CN110168327A - 用于温度计的原位校准的设备和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于确定和/或监测液体(5)的温度(2)的设备(1),其包括温度传感器(7)、用于温度传感器(7)的原位校准和/或验证的参考元件(8)、和电子单元(4),其中,所述参考元件(8)至少部分地由材料(10,15)构成,在所述材料(10,15)的情况下,在与校准所述温度传感器(7)相关的温度范围内,至少在第一预定相变温度(Tph)下发生至少一个相变,在所述相变中,所述材料(10,15)保持固相。根据本发明,所述电子单元(4)被实施为向所述参考元件提供动态激励信号(UE,dyn)。此外,本发明涉及一种用于基于本发明的设备进行温度传感器的校准和/或验证的方法。

Description

用于温度计的原位校准的设备和方法
技术领域
本发明涉及一种用于确定和/或监测液体的温度的设备,该设备包括温度传感器和参考元件。此外,本发明涉及一种用于本发明的设备的原位校准和/或验证的方法。
背景技术
温度计的校准目前通常在校准浴、烘箱或固定点系统中进行。例如,在DE102004027072B3中描述了对应的固定点单元。然而,在这些方法的情况下,温度计通常必须从测量点拆卸下来。相反,为了能够在安装状态下校准温度计,DE19941731A1公开了一种设置在温度计中的小型化固定点单元。固定点单元填充有固定点物质,例如金属或共晶合金。然而,在这种情况下,需要额外的单元来封装固定点物质,这减小了传感器的动态范围,尤其是恶化了对温度变化的响应时间。此外,在给定情况下,可能发生固定点物质从单元中逸出的情况,这可能导致温度计的损坏或甚至毁坏。
因此,希望能够在安装状态下——即在原位进行——对温度计进行校准和/或验证,在这种情况下不会出现上述缺点。
原则上,为了确定温度,可以使用物理和/或化学的、与温度相关的许多不同的材料特性。在这种情况下,该特性可以是在某个特征温度点发生的特定特性的变化,尤其是突然变化,或者是特性的以特征线或曲线的形式连续变化。例如,铁磁材料的居里温度是该材料的特征温度点。在这点上,从DE4032092C2已知一种用于确定居里温度的方法,在这种情况下,借助于差示扫描热分析仪,在居里温度范围内检测到吸收的热量的突然变化。在DE19702140A1中,又描述了一种利用温度传感器测量旋转支撑部件的温度的设备和方法,该温度传感器具有铁磁或顺磁性材料,该材料在感兴趣的温度范围内表现出其极化的与温度相关的变化。因此,温度相关极化的特征线或曲线被考虑用于确定温度。
从DE19805184A1已知的另一个示例描述了基于其电容来确定压电元件的温度。类似地,DE69130843T2涉及一种用于确定压电晶体振荡器的温度的方法和设备。
某些特征温度点或特征线或曲线的使用基本上也适用于校准和/或验证温度计。
因此,例如,在EP1247268B2中,描述了一种用于基于以辅助温度传感器形式的一个或多个参考元件的特征线或曲线来原位校准多个集成的温度传感器的方法。参考元件安装在温度计插件中,作为主温度传感器的补充。为了能够进行校准,所使用的参考元件在构造和/或应用材料方面不同于主温度传感器。这导致不同的特征线或曲线。然而,在这种情况下的不利之处在于,参考元件的特征线或曲线通常受到老化效应和/或传感器漂移的影响。
为了防止这种缺点,从DE102010040039A1已知一种用于原位校准温度计的设备和方法,该温度计具有温度传感器和用于校准温度传感器的参考元件,在这种情况下,参考元件至少部分地由铁电材料构成,该铁电材料在与校准温度传感器相关的温度范围内的至少一个预定温度下经历相变。因此,校准基于铁电材料相变的特征温度点执行,即基于材料特定的特性来执行。根据安装的参考元件的数量,以这种方式,既可以执行所谓的1点校准和/或验证,也可以执行多点校准和/或验证。此外,从本申请人于2016年7月29日提交的德国专利申请第102015112425.4号中已知一种尤其适用于多点校准的类似设备,该申请在本申请首次提交之日未公开。该申请描述的温度计包括至少一个温度传感器和至少两个参考元件,该至少两个参考元件通过正好两条连接线接触。参考元件至少部分地由两种不同的材料构成,每种材料在与校准温度传感器相关的温度范围内,在每种情况下,在预定相变温度下具有至少二阶的至少一个相变。DE 102010040039A1(US 9091601)和DE 102015112425.4(US 2018217010)以引用方式并入本文。
发明内容
从现有技术出发,本发明的目的是提供一种用于温度传感器的原位校准和/或验证的替代方案。
该目的通过如权利要求1所定义的用于确定和/或监测液体温度的设备以及如权利要求14所定义的用于原位校准和/或验证本发明的设备的方法来实现。
关于本发明的设备,该目的通过一种用于确定和/或监测液体温度的设备来实现,该设备包括温度传感器、用于温度传感器的原位校准和/或验证的参考元件以及电子单元。参考元件至少部分地由下述材料构成:在该材料的情况下,在与校准温度传感器相关的温度范围内的至少第一预定相变温度下发生至少一个相变。在相变中,材料保持在固相中。根据本发明,电子单元被实施为向参考元件提供动态激励信号。
本发明的温度计有利地被实施用于至少第一温度传感器的原位校准和/或验证。为此,使用辅助传感器(参考元件)校准和/或验证温度传感器(主传感器)。
在保持在固相的材料中的相变时,根据例如埃伦费斯特分类,所涉及的是至少二阶的相变。与一阶相变相反,在相变期间没有或仅有可忽略不计量的潜热被释放。当没有或仅有可忽略不计量的潜热被释放时,除了别的以外,基本上并且独立于所选择的相变分类,可以有利地确保在相变发生的时点借助于温度传感器测量的温度不会被破坏,特别是不会被释放的潜热破坏。
在现有技术中明显更常用的相变的附加分类中,它仅在不连续的(一阶)和连续的(二阶)相变之间有所区别[比较例如Lexikon der Physik,Spektrum AkademischerVerlag,Heidelberg,Berlin,Vol.4,标题为" und andere kritische"(Phase Transformations and Other Critical Phenomena)]。根据这种分类,各种铁电材料可以与一阶和二阶相变相关联,其中在这两种情况下,发生相变的特定材料在相变期间保持在固相中。
独立于相变的所选分类保持在固相中对于本发明来说是重要的。相对于系统尤其是监测单元的结构方面,材料保持在固态尤其有利。
相变包括作为例如温度的函数的诸如压力、体积、焓或熵的热力学变量的二阶导数的不连续性。典型地,相变涉及某个特定材料特性的变化,例如晶体结构的改变,或者磁、电或介电特性的改变。对于特定的参考元件,对应的材料特定参数是已知的,并且在温度传感器的校准和/或验证中可以考虑这些参数。在这种情况下,至少一个参考元件可以具有一种或多种相变,尤其是所用材料的固相中的相变。每种相变发生在某个特有的、固定且长期稳定的温度值,因此原则上,参考元件不需要考虑漂移和/或老化效应。
因为参考元件被提供有动态激励信号,尤其是相对于时间动态的激励信号,所以可以考虑其他特征参数来检测至少一个相变的发生,这些特征参数在静态激励信号的情况下是不可用的。
在相变期间,根据参考元件的实施例,通常变化的例如是发生相变的材料的介电常数或磁导率。根据参考元件的实施例,这些特征参数可以通过各种测量原理来记录,例如基于电容或电感。在考虑电容或电感的情况下,介电常数或磁导率来自实部和虚部。反过来,在通过动态激励信号向参考元件供电的情况下,可以直接记录虚部。因此,借助于动态激励信号向参考元件供电有利地允许直接记录依赖于相变的特征参数。
此外,电子单元优选地基于从参考元件接收的接收信号来实施,以检测至少一个相变的发生。利用相变温度与基本上同时借助于温度传感器测量的液体温度的比较,可以执行温度传感器的校准和/或验证。特别地,接收信号同样是动态接收信号,尤其是相对于时间动态的接收信号。
在实施例中,从参考元件接收的激励信号和/或接收信号在每种情况下都是正弦、矩形、三角形、锯齿形或脉冲形信号,尤其是电流或电压信号。因此,它例如是交流电流或交流电压。
在本发明的设备的有利实施例中,至少部分地构成参考元件的至少一种材料是铁电材料、铁磁材料或超导材料——尤其是高温超导体。相应地,所述至少一个相变是从铁电状态到顺电状态或者相反、从铁磁状态到顺磁状态或者相反、或者从超导状态到正常导电状态或者相反的相变。相变温度相应地是例如特定材料的居里温度或所谓的临界温度。
另一个实施例规定,电子单元被构造成改变激励信号的频率和/或幅度。因此,电子单元尤其适合于执行阻抗谱和/或执行频率扫描,在这种情况下,尤其是可预定的频率范围以激励信号的离散频率系统地移动通过。例如,如果将极化或依赖于极化或从极化导出的变量视为用于检测参考元件至少部分地由其构成的特定材料的相变的特征参数,则极化可能具有不同的原因。例如,它可以是电子极化、分子极化、偶极子极化或离子极化。由于为激励信号选择了合适的频率,所以可以有针对性地选择支持极化的各个机制。因此,基于依赖于极化的频率,相变的发生是可检测的。
对于本发明的参考元件,许多不同的实施例是可能的,它们都落在本发明的范围内。因此,这里将描述的参考元件的实施例的两个选项是示例性的,并且在事实上和形式上不被视为排他性列表。
在第一优选实施例中,参考元件是具有电介质的电容器元件,其中电介质至少部分地由下述材料构成:在该材料的情况下,发生所述至少一个相变。对于该实施例,基于电容或依赖于电容的变量来检测所述至少一个相变的发生是相应有利的。
替代的优选实施例包括参考元件是具有至少一个线圈和导磁主体的线圈装置,其中主体至少部分地由下述材料构成:在该材料的情况下,发生所述至少一个相变。在该实施例的情况下,基于电感或依赖于电感的变量来检测所述至少一个相变又是有利的。
参考元件的特殊实施例的选择一方面取决于温度计的特定实施例。此外,参考元件的实施例还取决于检测相变所参考的特征参数,或者合适的特征变量取决于参考元件的特定实施例。
在动态激励信号的情况下,尤其是相对于时间动态的激励信号,并且根据参考元件和特定温度计的实施例,尤其是例如包括适于记录特定变量的尤其是电子的测量电路的电子单元,合适的特征参数包括例如电容、电感、阻抗或者损耗角。
因此,在尤其优选的实施例中,规定电子单元被实施为确定参考元件的至少一个部件的阻抗或依赖于阻抗的变量,并且基于阻抗或依赖于阻抗的变量,尤其是基于阻抗或依赖于阻抗的变量作为时间和/或温度的函数的线或曲线来检测相变的发生。
另一尤其优选的实施例包括,电子单元被实施为确定参考元件的至少一个部件的损耗角或依赖于损耗角的变量,并且基于损耗角或依赖于损耗角的变量,尤其是基于损耗角或依赖于损耗角的变量作为时间和/或温度的函数的线或曲线来检测相变的发生。
又一尤其优选的实施例包括,电子单元被实施为确定参考元件的至少一个部件的电容、电感或依赖于电容和/或电感的变量,并且基于电容、电感或依赖于电容和/或电感的变量,尤其是基于电容、电感或依赖于电容和/或电感的变量作为时间和/或温度的函数的线或曲线来检测相变的发生。
同样对于所使用的测量电路或电子单元,可以获得许多不同的实施例,借助于这些实施例可以记录不同的特征参数。下面给出一系列尤其优选的实施例。当然,这些决不能被视为排他性列表。相反,现有技术中的许多其他合适的测量原理是可用的,它们同样落入本发明的范围内。
在一个实施例中,电子单元包括桥接电路,尤其是维恩电桥或维恩-麦克斯韦电桥,其中参考元件是桥接电路的部件。支持这种桥接电路的测量原理本身是现有技术中已知的,因此在此不再详细解释。有利地,当温度传感器以例如电阻元件的形式实施时,桥接电路也适用于记录特定液体的温度。与应用于静态激励信号——尤其是相对于时间静态的激励信号的桥接电路相比,在用于动态信号——尤其是相对于时间动态的信号,例如交变信号的桥接电路的情况下,在这样的桥接电路中没有出现损坏测量结果或接收信号的热电压。在通过桥接电路检测相变并确定液体温度的情况下,这是本发明的一个结构上尤其简单的实施例。桥接电路可以尤其优选地应用于确定依赖于相变的阻抗。
在另一个实施例中,电子单元包括电气振荡电路,其中参考元件是振荡电路的部件。振荡电路可以是例如RL、RC或RCL振荡电路。同样借助于振荡电路,例如,基于实施为电阻元件的温度传感器,温度可以基本上被确定。在振荡电路的情况下,适合于例如检测相变的是时间常数的记录,基于该时间常数,对于实施为电容器元件或线圈装置的参考元件,例如电容或电感是可确定的。
此外,对于该实施例,有利的是,电子单元被实施为基于振荡电路的谐振频率的变化来检测至少一个相变的发生。因此,这些实施例的特征参数是振荡电路的谐振频率,该谐振频率在发生至少一个相变时经历变化,尤其是跳跃式变化。
最后,在一个实施例中,该设备包括用于施加场——尤其是电场或磁场的装置,其中电子单元被实施为基于至少一个滞后图来检测至少一个相变的发生。
独立于参考元件的特定实施例、电子单元的特定实施例以及在每种情况下检测相变参考的特征变量,最后,有利的是,电子单元被实施为向温度传感器提供动态激励信号。这种实施例通过特别简单的构造而有利地被区分。根据具体实施例,参考元件以及温度传感器两者可以借助于电子装置同时操作和读出。
此外,本发明的目的通过用于本发明的设备的原位校准和/或验证的方法来实现,其中参考元件被提供以动态激励信号。
结合该设备所解释的实施例也可以以必要的变更适用于所提出的方法。
附图说明
现在将基于附图更详细地解释本发明。设备的相同元件具有相同的附图标记。附图显示如下:
图1示出了根据现有技术的温度计的示意图,该温度计具有温度传感器和用于温度传感器的原位校准和/或验证的参考元件;
图2示出了基于参考元件的温度传感器的校准和/或验证的示意图;
图3示出了根据本发明的具有两个温度传感器和参考元件的本发明的设备的第二实施例;
图4示出了作为(a)电容器元件和(b)线圈装置的参考元件的实施例的示意图;
图5示出了具有桥接电路的电子单元的示意图,该桥接电路用于(a)以电容器元件形式和(b)以线圈装置形式的参考元件;
图6示出了振荡电路形式的电子单元的示意图,该振荡电路用于(a)以电容元件形式和(b)以线圈装置形式的参考元件;以及
图7示出了适用于基于滞后图检测相变的电子单元的示意图,该电子单元用于(a)以电容器元件形式和(b)以线圈装置形式的参考元件。
具体实施方式
图1是根据现有技术的具有保护管2和电子单元4的温度计1的示意图,该温度计适合于原位校准和/或验证。保护管2面向液体5的部分也被称为传感器头3。传感器头3的内部容积填充有填充物6,尤其是电绝缘填充物6,尤其是胶合剂。此外,布置在传感器头3内部的是温度传感器7和参考元件8,温度传感器7和参考元件8中的每一个借助于至少两条连接线9、10接触,尤其是电接触,并且与电子单元4连接。温度传感器7例如是电阻元件或热电偶。参考元件8又至少部分地由下述材料构成:在该材料的情况下,在与设备操作相关的温度范围内的至少一个预定相变温度下发生至少二阶的至少一个相变。根据所应用的测量原理的类型,用于接触参考元件8和温度传感器7的所需连接线9、10的数量可以变化。在图示实施例中,温度传感器7和参考元件8在同一传感器头3内相互间隔布置。然而,它们也可以直接彼此接触,例如软钎焊在一起。
在图2中示出了借助于参考元件8对温度传感器7的校准和/或验证。上面的曲线图表示用于检测相变的特有的物理或化学变量G的曲线。如果在参考元件8中发生相变,那么在图示示例中发生变量G的突然变化。检测到变量的突然变化的时间点是参考元件8具有相变温度Tph的相变时间点tph
在下面的曲线图中,传感器温度T借助于温度传感器7作为时间t的函数来确定。为了基于参考元件8校准和/或验证温度传感器7,例如,确定测量时间点tm,其与相变时间点tph具有最短的时间间隔。将对应于测量时间点tm的传感器温度Tm与相变温度Tph进行比较。使用该比较,然后可以执行校准和/或验证。此外,在差值ΔT=Tm(tm)-Tph(tph)高于可预定极限值的情况下,温度计1可以被调节和/或关于差值的发生的报告被生成和/或输出。
作为示例,参考元件8的三个可能的实施例在图3中示出。例如,在铁电材料的情况下,适合的是电容器元件形式的参考元件8的实施例,如图3a所示。在这种情况下,发生相变的材料11形成电介质。此外,参考元件8包括两个电极12a和12b,在这里示出的示例中,电极12a和12b直接布置在材料10的两个相对放置的侧表面上,材料10被实施为基本上长方体,并且通过两条连接线10a和10b电接触,以便例如检测参考元件8的电容Cref,并且基于电容Cref的尤其是突然的变化来检测相变。对于电容器元件形式的参考元件8的该实施例的其他细节,参考Offenlegungsschrift DE102010040039A1。
在参考元件8包括铁磁材料10的情况下,有利的是线圈装置形式的实施例,例如在图3b和3c中以举例的方式示出的。在参考元件8的这种实施例的情况下,检测相变的机会在于检测该装置的电感Lref的变化。在从铁磁状态到顺磁状态的相变时,发生相变的材料15的磁阻变化,因此,例如,该装置的电感Lref也变化。
在图3b的实施例中,参考元件8包括具有芯14的线圈13和由铁磁材料构成的导磁主体15。导磁主体15被布置成使得它至少部分地位于从具有芯14的线圈13发出的磁场B中。磁场由草图磁力线表示。在导磁主体15中发生相变时,磁场B变化,这是例如基于装置的电感L的变化可检测的。
然而,线圈13的芯14的使用是可选的。在图3c中相应地示出了参考元件8作为没有芯的线圈装置的一个可能的实施例。此外,以举例的方式,一方面,该图中描绘了磁场B1,当材料15处于铁磁状态时,该磁场占主导地位。此外,虚线所示的是磁场B2,当材料15处于顺磁状态时,该磁场占主导地位。
在利用动态激励信号UE,dyn,尤其是相对于时间动态的激励信号向参考元件8供电的情况下,参考元件8的不同特征参数可以被考虑用于记录至少一个相变,尤其是在静态激励信号的情况下不可用的相变。
例如,如图3a所示,在实施为电容器元件的参考元件8中发生相变时,材料的介电常数变化,在这种情况下,该介电常数呈现为电介质。相应地,适合作为特征参数的是例如电容Cref。相比之下,如图3b或图3c所示,在实施为线圈装置的参考元件8中发生相变时,材料——这里是导磁主体15——的磁导率变化。在这种情况下,电感Lref又是一个合适的特征参数。在考虑电容Cref或电感Lref的情况下,介电常数和磁导率与对应的虚部直接相关。反过来,在通过动态激励信号向参考元件供电的情况下,可以直接记录这些虚部。
除了电容Cref或电感Lref之外,在向参考元件8供电的情况下,可以优选地记录用于检测相变发生的其他特征参数是例如阻抗Z或损耗角(loss angle)δ,如图4所示。尽管本发明绝不限于所提到的用于检测相变的特征参数,但是为了简化的目的,以下描述涉及所提到的变量——电感L、电容C、阻抗Z以及损耗角δ。
为了基于阻抗Z或基于损耗角δ来检测相变,参考元件8可以被实施为例如对应于图3所示的那些元件之一。图4a示意性地表示作为温度的函数的阻抗的量值和因此交流电阻的量值。在相变温度Tph下,阻抗是最小的,使得例如基于作为时间函数的阻抗的量值的线或曲线,可以检测参考元件8中相变的发生。相比之下,作为电阻功率与无功功率的比率的损耗角δ在相变温度Tph下最大,如图4b示意性地所示。同样基于损耗角δ作为时间函数的线或曲线,因此可以检测相变的发生。
此外,如果阻抗Z和/或损耗角δ是利用具有至少两个不同频率f1和f2的至少两个不同激励信号UE,dyn,1和UE,dyn,2来测量的,并且阻抗的比率Z(f1)/Z(f2)或损耗角的比率δ(f1)/δ(f2)形成,则相变同样可以基于这些比率中的任一个来记录。这些比率有利地独立于特定激励信号UE,dyn,1和UE,dyn,2的特定绝对值。
现在将在下面的附图中给出本发明的电子单元4的一些尤其优选的实施例,其可以用于记录各种特征参数,例如电容C、电感L、阻抗Z或损耗角δ。
在图5的实施例中,电子单元4包括具有四个阻抗Z1-Z3和Zref的桥接电路。参考元件8形成桥接电路的至少一个部件,尤其是阻抗Zref,并且阻抗Z1-Z3中的至少一个包括具有电可调尺寸的至少一个电子部件。根据参考元件8的实施例,各个阻抗Z1-Z3和Zref可以分别是电阻R、电容C、电感L、或至少部分地串联和/或至少部分地并联连接的元件R、C、L中的至少两个的布置。
在电容器元件形式的参考元件8的实施例的情况下,这适合于例如实现所谓的维恩电桥。相比之下,在参考元件8被实施为线圈装置的情况下,电子单元4优选地包括所谓的维恩-麦克斯韦电桥电路。支持这两个测量电路的测量原理在现有技术中本身是已知的,因此这里不再详细解释。
电子单元4,尤其是桥接电路,借助于动态激励信号UE,dyn来激励。然后可以基于对角电压Udet来确定桥接电路的相变相关阻抗Z。如果桥接电路位于平衡状态,则对角电压Udet为零,这导致特定桥接电路得出公式,利用已知阻抗Z1-Z3,可以根据该公式计算未知阻抗Zref。例如,如果阻抗Zref由于参考元件8中的相变而改变,则桥接电路不平衡,并且对角电压Udet不为零。为了检测相变相关阻抗Zref的变化,例如,可以再平衡电桥或使用非零的Udet。这两种方法本身在现有技术中是已知的。
在再平衡方法中,已知阻抗Z1-Z3中至少一个的至少一个部件被改变,直到重新实现平衡,并且未知阻抗Zref可以借助于平衡条件的公式来计算。有利的是,在这种方法的情况下,只需要检测对角电压Udet的零电压状态。然而,阻抗Z1-Z3和Zref的调整相对复杂。相比之下,通过使用非零的Udet,不会出现桥接电路的平衡。相反,未知阻抗Zref由测量的对角电压Udet确定。然而,在这种情况下,需要更精确的电压测量。
与用于静态信号——尤其是相对于时间静态的信号的桥接电路,即例如直流电压测量电桥相比,在交流电压桥接电路的情况下,有利地,测量电路中出现的热电压不会对特定测量信号产生负面影响。桥接电路用于动态激励信号,尤其是相对于时间动态的信号的另一个优点是,除了参考元件8的特征参数之外,电阻同样可以借助于对应的电路来确定。在温度传感器7以电阻元件的形式实施的情况下,因此通过相同的桥接电路可以确定特定液体5的温度。这种实施例通过特别紧凑的构造而有利地被区分。
用于确定损耗角δ的另一个机会(基于图未示出)是,例如,借助于动态激励电流信号,从而借助于交流电流,向参考元件8供电,并且在适当选择的测量电阻上检测相对于激励电流信号相移的接收电压信号,尤其是交流电压。替代地,也可以使用交流电压形式的激励信号,并且分接交流形式的相移接收信号。在该实施例的情况下,此外,基于电流和电压瞬时值的幅度比,可以确定阻抗Z=U(t)/I(t)。
作为前述实施例的替代,参考元件8可以例如以电容器元件的形式或者以图3的线圈装置的形式实施,设置在电子单元4内的电气振荡电路中,如图6所示。在这种情况下,可用作检测相变的特征参数的优选是参考元件8的时间常数或振荡电路的谐振频率f0
例如,对于参考元件8形成为具有电容Cref的电容器元件的情况,如图6a所示,具有电阻R1的RC振荡电路是可实现的,该电阻被适当地根据参考元件8来选择。在参考元件8作为具有电感Lref的线圈装置的实施例的情况下,如图6b所示,相比之下,适合的是具有电阻R1和电容C1的RCL振荡电路,电阻和电容都是根据参考元件8来选择的。然而,除了所示的两种变体,振荡电路还有许多其他实施例,它们同样落入本发明的范围内。
相变的发生改变了振荡电路的谐振频率f0,使得振荡电路的谐振频率f0的变化基本上可以被考虑用于检测在相变温度Tph下的相变。
相比之下,为了确定时间常数,例如可以按照以下方式进行:用作激励信号的优选是矩形信号。在参考元件8形成为电容器元件的情况下,然后,例如,测量将电容器元件充电到可预定电压阈值的时间。相比之下,在参考元件8被实施为线圈装置的情况下,例如,可以确定通过线圈的电流下降到可预定电流阈值以下的时间,或者线圈两端的电压下降到可预定电压阈值以下的时间。在每种情况下,测量的时间是用于参考元件8的电容Cref或电感Lref的量度。
另一个机会是确定激励信号和接收信号之间的相移,基于该相移,例如,同样可以确定参考元件8的电容Cref或电感Lref。最后,在固定电阻R1的情况下,同样可以执行调幅测量。在这种情况下,接收信号的幅度变化同样是用于电容Cref或电感Lref的量度。
相比之下,在基于滞后图检测至少一个相变的情况下,最后,例如,可以使用对应于图7的实施例之一的测量电路。如同前面附图的情况,参考元件8是电子单元4内的电测量电路的一部分。
为了记录滞后图,通过施加时间动态电压UE,dyn来记录发生相变的特定材料的极化的变化。该特定的滞后图通过绘制作为UE,dyn的函数的电压U1而得到。相变的发生可以例如基于电压UE,dyn和U1的比率的变化来检测。
对于图7a的实施例,参考元件8是具有电容Cref的电容器元件,例如在图3a中。相应地,相变是从铁电状态到顺电状态,或者相反。这样的测量电路是所谓的索耶塔电路,其本身在现有技术中是众所周知的,因此这里不再详细描述。
相比之下,在图7b中示出了用于检测诸如在图3b或图3d的一个图中所示的具有电感Lref的线圈装置形式的参考元件8的情况下的相变的电路,其每一个包括铁磁材料。在每种情况下,电容C1以及电阻R1和R2与施加的参考元件8匹配。
附图标记列表
1 温度计插件
2 保护管
3 传感器头
4 电子单元
5 液体
6 填充物
7 温度传感器
8 参考元件
9、9a、9b 参考元件的连接线
10 温度传感器的连接线
11 铁电材料、电介质
12a、12b 电极
13 线圈
14 芯
15 铁磁材料、导磁主体
C、Cref 参考元件的电容
L、Lref 参考元件的电感
Tph 相变温度
tph 相变时间点tph
t 时间
Z 阻抗
δ 损耗角
B、B1、B2 磁场
UE,dyn 动态激励信号
UR,dyn 动态接收信号
Udet 桥接电路的对角电压

Claims (15)

1.一种用于确定和/或监测液体(5)的温度(2)的设备(1),所述设备(1):包括温度传感器(7)、用于温度传感器(7)的原位校准和/或验证的参考元件(8)、和电子单元(4),
其中,所述参考元件(8)至少部分地由材料(10,15)构成,在所述材料(10,15)的情况下,在与校准所述温度传感器(7)相关的温度范围内,至少在第一预定相变温度(Tph)下发生至少一个相变,在所述相变中,所述材料(10,15)保持固相,
其特征在于
所述电子单元(4)被实施为向所述参考元件提供动态激励信号(Udyn)。
2.根据权利要求1所述的设备(1),
其特征在于
从所述参考元件(8)接收的所述激励信号(Udyn)和/或接收信号(UR,dyn)在每种情况下是正弦、矩形、三角形、锯齿形或脉冲形信号,尤其是电流或电压信号。
3.根据权利要求1或2所述的设备(1),
其特征在于
所述材料(10,15)是铁电材料、铁磁材料或超导材料——尤其是高温超导体。
4.根据前述权利要求中至少一项所述的设备(1),
其特征在于
所述电子单元(4)被实施为改变所述激励信号(Udyn)的频率和/或幅度。
5.根据前述权利要求中至少一项所述的设备(1),
其特征在于
所述参考元件(8)是具有电介质(10)的电容器元件,其中,所述电介质(10)至少部分地由所述材料构成,在所述材料的情况下,发生所述至少一个相变。
6.根据权利要求1-4中至少一项所述的设备(1),
其特征在于
所述参考元件(8)是具有至少一个线圈(13)和导磁主体(15)的线圈装置,其中,所述主体(15)至少部分地由所述材料(15)构成,在所述材料(15)的情况下,发生所述至少一个相变。
7.根据前述权利要求中至少一项所述的设备(1),
其特征在于
所述电子单元(4)被实施为:
确定所述参考元件(8)的至少一个部件的阻抗(Z)或依赖于所述阻抗(Z)的变量,并且
基于所述阻抗(Z)或依赖于所述阻抗(Z)的所述变量,尤其是基于所述阻抗(Z)或依赖于所述阻抗(Z)的所述变量作为时间和/或温度的函数的线或曲线来检测所述相变的发生。
8.根据前述权利要求中至少一项所述的设备(1),
其特征在于
所述电子单元(4)被实施为:
确定所述参考元件(8)的至少一个部件的损耗角(δ)或依赖于所述损耗角(δ)的变量,并且
基于所述损耗角(δ)或依赖于所述损耗角(δ)的所述变量,尤其是基于所述损耗角(δ)或依赖于所述损耗角(δ)的所述变量作为时间和/或温度的函数的线或曲线来检测所述相变的发生。
9.根据前述权利要求中至少一项所述的设备(1),
其特征在于
所述电子单元(4)被实施为:
确定所述参考元件(8)的至少一个部件的电容(C)、电感(L)或依赖于所述电容(C)和/或所述电感(L)的变量,并且
基于所述电容(C)、所述电感(L)或依赖于所述电容(C)和/或所述电感(L)的所述变量,尤其是基于所述电容(C)、所述电感(L)或依赖于所述电容(C)和/或所述电感(L)的所述变量作为时间和/或温度的函数的线或曲线来检测所述相变的发生。
10.根据前述权利要求中至少一项所述的设备(1),
其特征在于
所述电子单元(4)包括桥接电路,尤其是维恩电桥或维恩-麦克斯韦电桥,并且所述参考元件(8)是所述桥接电路的部件。
11.根据前述权利要求中至少一项所述的设备(1),
其特征在于
所述电子单元(4)包括电气振荡电路,并且所述参考元件(8)是所述振荡电路的部件。
12.根据权利要求1所述的设备(11),
其特征在于
所述电子单元(4)被实施为基于所述振荡电路的谐振频率(f0)的变化来检测所述至少一个相变的发生。
13.根据前述权利要求中至少一项所述的设备(1),
其特征在于
所述设备(1)包括用于施加场(B)——尤其是电场或磁场——的装置,其中所述电子单元(4)被实施为基于至少一个滞后图来检测所述至少一个相变的发生。
14.根据前述权利要求中至少一项所述的设备(1),
其特征在于
所述电子单元(4)被实施为向所述温度传感器(7)提供动态激励信号。
15.一种用于根据前述权利要求中的至少一项所述的设备(1)的原位校准和/或验证的方法,
其特征在于
参考元件(8)被提供有动态激励信号(UE,dyn)。
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GR01 Patent grant
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