无氰镀金电镀液。
本实施例采用的乙撑二苯甲酰硫脲按实施例1的方法合成。
采用本实施例制得的无氰镀金电镀液进行电镀,电镀过程的电镀参数为:温度为50℃,阴极电流密度为0.5A/dm2,316不锈钢阳极。hullcell试验,电镀时间为20s,阴极采用5cm×10cm镀镍铜片(镀镍层厚度为5μm)。电镀过程中,镀液的稳定性好,对杂质不敏感。
对电镀后的试片进行电镀实验测试,结果为:沉积速度0.21μm/min,电流效率82%,覆盖能力78%,分散能力79%;通过250℃热震试验,与实施例2相比,本实施例的金层与镍层的结合力变差,镀层外观变差,但效果仍比现有无氰镀金电镀液的效果好。由此说明,本实施例的电镀液可实现电镀,但其效果与本发明优选的电镀体系相比,由于其络合剂含量变少,会一定程度影响镀层质量,所以其覆盖能力和分散能力变差,结合力也一定程度降低。
实施例9
一种无氰镀金电镀液的制备方法,包括如下步骤:向容器中加入单质金含量为3g的亚硫酸金钠,然后加入乙撑二苯甲酰硫脲150g、碳酸钾20g和2-甲硫基苯并咪唑1.0g,再加入去离子水定容至1L,混合均匀,得到所述无氰镀金电镀液。
本实施例采用的乙撑二苯甲酰硫脲按实施例1的方法合成。
采用本实施例制得的无氰镀金电镀液进行电镀,电镀过程的电镀参数为:温度为50℃,阴极电流密度为0.5A/dm2,316不锈钢阳极。hullcell试验,电镀时间为20s,阴极采用5cm×10cm镀镍铜片(镀镍层厚度为5μm)。电镀过程中,镀液的稳定性好,对杂质不敏感。
对电镀后的试片进行电镀实验测试,结果为:沉积速度0.13μm/min,电流效率65%,覆盖能力94%,分散能力94%;通过250℃热震试验,金层与镍层的结合力好,弯折不断,镀层韧塑性好。本实施例的电镀液可实现电镀,但与本发明优选的电镀体系相比,由于其络合剂含量过高,会一定程度降低电流效率,但会提升覆盖能力和分散能力,而过高的络合剂含量也会增加电镀成本。
对比例1
一种亚硫酸盐无氰镀金电镀液的制备方法,包括如下步骤:加入单质金含量为12g的亚硫酸金钾、150g无水亚硫酸钠、100g柠檬酸钾、40g EDTA和0.8g硫酸钴(CoSO4·7H2O),再加入去离子水定容至1L,混合均匀,得到所述亚硫酸盐无氰镀金电镀液。
采用对比例1制得的亚硫酸盐无氰镀金电镀液进行电镀,电镀过程的电镀参数为:温度为50℃,阴极电流密度为0.5A/dm2,金板阳极。hullcell试验,电镀时间为20s,阴极采用5cm×10cm镀镍铜片(镀镍层厚度为5μm)。电镀过程中,镀液的稳定性差,容易形成黑色沉淀,不容易维护。
对电镀后的试片进行电镀实验测试,结果为:沉积速度0.15μm/min,电流效率80%,覆盖能力70%,分散能力72%;通过250℃热震试验,金层与镍层的结合力一般,镀层结晶较粗大,镀层致密性不好,结合力不如传统氰化物镀金。
对比例2
一种氰化镀金电镀液的制备方法,包括如下步骤:加入单质金含量为3g的氰化金钾、15g氰化钾、15g碳酸钾和15g磷酸氢二钾,再加入去离子水定容至1L,混合均匀,得到所述氰化镀金电镀液。
采用对比例2制得的氰化镀金电镀液进行电镀,电镀过程的电镀参数为:温度为60℃,阴极电流密度为0.5A/dm2,不锈钢阳极。hullcell试验,电镀时间为20s,阴极采用5cm×10cm镀镍铜片(镀镍层厚度为5μm)。电镀过程中,镀液的稳定性好,容易维护。
对电镀后的试片进行电镀实验测试,结果为:沉积速度0.23μm/min,电流效率90%,覆盖能力88%,分散能力85%;通过250℃热震试验,金层与镍层的结合力良好,镀层均匀光亮,结晶细致。
由上述实验结果可知,本发明的无氰镀金电镀液在综合性能上明显优于现有的亚硫酸盐无氰镀金电镀液,并能达到与氰化镀金相当、甚至更优的电镀效果,可用于替代氰化镀金。
实施例10
不同络合剂的性能比较:比较“乙酰硫脲”、“二硫代缩二脲”、“1-苯甲酰-2-硫脲”和“乙撑二苯甲酰硫脲”的络合性能。
实验方法:实验按照实施例2的电镀液配方和电镀工艺进行,控制单因素变量,变换同等摩尔比的乙酰硫脲、二硫代缩二脲、1-苯甲酰-2-硫脲,并对各实验组电镀后的试片进行电镀实验测试,结果如下表所示:
从上表的实验测试结果可看出,本发明的非氰主络合剂均能获得较好的镀层性能,但乙撑二苯甲酰硫脲的络合效果更为突出。
最后应当说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制,尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (10)
1.一种无氰镀金电镀液,其特征在于,包括如下组分:金盐、非氰络合剂、导电盐和光亮剂,所述非氰络合剂的分子中至少含有两个双键,且至少有两个双键上的原子能参与同一个金离子的络合。
2.如权利要求1所述的无氰镀金电镀液,其特征在于,所述无氰镀金电镀液中,以单质金含量计,所述金盐的含量为0.5~10g/L,所述非氰络合剂的含量为20~150g/L,所述导电盐的含量为10~30g/L,所述光亮剂的含量为0.5~2g/L。
3.如权利要求2所述的无氰镀金电镀液,其特征在于,所述无氰镀金电镀液中,以单质金含量计,所述金盐的含量为3~5g/L,所述非氰络合剂的含量为50~100g/L,所述导电盐的含量为15~25g/L,所述光亮剂的含量为0.8~1.5g/L。
4.如权利要求1~3任一项所述的无氰镀金电镀液,其特征在于,所述非氰络合剂选自乙酰硫脲、二硫代缩二脲、1-苯甲酰-2-硫脲、乙撑二苯甲酰硫脲中的至少一种。
5.如权利要求1~3任一项所述的无氰镀金电镀液,其特征在于,所述金盐为水溶性金盐;优选地,所述金盐为亚硫酸金钾、亚硫酸金钠中的至少一种。
6.如权利要求1~3任一项所述的无氰镀金电镀液,其特征在于,所述导电盐选自碳酸钾、碳酸钠中的至少一种。
7.如权利要求1~3任一项所述的无氰镀金电镀液,其特征在于,所述光亮剂选自2-甲巯基苯并咪唑、1-氨基环丙烷羧酸、2,5-噻吩二羧酸中的至少一种。
8.如权利要求4所述的无氰镀金电镀液,其特征在于,所述乙撑二苯甲酰硫脲的合成方法为:在快速搅拌下,将乙二胺缓慢加入苯甲酰异氰酸酯中,加入过程保持散热良好,且反应温度保持在0~30℃,加入完成后,继续搅拌0.5~2h,除杂,制得所述乙撑二苯甲酰硫脲;优选地,所述乙撑二苯甲酰硫脲的合成方法中,苯甲酰异氰酸酯与乙二胺的摩尔份数比为1.5:1~4:1。
9.如权利要求1~8任一项所述的无氰镀金电镀液的电镀工艺,其特征在于,电镀过程的电镀参数为:
10.如权利要求9所述的无氰镀金电镀液的电镀工艺,其特征在于,电镀过程的电镀参数为:
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