CN110166018A - 体声波谐振器 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：基板；第一电极，设置在所述基板上；压电层，设置在所述第一电极的至少一部分上；以及第二电极，设置在所述压电层的至少一部分上。在所述第一电极和所述第二电极中的一个与所述压电层之间形成有第一间隙。所述第一间隙包括第一内间隙和第一外间隙，所述第一内间隙设置在所述体声波谐振器的有效区中，并且在所述第一电极和所述第二电极中的所述一个与所述压电层之间具有第一间隔距离，所述第一外间隙设置在所述有效区的外部，并且在所述第一电极和所述第二电极中的所述一个与所述压电层之间具有不同于所述第一间隔距离的第二间隔距离。

Description

体声波谐振器
本申请分别要求于2018年2月13日和于2018年6月11日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0017538号和第10-2018-0066617号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
以下描述涉及一种体声波谐振器。
背景技术
体声波(BAW)滤波器是允许期望频带的RF信号通过，同时阻挡不想要的频带中的信号的核心组件。BAW滤波器可在集成了智能电话、台式PC等的发送/接收端子的输入/输出信号处理器的前端模块中实现。BAW滤波器的需求随着近来移动装置市场的增长而增加。
为了跟上未来5G频带(5GHz或28GHz)通信的步伐，BAW滤波器中使用的频率应该更高。由于当频率增大时，BAW滤波器的总厚度应减小，因此需要使用基本上薄的电极。在实际的5G频带中，电极可以薄并且电阻会增大。结果，在谐振点处的Q因数减小。
鉴于上述情况，已提出了一种在常规压电材料的上方或下方形成气隙以用作电容器的气隙谐振器结构。然而，在这种结构中，应在谐振器的外侧设置单独的结构(框架、气翼、气桥等)以消除横向波泄漏。在这种结构中，单独的结构会致使制造工艺复杂并且反射效率降低。结果，在反谐振点处的Q因数会减小。
发明内容
提供本发明内容以按照简化的形式对所选择的构思进行介绍，并在下面的具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总的方面中，一种体声波谐振器包括：基板；第一电极，设置在所述基板上；压电层，设置在所述第一电极的至少一部分上；以及第二电极，设置在所述压电层的至少一部分上。在所述第一电极和所述第二电极中的一个与所述压电层之间形成有第一间隙。所述第一间隙包括：第一内间隙，设置在所述体声波谐振器的有效区中，并且在所述第一电极和所述第二电极中的所述一个与所述压电层之间具有第一间隔距离；以及第一外间隙，设置在所述有效区的外部，并且在所述第一电极和所述第二电极中的所述一个与所述压电层之间具有不同于所述第一间隔距离的第二间隔距离。
所述第一间隔距离可小于所述第二间隔距离。
所述第一间隙可形成在所述压电层和所述第二电极之间。
所述第一电极和所述压电层可彼此分开恒定距离。
所述第一间隙可形成在所述压电层和所述第一电极之间。
所述第二电极和所述压电层可彼此分开恒定距离。
所述第一电极和所述第二电极中的所述一个可包括形成所述第一外间隙的倾斜表面。
所述压电层可包括形成所述第一外间隙的倾斜表面。
所述第一电极和所述第二电极中的所述一个可具有形成所述第一外间隙的弯曲表面。
所述第一间隔距离可大于所述第二间隔距离。
所述体声波谐振器还可包括设置在所述压电层上的表面处理层。
所述第一间隙可填充有介电常数高于空气的介电常数的气体。
所述体声波谐振器还可包括：间隔件，设置在所述第一电极和所述第二电极中的所述一个与所述压电层之间。
在所述第一电极和所述第二电极中的另一个与所述压电层之间可形成有第二间隙。所述第二间隙可包括：第二内间隙，设置在所述有效区中，并且在所述第一电极和所述第二电极中的另一个与所述压电层之间具有第三间隔距离；以及第二外间隙，设置在所述有效区的外部，并且在所述第一电极和所述第二电极中的另一个与所述压电层之间具有不同于所述第三间隔距离的第四间隔距离。
在另一总的方面中，一种体声波谐振器包括：基板；第一电极，设置在所述基板上；压电层，设置在所述第一电极的至少一部分上；以及第二电极，设置在所述压电层的至少一部分上，其中，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个的一部分与所述压电层分开，其中，所述第一电极和所述第二电极中的所述至少一个与所述压电层形成具有第一电容的第一电容器部和具有不同于所述第一电容的第二电容的第二电容器部，并且其中，所述第一电容器部设置在所述体声波谐振器的有效区中，并且所述第二电容器部设置在所述有效区的外部。
所述第一电极和第二电极中的所述至少一个可包括设置在所述有效区的边界处的台阶部或倾斜部。
通过以下具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将是显而易见的。
附图说明
图1是根据示例的体声波谐振器的示意性平面图。
图2是图1的体声波谐振器的截面图。
图3是图2中的部分“A”的放大图。
图4是根据示例的体声波谐振器的说明图。
图5是根据示例的体声波谐振器的说明图。
图6是描绘常规谐振器的Qp因数的曲线图。
图7是描绘根据图5的体声波谐振器的QP因数的曲线图。
图8是根据示例的体声波谐振器的说明图。
图9是根据示例的体声波谐振器的说明图。
图10是根据示例的体声波谐振器的说明图。
图11是根据示例的体声波谐振器的说明图。
图12是根据示例的体声波谐振器的说明图。
图13是根据示例的体声波谐振器的说明图。
图14是根据示例的体声波谐振器的说明图。
图15是根据示例的体声波谐振器的说明图。
图16是根据示例的体声波谐振器的说明图。
在所有的附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明及便利起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
提供以下具体实施方式以帮助读者获得对这里所描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容后，这里所描述的方法、设备和/或系统的各种变换、修改及等同物将是显而易见的。例如，这里所描述的操作顺序仅仅是示例，其并不局限于这里所阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本申请的公开内容后将是显而易见的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略对于本领域已知的特征的描述。
这里所描述的特征可以以不同的形式实现，并且将不被解释为局限于这里所描述的示例。更确切的说，已经提供这里所描述的示例仅仅为示出在理解本申请的公开内容后将是显而易见的实现这里所描述的方法、设备和/或系统的很多可行的方式中的一些方式。
在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“位于”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“位于”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件，或者可存在介于两者之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接位于”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可能不存在介于两者之间的其他元件。
这里，注意关于示例或实施例的术语“可”的使用(例如，关于示例或实施例可包括或实现什么)意味着存在包括或实现这样的特征的至少一个示例或实施例，但所有的示例和实施例不限于此。
如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一个和任意两个或更多个的任意组合。
尽管可在这里使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语的限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，这里所描述的示例中所称的第一构件、组件、区域、层或部分也可被称为第二构件、组件、区域、层或部分。
这里使用的术语仅用于描述各种示例且不用于限制本公开。除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式也意图包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
这里所描述的示例的特征可按照在理解本申请的公开内容后将是显而易见的各种方式进行组合。此外，尽管这里所描述的示例具有各种构造，但是在理解本申请的公开内容后将是显而易见的其他构造是可行的。
图1是根据示例的体声波谐振器100的示意性平面图。图2是体声波谐振器100的截面图。图3是图2中的部分“A”的放大图。
参照图1至图3，体声波谐振器100可包括基板110、第一电极120、压电层130、第二电极140和间隔件150。
基板110可以是硅晶圆。例如，硅晶圆或绝缘体上硅(SOI)基板可用作基板110。
可在基板110的顶表面上设置绝缘层(未示出)，以使上覆的组件/元件和基板110彼此电隔离。当在制造工艺期间形成第一间隙G1(图2和图3)时，绝缘层防止基板110被蚀刻气体蚀刻。第一间隙G1将在稍后描述。
在这种情况下，绝缘层可利用二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)和氮化铝(AlN)中的任意一种或者任意两种或更多种中的任意组合形成，并且可通过化学气相沉积、RF磁控溅射和蒸镀中的任意一种形成在基板110上。
第一电极120设置在基板110上。例如，第一电极120可利用诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)等或包含它们中的任意一种的合金的导电材料形成。
第一电极120可用作输入电极或输出电极，输入电极或输出电极被配置为接收或提供诸如射频(RF)信号等的电信号。
压电层130设置在第一电极120的至少一部分上。压电层130将通过第一电极120或第二电极140输入的信号转换为声波。例如，压电层140被配置为将电能转换为声波形式的机械能(即压电效应)。作为示例，压电层130利用氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)和锆钛酸铅(PbZrTiO(PZT))中的一种形成。压电层130还可包括稀土金属。作为示例，压电层130可包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的任意一种或者任意两种或更多种中的任意组合。压电层130可包括过渡金属。作为示例，过渡金属可包括锆(Zr)、铪(Hf)、钽(Ta)和铌(Nb)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合。另外，压电层130可包括诸如镁(Mg)的二价金属。
第二电极140设置在压电层130的至少一部分上。第二电极140可用作被配置为接收或提供诸如射频(RF)信号等电信号的输入电极或输出电极。例如，当第一电极120用作输入电极时，第二电极140可用作输出电极，并且当第一电极120用作输出电极时，第二电极140可用作输入电极。
与第一电极120类似，第二电极140可利用诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)等或它们的合金的导电材料形成。
参照图2和图3，第二电极140和压电层130的一部分彼此分开以形成第一间隙G1。第一间隙G1可包括设置在有效区S中的内间隙G1-1和设置在有效区S的外部的外间隙G1-2。如图3中所示，为了形成外间隙G1-2，在第二电极140上形成倾斜表面142。倾斜表面142可包括在第二电极140中使得倾斜表面142设置在有效区S的外部。
图2中所示的有效区S是产生相同频率的区域。形成内间隙G1-1的区域被称为第一区域，并且形成具有与内间隙G1-1的间隔距离不同的间隔距离(压电层130的顶表面与第二电极140的底表面之间的距离)的外间隙G1-2的区域被称为第二区域。
可形成内间隙G1-1以获得高Q因数。例如，内间隙G1-1可用作电容器使得即使在高频带中也获得高Q因数。
当内间隙G1-1减小以具有高电容时，可在高频带中减少信号损耗。因此，可改善在谐振期间在压电层130和内间隙G1-1之间的边界处产生的纵向波的反射效率以获得高Q因数。
由于体声波谐振器100的频率仅受压电层130的厚度影响，因此第二电极140的厚度可在这种结构中增大。因此，可减小由第二电极140形成的电阻而不受频率的限制。结果，可在谐振点处获得高Q因数。
此外，由于第一间隙G1包括外间隙G1-2，因此可减少由谐振驱动期间产生的横向波引起的能量泄漏。因此，横向波从边界表面反射以在反谐振点处获得高Q因数，边界表面引起施加到压电层130的电场的差异。例如，由于电容在内间隙G1-1的边界表面上快速变化，因此可反射横向波以在反谐振点处获得高Q因数。
例如，第一电容器部形成在形成内间隙G1-1的区域中，并且具有与第一电容器部的电容不同的电容的第二电容器部形成在内间隙G1-1的外部。因此，可在反谐振点处获得高Q因数。
间隔件150可设置在第二电极140和压电层130之间。间隔件150设置为包围外间隙G1-2。在将间隔件150层叠在压电层130上之后，仅去除间隔件150的一部分以形成内间隙G1-1。作为示例，间隔件150可利用诸如二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)等的绝缘体形成。可选地，间隔件150可利用诸如钼(Mo)、钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铝(Al)等的导体形成。
如上所述，由于第一间隙G1包括内间隙G1-1和外间隙G1-2，因此可在反谐振点处获得高Q因数。此外，由于体声波谐振器100可以以这样的方式制造：通过包括内间隙G1-1和外间隙G1-2的第一间隙G1在反谐振点处获得高Q因数，因此体声波谐振器100在RF场中可容易地制造并且可精确地制造。
图1至图3的示例已经描述了关于第二电极140设置有倾斜表面142的构造，但是不限于这种构造。例如，第二电极140可设置有台阶部以代替倾斜表面，并且因此可形成内间隙G1-1和外间隙G1-2。
图1示出了体声波谐振器100具有基本上正方形平面形状的构造，但体声波谐振器100不限于这种形状。例如，体声波谐振器100可具有诸如多边形、不规则多边形、圆形、椭圆形和不规则弯曲形状的各种平面形状。
图4是根据示例的体声波谐振器200的说明图。
参照图4，体声波谐振器200包括第一电极220和压电层230，第一电极220和压电层230的一部分彼此分开以形成第一间隙G11。第一电极220可设置在基板210上。
第一间隙G11可包括设置在有效区S中的内间隙G11-1和设置在有效区S的外部的外间隙G11-2。为了形成外间隙G11-2，在第一电极220上形成倾斜表面222。倾斜表面222可包括在第一电极220中使得倾斜表面222设置在有效区S的外部。在另一示例中，第一电极220可包括台阶部或者不同形状的部分，以代替倾斜表面222。
可设置内间隙G11-1以获得高Q因数。例如，内间隙G11-1可用作电容器使得即使在高频带中也获得高Q因数。
当内间隙G11-1减小以具有高电容时，可在高频带中减少信号损耗。因此，可改善在谐振期间在压电层230和内间隙G11-1之间的边界处产生的纵向波的反射效率以获得高Q因数。
由于体声波谐振器200的频率仅受压电层230的厚度的影响，因此在这种结构中第二电极240的厚度可增大。因此，可减小由第二电极240形成的电阻而不受频率的限制。结果，可在谐振点处获得高Q因数。
此外，由于第一间隙G11包括外间隙G11-2，因此可减少由谐振驱动期间产生的横向波引起的能量泄漏。因此，横向波从边界表面反射以在反谐振点处获得高Q因数，边界表面引起施加到压电层230的电场的差异。例如，由于电容在内间隙G11-1的边界表面上快速变化，因此可反射横向波以在反谐振点处获得高Q因数。
例如，第一电容器部形成在形成内间隙G11-1的区域中，并且具有与第一电容器部的电容不同的电容的第二电容器部形成在内间隙G11-1的外部。因此，可在反谐振点处获得高Q因数。
图5是根据示例的体声波谐振器300的说明图。
参照图5，体声波谐振器300可包括第一电极320和压电层330，第一电极320和压电层330的一部分彼此分开以形成第一间隙G13。压电层330和第二电极340的一部分彼此分开以形成第二间隙G2。也就是说，第一间隙G13形成在压电层330的下表面和第一电极320的上表面之间，并且第二间隙G2设置在压电层330的上表面和第二电极340的下表面之间。第一电极320可设置在基板310上。
第一间隙G13可包括设置在有效区S中的内间隙G13-1和设置在有效区S的外部的外间隙G13-2。为了形成外间隙G13-2，在第一电极320上形成倾斜表面322。倾斜表面322可包括在第一电极320中以设置在有效区S的外部。
可设置内间隙G13-1以获得高Q因数。例如，内间隙G13-1可用作电容器使得即使在高频带中也获得高Q因数。
当内间隙G13-1减小以具有高电容时，可在高频带中减少信号损耗。因此，可改善在谐振期间在压电层330和内间隙G13-1之间的边界处产生的纵向波的反射效率以获得高Q因数。
由于体声波谐振器300的频率仅受压电层330的厚度影响，因此在这种结构中第二电极340的厚度可增大。因此，可减小由第二电极340形成的电阻而不受频率的限制。结果，可在谐振点处获得高Q因数。
此外，由于第一间隙G13包括外间隙G13-2，因此可减少由谐振驱动期间产生的横向波引起的能量泄漏。因此，横向波从边界表面反射以在反谐振点处获得高Q因数，边界表面引起施加到压电层330的电场的差异。例如，由于电容在内间隙G13-1的边界表面上快速变化，因此可反射横向波以在反谐振点处获得高Q因数。
例如，第一电容器部形成在形成内间隙G13-1的区域中，并且具有与第一电容器部的电容不同的电容的第二电容器部形成在内间隙G13-1的外部。因此，可在反谐振点处获得高Q因数。
第二电极340和压电层330的一部分彼此分开以形成第二间隙G2。第二间隙G2可包括设置在有效区S中的内间隙G2-1和设置在有效区S外部的外间隙G2-2。为了形成外间隙G2，在第二电极340上形成倾斜表面342。倾斜表面342可包括在第二电极340中使得倾斜表面342设置在有效区S的外部。
可设置内间隙G2-1以获得高Q因数。例如，内间隙G2-1可用作电容器使得即使在高频带中也获得高Q因数。
当内间隙G2-1减小以具有高电容时，可在高频带中减少信号损耗。因此，可改善在谐振期间在压电层330和内间隙G2-1之间的边界处产生的纵向波的反射效率以获得高Q因数。
由于体声波谐振器300的频率仅受压电层330的厚度影响，因此在这种结构中第二电极340的厚度可增大。因此，可减小由第二电极340形成的电阻而不受频率的限制。结果，可在谐振点处获得高Q因数。
此外，由于第二间隙G2包括外间隙G2-2，因此可减少由谐振驱动期间产生的横向波引起的能量泄漏。因此，横向波从边界表面反射以在反谐振点处获得高Q因数，边界表面引起施加到压电层330的电场的差异。例如，由于电容在内间隙G2-1的边界表面处快速变化，因此横向波可从内间隙G2-1的边界表面反射以在反谐振点处获得高Q因数。
例如，第三电容器部形成在形成内间隙G2-1的区域中，并且具有与第三电容器部的电容不同的电容的第四电容器部形成在内间隙G2-1的外部。因此，可在反谐振点处获得高Q因数。
如图6中所示，在常规谐振器的情况下，例如，在没有形成第一间隙G13和第二间隙G2的情况下，Qp(相位品质因数)值在2327和3141之间。然而，如图7中所示，在形成第一间隙G13和第二间隙G2的情况下，Qp值在3790和4201之间。
图8是根据示例的体声波谐振器400的说明图。
参照图8，体声波谐振器400可包括第一电极420和压电层430，第一电极420和压电层430的一部分彼此分开以形成第一间隙G14。压电层430和第二电极440的一部分彼此分开以形成第二间隙G21。也就是说，第一间隙G14形成在压电层430的下表面和第一电极420的上表面之间，并且第二间隙G21设置在压电层430的上表面和第二电极440的下表面之间。第一电极420可设置在基板410上。
如上所述，第一电极420和压电层430的一部分彼此分开以形成第一间隙G14。作为示例，可通过去除牺牲层(未示出)形成第一间隙G14。这样，可设置第一间隙G14以获得高Q因数。例如，第一间隙G14可用作电容器使得即使在高频带中也获得高Q因数。
当间隙G14的内间隙G14-1减小以具有高电容时，可在高频带中减少信号损耗。因此，可改善谐振期间在压电层430和第一间隙G14之间的边界处产生的纵向波的反射效率以获得高Q因数。
由于体声波谐振器400的频率仅受压电层430的厚度影响，因此在这种结构中第一电极420的厚度可增大。因此，可减小由第一电极420形成的电阻而不受频率的限制。结果，可在谐振点处获得高Q因数。
第二电极440和压电层430的一部分彼此分开以形成第二间隙G21。第二间隙G21可包括设置在有效区S中的内间隙G21-1和设置在有效区S外部的外间隙G21-2。为了形成外间隙G21-2，在第二电极440上形成倾斜表面442。倾斜表面442可包括在第二电极440中使得倾斜表面442设置在有效区S的外部。
可设置内间隙G21-1以获得高Q因数。例如，内间隙G21-1可用作电容器使得即使在高频带中也获得高Q因数。
当内间隙G21-1减小以具有高电容时，可在高频带中减少信号损耗。因此，可改善谐振期间在压电层430和内间隙G21-1之间的边界处产生的纵向波的反射效率以获得高Q因数。
由于体声波谐振器400的频率仅受压电层430的厚度影响，因此在这种结构中第二电极440的厚度可增大。因此，可减小由第二电极440形成的电阻而不受频率的限制。结果，可在谐振点处获得高Q因数。
此外，由于第二间隙G21包括外间隙G21-2，因此可减少由谐振驱动期间产生的横向波引起的能量泄漏。因此，横向波从边界表面反射以在反谐振点处获得高Q因数，边界表面引起施加到压电层430的电场的差异。例如，由于电容在内间隙G21-1的边界表面处快速变化，因此横向波可从内间隙G21-1的边界表面反射以在反谐振点处获得高Q因数。
例如，第一电容器部形成在形成内间隙G21-1的区域中，并且具有与第一电容器部的电容不同的电容的第二电容器部形成在内间隙G21-1的外部。因此，可在反谐振点处获得高Q因数。
图9是根据示例的体声波谐振器500的说明图。
参照图9，体声波谐振器500可包括第一电极520和压电层530，第一电极520和压电层530的一部分彼此分开以形成第一间隙G15。压电层530和第二电极540的一部分彼此分开以形成第二间隙G22。也就是说，第一间隙G15形成在压电层530的下表面和第一电极520的上表面之间，并且第二间隙G22设置在压电层530的上表面和第二电极540的下表面之间。第一电极520可设置在基板510上。
第一间隙G15可包括设置在有效区S中的内间隙G15-1和设置在有效区S外部的外间隙G15-2。为了形成外间隙G15-2，在第一电极520上形成倾斜表面522。倾斜表面522可包括在第一电极520中使得倾斜表面522设置在有效区S的外部。
可设置内间隙G15-1以获得高Q因数。例如，内间隙G15-1可用作电容器使得即使在高频带中也获得高Q因数。
当内间隙G15-1减小以具有高电容时，可在高频带中减少信号损耗。因此，可改善谐振期间在压电层530和内间隙G15-1之间的边界处产生的纵向波的反射效率以获得高Q因数。
由于体声波谐振器500的频率仅受压电层530的厚度影响，因此在这种结构中第一电极520的厚度可增大。因此，可减小由第一电极520形成的电阻而不受频率的限制。结果，可在谐振点处获得高Q因数。
此外，由于第一间隙G15包括外间隙G15-2，因此可减少由谐振驱动期间产生的横向波引起的能量泄漏。因此，横向波从边界表面反射以在反谐振点处获得高Q因数，边界表面引起施加到压电层530的电场的差异。例如，由于电容在内间隙G15-1的边界表面上快速变化，因此可反射横向波以在反谐振点处获得高Q因数。
例如，第一电容器部形成在形成内间隙G15-1的区域中，并且具有与第一电容器部的电容不同的电容的第二电容器部形成在内间隙G15-1的外部。因此，可在反谐振点处获得高Q因数。
第二电极540和压电层530的一部分彼此分开以形成第二间隙G22。作为示例，可通过去除牺牲层(未示出)形成第二间隙G22。这样，可设置第二间隙G22以获得高Q因数。例如，第二间隙G22可用作电容器使得即使在高频带中也获得高Q因数。
当内间隙G22-1减小以具有高电容时，可在高频带中减少信号损耗。因此，可改善谐振期间在压电层530和内间隙G22-1之间的边界处产生的纵向波的反射效率以获得高Q因数。
由于体声波谐振器500的频率仅受压电层530的厚度影响，因此在这种结构中第二电极540的厚度可增大。因此，可减小由第二电极540形成的电阻而不受频率的限制。结果，可在谐振点处获得高Q因数。
图10是根据示例的体声波谐振器600的说明图。
参照图10，体声波谐振器600包括第一电极620和压电层630，第一电极620和压电层630的一部分彼此分开以形成第一间隙G16。压电层630和第二电极640的一部分彼此分开以形成第二间隙G23。也就是说，第一间隙G16形成在压电层630的下表面和第一电极620的上表面之间，并且第二间隙G23设置在压电层630的上表面和第二电极640的下表面之间。第一电极620可设置在基板610上。
第一间隙G16可包括设置在有效区S中的内间隙G16-1和设置在有效区S外部的外间隙G16-2。为了形成外间隙G16-2，第一倾斜表面632形成在压电层630上。第一倾斜表面632可包括在压电层630中使得第一倾斜表面632设置在有效区S的外部。
可设置内间隙G16-1以获得高Q因数。例如，内间隙G16-1可用作电容器使得即使在高频带中也获得高Q因数。
当内间隙G16-1减小以具有高电容时，可在高频带中减少信号损耗。因此，可改善谐振期间在压电层630和内间隙G16-1之间的边界处产生的纵向波的反射效率以获得高Q因数。
由于体声波谐振器600的频率仅受到压电层630的厚度的影响，因此在这种结构中第一电极620的厚度可增大。因此，可减小由第一电极620形成的电阻而不受频率的限制。结果，可在谐振点处获得高Q因数。
此外，由于第一间隙G16包括外间隙G16-2，因此可减少由谐振驱动期间产生的横向波引起的能量泄漏。因此，横向波从边界表面反射以在反谐振点处获得高Q因数，边界表面引起施加到压电层630的电场的差异。例如，由于电容在内间隙G16-1的边界表面上快速变化，因此可反射横向波以在反谐振点处获得高Q因数。
例如，第一电容器部形成在形成内间隙G16-1的区域中，并且具有与第一电容器部的电容不同的电容的第二电容器部形成在内间隙G16-1的外部。因此，可在反谐振点处获得高Q因数。
第二电极640和压电层630的一部分彼此分开以形成第二间隙G23。第二间隙G23可包括设置在有效区S中的内间隙G23-1和设置在有效区S外部的外间隙G23-2。为了形成外间隙G23-2，在压电层630的上端形成第二倾斜表面634。第二倾斜表面634可包括在压电层630中使得第二倾斜表面634设置在有效区S的外部。
可设置内间隙G23-1以获得高Q因数。例如，内间隙G23-1可用作电容器使得即使在高频带中也获得高Q因数。
当内间隙G23-1减小以具有高电容时，可在高频带中减少信号损耗。因此，可改善谐振期间在压电层630和内间隙G23-1之间的边界处产生的纵向波的反射效率以获得高Q因数。
由于体声波谐振器600的频率仅受压电层630的厚度的影响，因此在这种结构中第二电极640的厚度可增大。因此，可减小由第二电极640形成的电阻而不受频率的限制。结果，可在谐振点处获得高Q因数。
此外，由于第二间隙G23包括外间隙G23-2，因此可减少由谐振驱动期间产生的横向波引起的能量泄漏。因此，横向波从边界表面反射以在反谐振点处获得高Q因数，边界表面引起施加到压电层630的电场的差异。例如，由于电容在内间隙G23-1的边界表面处快速变化，因此横向波可从内间隙G23-1的边界表面反射以在反谐振点处获得高Q因数。
例如，第三电容器部形成在形成内间隙G23-1的区域中，并且具有与第三电容器部的电容不同的电容的第四电容器部形成在内间隙G23-1的外部。因此，可在反谐振点处获得高Q因数。
图11是根据示例的体声波谐振器700的说明图。
参照图11，体声波谐振器700包括第一电极720和压电层730，第一电极720和压电层730的一部分彼此分开以形成第一间隙G17。压电层730和第二电极740的一部分彼此分开以形成第二间隙G24。也就是说，第一间隙G17形成在压电层730的下表面和第一电极720的上表面之间，并且第二间隙G24设置在压电层730的上表面和第二电极740的下表面之间。第一电极720可设置在基板710上。
第一电极720和压电层730的一部分彼此分开以形成第一间隙G17。作为示例，可通过去除牺牲层(未示出)形成第一间隙G17。可设置第一间隙G17以获得高Q因数。例如，第一间隙G17可用作电容器使得即使在高频带中也获得高Q因数。
当第一间隙G17减小以具有高电容时，可在高频带中减少信号损耗。因此，可改善在谐振期间在压电层730和第一间隙G17之间的边界处产生的纵向波的反射效率以获得高Q因数。
由于体声波谐振器700的频率仅受压电层730的厚度影响，因此在这种结构中第二电极740的厚度可增大。因此，可减小由第二电极740形成的电阻而不受频率的限制。结果，可在谐振点处获得高Q因数。
第二电极740和压电层730的一部分彼此分开以形成第二间隙G24。第二间隙G24可包括设置在有效区S中的内间隙G24-1和设置在有效区S外部的外间隙G24-2。为了形成外间隙G24-2，在第二电极740上形成倾斜表面742。倾斜表面742可包括在第二电极740中使得倾斜表面742设置在有效区S的外部。
可设置内间隙G24-1以获得高Q因数。例如，内间隙G24-1可用作电容器使得即使在高频带中也获得高Q因数。
当内间隙G24-1减小以具有高电容时，可在高频带中减少信号损耗。因此，可改善谐振期间在压电层730和内间隙G24-1之间的边界处产生的纵向波的反射效率以获得高Q因数。
由于体声波谐振器700的频率仅受压电层730的厚度影响，因此第二电极740的厚度可在这种结构中增大。因此，可减小由第二电极740形成的电阻而不受频率的限制。结果，可在谐振点处获得高Q因数。
此外，由于第二间隙G24包括外间隙G24-2，因此可减少由谐振驱动期间产生的横向波引起的能量泄漏。因此，横向波从边界表面反射以在反谐振点处获得高Q因数，边界表面引起施加到压电层730的电场的差异。例如，由于电容在内间隙G24-1的边界表面处快速变化，因此横向波可从内间隙G24-1的边界表面反射以在反谐振点处获得高Q因数。
例如，第一电容器部形成在形成内间隙G17-1的区域中，并且具有与第一电容器部的电容不同的电容的第二电容器部形成在内间隙G17-1的外部。因此，可在反谐振点处获得高Q因数。
图12是根据示例的体声波谐振器800的说明图。
参照图12，体声波谐振器800包括第一电极820和压电层830，第一电极820和压电层830的一部分彼此分开以形成第一间隙G18。压电层830和第二电极840的一部分彼此分开以形成第二间隙G25。也就是说，第一间隙G18形成在压电层830的下表面和第一电极820的上表面之间，并且第二间隙G25设置在压电层830的上表面和第二电极840的下表面之间。第一电极820可设置在基板810上。
第一电极820和压电层830的一部分彼此分开以形成第一间隙G18。作为示例，可通过去除牺牲层(未示出)来形成第一间隙G18。可设置第一间隙G18以获得高Q因数。例如，第一间隙G18可用作电容器使得即使在高频带中也获得高Q因数。
当第一间隙G18减小以具有高电容时，可在高频带中减少信号损耗。因此，可改善谐振期间在压电层830和第一间隙G18之间的边界处产生的纵向波的反射效率以获得高Q因数。
由于体声波谐振器800的频率仅受压电层830的厚度影响，因此在这种结构中第一电极820的厚度可增大。因此，可减小由第一电极820形成的电阻而不受频率的限制。结果，可在谐振点处获得高Q因数。
第二间隙G25设置在第二电极840和压电层830之间。第二间隙G25可包括设置在有效区S中的内间隙G25-1和设置在有效区S外部的外间隙G25-2。为了形成外间隙G25-2，在第二电极840上形成台阶凹槽842。台阶凹槽842可形成在第二电极840上使得台阶凹槽842设置在有效区S中。
由于第二间隙G25包括内间隙G25-1和外间隙G25-2，因此可减少由谐振驱动期间产生的横向波引起的能量泄漏。因此，横向波从边界表面反射以在反谐振点处获得高Q因数，边界表面引起施加到压电层830的电场的差异。例如，由于电容在内间隙G18-1的边界表面上快速变化，因此可反射横向波以在反谐振点处获得高Q因数。例如，由于电容在内间隙G25-1的边界表面上快速变化，因此可反射横向波以在反谐振点处获得高Q因数。
例如，第一电容器部形成在形成内间隙G25-1的区域中，并且具有与第一电容器部的电容不同的电容的第二电容器部形成在内间隙G25-1的外部。因此，可在反谐振点处获得高Q因数。
图13是根据示例的体声波谐振器900的说明图。
参照图13，体声波谐振器900包括第一电极920和压电层930，第一电极920和压电层930的一部分彼此分开以形成第一间隙G19。压电层930和第二电极940的一部分彼此分开以形成第二间隙G26。也就是说，第一间隙G19形成在压电层930的下表面和第一电极920的上表面之间，并且第二间隙G26设置在压电层930的上表面和第二电极940的下表面之间。第一电极920可设置在基板910上。
第一间隙G19可包括设置在有效区S中的内间隙G19-1和设置在有效区S外部的外间隙G19-2。为了形成外间隙G19-2，在第一电极920上形成倾斜表面922。倾斜表面922可包括在第一电极920中使得倾斜表面922设置在有效区S的外部。
可设置内间隙G19-1以获得高Q因数。例如，内间隙G19-1可用作电容器使得即使在高频带中也获得高Q因数。
当内间隙G19-1减小以具有高电容时，可在高频带中减少信号损耗。因此，可改善谐振期间在压电层930和内间隙G19-1之间的边界处产生的纵向波的反射效率以获得高Q因数。
由于体声波谐振器900的频率仅受到压电层930的厚度的影响，因此在这种结构中第一电极920的厚度可增大。因此，可减小由第一电极920形成的电阻而不受频率的限制。结果，可在谐振点处获得高Q因数。
此外，由于第一间隙G19包括外间隙G19-2，因此可减少由谐振驱动期间产生的横向波引起的能量泄漏。因此，横向波从边界表面反射以在反谐振点处获得高Q因数，边界表面引起施加到压电层930的电场的差异。例如，由于电容在内间隙G19-1的边界表面上快速变化，因此可反射横向波以在反谐振点处获得高Q因数。
例如，第一电容器部形成在形成内间隙G19-1的区域中，并且具有与第一电容器部的电容不同的电容的第二电容器部形成在内间隙G19-1的外部。因此，可在反谐振点处获得高Q因数。
压电层930设置在第一电极920的至少一部分的上方。压电层930被构造为将电能转换为声波形式的机械能(压电效应)。作为示例，压电层930利用氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)和锆钛酸铅(PbZrTiO(PZT))中的一种形成。压电层930还可包括稀土金属。作为示例，压电层930可包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的至少一种。压电层930可包括过渡金属。作为示例，过渡金属可包括锆(Zr)、铪(Hf)、钽(Ta)和铌(Nb)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合。压电层930还可包括镁(Mg)或另一种二价金属。
压电层930可设置有表面处理层932和934。表面处理层932和934可分别设置在压电层930的顶表面和底表面上。作为示例，表面处理层932和934可通过掺杂或退火形成。可选地，表面处理层932和934可通过在改变压电层930的沉积条件(例如，温度调节或RF功率调节)的同时执行的应力变化工艺形成。
由于表面处理层932和934分别设置在压电层930的顶表面和底表面上，因此与压电层930暴露在空气层中的情况相比，可改善谐振器的品质(例如，Kt2)。
第二间隙G26设置在第二电极940和压电层930之间。第二间隙G26可包括设置在有效区S中的内间隙G26-1和设置在有效区S外部的外间隙G26-2。为了形成外间隙G26-2，在第二电极940上形成倾斜表面942。倾斜表面942可包括在第二电极940中使得倾斜表面942设置在有效区S的外部。
可设置内间隙G26-1以获得高Q因数。例如，内间隙G26-1可用作电容器使得即使在高频带中也获得高Q因数。
当内间隙G26-1减小以具有高电容时，可在高频带中减少信号损耗。因此，可改善谐振期间在压电层930和内间隙G26-1之间的边界处产生的纵向波的反射效率以获得高Q因数。
由于体声波谐振器900的频率仅受压电层930的厚度影响，因此在这种结构中第二电极940的厚度可增大。因此，可减小由第二电极940形成的电阻而不受频率的限制。结果，可在谐振点处获得高Q因数。
此外，由于第二间隙G26包括外间隙G26-2，因此可减少由谐振驱动期间产生的横向波引起的能量泄漏。因此，横向波从边界表面反射以在反谐振点处获得高Q因数，边界表面引起施加到压电层930的电场的差异。例如，由于电容在内间隙G26-1的边界表面处快速变化，因此横向波可从内间隙G26-1的边界表面反射以在反谐振点处获得高Q因数。
例如，第三电容器部形成在形成内间隙G26-1的区域中，并且具有与第三电容器部的电容不同的电容的第四电容器部形成在内间隙G26-1的外部。因此，可在反谐振点处获得高Q因数。
图14是根据示例的体声波谐振器1000的说明图。
参照图14，体声波谐振器1000包括设置在基板1010上的第一电极1020和设置在第一电极1020上的压电层1030。第二电极1040设置在压电层1030的上方，并且第二电极1040和压电层1030的一部分彼此分开以形成第一间隙G3。
压电层1030被配置为将电能转换为声波形式的机械能(压电效应)。作为示例，压电层1030可利用氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)和锆钛酸铅(PbZrTiO(PZT))中的一种形成。压电层1030还可包括稀土金属。作为示例，压电层1030可包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合。压电层1030可包括过渡金属。作为示例，过渡金属可包括锆(Zr)、铪(Hf)、钽(Ta)和铌(Nb)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合。压电层1030还可包括诸如镁(Mg)的二价金属。
压电层1030可设置有表面处理层1032。表面处理层1032可设置在压电层1030的顶表面上。作为示例，表面处理层1032可通过掺杂或退火形成。可选地，表面处理层1032可通过在改变压电层1030的沉积条件(例如，温度调节或RF功率调节)的同时执行的应力变化工艺形成。
由于表面处理层1032设置在压电层1030的顶表面上，因此与压电层1030暴露于空气层的情况相比，可改善谐振器的品质(例如，Kt2)。
第一间隙G3设置在第二电极1040和压电层1030之间。第一间隙G3可包括设置在有效区S中的内间隙G3-1和设置在有效区S外部的外间隙G3-2。为了形成外间隙G3-2，在第二电极1040上形成倾斜表面1042。倾斜表面1042可包括在第二电极1040中使得倾斜表面1042设置在有效区S的外部。
可设置内间隙G3-1以获得高Q因数。例如，内间隙G3-1可用作电容器使得即使在高频带中也获得高Q因数。
当内间隙G3-1减小以具有高电容时，可在高频带中减少信号损耗。因此，可改善谐振期间在压电层1030和内间隙G3-1之间的边界处产生的纵向波的反射效率以获得高Q因数。
由于体声波谐振器1000的频率仅受到压电层1030的厚度的影响，因此在这种结构中第二电极1040的厚度可增大。因此，可减小由第二电极1040形成的电阻而不受频率的限制。结果，可在谐振点处获得高Q因数。
此外，由于第一间隙G3包括外间隙G3-2，因此可减少由谐振驱动期间产生的横向波引起的能量泄漏。因此，横向波从边界表面反射以在反谐振点处获得高Q因数，边界表面引起施加到压电层1030的电场的差异。例如，由于电容在内间隙G3-1的边界表面上快速变化，因此可反射横向波以在反谐振点处获得高Q因数。
例如，第一电容器部形成在形成内间隙G3-1的区域中，并且具有与第一电容器部的电容不同的电容的第二电容器部形成在内间隙G3-1的外部。因此，可在反谐振点处获得高Q因数。
图15是根据示例的体声波谐振器1100的说明图。
参照图15，体声波谐振器1100包括第一电极1120和压电层1130，第一电极1120和压电层1130的一部分彼此分开以形成第一间隙G31。第一电极1120可设置在基板1110上。第二电极1140可设置在压电层1130上。
第一间隙G31可包括设置在有效区S中的内间隙G31-1和设置在有效区S外部的外间隙G31-2。为了形成外间隙G31-2，在第一电极1120上形成倾斜表面1122。倾斜表面1122可包括在第一电极1120中使得倾斜表面1122设置在有效区S的外部。
可设置内间隙G31-1以获得高Q因数。例如，内间隙G31-1可用作电容器使得即使在高频带中也获得高Q因数。
当内间隙G31-1减小以具有高电容时，可在高频带中减少信号损耗。因此，可改善谐振期间在压电层1130和内间隙G31-1之间的边界处产生的纵向波的反射效率以获得高Q因数。
由于体声波谐振器1100的频率仅受压电层1130的厚度影响，因此在这种结构中第一电极1120的厚度可增大。因此，可减小由第一电极1120形成的电阻而不受频率的限制。结果，可在谐振点处获得高Q因数。
此外，由于第一间隙G31包括外间隙G31-2，因此可减少由谐振驱动期间产生的横向波引起的能量泄漏。因此，横向波从边界表面反射以在反谐振点处获得高Q因数，边界表面引起施加到压电层1130的电场的差异。例如，由于电容在内间隙G31-1的边界表面上快速变化，因此可反射横向波以在反谐振点处获得高Q因数。
例如，第一电容器部形成在形成内间隙G31-1的区域中，并且具有与第一电容器部的电容不同的电容的第二电容器部形成在内间隙G31-1的外部。因此，可在反谐振点处获得高Q因数。
压电层1130设置在第一电极1120的至少一部分上。压电层1130被配置为将电能转换为声波形式的机械能。作为示例，压电层1130利用氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)和锆钛酸铅(PbZrTiO(PZT))中的一种形成。压电层130还可包括稀土金属。作为示例，压电层1130可包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合。压电层1130可包括过渡金属。作为示例，过渡金属可包括锆(Zr)、铪(Hf)、钽(Ta)和铌(Nb)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合。压电层1130也可包括诸如镁(Mg)的二价金属。
压电层1130可设置有表面处理层1132。表面处理层1132可设置在压电层1130的底表面上。作为示例，表面处理层1132可通过掺杂或者退火形成。可选地，表面处理层1132可通过在改变压电层1130的沉积条件(例如，温度调节或RF功率调节)的同时执行的应力变化工艺形成。
由于表面处理层1132设置在压电层1130的底表面上，因此与压电层1130暴露于空气层的情况相比，可改善谐振器的品质(例如，Kt2)。
图16是根据示例的体声波谐振器1200的说明图。
参照图16，体声波谐振器1200包括第一电极1220和压电层1230，第一电极1220和压电层1230的一部分彼此分开以形成第一间隙G32。压电层1230和第二电极1240的一部分彼此分开以形成第二间隙G4。也就是说，第一间隙G32形成在压电层1230的下表面和第一电极1220的上表面之间，第二间隙G4设置在压电层1230的上表面和第二电极1240的下表面之间。第一电极1220可设置在基板1210上。
第一间隙G32可包括设置在有效区S中的内间隙G32-1和设置在有效区S外部的外间隙G32-2。为了形成外间隙G32-2，在第一电极1220上形成倾斜表面1222。倾斜表面1222可包括在第一电极1220中使得倾斜表面1222设置在有效区S的外部。
可设置内间隙G32-1以获得高Q因数。例如，内间隙G32-1可用作电容器使得即使在高频带中也获得高Q因数。
当内间隙G32-1减小以具有高电容时，可在高频带中减少信号损耗。因此，可改善谐振期间在压电层1230和内间隙G32-1之间的边界处产生的纵向波的反射效率以获得高Q因数。
由于体声波谐振器1200的频率仅受到压电层1230的厚度的影响，因此在这种结构中第一电极1220的厚度可增加。因此，可减小由第一电极1220形成的电阻而不受频率的限制。结果，可在谐振点处获得高Q因数。
此外，由于第一间隙G32包括外间隙G32-2，因此可减少由谐振驱动期间产生的横向波引起的能量泄漏。因此，横向波从边界表面反射以在反谐振点处获得高Q因数，边界表面引起施加到压电层1230的电场的差异。例如，由于电容在内间隙G32-1的边界表面上快速变化，因此可反射横向波以在反谐振点处获得高Q因数。
例如，第一电容器部形成在形成内间隙G32-1的区域中，并且具有与第一电容器部的电容不同的电容的第二电容器部形成在内间隙G32-1的外部。因此，可在反谐振点处获得高Q因数。
第二电极1240和压电层1230的一部分彼此分开以形成第二间隙G4。第二间隙G4可包括设置在有效区S中的内间隙G4-1和设置在有效区S外部的外间隙G4-2。为了形成外间隙G4-2，在第二电极1240上形成倾斜表面1242。倾斜表面1242可包括在第二电极1240中以设置在有效区S的外部。
可设置内间隙G4-1以获得高Q因数。例如，内间隙G4-1可用作电容器使得即使在高频带中也获得高Q因数。
当内间隙G4-1减小以具有高电容时，可在高频带中减少信号损耗。因此，可改善谐振期间在压电层1230和内间隙G4-1之间的边界处产生的纵向波的反射效率以获得高Q因数。
由于体声波谐振器1200的频率仅受到压电层1230的厚度的影响，因此在这种结构中第二电极1240的厚度可增大。因此，可减小由第二电极1240形成的电阻而不受频率的限制。结果，可在谐振点处获得高Q因数。
此外，由于第二间隙G2包括外间隙G4-2，因此可减少由谐振驱动期间产生的横向波引起的能量泄漏。因此，横向波从边界表面反射以在反谐振点处获得高Q因数，边界表面引起施加到压电层1230的电场的差异。例如，由于电容在内间隙G4-1的边界表面处快速变化，因此横向波可从内间隙G4-1的边界表面反射以在反谐振点处获得高Q因数。
例如，第三电容器部形成在形成内间隙G4-1的区域中，并且具有与第三电容器部的电容不同的电容的第四电容器部形成在内间隙G4-1的外部。因此，可在反谐振点处获得高Q因数。
第一间隙G32和第二间隙G4可填充有介电常数高于空气的介电常数的气体V，例如，蒸气。因此，可获得高电容，同时避免在设置窄间隙(或更小)时可能发生的制造工艺困难。例如，由于第一间隙G32和第二间隙G4填充有介电常数高于空气的介电常数的蒸气，因此不需要设置窄间隙。结果，可避免与形成窄间隙相关的制造工艺困难的发生。
如上所述，体声波谐振器被构造为使得可反射横向波以在反谐振点处获得高Q因数。
虽然本公开包括具体示例，但在理解本申请的公开内容之后将明显的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神及范围的情况下，可对这些示例作出形式和细节上的各种变化。这里所描述的示例将仅被理解为描述性意义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被理解为可适用于其他示例中的类似的特征或方面。如果按照不同的顺序执行描述的技术，和/或如果按照不同的方式组合和/或通过其他组件或它们的等同物替换或增补描述的系统、架构、装置或电路中的组件，则可获得合适的结果。因此，本公开的范围并不通过具体实施方式限定，而是通过权利要求及其等同物限定，在权利要求及其等同物的范围之内的全部变型将被理解为包括在本公开中。

Claims (16)

1.一种体声波谐振器，包括：
基板；
第一电极，设置在所述基板上；
压电层，设置在所述第一电极的至少一部分上；以及
第二电极，设置在所述压电层的至少一部分上，
其中，在所述第一电极和所述第二电极中的一个与所述压电层之间形成有第一间隙，并且
其中，所述第一间隙包括：
第一内间隙，设置在所述体声波谐振器的有效区中，并且在所述第一电极和所述第二电极中的所述一个与所述压电层之间具有第一间隔距离，以及
第一外间隙，设置在所述有效区的外部，并且在所述第一电极和所述第二电极中的所述一个与所述压电层之间具有不同于所述第一间隔距离的第二间隔距离。
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一间隔距离小于所述第二间隔距离。
3.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其中，所述第一间隙形成在所述压电层和所述第二电极之间。
4.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述第一电极和所述压电层彼此分开恒定距离。
5.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其中，所述第一间隙形成在所述压电层和所述第一电极之间。
6.根据权利要求5所述的体声波谐振器，其中，所述第二电极和所述压电层彼此分开恒定距离。
7.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一电极和所述第二电极中的所述一个包括形成所述第一外间隙的倾斜表面。
8.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述压电层包括形成所述第一外间隙的倾斜表面。
9.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一电极和所述第二电极中的所述一个具有形成所述第一外间隙的弯曲表面。
10.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一间隔距离大于所述第二间隔距离。
11.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述体声波谐振器还包括设置在所述压电层上的表面处理层。
12.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一间隙填充有介电常数高于空气的介电常数的气体。
13.根据权利要求1所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括：
间隔件，设置在所述第一电极和所述第二电极中的所述一个与所述压电层之间。
14.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，在所述第一电极和所述第二电极中的另一个与所述压电层之间形成有第二间隙，并且
所述第二间隙包括：
第二内间隙，设置在所述有效区中，并且在所述第一电极和所述第二电极中的另一个与所述压电层之间具有第三间隔距离，以及
第二外间隙，设置在所述有效区的外部，并且在所述第一电极和所述第二电极中的另一个与所述压电层之间具有不同于所述第三间隔距离的第四间隔距离。
15.一种体声波谐振器，包括：
基板；
第一电极，设置在所述基板上；
压电层，设置在所述第一电极的至少一部分上；以及
第二电极，设置在所述压电层的至少一部分上，
其中，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个的一部分与所述压电层分开，
其中，所述第一电极和所述第二电极中的所述至少一个与所述压电层形成具有第一电容的第一电容器部和具有不同于所述第一电容的第二电容的第二电容器部，并且
其中，所述第一电容器部设置在所述体声波谐振器的有效区中，并且所述第二电容器部设置在所述有效区的外部。
16.根据权利要求15所述的体声波谐振器，其中，所述第一电极和第二电极中的所述至少一个包括设置在所述有效区的边界处的台阶部或倾斜部。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111010121A (zh) * 2019-10-18 2020-04-14 天津大学 带不导电插入层的体声波谐振器、滤波器和电子设备
CN111010123A (zh) * 2019-10-23 2020-04-14 诺思(天津)微系统有限责任公司 电极具有空隙层和凸起结构的体声波谐振器、滤波器及电子设备
WO2020244254A1 (zh) * 2019-06-04 2020-12-10 天津大学 台阶结构的空隙被部分填充的谐振器、滤波器及电子设备
WO2021114555A1 (zh) * 2019-12-11 2021-06-17 诺思(天津)微系统有限责任公司 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备
CN112994639A (zh) * 2019-12-16 2021-06-18 中芯集成电路（宁波）有限公司 一种薄膜压电声波谐振器及其制造方法及滤波器
WO2021120499A1 (zh) * 2019-12-16 2021-06-24 诺思(天津)微系统有限责任公司 电极具有空隙层与温补层的体声波谐振器、滤波器及电子设备
CN113497594A (zh) * 2020-04-08 2021-10-12 诺思(天津)微系统有限责任公司 单晶体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备
WO2021254343A1 (zh) * 2020-06-16 2021-12-23 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法
CN115603697A (zh) * 2022-09-21 2023-01-13 见闻录（浙江）半导体有限公司（Cn） 一种声波谐振器及其制造方法、滤波器和电子设备

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019113797A1 (de) * 2019-05-23 2020-12-10 RF360 Europe GmbH BAW-Resonator mit reduzierten Verlusten, HF-Filter, Multiplexer und Verfahren zum Herstellen eines BAW-Resonators
CN113131896B (zh) * 2019-12-31 2024-04-30 中芯集成电路（宁波）有限公司 一种薄膜压电声波谐振器及其制造方法及滤波器
US11768178B2 (en) * 2020-02-28 2023-09-26 Baker Hughes Oilfield Operations Llc Embedded electrode tuning fork
CN111740718A (zh) * 2020-06-22 2020-10-02 深圳市信维通信股份有限公司 一种体声波谐振装置、一种滤波装置及一种射频前端装置

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0834989A2 (en) * 1996-10-02 1998-04-08 Nokia Mobile Phones Ltd. A device incorporating a tunable thin film bulk acoustic resonator for performing amplitude and phase modulation
JP2005159717A (ja) * 2003-11-26 2005-06-16 Toyo Commun Equip Co Ltd 圧電振動子とその製造方法
US20050269904A1 (en) * 2004-06-03 2005-12-08 Shuichi Oka Thin film bulk acoustic resonator and method of manufacturing the same
CN1864326A (zh) * 2003-10-06 2006-11-15 皇家飞利浦电子股份有限公司 谐振器结构及其制造方法
JP2009201101A (ja) * 2008-01-21 2009-09-03 Panasonic Electric Works Co Ltd Ｂａｗ共振装置およびその製造方法
US20140125202A1 (en) * 2009-11-25 2014-05-08 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave (baw) resonator structure having an electrode with a cantilevered portion and a piezoelectric layer with multiple dopants
CN103858342A (zh) * 2011-12-08 2014-06-11 三星电子株式会社 体声波谐振器及其制造方法以及使用体声波谐振器的射频装置
CN104124938A (zh) * 2014-07-18 2014-10-29 天津大学 谐振器以及谐振器的谐振频率调控方法
US20150349747A1 (en) * 2014-05-29 2015-12-03 Avago Technologies General Ip ( Singapore) Pte. Ltd. Capacitive coupled resonator device with air-gap separating electrode and piezoelectric layer
US20160300996A1 (en) * 2015-04-10 2016-10-13 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk acoustic wave resonator and filter including the same
US20170310303A1 (en) * 2016-04-21 2017-10-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave (baw) resonator structure
US20170373665A1 (en) * 2016-06-24 2017-12-28 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk acoustic wave resonator and filter including the same
US20180013397A1 (en) * 2016-07-07 2018-01-11 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk acoustic wave filter device and method of manufacturing the same
CN107592091A (zh) * 2016-07-07 2018-01-16 三星电机株式会社 体声波滤波器装置及其制造方法
US20180019723A1 (en) * 2016-07-14 2018-01-18 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk acoustic wave filter device
CN107623502A (zh) * 2016-07-14 2018-01-23 三星电机株式会社 体声波谐振器装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69836011T2 (de) 1998-01-16 2007-05-24 Mitsubishi Denki K.K. Piezoelektrische dünnschichtanordnung
US7280007B2 (en) 2004-11-15 2007-10-09 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Thin film bulk acoustic resonator with a mass loaded perimeter
JP4252584B2 (ja) 2006-04-28 2009-04-08 富士通メディアデバイス株式会社 圧電薄膜共振器およびフィルタ
JP5191762B2 (ja) 2008-03-06 2013-05-08 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振器、フィルタ、および通信装置
US8248185B2 (en) 2009-06-24 2012-08-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure comprising a bridge
US9673778B2 (en) 2009-06-24 2017-06-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Solid mount bulk acoustic wave resonator structure comprising a bridge
JP5319491B2 (ja) 2009-10-22 2013-10-16 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振子
JP2013138425A (ja) 2011-12-27 2013-07-11 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte Ltd ブリッジを備えるソリッドマウントバルク音響波共振器構造
KR101973416B1 (ko) 2014-07-31 2019-04-29 삼성전기주식회사 음향 공진기 및 음향 공진기의 제조 방법
US10720900B2 (en) 2016-07-07 2020-07-21 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Acoustic resonator and method
KR20180006248A (ko) 2016-07-07 2018-01-17 삼성전기주식회사 음향 공진기 및 그 제조 방법

Patent Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0834989A2 (en) * 1996-10-02 1998-04-08 Nokia Mobile Phones Ltd. A device incorporating a tunable thin film bulk acoustic resonator for performing amplitude and phase modulation
CN1864326A (zh) * 2003-10-06 2006-11-15 皇家飞利浦电子股份有限公司 谐振器结构及其制造方法
JP2005159717A (ja) * 2003-11-26 2005-06-16 Toyo Commun Equip Co Ltd 圧電振動子とその製造方法
US20050269904A1 (en) * 2004-06-03 2005-12-08 Shuichi Oka Thin film bulk acoustic resonator and method of manufacturing the same
JP2009201101A (ja) * 2008-01-21 2009-09-03 Panasonic Electric Works Co Ltd Ｂａｗ共振装置およびその製造方法
US20140125202A1 (en) * 2009-11-25 2014-05-08 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave (baw) resonator structure having an electrode with a cantilevered portion and a piezoelectric layer with multiple dopants
CN103858342A (zh) * 2011-12-08 2014-06-11 三星电子株式会社 体声波谐振器及其制造方法以及使用体声波谐振器的射频装置
US20150349747A1 (en) * 2014-05-29 2015-12-03 Avago Technologies General Ip ( Singapore) Pte. Ltd. Capacitive coupled resonator device with air-gap separating electrode and piezoelectric layer
CN104124938A (zh) * 2014-07-18 2014-10-29 天津大学 谐振器以及谐振器的谐振频率调控方法
US20160300996A1 (en) * 2015-04-10 2016-10-13 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk acoustic wave resonator and filter including the same
US20170310303A1 (en) * 2016-04-21 2017-10-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave (baw) resonator structure
US20170373665A1 (en) * 2016-06-24 2017-12-28 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk acoustic wave resonator and filter including the same
CN107529685A (zh) * 2016-06-24 2018-01-02 三星电机株式会社 体声波谐振器以及包括该体声波谐振器的滤波器
US20180013397A1 (en) * 2016-07-07 2018-01-11 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk acoustic wave filter device and method of manufacturing the same
CN107592091A (zh) * 2016-07-07 2018-01-16 三星电机株式会社 体声波滤波器装置及其制造方法
US20180019723A1 (en) * 2016-07-14 2018-01-18 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk acoustic wave filter device
CN107623502A (zh) * 2016-07-14 2018-01-23 三星电机株式会社 体声波谐振器装置

Non-Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JEFFREY B. SHEALY: "Low loss, 3.7GHz wideband BAW filters, using high power single crystal AlN-on-SiC resonators", 《2017 IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM (IMS)》 *
JEFFREY B. SHEALY: "Low loss, 3.7GHz wideband BAW filters, using high power single crystal AlN-on-SiC resonators", 《2017 IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM (IMS)》, 5 October 2017 (2017-10-05) *
张翊等: "薄膜体声波谐振器的结构参数优化分析", 《传感技术学报》 *
张翊等: "薄膜体声波谐振器的结构参数优化分析", 《传感技术学报》, no. 02, 15 February 2008 (2008-02-15) *
程伟;: "用一维Mason模型模拟薄膜体声波谐振器研究", 咸宁学院学报, no. 06 *
高杨: "体声波滤波器的设计与微加工方法", 《压电与声光》 *
高杨: "体声波滤波器的设计与微加工方法", 《压电与声光》, 30 April 2017 (2017-04-30) *

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020244254A1 (zh) * 2019-06-04 2020-12-10 天津大学 台阶结构的空隙被部分填充的谐振器、滤波器及电子设备
CN111010121A (zh) * 2019-10-18 2020-04-14 天津大学 带不导电插入层的体声波谐振器、滤波器和电子设备
WO2021073022A1 (zh) * 2019-10-18 2021-04-22 天津大学 带不导电插入层的体声波谐振器、滤波器和电子设备
CN111010123A (zh) * 2019-10-23 2020-04-14 诺思(天津)微系统有限责任公司 电极具有空隙层和凸起结构的体声波谐振器、滤波器及电子设备
WO2021077715A1 (zh) * 2019-10-23 2021-04-29 诺思(天津)微系统有限责任公司 电极具有空隙层和凸起结构的体声波谐振器、滤波器及电子设备
WO2021077717A1 (zh) * 2019-10-23 2021-04-29 诺思(天津)微系统有限责任公司 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备
CN111010123B (zh) * 2019-10-23 2021-06-01 诺思(天津)微系统有限责任公司 电极具有空隙层和凸起结构的体声波谐振器、滤波器及电子设备
WO2021114555A1 (zh) * 2019-12-11 2021-06-17 诺思(天津)微系统有限责任公司 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备
CN112994639A (zh) * 2019-12-16 2021-06-18 中芯集成电路（宁波）有限公司 一种薄膜压电声波谐振器及其制造方法及滤波器
WO2021120590A1 (zh) * 2019-12-16 2021-06-24 中芯集成电路（宁波）有限公司 一种薄膜压电声波谐振器及其制造方法及滤波器
WO2021120499A1 (zh) * 2019-12-16 2021-06-24 诺思(天津)微系统有限责任公司 电极具有空隙层与温补层的体声波谐振器、滤波器及电子设备
CN113497594A (zh) * 2020-04-08 2021-10-12 诺思(天津)微系统有限责任公司 单晶体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备
CN113497594B (zh) * 2020-04-08 2023-10-24 诺思(天津)微系统有限责任公司 单晶体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备
WO2021254343A1 (zh) * 2020-06-16 2021-12-23 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法
CN115603697A (zh) * 2022-09-21 2023-01-13 见闻录（浙江）半导体有限公司（Cn） 一种声波谐振器及其制造方法、滤波器和电子设备
CN115603697B (zh) * 2022-09-21 2024-01-23 见闻录(浙江)半导体有限公司 一种声波谐振器及其制造方法、滤波器和电子设备

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