CN110137379B

CN110137379B - 封装盖板、封装盖板的制备方法、显示面板

Info

Publication number: CN110137379B
Application number: CN201910472237.2A
Authority: CN
Inventors: 尤娟娟; 孙力
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Priority date: 2019-05-31
Filing date: 2019-05-31
Publication date: 2022-04-22
Anticipated expiration: 2039-05-31
Also published as: US20220013745A1; CN110137379A; WO2020238947A1

Abstract

本发明提供一种封装盖板、封装盖板的制备方法、显示面板，属于显示技术领域。本发明的封装盖板，包括：第一基底；设置于所述第一基底上的叠层设置的第一辅助电极和第二辅助电极，且所述第一辅助电极相对所述第二辅助电极更靠近所述第一基底所述第一辅助电极的材料包括有机导电聚合物。

Description

封装盖板、封装盖板的制备方法、显示面板

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种封装盖板、封装盖板的制备方法、显示面板。

背景技术

有机发光二极管(OLED)显示器以其轻薄、主动发光、快响应速度、广视角、色彩丰富、高亮度、低功耗以及耐高低温等众多优点而被业界公认为是继液晶显示器之后的第三代显示技术，目前已越来越多地应用在智能手机、大尺寸TV、平板电脑等产品中，具有非常广阔的市场前景。

其中，顶发射型OLED的阴极通常使用透明金属或者导电金属氧化物。由于需兼顾透光率，透明阴极厚度较薄，导致导电能力差。当显示面板尺寸较大时，顶发射型OLED所导致的电压降(IR drop)问题比较明显，一般可采用辅助电极的设置来改善该问题。目前，业界常见的解决方案是采用纳米银线作为辅助电极，可采用喷墨打印、转印、丝网印刷等工艺制备，但是在银纳米线的这些湿法制程中存在一个问题，纳米银溶剂极性很难控制，当极性较高，在OLED阴极上铺展的面积较大，造成线宽较大；当极性较低，又容易造成纳米银的团聚，导致断线问题；因此现有的辅助电极的制备工艺很难实现窄线宽和低电阻的需求。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种辅助电极线宽较小的封装盖板。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种封装盖板，包括：

第一基底；

设置于所述第一基底上的叠层设置的第一辅助电极和第二辅助电极，且所述第一辅助电极相对所述第二辅助电极更靠近所述第一基底；

所述第一辅助电极的材料包括有机导电聚合物。

优选的，所述有机导电聚合物包括：聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙烯、聚双炔中的至少一者。

优选的，所述第二辅助电极的材料包括导电金属或者导电合金。

进一步优选的，所述导电金属包括：银、铝、铜、金、钼中的至少一者。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示面板，包括上述任意一种封装盖板。

优选的，所述显示面板还包括：

OLED阵列基板，其具有多个显示区和环绕各所述显示区的非显示区；所述OLED阵列基板包括第二第一基底，和位于所述第一基底对应显示区处的OLED器件；所述OLED器件包括：第一电极、透明的第二电极和夹设于二者之间的发光层；其中，所述第二电极位于所述OLED阵列基板的表面；

所述封装盖板与所述OLED阵列基板对应设置，且所述第二辅助电极与所述OLED器件的第二电极电连接。

优选的，所述OLED器件包括顶发射型OLED器件；

所述第二辅助电极位于所述第一基底对应所述OLED阵列基板的非显示区的位置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种封装盖板的制备方法，包括：

通过第一制备工艺在第一基底上形成第一辅助电极；所述第一辅助电极的材料包括有机导电聚合物；

通过电镀工艺在所述第一辅助电极上形成第二辅助电极。

优选的，所述第一制备工艺包括喷墨打印工艺或者转印工艺。

附图说明

图1为本发明的实施例的封装盖板的结构示意图；

图2为本发明的实施例的封装盖板的平面结构示意图；

其中附图标记为：1、第一基底；21、第一辅助电极；22、第二辅助电极。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

实施例1：

如图1和图2所示，本实施例提供一种封装盖板，可用于OLED显示面板中实现对OELD器件的封装，且特别适用于顶发射型OLED显示面板的封装。

现有的顶发射型OLED显示面板中，OLED器件包括：第一电极、透明的第二电极和夹设于二者之间的发光层。其中，第一电极通常为阳极，第二电极为透明阴极，且一般位于OLED阵列基板的表面。透明阴极通常使用透明金属或者导电金属氧化物等材料构成。由于需兼顾OLED器件的透光率，故透明阴极厚度较薄，而这样会导致阴极的导电能力较差。当显示面板的尺寸较大时，显示面板的中心区域由于离电极接口较远，长距离的电流传输使其驱动电压上升较大，易造成显示面板边缘区域和中心区域的OLED器件的驱动电压差距大，出现电压降问题，仅依靠对驱动电路做修正，难以有效改善IR drop，显示面板仍会出现中心亮度较暗的缺陷。

如图1所示，本实施例提供的封装盖板包括：第一基底1、设置于第一基底1上的叠层设置的第一辅助电极21和第二辅助电极22，且第一辅助电极21相对第二辅助电极22更靠近第一基底1；其中，第一辅助电极21的材料包括有机导电聚合物。

也就是说，本实施例中通过在封装盖板上设置辅助电极(具体为第一辅助电极21和第二辅助电极22)，当封装盖板与OLED阵列基板完整对盒后，辅助电极正好与位于OLED阵列基板表面的OLED器件的第二电极(透明阴极)电连接，从而增强OLED器件的阴极的导电率，有效降低大尺寸OLED显示面板的IR drop，明显提升OLED显示面板的显示效果。

其中需要说明的是，本实施例的辅助电极中，第一辅助电极21的材料包括有机导电聚合物。基于有机导电聚合物材料的电极的制备工艺比较成熟，线宽容易控制，从而容易得到线宽较窄的第一辅助电极21。并且，基于线宽较窄的第一辅助电极21，可在第一辅助电极21之上通过电工艺形成线宽较窄的第二辅助电极22。如此一来，本实施例提供的封装盖板中，辅助电极的线宽较窄，且有利于OLED显示面板的开口率的提高。

其中，优选的，有机导电聚合物包括：聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙烯、聚双炔中的至少一者。

第二辅助电极22的材料则可包括导电金属、导电合金等。优选的，第二辅助电极22电阻率较低的导电金属构成，例如：银、铝、铜、金、钼等。

实施例2：

本实施例提供一种显示面板，该显示面板可包括实施例1中提供的任意一种封装盖板。

优选的，该显示面板还包括：OLED阵列基板。该OLED阵列基板具有多个显示区和环绕各显示区的非显示区；OLED阵列基板包括第二基底，和位于第二基底对应显示区处的OLED器件；OLED器件包括：第一电极、透明的第二电极和夹设于二者之间的发光层；其中，第二电极位于OLED阵列基板的表面。

封装盖板与OLED阵列基板对应设置，构成显示面板。同时，第二辅助电极22与OLED器件的第二电极电连接。

本实施例提供的显示面板特别适用于顶发射型OLED显示面板，也即显示面板中的OLED器件为顶发射型OLED器件。其中，当显示面板为顶发射型OLED显示面板时，如图2所示，第二辅助电极22应位于第一基底1对应OLED阵列基板的非显示区的位置(图2中各矩形区域对应OLED阵列基板的各显示区，矩形区域周边的区域对应OLED阵列基板的非显示区)。之所以这样设置是因为：OLED器件的阴极辅助电极(本实施例中的第一辅助电极21和第二辅助电极22，特别是与OLED器件的阴极之间电连接的第二辅助电极22)要求具有较低的电阻率，因此其材料优选为非透明的导电金属材料。而由于OLED器件为顶发射型，其发光侧为阴极靠近封装盖板的一侧。为了避免辅助电极对OLED器件的发光造成遮挡，辅助电极应对应OLED的非显示区，也即第二辅助电极22位于第一基底1对应OLED阵列基板的非显示区的位置。其中，可以理解的是，由于第一辅助电极21与第二辅助电极22为叠层设置，故第一辅助电极21也必然与第二辅助电极22一致，设置于第二辅助电极22应位于第一基底1对应OLED阵列基板的非显示区的位置。

本实施例提供的显示面板可以用于电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件中。由于本实施例中的显示面板包括实施例1中提供的封装盖板，故辅助电极的线宽较窄，能够有效提高OLED显示面板的开口率。

实施例3：

本实施例提供一种封装盖板的制备方法，可用于制备实施例1中提供的任意一种封装盖板。该制备方法可包括以下步骤：

S1、通过第一制备工艺在第一基底上形成第一辅助电极。其中，第一辅助电极的材料包括有机导电聚合物。

现有技术中，基于有机导电聚合物材料的电极的制备工艺比较成熟，线宽容易控制。从而容易得到线宽较窄的第一辅助电极。具体的，有机导电聚合物可包括：聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙烯、聚双炔中的至少一者

优选的，本步骤中，可通过喷墨打印工艺或者转印工艺等工艺在第一基底上形成第一辅助电极。

S2、通过电镀工艺在第一辅助电极上形成第二辅助电极。

具体的，本步骤中，可以在含有预镀金属的盐溶液(电镀溶液)中，以步骤S1中形成的第一辅助电极为阴极，通过电解作用，使电镀溶液中的预镀金属的阳离子在第一辅助电极表面沉积出来，从而在第一辅助电极之上形成第二辅助电极。

其中，由于步骤S1中所形成的第一辅助电极的线宽较窄，而第二辅助电极是在第一辅助电极之上形成的，故第二辅助电极的线宽也较窄，且基于电镀工艺形成的第二辅助电极成膜较为均匀，不易出现断线，封装盖板的产品良率较高。其中需要说明的是，虽然通过打印或者转印工艺形成由有机导电聚合物材料制成的导电层为现有技术，但是由于有机导电聚合无材料的导电性能限制，其并不能够良好用作阴极辅助电极。本实施例提供的制备方法中，通过分别制备两层辅助电极，能够制备形成线宽较窄，且导电效果良好的辅助电极(特别是第二辅助电极)，能够有效提高OLED显示面板的显示效果。

实施例4：

本实施例提供一种显示面板的制备方法，可包括实施例3提共的任意一种封装盖板的制备方法。本实施例提供的显示面板的制备方法主要包括OLED阵列基板的制备、封装盖板对的制备以及OLED阵列基板与封装盖板的对盒三个部分，具体如下：

OLED阵列基板的制备方法可包括以下步骤：

S11、在第二基底上形成OLED器件的阳极。

S12、在形成有OLED器件的阳极的第二基底上形成像素限定层，该像素限定层具有多个容纳部，容纳部将OLED器件的阳极裸露出来。

S13、通过喷墨打印等工艺在各容纳部中形成发光层。

S14、通过蒸镀工艺在第二基底上形成阴极。其中，优选的，多个OLED器件的阴极为一体结构。

可以理解的是，OLED阵列基板的制备为本领域的成熟技术，具体制备工艺可参考相关资料，本实施例中不再详述。

封装盖板的制备方法可参考实施例3中提供的任意一种封装盖板的制备方法，在此不再详述。

在显示面板的制备方法中，OLED阵列基板与封装盖板的制备顺序部分先后，二者可同时制备，也可一先一后制备，本实施例中对比不做限制。

当OLED阵列基板与封装盖板制备完成后，可将封装盖板与OLED阵列基板对应对盒封装，使第二辅助电极与OLED器件的阴极连接，以在OLED器件工作时减小OLED器件阴极的阻值。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims

1.一种封装盖板，其特征在于，包括：

第一基底；

所述第一辅助电极的材料包括有机导电聚合物，所述第一辅助电极用于在电镀工艺中作为阴极，以在所述第一辅助电极上形成所述第二辅助电极。

2.根据权利要求1所述的封装盖板，其特征在于，所述有机导电聚合物包括：聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙烯、聚双炔中的至少一者。

3.根据权利要求1所述的封装盖板，其特征在于，所述第二辅助电极的材料包括导电金属或者导电合金。

4.根据权利要求3所述的封装盖板，其特征在于，所述导电金属包括：银、铝、铜、金、钼中的至少一者。

5.一种显示面板，其特征在于，包括：权利要求1至4中任意一项所述的封装盖板。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，还包括：

OLED阵列基板，其具有多个显示区和环绕各所述显示区的非显示区；所述OLED阵列基板包括第二基底，和位于所述第二基底对应显示区处的OLED器件；所述OLED器件包括：第一电极、透明的第二电极和夹设于二者之间的发光层；其中，所述第二电极位于所述OLED阵列基板的表面；

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述OLED器件包括顶发射型OLED器件；

8.一种封装盖板的制备方法，其特征在于，包括：

以第一辅助电极为阴极，通过电镀工艺在所述第一辅助电极上形成第二辅助电极。

9.根据权利要求8所述的封装盖板的制备方法，其特征在于，所述第一制备工艺包括喷墨打印工艺或者转印工艺。

10.根据权利要求8所述的封装盖板的制备方法，其特征在于，所述第二辅助电极的材料包括导电金属或者导电合金。