CN110165076B - 有机发光二极管显示面板 - Google Patents
有机发光二极管显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110165076B CN110165076B CN201910447320.4A CN201910447320A CN110165076B CN 110165076 B CN110165076 B CN 110165076B CN 201910447320 A CN201910447320 A CN 201910447320A CN 110165076 B CN110165076 B CN 110165076B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- organic material
- display panel
- emitting diode
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 64
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一种有机发光二极管显示面板,包括:复合基板,所述复合基板包括第一衬底、阻隔层、多个包含有机材料结构交织其内的无机层,以及包含有机材料结构交织其内的第二衬底；缓冲层,设置在所述复合基板之上；薄膜晶体管层,设置在所述缓冲层之上；有机发光二极管器件层,设置在所述薄膜晶体管层之上；以及封装层,设置在所述有机发光二极管器件层之上。
Description
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域,具体涉及有机发光二极管显示面板。
【背景技术】
水气(H2O)和氧气(O2)的有效阻隔对于有机发光二极管(organic light emittingdiode,OLED)显示面板而言十分重要,水和氧不仅会和显示面板中的发光层的有机化合物发生化学反应,也会腐蚀阴极材料中的金属,不仅降低发光效率,还会因发光材料变质而形成大量黑点,极大地影响OLED器件的寿命。
因此,为了防止水气和氧气渗透到OLED器件,需要进行薄膜封装(thin-filmencapsulation,TFE)以保护OLED器件。
然而,如图1所示,当前的OLED器件的背面设计,除聚酰亚胺(polyimide,PI)膜层10和30之外,仅包含数百纳米的阻隔层20和缓冲层40等膜层,而这些膜层当中的氮氧化物和硅氧化物存在一定数量的针孔,因此,水气或氧气容易通过这些针孔或其他微结构穿过几百纳米厚的无机膜层,到达薄膜晶体管层50和OLED器件层60,进而破坏发光层材料。
如图2所示,通过水汽穿透率(water vapor transmission rate,WVTR)实验进一步证实习知的OLED器件的水汽透过率高达10-3数量级,远高于OLED器件对水汽阻隔所要求的10-6数量级。此外,考虑显示面板的可弯折性,以及由于基板膜层附近的阻隔层或缓冲层等脆性无机膜层,在显示面板弯折过程中承受较大的应力,不宜设计过厚,因此,这些只有数百纳米厚的无机膜层防止水氧入侵的能力难以简单通过提高膜层的厚度改善。
另外,在习知的OLED显示面板中,由于无机物膜层和有机物膜层性质差异太大,导致无机物膜层和有机物膜层的界面结合性不佳而引起膜层间的剥离(peeling)时有发生。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)显示面板,其可提升OLED显示面板对于水汽和氧气的阻隔,并可以改善膜层间剥离的问题。此外,还可防止OLED显示面板在弯折时因应力过大而产生裂纹。
为实现上述目的，本发明的有机发光二极管显示面板,包括:
复合基板,所述复合基板包括第一衬底、阻隔层、多个包含有机材料结构交织其内的无机层,以及包含有机材料结构交织其内的第二衬底；
设置在所述复合基板之上的缓冲层；
设置在所述缓冲层之上的薄膜晶体管层；
设置在所述薄膜晶体管层之上的有机发光二极管器件层；以及
设置在所述有机发光二极管器件层之上的封装层。
较佳地,所述复合基板由下而上依序为第一衬底、阻隔层、包含第一有机材料结构交织其内的第一无机层、包含第二有机材料结构和第三有机材料结构交织其内的的第二无机层、以及包含第三有机材料结构交织其内的第二衬底；
其中所述第三有机材料结构的上半部和下半部分别交织于所述第二衬底和所述第二无机层中。
较佳地,所述第一衬底和所述第二衬底由聚酰亚胺所组成。
较佳地,在所述阻隔层由二氧化硅所组成。
较佳地,所述阻隔层厚度为0.2-1μm。
较佳地,所述无机层由硅氮化物所组成。
较佳地,所述无机层以化学汽相沉积形成。
较佳地,所述有机材料结构为栅格状结构。
较佳地,所述栅格状的有机材料结构以光刻方式形成。
较佳地,在所述薄膜晶体管层由氧化铟锡所组成。
【附图说明】
图1为习知的有机发光二极管显示面板截面示意图；
图2为习知的有机发光二极管显示面板的水汽穿透率实验
分析结果；
图3为本发明实施例的有机发光二极管显示面板截面示意
图；以及
图4为本发明实施例的有机发光二极管显示面板的复合基
板制作流程示意图。
【具体实施方式】
以下将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
以下实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。
如图3所示,本发明实施例的有机发光二极管显示面板包括:
复合基板,所述复合基板由下而上依序为第一衬底100、阻隔层200、包含第一有机材料结构301交织其内的第一无机层300、包含第二有机材料结构401和第三有机材料结构501交织其内的第二无机层400、包含第三有机材料结构501交织其内的第二衬底500,其中所述第三有机材料结构501的上半部和下半部分别交织于所述第二衬底500和所述第二无机层400中,所述第一有机材料结构301、第二有机材料结构401以及第三有机材料结构501皆为栅格状结构；
设置在所述复合基板之上的缓冲层600；
设置在所述缓冲层600之上的薄膜晶体管层700；
设置在所述薄膜晶体管层700之上的有机发光二极管器件层800；以及
设置在所述有机发光二极管器件层800之上的封装层900。
如图4所示,本发明实施例的有机发光二极管显示面板的复合基板制作流程如下:
S1,首先将二氧化硅(SiO2)沉积在由聚酰亚胺所组成的第一衬底100上,形成厚度约为0.3-0.5μm的阻隔层200；
S2,然后在阻隔层200上涂布有机材料,并以光罩进行曝光以及通过后续显影等步骤形成具有栅格状结构的第一有机材料结构301；
S3,接着通过低温化学汽相沉积工艺将硅氮化物沉积在阻隔层200上以及具有栅格状结构的第一有机材料结构301中,直至厚度超越第一有机材料结构301的高度,形成第一无机层300；
S4,接着在第一无机层300上涂布有机材料,并以光罩进行曝光以及通过后续显影等步骤形成具有栅格状结构的第二有机材料结构401；
S5,然后通过低温化学汽相沉积工艺将硅氮化物沉积在第一无机层300上以及具有栅格状结构的第二有机材料结构401中,直至厚度超越第二有机材料结构401的高度,形成第二无机层400；
S6,接着在第二无机层400上涂布有机材料,并以光罩进行曝光以及通过后续显影等步骤形成具有栅格状结构的第三有机材料结构501；
S7,然后再次通过低温化学汽相沉积工艺将硅氮化物沉积在第二无机层400上以及具有栅格状结构的第三有机材料结构501的下半部中,形成加厚的第二无机层400；
S8,最后在加厚的第二无机层400上以及第三有机材料结构501的上半部中涂布聚酰亚胺,并经烘烤等程序形成第二衬底500。
由于本揭露的无机物硅氮化物通过镂空的栅格状结构直接和同样为无机物所组成的阻隔层200键合,改善膜层间剥离(peeling)的问题,加上第二衬底500的下半部同时和栅格状的第三有机材料结构501及加厚的第二无机层400键合,更可提升键合强度,因此有效降低膜层间的剥离风险。
此外,由硅氮化物所沉积而成的膜层结构致密性高,具有低的针孔发生率和非常好的水氧阻隔性能,因此硅氮化物和有机物形成的复合膜层可有效改善水气和氧气入侵OLED器件的问题。同时,具有栅格状有机物结构的膜层可将弯折区的应力传递到非弯折区而降低产生裂纹风险。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本申请,本领域的普通技术人员,在不脱离本申请的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (8)
1.一种有机发光二极管显示面板,其特征在于,包括:
复合基板,所述复合基板包括第一衬底、阻隔层、包含有栅格状的第一有机材料结构嵌入其内的第一无机层、包含有栅格状的第二有机材料结构和栅格状的第三有机材料结构嵌入其内的第二无机层、以及包含有栅格状的第三有机材料结构嵌入其内的第二衬底，其中所述栅格状的第三有机材料结构的上半部和下半部分别嵌入于所述第二衬底和所述第二无机层中；
缓冲层,设置在所述复合基板之上；
薄膜晶体管层,设置在所述缓冲层之上；
有机发光二极管器件层,设置在所述薄膜晶体管层之上；以及
封装层,设置在所述有机发光二极管器件层之上。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第一衬底和所述第二衬底由聚酰亚胺所组成。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述阻隔层由二氧化硅所组成。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述阻隔层厚度为0.2-1μm。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第一无机层及所述第二无机层由硅氮化物所组成。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述第一无机层及所述第二无机层以化学汽相沉积形成。
7.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述栅格状的第一有机材料结构、所述栅格状的第二有机材料结构、以及所述栅格状的第三有机材料结构以光刻方式形成。
8.如权利要求1所述的有机发光二极管显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管层由氧化铟锡所组成。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910447320.4A CN110165076B (zh) | 2019-05-27 | 2019-05-27 | 有机发光二极管显示面板 |
| US16/612,381 US11374196B2 (en) | 2019-05-27 | 2019-08-06 | Organic light emitting diode display panel with organic material structure on upper and lower portions of an inorganic layer and lower portion of second substrate |
| PCT/CN2019/099375 WO2020237827A1 (zh) | 2019-05-27 | 2019-08-06 | 有机发光二极管显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910447320.4A CN110165076B (zh) | 2019-05-27 | 2019-05-27 | 有机发光二极管显示面板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110165076A CN110165076A (zh) | 2019-08-23 |
| CN110165076B true CN110165076B (zh) | 2020-11-24 |
Family
ID=67629377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910447320.4A Active CN110165076B (zh) | 2019-05-27 | 2019-05-27 | 有机发光二极管显示面板 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11374196B2 (zh) |
| CN (1) | CN110165076B (zh) |
| WO (1) | WO2020237827A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111524905A (zh) * | 2020-04-26 | 2020-08-11 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示终端 |
| US11539009B2 (en) | 2020-04-26 | 2022-12-27 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel and manufacturing method thereof, display terminal |
| CN111725423A (zh) * | 2020-06-10 | 2020-09-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled器件及其制备方法、显示装置 |
| KR20220014442A (ko) * | 2020-07-27 | 2022-02-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6624568B2 (en) * | 2001-03-28 | 2003-09-23 | Universal Display Corporation | Multilayer barrier region containing moisture- and oxygen-absorbing material for optoelectronic devices |
| JP2003068450A (ja) * | 2001-08-15 | 2003-03-07 | Ind Technol Res Inst | Ｏｌｅｄディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| US20050051763A1 (en) * | 2003-09-05 | 2005-03-10 | Helicon Research, L.L.C. | Nanophase multilayer barrier and process |
| JP2012058664A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Casio Comput Co Ltd | 発光パネル及び発光パネルの製造方法 |
| JP2012226978A (ja) * | 2011-04-20 | 2012-11-15 | Canon Inc | 気密容器及び画像表示装置の製造方法 |
| TWI492374B (zh) | 2012-12-03 | 2015-07-11 | Au Optronics Corp | 電激發光顯示面板 |
| CN105206763B (zh) * | 2015-10-21 | 2018-01-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示器及其制造方法 |
| US10299390B2 (en) * | 2015-12-31 | 2019-05-21 | Lg Display Co., Ltd. | Cover window and display device including the same |
| KR102489110B1 (ko) * | 2016-02-04 | 2023-01-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| WO2018179133A1 (ja) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | シャープ株式会社 | 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置、成膜装置、コントローラ |
| CN106848106B (zh) * | 2017-04-19 | 2019-03-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光装置封装结构及其制作方法、显示装置 |
| CN107644946A (zh) * | 2017-09-15 | 2018-01-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板的封装方法及封装结构 |
| US10797123B2 (en) * | 2017-10-13 | 2020-10-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel and method of fabricating the same |
| CN108281388B (zh) * | 2018-01-23 | 2021-02-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、其制作方法及显示面板 |
| CN108638621B (zh) * | 2018-05-11 | 2020-07-24 | 昆山国显光电有限公司 | 薄膜封装结构及显示装置 |
| US10784467B2 (en) | 2018-05-11 | 2020-09-22 | Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. | Thin film packaging structures and display devices |
| CN108878680A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-11-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种封装型显示器件及显示面板 |
-
2019
- 2019-05-27 CN CN201910447320.4A patent/CN110165076B/zh active Active
- 2019-08-06 WO PCT/CN2019/099375 patent/WO2020237827A1/zh active Application Filing
- 2019-08-06 US US16/612,381 patent/US11374196B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210336210A1 (en) | 2021-10-28 |
| WO2020237827A1 (zh) | 2020-12-03 |
| CN110165076A (zh) | 2019-08-23 |
| US11374196B2 (en) | 2022-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110165076B (zh) | 有机发光二极管显示面板 | |
| JP5341701B2 (ja) | 表示装置およびデジタルカメラ | |
| JP5675924B2 (ja) | 有機光電子装置及び前記装置をカプセル化する方法 | |
| US10418590B2 (en) | OLED flexible display panel and method for manufacturing the same | |
| KR100873082B1 (ko) | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 | |
| US6872473B2 (en) | Panel display device and method for forming protective layer within the same | |
| US7012363B2 (en) | OLEDs having increased external electroluminescence quantum efficiencies | |
| US11258038B2 (en) | Flexible organic light-emitting diode (OLED) device of reduced stess at bending place and fabrication method thereof | |
| US20110143079A1 (en) | Substrate section for flexible display device, method of manufacturing substrate section, and method of manufacturing organic light emitting display device including substrate | |
| JPWO2011016126A1 (ja) | 表示装置 | |
| TW201133979A (en) | Organic light emitting device, lighting apparatus, display apparatus and method for manufacturing the organic light emitting device | |
| JP2000223264A (ja) | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| CN109841749B (zh) | 有机发光装置 | |
| US20210335846A1 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof, flexible display panel | |
| US9847484B2 (en) | Mask and method of manufacturing display device by using the same | |
| CN110391349B (zh) | 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法 | |
| CN110148684B (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
| GB2509228A (en) | OLED with side protection film to reduce moisture ingress | |
| US11937449B2 (en) | Sealing structure and light emitting device | |
| WO2020206980A1 (zh) | 柔性oled显示装置及制备方法 | |
| KR20160135804A (ko) | 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법 | |
| CN110571347B (zh) | 一种显示面板及其制备方法 | |
| CN105470280A (zh) | 有机发光显示装置及其制造方法 | |
| US10361397B2 (en) | Flexible organic light emitting diode display having layer provided with a benzene ring bond | |
| US20190198809A1 (en) | Thin-film encapsulation structure and method for oled |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |