CN110153871A - 研磨方法、抛光液的评价方法、对应装置及硅片 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种研磨方法、抛光液的评价方法、对应装置及硅片，研磨方法包括：抛光液在一批零件的表面研磨预设时间后，确定抛光液中研磨粒的粒径分布参数；判断粒径分布参数是否小于预设的临界值；若粒径分布参数小于预设的临界值，则继续利用抛光液对下一批零件进行研磨；若粒径分布参数大于或等于预设的临界值，则将抛光液按照预设工艺制成第一抛光液，利用第一抛光液对下一批零件进行研磨。这样通过调整工艺条件来循环使用抛光液，不需要频繁更换抛光液，可以延长抛光液的使用时间，可以保证零件的良率稳定性，提高了零件的生产率并降低了生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及硅片制造领域，特别涉及一种研磨方法、抛光液的评价方法、对应装置及硅片。
背景技术
为了提高硅片表面的平整度和减小局部光散射，开发了将研磨剂的机械研磨和化学研磨合成的化学机械复合抛光方法。在利用抛光液对硅片进行化学机械抛光的过程中，随着抛光液的循环使用，研磨粒的外观形貌会逐渐发生变化，从而降低硅片良率。若在检测到不合格硅片的时候再来更换抛光液，不仅降低硅片的生产率，同时由于报废硅片和频繁更换抛光液会导致生产成本的升高等问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种研磨方法、抛光液的评价方法、对应装置及硅片，以解决在硅片的抛光过程中无法确定研磨粒是否满足研磨要求，并由此所导致的硅片良率低的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种研磨方法，包括：
抛光液在一批零件的表面研磨预设时间后，确定所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数，所述粒径分布参数表示所述抛光液中研磨粒的数量与研磨粒大小的关系；
判断所述粒径分布参数是否小于预设的临界值；
若所述粒径分布参数小于所述预设的临界值，则继续利用所述抛光液对下一批零件进行研磨；
若所述粒径分布参数大于或等于所述预设的临界值，则将所述抛光液按照预设工艺制成第一抛光液，利用所述第一抛光液对下一批零件进行研磨。
可选地，所述确定所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数，包括：
确定在所述抛光液中预设范围内研磨粒的平均粒径，将所述研磨粒的平均粒径作为所述粒径分布参数。
可选地，所述方法还包括：
确定所述预设的临界值。
可选地，所述确定预设的临界值，包括：
每次利用抛光液在不同批次的零件的表面研磨预设时间后，确定每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数之间的对应关系；
根据每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数的对应关系，确定所述预设的临界值。
可选地，所述根据每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数的对应关系，确定所述预设的临界值，包括：
当在第N次对第N批零件的表面研磨预设时间后，第N批零件表面的平整度大于第一平整度阈值时，根据每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数的对应关系，确定第N-1次对第N-1批零件的表面研磨预设时间后得到的第一粒径分布参数，所述N为大于或等于1的整数；
根据所述第一粒径分布参数确定所述预设的临界值。
可选地，所述将所述抛光液按照预设工艺制成第一抛光液，包括：
将所述抛光液倒出一部分，在所述抛光液的剩余部分中加入第二抛光液，并将所述第二抛光液和抛光液剩余部分混合后的液体的氢离子浓度指数PH值调整至预设PH值，来制成所述第一抛光液。
第二方面，本发明实施例还提供了一种抛光液的评价方法，包括：
抛光液在一批零件的表面研磨预设时间后，确定所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数，所述粒径分布参数表示所述抛光液中研磨粒的数量与研磨粒大小的关系；
根据所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数，确定所述抛光液是否继续用于研磨下一批零件。
第三方面，本发明实施例还提供了一种研磨装置，包括：
第一确定模块，用于抛光液在一批零件的表面研磨预设时间后，确定所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数，所述粒径分布参数表示所述抛光液中研磨粒的数量与研磨粒大小的关系；
第一判断模块，用于判断所述粒径分布参数是否小于预设的临界值；
第一执行模块，用于若所述粒径分布参数小于所述预设的临界值，则继续利用所述抛光液对下一批零件进行研磨；
第二执行模块，用于若所述粒径分布参数大于或等于所述预设的临界值，则将所述抛光液按照预设工艺制成第一抛光液，利用所述第一抛光液对下一批零件进行研磨。
第四方面，本发明实施例还提供了一种抛光液的评价装置，包括：
第四确定模块，用于抛光液在一批零件的表面研磨预设时间后，确定所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数，所述粒径分布参数表示所述抛光液中研磨粒的数量与研磨粒大小的关系；
第五确定模块，用于根据所述粒径分布参数，确定所述抛光液是否继续用于研磨下一批零件。
第五方面，本发明实施例还提供了一种硅片，通过如上所述的研磨方法研磨制成。
本发明的实施例具有如下有益效果：
在本发明实施例中，确定抛光完成后所用抛光液中研磨粒的粒径分布参数，并将粒径分布参数与预设的临界值进行比较，若所述粒径分布参数大于或等于所述预设的临界值，则将所述抛光液按照预设工艺制成第一抛光液，利用所述第一抛光液对所述零件进行研磨。这样在抛光液无法满足研磨要求时，通过调整工艺来循环使用抛光液，不需要频繁更换抛光液，且可以延长抛光液的使用时间，从而提高了抛光液的利用率，并且可以保证零件(例如：硅片)的良率稳定性，从而提高了零件的生产率并降低了生产成本。
附图说明
图1为本发明实施例的研磨方法的流程图之一；
图2为本发明实施例的研磨粒的扫描电镜图；
图3为本发明实施例的研磨粒的粒径分布曲线；
图4为本发明实施例的研磨方法的流程图之二；
图5为本发明实施例的抛光液的评价方法的流程图；
图6为本发明实施例的研磨装置的示意图；
图7为本发明实施例的抛光液的评价装置的示意图。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本发明的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
在化学抛光过程中，由于抛光液中的研磨粒形貌会影响界面间的摩擦力和其与硅片表面氧化膜之间的作用力的强弱，所以可以测量抛光完成后所用抛光液中研磨粒的粒径分布，例如：粒径大小和数量等，并基于该测定值来评价抛光液的使用期限和调整工艺条件。
为此，参见图1，本发明实施例提供了一种研磨方法，该研磨方法的具体流程包括以下步骤：
步骤101：抛光液在一批零件的表面研磨预设时间后，确定所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数，所述粒径分布参数表示所述抛光液中研磨粒的数量与研磨粒大小的关系；
其中，所述零件可以为硅材质的零件，例如：该零件可以为硅片或晶圆等。其中一批零件中包括预设数量的零件，预设数量可以为大于0的整数，可以理解的是，利用抛光液可以同时研磨预设数量的零件。例如：所述预设数量为15个，即利用抛光液可以同时研磨15个零件。
相应地，抛光液可以选用弱碱性的胶态SiO2(二氧化硅)水溶液。需要说明的是，以上有关所述零件种类的描述只是示例并非限定，可以理解的是，本发明实施例中并不具体限定所述零件的种类。
在本发明实施例中，可以根据零件的工艺参数调整所述预设时间的大小，例如：可以根据零件的平整度要求确定所述预设时间的大小，若对零件的平整度要求高，可以相应地将预设时间调长一些，若对零件的平整度要求低，可以相应地将预设时间调短一些。
其中，图2为经过抛光液的扫描电镜图，通过图2可以看出，所述研磨粒的形状为球形。
需要说明的是，可以通过激光粒度分布仪来测定每次抛光后抛光液中研磨粒的粒径分布情况，即通过激光粒度分布仪扫描抛光液的预设范围区域，来确定抛光液中预设范围内研磨粒的粒径以及数量的大小，进而可以确定研磨粒的粒径以及数量的大小关系曲线图，或称为研磨粒的粒径分布曲线，如图3所示。
进一步地，通过图3可以看出，研磨粒的粒径以及数量的大小关系曲线近似为正态分布曲线，为了便于统计每次抛光后抛光液中研磨粒的粒径分布情况，可以根据研磨粒的粒径以及数量的大小关系曲线图(即研磨粒的粒径分布曲线)确定研磨粒的平均粒径，并将在所述抛光液中预设范围内研磨粒的平均粒径作为粒径分布参数，所述平均粒径可以用于表示所述抛光液中研磨粒的数量与研磨粒大小的关系。
步骤102：判断所述粒径分布参数是否小于预设的临界值；若所述粒径分布参数小于所述预设的临界值，则执行步骤103；若所述粒径分布参数大于或等于所述预设的临界值，则执行步骤104。
在本发明实施例中，预设的临界值为抛光液无法满足研磨要求时所对应的粒径分布参数的临界值。可以理解的是，因为随着研磨次数的增加，抛光液中研磨粒会因为表面电荷变化而引起团聚，研磨良率会逐渐下降，当所述粒径分布参数大于或等于预设的临界值时，说明抛光液中的研磨粒的粒径分布参数已经无法满足研磨要求，导致研磨良率降低。相反地，所述粒径分布参数小于所述预设的临界值，说明抛光液中的研磨粒的粒径分布参数可以满足研磨要求。
步骤103：若所述粒径分布参数小于所述预设的临界值，则继续利用所述抛光液对下一批零件进行研磨；在步骤103之后重复执行步骤101。
在本发明实施例中，下一批零件中同样包括预设数量的零件，预设数量可以为大于0的整数，可以理解的是，利用抛光液可以同时研磨预设数量的零件。例如：所述预设数量为15个，即利用抛光液可以同时研磨15个零件。
步骤104：若所述粒径分布参数大于或等于所述预设的临界值，则将所述抛光液按照预设工艺制成第一抛光液，利用所述第一抛光液对所述下一批零件进行研磨，在步骤104之后重复执行步骤101。
经过试验研究表明，小粒径的研磨粒在强碱区域依旧可以实现较强的研磨效率，并且相比于大粒径的研磨粒在强碱条件中使用时具有长时间稳定的研磨特性。进而在抛光液的研磨效率逐渐下降时，可以在所述抛光液中加入KOH(氢氧化钾)等碱性物质来将所述抛光液的PH值调整至预设PH值，来循环利用抛光液，并且可以保证零件良率的稳定性。
具体地，可以将所述抛光液倒出一部分，在所述抛光液的剩余部分中加入第二抛光液，并将所述第二抛光液和抛光液剩余部分混合后的液体的氢离子浓度指数PH值调整至预设PH值，来制成所述第一抛光液，这样可以循环利用抛光液，并且可以保证零件良率的稳定性。
需要说明的是，所述第二抛光液为弱碱性的胶态SiO2(二氧化硅)水溶液。所述第二抛光液中的研磨粒大小和数量可以根据工艺需要进行调整。
进一步地，可以在所述第二抛光液和抛光液剩余部分混合后的液体中，添加KOH(氢氧化钾)等碱性物质来将所述抛光液的PH值调整至预设PH值，当然并不仅限于此。
需要说明的是，可以每研磨一次就执行一次步骤101至步骤104，或者在研磨次数接近N时，才执行步骤101至步骤104。可以理解的是，本发明实施例并不具体限定以上流程的执行条件。
需要说明的是，在步骤101或步骤102之前，所述方法还包括：确定预设的临界值。
可选地，抛光液在不同批次的零件的表面研磨预设时间后，确定所述每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数；根据每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数的对应关系，确定所述预设的临界值。
例如：当在第N次对第N批零件的表面研磨预设时间后第N批零件表面的平整度大于第一平整度阈值时，根据第N-1次对第N-1批零件的表面研磨预设时间后得到的第一粒径分布参数，确定预设的临界值，所述N为大于或等于1的整数；根据所述第一粒径分布参数确定所述预设的临界值。
在本发明实施例中，所述预设的临界值可以为第一预设倍数的所述第一粒径分布参数，其中第一预设倍数可以为大于0的自然数。
例如：依次统计每次抛光后抛光液中研磨粒的粒径分布和所对应的平均粒径依次为D1、D2、D3…DN。在测量平均粒径的同时，同样记录每次抛光后零件表面所对应的平整度。当第一次出现零件的平整度不达标(比如SFQR或者ESFQR)，例如：在第N次对N批零件的表面研磨预设时间后零件的平整度大于第一平整度阈值时，此时抛光液中研磨粒的平均粒径为DN，第N-1次对所述零件的表面研磨预设时间后所得到的平均粒径为DN-1，可以将X*DN-1确定为预设的临界值，其中X为大于0的自然数。需要说明的是，可以根据需要调整系数X的取值，在本发明实施例中并不具体限定系数X的取值大小。
在本发明实施例中，确定抛光完成后所用抛光液中研磨粒的粒径分布参数，并将粒径分布参数与预设的临界值进行比较，若所述粒径分布参数大于或等于所述预设的临界值，则将所述抛光液按照预设工艺制成第一抛光液，利用所述第一抛光液对所述零件进行研磨。这样在抛光液无法满足研磨要求时，通过调整工艺来循环使用抛光液，不需要频繁更换抛光液，且可以延长抛光液的使用时间，从而提高抛光液的利用率，并且可以保证零件(例如：硅片)的良率稳定性，从而提高了零件的生产率并降低了生产成本。
参见图4，本发明实施例还提供了另外一种研磨方法，所述研磨方法具体包括如下步骤：
步骤401：确定预设的临界值。
可选地，每次利用抛光液在不同批次的零件的表面研磨预设时间后，确定所述每批零件表面的平整度和抛光液中研磨粒的粒径分布参数之间的对应关系；根据每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数的对应关系，确定所述预设的临界值。
进一步地，当在第N次对第N批零件的表面研磨预设时间后，第N批零件表面的平整度大于第一平整度阈值时，根据每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数的对应关系，确定第N-1次对第N-1批零件的表面研磨预设时间后得到的第一粒径分布参数，所述N为大于或等于1的整数；根据所述第一粒径分布参数确定所述预设的临界值。
步骤402：抛光液在一批的零件的表面研磨预设时间后，确定在所述抛光液中预设范围内研磨粒的平均粒径，将所述研磨粒的平均粒径作为所述粒径分布参数，所述粒径分布参数表示所述抛光液中研磨粒的数量与研磨粒大小的关系；
需要说明的是，步骤402的实施原理与步骤101的实施原理相同，相似之处不再赘述。
步骤403：判断所述粒径分布参数是否小于预设的临界值；若所述粒径分布参数小于所述预设的临界值，则执行步骤404；若所述粒径分布参数大于或等于所述预设的临界值，则执行步骤405。
需要说明的是，步骤403的实施原理与步骤102的实施原理相同，相似之处不再赘述。
步骤404：若所述粒径分布参数小于所述预设的临界值，则继续利用所述抛光液对下一批零件进行研磨；在步骤404之后重复执行步骤402。
需要说明的是，步骤404的实施原理与步骤103的实施原理相同，相似之处不再赘述。
步骤405：若所述粒径分布参数大于或等于所述预设的临界值，则将所述抛光液按照预设工艺制成第一抛光液，利用所述第一抛光液对下一批零件进行研磨；在步骤405之后重复执行步骤402。
需要说明的是，步骤405的实施原理与步骤104的实施原理相同，相似之处不再赘述。
在本发明实施例中，确定抛光完成后所用抛光液中研磨粒的粒径分布参数，并将粒径分布参数与预设的临界值进行比较，若所述粒径分布参数大于或等于所述预设的临界值，则将所述抛光液倒出一部分，在所述抛光液的剩余部分中加入第二抛光液，并将所述第二抛光液和抛光液剩余部分混合后的液体的氢离子浓度指数PH值调整至预设PH值，来制成所述第一抛光液，利用所述第一抛光液对所述零件进行研磨。这样在抛光液无法满足研磨要求时，通过调整抛光液的PH值来循环使用抛光液，不需要频繁更换抛光液，且可以延长抛光液的使用时间，从而提高抛光液的利用率，并且可以保证零件(例如：硅片)的良率稳定性，从而提高了零件的生产率并降低了生产成本。
参见图5，本发明实施例还提供了一种抛光液的评价方法，所述方法的具体流程包括以下步骤：
步骤501：抛光液在一批零件的表面研磨预设时间后，确定所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数，所述粒径分布参数表示所述抛光液中研磨粒的数量与研磨粒大小的关系；
需要说明的是，步骤501的实施原理与步骤101的实施原理相同，相似之处不再赘述。
步骤502：根据所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数，确定所述抛光液是否继续用于研磨所述下一批零件。
在本发明实施例中，所述粒径分布参数可以为在所述零件表面的预设范围内研磨粒的平均粒径。
其中，步骤502具体包括以下步骤：
判断所述粒径分布参数是否小于预设的临界值；若所述粒径分布参数小于所述预设的临界值，则继续利用所述抛光液对下一批零件进行研磨；若所述粒径分布参数大于或等于所述预设的临界值，则将所述抛光液按照预设工艺制成第一抛光液，利用所述第一抛光液对所述下一批零件进行研磨。
需要说明的是，在步骤501或步骤502之前，所述方法还包括：确定预设的临界值。
可选地，每次利用所述抛光液在不同批次的零件的表面研磨预设时间后，确定每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数之间的对应关系；根据每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数的对应关系，确定所述预设的临界值。
具体地，当在第N次对第N批零件的表面研磨预设时间后，第N批零件表面的平整度大于第一平整度阈值时，根据每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数的对应关系，确定第N-1次对第N-1批零件的表面研磨预设时间后得到的第一粒径分布参数，所述N为大于或等于1的整数；根据所述第一粒径分布参数确定所述预设的临界值。
在本发明实施例中，所述预设的临界值可以为第一预设倍数的所述第一粒径分布参数，其中第一预设倍数可以为大于0的自然数。
需要说明的是，图5所示的实施例的实施原理与图1和图4所示的实施例的实施原理相同，相似之处不再赘述。
在本发明实施例中，确定抛光完成后所用抛光液中研磨粒的粒径分布参数，并通过粒径分布参数确定抛光液是否可以继续用于研磨零件，通过粒径分布参数可以确定抛光液的使用期限。在抛光液无法满足研磨要求时，可以及时调整工艺条件来保证零件(例如：硅片)的良率稳定性，从而提高了零件的良率并降低了生产成本。
为了解决在硅片的抛光过程中无法确定研磨粒是否满足研磨要求，并由此所导致的硅片良率低的问题，本发明实施例中还提供了一种研磨装置，由于研磨装置解决问题的原理与本发明实施例中的研磨方法相似，因此该研磨装置的实施可以参见方法的实施，重复之处不再敷述。
参见图6所示，本发明实施例还提供了一种研磨装置，所述研磨装置包括：
第一确定模块，用于抛光液在一批零件的表面研磨预设时间后，确定所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数，所述粒径分布参数表示所述抛光液中研磨粒的数量与研磨粒大小的关系；
第一判断模块，用于判断所述粒径分布参数是否小于预设的临界值；
第一执行模块，用于若所述粒径分布参数小于预设的临界值，则继续利用所述抛光液对下一批零件进行研磨；
第二执行模块，用于若所述粒径分布参数大于或等于预设的临界值，则将所述抛光液按照预设工艺制成第一抛光液，利用所述第一抛光液对下一批零件进行研磨。
可选地，所述第一确定模块包括：
第一确定单元，用于确定在所述抛光液中预设范围内研磨粒的平均粒径，将所述研磨粒的平均粒径作为所述粒径分布参数。
可选地，所述研磨装置还包括：
第二确定模块，用于确定所述预设的临界值。
可选地，所述第二确定模块包括：
第三确定单元，用于每次利用抛光液在不同批次的零件的表面研磨预设时间后，确定所述每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数之间的对应关系；
第四确定单元，用于根据每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数的对应关系，确定所述预设的临界值。
可选地，所述第四确定单元包括：
第一确定子单元，用于当在第N次对第N批零件的表面研磨预设时间后，第N批零件表面的平整度大于第一平整度阈值时，根据每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数的对应关系，确定第N-1次对第N-1批零件的表面研磨预设时间后得到的第一粒径分布参数，所述N为大于或等于1的整数；
第二确定子单元，用于根据所述第一粒径分布参数确定所述预设的临界值。
所述第二执行模块包括：
调整单元，用于将所述抛光液倒出一部分，在所述抛光液的剩余部分中加入第二抛光液，并将所述第二抛光液和抛光液剩余部分混合后的液体的氢离子浓度指数PH值调整至预设PH值，来制成所述第一抛光液。
在本发明实施例中，通过第一确定模块确定抛光完成后所用抛光液中研磨粒的粒径分布参数，并通过第一判断模块将粒径分布参数与预设的临界值进行比较，若所述粒径分布参数大于或等于所述预设的临界值，则将所述抛光液按照预设工艺制成第一抛光液，利用所述第一抛光液对所述零件进行研磨。这样在抛光液无法满足研磨要求时，通过调整工艺来循环使用抛光液，不需要频繁更换抛光液，且可以延长抛光液的使用时间，从而提高抛光液的利用率，并且可以保证零件(例如：硅片)的良率稳定性，从而提高了零件的生产率并降低了生产成本。
为了解决在硅片的抛光过程中无法确定研磨粒是否满足研磨要求，并由此所导致的硅片良率低的问题，本发明实施例中还提供了一种抛光液的评价装置，由于抛光液的评价装置解决问题的原理与本发明实施例中的抛光液的评价方法相似，因此该抛光液的评价装置的实施可以参见方法的实施，重复之处不再敷述。
参见图7，本发明实施例还提供了一种抛光液的评价装置，包括：
第四确定模块，用于抛光液在一批零件的表面研磨预设时间后，确定所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数，所述粒径分布参数表示所述抛光液中研磨粒的数量与研磨粒大小的关系；
第五确定模块，用于根据所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数，确定所述抛光液是否继续用于研磨下一批零件。
可选地，所述第五确定模块包括：
第一判断单元，用于判断所述粒径分布参数是否小于预设的临界值；
第一执行单元，用于若所述粒径分布参数小于所述预设的临界值，则继续利用所述抛光液对下一批零件进行研磨；
第二执行单元，用于若所述粒径分布参数大于或等于所述预设的临界值，则将所述抛光液按照预设工艺制成第一抛光液，利用所述第一抛光液对下一批零件进行研磨。
可选地，所述抛光液的评价装置还包括：
第六确定模块，用于确定预设的临界值。
可选地，所述第六确定模块还包括：
第七确定单元，用于利用抛光液在不同批次的零件的表面研磨预设时间后，确定所述每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数之间的对应关系；
第八确定单元，用于根据每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数的对应关系，确定所述预设的临界值。
所述第八确定单元包括：
第三确定子单元，用于当在第N次对第N批零件的表面研磨预设时间后，第N批零件表面的平整度大于第一平整度阈值时，根据每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数的对应关系，确定第N-1次对第N-1批零件的表面研磨预设时间后得到的第一粒径分布参数，所述N为大于或等于1的整数；
第四确定子单元，用于根据所述第一粒径分布参数确定所述预设的临界值。
可选地，所述第二执行单元包括：
执行子单元，用于将所述抛光液倒出一部分，在所述抛光液的剩余部分中加入第二抛光液，并将所述第二抛光液和抛光液剩余部分混合后的液体的氢离子浓度指数PH值调整至预设PH值，来制成所述第一抛光液。
在本发明实施例中，通过第四确定模块确定抛光完成后所用抛光液中研磨粒的粒径分布参数，并通过第五确定模块确定抛光液是否可以继续用于研磨下一批零件，即通过粒径分布参数可以确定研磨粒是否满足研磨要求。在抛光液无法满足研磨要求时，可以及时调整工艺条件来保证零件(例如：硅片)的良率稳定性，从而提高了零件的良率并降低了生产成本。
另外，本发明实施例还提供了一种硅片，该硅片采用图1和图4所示的研磨方法研磨制成。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种研磨方法，其特征在于，包括：
抛光液在一批零件的表面研磨预设时间后，确定所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数，所述粒径分布参数表示所述抛光液中研磨粒的数量与研磨粒大小的关系；
判断所述粒径分布参数是否小于预设的临界值；
若所述粒径分布参数小于所述预设的临界值，则继续利用所述抛光液对下一批零件进行研磨；
若所述粒径分布参数大于或等于所述预设的临界值，则将所述抛光液按照预设工艺制成第一抛光液，利用所述第一抛光液对下一批零件进行研磨。
2.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述确定所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数，包括：
确定在所述抛光液中预设范围内研磨粒的平均粒径，将所述研磨粒的平均粒径作为所述粒径分布参数。
3.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述方法还包括：
确定所述预设的临界值。
4.根据权利要求3所述的研磨方法，其特征在于，所述确定预设的临界值，包括：
每次利用所述抛光液在不同批次的零件的表面研磨预设时间后，确定每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数之间的对应关系；
根据每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数的对应关系，确定所述预设的临界值。
5.根据权利要求4所述的研磨方法，其特征在于，所述根据每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数的对应关系，确定所述预设的临界值，包括：
当在第N次对第N批零件的表面研磨预设时间后，第N批零件表面的平整度大于第一平整度阈值时，根据每批零件表面的平整度和所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数的对应关系，确定第N-1次对第N-1批零件的表面研磨预设时间后得到的第一粒径分布参数，所述N为大于或等于1的整数；
根据所述第一粒径分布参数确定所述预设的临界值。
6.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述将所述抛光液按照预设工艺制成第一抛光液，包括：
将所述抛光液倒出一部分，在所述抛光液的剩余部分中加入第二抛光液，并将所述第二抛光液和抛光液剩余部分混合后的液体的氢离子浓度指数PH值调整至预设PH值，来制成所述第一抛光液。
7.一种抛光液的评价方法，其特征在于，所述方法包括：
抛光液在一批零件的表面研磨预设时间后，确定所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数，所述粒径分布参数表示所述抛光液中研磨粒的数量与研磨粒大小的关系；
根据所述粒径分布参数，确定所述抛光液是否继续用于研磨下一批零件。
8.一种研磨装置，其特征在于，包括：
第一确定模块，用于抛光液在一批零件的表面研磨预设时间后，确定所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数，所述粒径分布参数表示所述抛光液中研磨粒的数量与研磨粒大小的关系；
第一判断模块，用于判断所述粒径分布参数是否小于预设的临界值；
第一执行模块，用于若所述粒径分布参数小于所述预设的临界值，则继续利用所述抛光液对下一批零件进行研磨；
第二执行模块，用于若所述粒径分布参数大于或等于所述预设的临界值，则将所述抛光液按照预设工艺制成第一抛光液，利用所述第一抛光液对下一批零件进行研磨。
9.一种抛光液的评价装置，其特征在于，包括：
第四确定模块，用于抛光液在一批零件的表面研磨预设时间后，确定所述抛光液中研磨粒的粒径分布参数，所述粒径分布参数表示所述抛光液中研磨粒的数量与研磨粒大小的关系；
第五确定模块，用于根据所述粒径分布参数，确定所述抛光液是否继续用于研磨下一批零件。
10.一种硅片，其特征在于，通过如权利要求1～6任一项所述的研磨方法研磨制成。
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