CN101882666A - 一种有机电致发光器件 - Google Patents

一种有机电致发光器件 Download PDF

Info

Publication number
CN101882666A
CN101882666A CN2010101966567A CN201010196656A CN101882666A CN 101882666 A CN101882666 A CN 101882666A CN 2010101966567 A CN2010101966567 A CN 2010101966567A CN 201010196656 A CN201010196656 A CN 201010196656A CN 101882666 A CN101882666 A CN 101882666A
Authority
CN
China
Prior art keywords
derivative
layer
electroluminescence device
organic electroluminescence
removing layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010101966567A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101882666B (zh
Inventor
邱勇
段炼
李艳蕊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tsinghua University
Guan Yeolight Technology Co Ltd
Original Assignee
Tsinghua University
Beijing Visionox Technology Co Ltd
Kunshan Visionox Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tsinghua University, Beijing Visionox Technology Co Ltd, Kunshan Visionox Display Co Ltd filed Critical Tsinghua University
Priority to CN2010101966567A priority Critical patent/CN101882666B/zh
Publication of CN101882666A publication Critical patent/CN101882666A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101882666B publication Critical patent/CN101882666B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明为一种有机电致发光器件，结构中依次包括：基板、位于基板上的第一电极层、位于第一电极之上的光取出层、位于光取出层之上的有机功能层、位于有机功能层上的第二电极层，上述有机功能层中由至少一层发光层构成，其特征在于，上述光取出层的构型为网格形状，且该光取出层选用低折射率系数的聚合物材料，所述折射率系数为1.0～3.0。本发明的有机电致发光器件有效地提高了光取出效率。

Description

一种有机电致发光器件
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光器件(Organic Light Emitting Device，以下简称OLED)，尤其涉及提高OLED光取出效率的结构。
背景技术
OLED以其形体薄、面积大、全固化、柔性化等优点引起了人们的广泛关注，在显示与照明领域有着重要应用，无论是显示还是照明领域都需要高的外量子效率。
目前不能实现高的外量子效率的瓶颈主要在于光取出技术，在OLED内部产生的光只有20％左右可以输出到器件外部，这是因为存在“衬底模式”和“波导模式”，“衬底模式”是由于衬底的折射率系数与空气的折射率系数高，光经过衬底到达空气时，会发生全发射，导致光被“限制”在衬底中，“波导模式”是由于有机材料和ITO阳极的折射率系数与衬底的折射率系数不匹配，导致光从器件的侧面射出，不能从器件的正面有效输出。
目前有多种方法来提高光取出效率，比如，通过在衬底背面加入一层微透镜膜，或金字塔型阵列薄膜，这可以改善被“衬底模式”所“限制”的光的输出，另外，还可以通过光子晶体或低折射率栅格来改善被“波导模式”所“限制”的光的输出，光子晶体或者低折射率栅格可以将被“波导模式”限制的光一部分直接有效输出，一部分转换为“衬底模式”的光，后者如果再结合微透镜或者金字塔型阵列薄膜，也可以被有效输出。对于显示器件，上述方法存在一些问题，可能会使得像素与像素之间界限模糊，造成清晰度降低，或制备工艺复杂，造成成本增加，或无法用于制备大面积屏体，对于照明器件，上述方法均是可行的，但是会加大工艺的复杂程度，也会使得成本增加。
发明内容
本发明旨在解决上述现有技术的问题，提供一种新型的光取出率高的有机电致发光器件的结构。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
一种有机电致发光器件，结构中依次包括：基板、位于基板上的第一电极层、位于第一电极之上的光取出层、位于光取出层之上的有机功能层、位于有机功能层上的第二电极层，上述有机功能层中由至少一层发光层构成，其特征在于，上述光取出层的构型为网格形状，且该光取出层选用低折射率系数的聚合物材料，所述折射率系数为1.0～3.0。
上述用作光取出层的聚合物材料的折射率系数优选为1.0～2.5。该聚合物材料的折射率系数进一步优选为1.0～1.9，最优选为1.0～1.5。
上述用作光取出层的聚合物材料具备导电性，其导电率为10-1～105Scm-1。
此类具备导电性的用作光取出层的聚合物材料选自聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙烯、聚双炔、聚乙炔衍生物、聚噻吩衍生物、聚吡咯衍生物、聚苯胺衍生物、聚苯撑衍生物、聚苯撑乙烯衍生物或聚双炔衍生物中的至少一种。
上述用作光取出层的聚合物材料具备空穴注入和传输特性，其空穴迁移率为10-810-2cm2V-1s-1。
此类具备空穴注入和传输特性的用作光取出层的聚合物材料选自聚芴、聚芴衍生物、聚苯、聚苯衍生物、聚芴撑、聚芴撑衍生物、聚三芳胺、聚芴衍生物、聚芴衍生物衍生物、聚苯衍生物、聚苯衍生物衍生物、聚芴撑衍生物、聚芴撑衍生物衍生物或聚三芳胺衍生物中的至少一种。
本发明中光取出层材料优选自聚(3，4)-亚乙基二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸酯的混合物(PEDOT:PSS)，其折射率系数为1.4，或优选自聚苯胺和聚苯乙烯磺酸酯的混合物(PANI)，其折射率系数为1.5，或优选自Polyaniline-CSA-PES，其折射率系数为1.56，或优选自PF，其折射率系数为1.7。
本发明的上述光取出层的网格构型中网格为N边形，N≥3。优选的光取出层的网格为矩形、正三角形或正六边形。
上述光取出层的厚度为10nm～1000nm。
本发明的有机电致发光器件，在所述基板的另一面设置有微透镜结构。优选的微透镜结构为凸面的曲面形状。
本发明的有机电致发光器件，在所述基板的另一面设置有金字塔型阵列薄膜结构。
本发明的有机电致发光器件，所述光取出层采用湿法工艺制备。优选的湿法工艺为喷墨打印方法、或丝网印刷方法。
本发明提出了一种制备工艺简单，还可以制备在大面积基板上，又可以达到提高光取出效率的新型器件结构。采用此新型器件结构，可以大大提高光取出的效率，电流效率可提高1.2-1.45倍，与微透镜技术结合使用后，电流效率可提高1.5-1.95倍。
本发明在第一电极与有机功能层之间加入一层低折射率的聚合物材料制成的网格形状的光取出层，此光取出层使用湿法工艺方法制备，光取出层既可以在第一电极与有机功能层之间起到很好的导电作用，提高空穴注入，还可以提高光取出效率，是一种非常实用的提高OLED光取出效率的方法。
采用本发明的技术方案之所以能够提高OLED器件的光取出效率，原因如下：
对于常规的OLED结构，衬底/阳极/有机功能层/阴极，如果衬底选择玻璃，阳极选择ITO(氧化铟锡)，有机功能层选择常规材料，则衬底/阳极/有机功能层的折射率分别为1.5/1.8～1.9/1.75～1.8，根据光折射定律，光由光密介质进去光疏介质时，会在界面产生全反射，在发光层内产生的光会由于全反射而不能被有效取出。
本技术方案提出在阳极与有机功能层之间加入一层低折射率的光取出聚合物层，并且将此光取出层设计为网状结构，具体结构为：衬底/第一电极/光取出层(网状结构)/有机功能层/第二电极。
如此设计之后，可以使原本以大于临界角的角度入射的光，角度变小，小于临界角，由此，一部分原本会被全反射掉的光，由于入射角小于临界角，可以有效输出到器件外部。另外，光取出层采用网状结构后，也会使得一部分无法输出的光，由于射入到网格的界面，使得光路的改变，以致有效输出到器件外部。再者，本技术方案所述的结构与微透镜或金字塔型阵列等技术结合后，器件的效率得到更大程度的升高，这是因为二者结合后，一部分“波导模式”的光变成了“衬底模式”的光，而微透镜或金字塔型阵列将“衬底模式”的光有效输出到器件外部，所以器件的整体效率提升了。
附图说明
图1为实施例1的OLED器件基板结构图，ITO为矩形网状结构的基板(阴影部分为基板，白色为ITO网格)。
图2为对比例1的OLED器件结构剖面图及光路图；
图3为实施例1的OLED器件光取出层为网状结构的剖面图及光路图；
图4为实施例9的OLED器件基板结构图，ITO为三角形网状结构的基板(阴影部分为基板，白色为ITO网格)。
图5为实施例11的OLED器件基板结构图，ITO为六边形网状结构的基板(阴影部分为基板，白色为ITO网格)。
具体实施方式
本发明提出的有机电致发光器件中的基本结构包括：基板，一对电极，和设置在该对电极之间的有机发光介质，分别在有机发光介质与阳极之间设置空穴传输功能层、在有机发光介质与阴极之间设置电子传输功能层。
基板可以是玻璃或是柔性基片，柔性基片采用聚酯类、聚酰亚胺类化合物中的一种材料；有机电致发光器件的第一电极层(阳极层)，可以采用无机材料或有机导电聚合物，无机材料一般为ITO、氧化锌、氧化锡锌等金属氧化物或金、铜、银等功函数较高的金属，最优化的选择为ITO，有机导电聚合物优选为聚噻吩/聚乙烯基苯磺酸钠(以下简称PEDOT:PSS)、聚苯胺(以下简称PANI)中的一种材料；第二电极层(阴极层、金属层)，一般采用锂、镁、钙、锶、铝、铟等功函数较低的金属或它们与铜、金、银的合金，或金属与金属氟化物交替形成的电极层，本发明优选为依次的Mg:Ag合金层、Ag层和依次的LiF层、Al层。
有机发光介质主要包括有机电致发光层(EML)，一般采用小分子材料，可以为荧光材料，如金属有机配合物(如Alq3、Gaq3、Al(Saph-q)或Ga(Saph-q))类化合物，该小分子材料中可掺杂有染料，掺杂浓度为小分子材料的0.01wt％～20wt％，染料一般为芳香稠环类(如rubrene)、香豆素类(如DMQA、C545T)或双吡喃类(如DCJTB、DCM)化合物中的一种材料，或者为蒽类衍生物(如ADN)、苝类衍生物(如2，5，8，11-4-叔丁基苝(TBPe))发光层材料也可采用咔唑衍生物如4，4’-N，N’-二咔唑-联苯(CBP)、聚乙烯咔唑(PVK)，该材料中可掺杂磷光染料，如三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)，二(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)铱(Ir(ppy)2(acac))，八乙基卟啉铂(PtOEP)等；
上述器件结构中还可以包括电子传输层、空穴注入层和空穴传输层，电子传输层(ETL)通常采用8-羟基喹啉铝(Alq3)；空穴注入层(HIL)的基质材料可以采用铜酞菁(CuPc)、4，4’4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺(m-MTDATA)、4，4’4”-三(N-2-萘基-N-苯基-氨基)-三苯基胺(2-TNATA)；空穴传输层(HTL)的基质材料可以采用芳胺类和枝聚物族类低分子材料，优选为N，N’-二-(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-联苯基-4，4’-二胺(NPB)。
本发明中光取出层材料优选自聚(3，4)-亚乙基二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸酯的混合物(PEDOT:PSS)，其折射率系数为1.4，或优选自聚苯胺和聚苯乙烯磺酸酯的混合物(PANI)，其折射率系数为1.5，或优选自Polyaniline-CSA-PES，其折射率系数为1.56，或优选自PF，其折射率系数为1.7。
对比例1和2，实施例1和实施例2均为绿光发光OLED器件。
对比例1和2的具体器件其结构如下所述：
对比例1：
ITO(180nm)/NPB(40nm)/Alq3:C545T(30nm，1.3％)/Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
对比例2：
ITO(180nm)/PEDOT:PSS(100nm)/NPB(40nm)/Alq3:C545T(30nm，1.3％)/Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
对比例1的制备工艺步骤包括：
(1)基片清洗：利用煮沸的洗涤剂超声和去离子水超声的方法对带有第一电极的玻璃基板进行清洗，洗液温度约为60℃，并放置在红外灯下烘干。第一电极通常采用的材料为ITO。
(2)制备器件的有机功能层和第二电极层：抽真空至1×10-5Pa，首先蒸镀一层NPB薄膜作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s；以双源蒸镀的方法继续蒸镀8-羟基喹啉铝(简称Alq3)掺杂染料C545T作为绿色发光层，通过速率控制蒸镀C545T在Alq3中的比例；再蒸镀一层Alq3材料作为电子传输层，蒸镀速率为0.1nm/s；最后，依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的第二电极层。
对比例2的制备工艺步骤包括：
(1)基片清洗：同对比例1的步骤(1)；
(2)制备一层PEDOT:PSS，此层通过旋涂的方法制备，设置旋涂的转速为1000转/分，时间为30秒，将旋涂完后的基片放在烤箱内，设置温度120摄氏度，时间120秒；
(3)将旋涂完PEDOT:PSS的基板，传送到蒸镀设备的腔室内，在真空1×10-5Pa下，制备器件的有机功能层和第二电极：同对比例1的步骤(2)。
由上述方法，分别制备本发明的实施例1至实施例2。
实施例1(1-1至1-6)：
ITO(180nm)+PEDOT:PSS(100nm)(矩形网状结构)
/NPB(40nm)/Alq3:C545T(30nm，1.3％)/Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
实施例2
器件结构和实施例1结构相同，不过此实施例的器件基板上加有一微透镜结构的薄膜，微透镜直径45nm。
实施例1的制备工艺步骤：
(1)基片清洗：同对比例1的步骤(1)；
(2)在上述基板上制备一层矩形网格形状的隔离柱层，此层用来定位网格位置，隔离柱材料使用聚酰亚胺；
(3)对上述基板表面进行等离子处理，使其在打印时对聚酰亚胺隔离柱表面不浸润，而对表面仍保持好的润湿性；
(4)在上述基板上通过喷墨打印的方法，制备一层PEDOT:PSS，每一个PEDOT:PSS液滴都滴在已经定位好的网格内，最后形成了矩形网状结构的PEDOT:PSS层；
(4)将上述基板传送到蒸镀设备的腔室内，在真空1×10-5Pa下，制备器件的有机功能层和第二电极：同对比例1的步骤(2)。
实施例2的制备工艺步骤：
同实施例1的制备工艺步骤相同，制备完毕之后在基板发光的一面，贴付一层PET膜，此PET膜的微结构为多个紧挨着的半圆形的微透镜，每个半圆形微透镜的直径均为45nm。
对比例3和4，实施例3和实施例4均为蓝光发光OLED器件，具体的制备方法同上述实施例。
对比例3：ITO(180nm)/NPB(20nm)/BAlq:TBPe(30nm，2％)/
Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
对比例4：ITO(180nm)/PANI(120nm)/NPB(20nm)/BAlq:TBPe(30nm，2％)/
Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
实施例3(3-1至3-6)
ITO(180nm)+PANI(120nm)(矩形网状结构)/NPB(20nm)/BAlq:TBPe(30nm，2％)/
Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
实施例4
器件结构和实施例3结构相同，不过此实施例的器件基板上加有金字塔型阵列结构。
对比例3的制备工艺步骤：
同对比例1的制备工艺相同，只不过将发光层更换为BAlq:TBPe。
对比例4的制备工艺步骤：
同对比例2的制备工艺相同，只不过将PEDOT:PSS更换为PANI，将发光层更换为BAlq:TBPe，其中PANI使用丝网印刷的方法制备，PANI先附着于凸版上，之后转印于基板上，然后干燥处理，设置温度90摄氏度，PANI的厚度为120nm。
实施例3的制备工艺步骤：
同对比例4的制备工艺相同，只不过PANI先附着于凸版上，凸版的形状为矩形，转印于基板后的PANI为矩形网格结构。
实施例4的制备工艺步骤：
器件结构和实施例3结构相同，不过此实施例的器件基板上加有金字塔型阵列结构。
对比例5和6，实施例5和实施例6均为红光发光OLED器件，具体的制备方法同上述实施例。
对比例5
ITO(180nm)/NPB(20nm)/CBP:Ir(piq)3(30nm，5％)/BAlq(5nm)/
Alq3(15nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
对比例6
ITO(180nm)/Polyaniline-CSA-PES(150nm)/NPB(20nm)/CBP:Ir(piq)3(30nm，5％)/
BAlq(5nm)/Alq3(15nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
实施例5(5-1至5-6)
ITO(180nm)/Polyaniline-CSA-PES(150nm)(矩形网状结构)/NPB(20nm)/CBP:
Ir(piq)3(30nm，5％)/BAlq(5nm)/Alq3(15nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
实施例6
器件结构和实施例5结构相同，不过此实施例的器件基板上加有一微透镜薄膜，微透镜直径为50nm
对比例5和6的制备工艺同对比例3和4的制备工艺相同，只不过将PANI更换为Polyaniline-CSA-PES，将发光层和电子传输层材料更换为CBP:Ir(piq)3/BAlq/Alq3。
对比例7
ITO(180nm)/NPB(20nm)/CBP:Ir(ppy)3(30nm，5％)/BAlq(5nm)/
Alq3(15nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
对比例8
ITO(180nm)/PF(150nm)/NPB(20nm)/CBP:Ir(ppy)3(30nm，5％)/BAlq(5nm)/
Alq3(15nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
实施例7
ITO(180nm)/PF(150nm)(矩形网状结构)/NPB(20nm)/CBP:
Ir(ppy)3(30nm，5％)/BAlq(5nm)/Alq3(15nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
实施例8
器件结构和实施例7结构相同，不过此实施例的器件基板上加有一金字塔型阵列薄膜。
对比例7和8的制备工艺同对比例3和4的制备工艺相同，只不过将PANI更换为PF，将发光层和电子传输层材料更换为CBP:Ir(ppy)3/BAlq/Alq3。
实施例7-实施例8的制备工艺同实施例3-实施例4的制备工艺相同，不同的是，将发光层更换为CBP:Ir(ppy)3/BAlq/Alq3。
对比例9和10，实施例9和实施例10均为白光发光OLED器件。
对比例9
ITO(180nm)/NPB(20nm)/NPB:rubrene(10nm，1％)/BAlq:TBPe(20nm，3％)/
Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
对比例10
ITO(180nm)/PEDOT:PSS(150nm)/NPB(20nm)/NPB:rubrene(10nm，1％)/BAlq:TBPe(20nm，3％)/Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
实施例9
ITO(180nm)/PEDOT:PSS(150nm)(三角形网状结构)/NPB(20nm)/NPB:
rubrene(10nm，1％)/BAlq:TBPe(20nm，3％)/Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
实施例10
器件结构与实施例9结构相同，不过此实施例的器件基板上加有一微透镜薄膜，微透镜的直径为40nm。
实施例11
ITO(180nm)/PEDOT:PSS(150nm)(六边形网状结构)/NPB(20nm)/NPB:rubrene(10nm，1％)/BAlq:TBPe(20nm，3％)/Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(150nm)
实施例12
器件结构与实施例11结构相同，不过此实施例的器件基板上加有一微透镜薄膜，微透镜的直径为40nm。
对比例9和10的制备工艺同对比例3和4的制备工艺相同，只不过将发光层更换为NPB:rubrene/BAlq:TBPe。
实施例9-实施例12的制备工艺同实施例3-实施例4的制备工艺相同，不过光取出层使用的是三角形网状结构或六边形网状结构，另外不同的是，将发光层更换为NPB:rubrene/BAlq:TBPe。
上述实施例与对比例的具体网格结构及器件数据如下表所述：
表1：
条件 微透镜膜   网格尺寸(x∶y)   电流效率(cd/A)(1000nit下)
  对比例1   ITO   无   无   12.2
  对比例2   ITO/PEDOT:PSS   无   无   12.5
实施例1-1   ITO/PEDOT:PSS(矩形网状结构) 无 20μm∶10μm 15.4
实施例1-2   ITO/PEDOT:PSS(矩形网状结构) 无 50μm∶10μm 16.1
实施例1-3   ITO/PEDOT:PSS(矩形网状结构) 无 50μm∶20μm 16.4
实施例1-4   ITO/PEDOT:PSS(矩形网状结构) 无 100μm∶20μm 15.7
条件 微透镜膜   网格尺寸(x∶y)   电流效率(cd/A)(1000nit下)
实施例1-5   ITO/PEDOT:PSS(矩形网状结构) 无 100μm∶30μm 15.5
实施例1-6   ITO/PEDOT:PSS(矩形网状结构) 无 200μm∶30μm 14.9
实施例2   ITO/PEDOT:PSS(矩形网状结构) 有 100μm∶20μm 17.5
表2
条件   金字塔阵列薄膜   网格尺寸(x∶y)   电流效率(cd/A)(1000nit下)
  对比例3   ITO   无   无   5.2
  对比例4   ITO/PANI   无   无   5.5
实施例3-1   ITO/PANI(矩形网状结构) 无 20μm∶10μm 5.6
实施例3-2   ITO/PANI(矩形网状结构) 无 50μm∶10μm 5.8
实施例3-3   ITO/PANI(矩形网状结构) 无 50μm∶20μm 5.4
条件   金字塔阵列薄膜   网格尺寸(x∶y)   电流效率(cd/A)(1000nit下)
实施例3-4   ITO/PANI(矩形网状结构) 无 100μm∶20μm 5.9
实施例3-5   ITO/PANI(矩形网状结构) 无 100μm∶30μm 5.6
实施例3-6   ITO/PANI(矩形网状结构) 无 200μm∶30μm 5.4
实施例4   ITO/PANI(矩形网状结构) 有 100μm∶20μm 6.9
表3
条件 微透镜膜 网格尺寸(x∶y)   电流效率(cd/A)(1000nit下)
  对比例5   ITO   无   无   8.7
  对比例6   ITO/Polyaniline-CSA-PES   无   无   9.2
  实施例5-1   ITO/Polyaniline-CSA-PES(矩形网状结构)   无   20μm∶10μm   9.7
  实施例5-2   ITO/Polyaniline-CSA-PES(矩形网状结构)   无   50μm∶10μm   10.1
  实施例5-3   ITO/Polyaniline-CSA-PES(矩形网状结构) 无 50μm∶20μm 10.4
条件 微透镜膜 网格尺寸(x∶y)   电流效率(cd/A)(1000nit下)
  实施例5-4   ITO/Polyaniline-CSA-PES(矩形网状结构)   无   100μm∶20μm   10.8
  实施例5-5   ITO/Polyaniline-CSA-PES(矩形网状结构)   无   100μm∶30μm   10.6
  实施例5-6   ITO/Polyaniline-CSA-PES(矩形网状结构)   无   200μm∶30μm   10.0
实施例6   ITO/Polyaniline-CSA-PES(矩形网状结构) 有 100μm∶20μm 12.1
表4
条件 金字塔阵列薄膜 网格尺寸(x∶y)   电流效率(cd/A)(1000nit下)
 对比例7   ITO   无   无   29.6
 对比例8   ITO/PF   无   无   31.7
 实施例7-1   ITO/PF(矩形网状结构)   无   20μm∶10μm   38.1
  实施例7-2 ITO/PF(矩形网状结构) 无 50μm∶10μm 39.7
 实施例7-3   ITO/PF(矩形网状结构)   无   50μm∶20μm   40.2
 实施例7-4   ITO/PF(矩形网状结构)   无   100μm∶20μm   43.1
条件 金字塔阵列薄膜 网格尺寸(x∶y)   电流效率(cd/A)(1000nit下)
 实施例7-5   ITO/PF(矩形网状结构)   无   100μm∶30μm   41.0
 实施例7-6 ITO/PF(矩形网状结构) 无 200μm∶30μm 40.5
 实施例8   ITO/PF(矩形网状结构)   有   100μm∶20μm   46.6
表5
条件   微透镜薄膜   网格尺寸(x∶y)   电流效率(cd/A)(1000nit下)
  对比例9   ITO   无   无   9.5
  对比例10   ITO/PEDOT:PSS   无   无   10.5
实施例9-1   ITO/PEDOT:PSS(三角形网状结构) 无 100μm∶20μm 13.8
实施例9-2   ITO/PEDOT:PSS(三角形网状结构) 无 200μm∶30μm 14.0
实施例10   ITO/PEDOT:PSS(三角形网状结构) 有 100μm∶20μm 15.1
  实施例11-1   ITO/PEDOT:PSS(六边形网状结构) 无 100μm∶20μm 14.0
条件   微透镜薄膜   网格尺寸(x∶y)   电流效率(cd/A)(1000nit下)
  实施例11-2   ITO/PEDOT:PSS(六边形网状结构) 无 200μm∶30μm 14.2
实施例12   ITO/PEDOT:PSS(六边形网状结构 有 100μm∶20μm 15.4
从以上对比例与实施例的数据可以看出，使用本技术所述的方法后，都会使得器件的效率得到提高。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明，任何熟悉此技术人士，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此，本发明的保护范围当以申请的专利范围所界定为准。

Claims (16)

1.一种有机电致发光器件，结构中依次包括：基板、位于基板上的第一电极层、位于第一电极之上的光取出层、位于光取出层之上的有机功能层、位于有机功能层上的第二电极层，上述有机功能层中由至少一层发光层构成，其特征在于，上述光取出层的构型为网格形状，且该光取出层选用低折射率系数的聚合物材料，所述折射率系数为1.0～3.0。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征是，所述用作光取出层的聚合物材料的折射率系数为1.0～2.5。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征是，所述用作光取出层的聚合物材料的折射率系数为1.0～1.9。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征是，所述用作光取出层的聚合物材料的折射率系数为1.0～1.5。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征是，所述用作光取出层的聚合物材料具备导电性，其导电率为10-1～105Scm-1。
6.根据权利要求5所述的具备导电性的用作光取出层的聚合物材料选自聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙烯、聚双炔、聚乙炔衍生物、聚噻吩衍生物、聚吡咯衍生物、聚苯胺衍生物、聚苯撑衍生物、聚苯撑乙烯衍生物或聚双炔衍生物中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征是，所述用作光取出层的聚合物材料具备空穴注入和传输特性，其空穴迁移率为10-8～10-2cm2V-1s-1。
8.根据权利要求7所述的具备空穴注入和传输特性的用作光取出层的聚合物材料选自聚芴、聚芴衍生物、聚苯、聚苯衍生物、聚芴撑、聚芴撑衍生物、聚三芳胺、聚芴衍生物、聚芴衍生物衍生物、聚苯衍生物、聚苯衍生物衍生物、聚芴撑衍生物、聚芴撑衍生物衍生物或聚三芳胺衍生物中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征是，所述的光取出层材料选自聚(3，4)-亚乙基二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸酯的混合物，或选自聚苯胺和聚苯乙烯磺酸酯的混合物。
10.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征是，所述光取出层的网格构型中网格为N边形，N≥3。
11.根据权利要求10所述的有机电致发光器件，其特征是，所述光取出层的网格为矩形、正三角形或正六边形。
12.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征是，所述光取出层的厚度为10nm～1000nm。
13.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征是，在所述基板的另一面设置有微透镜结构。
14.根据权利要求13所述的有机电致发光器件，其特征是，所述微透镜结构为凸面的曲面形状。
15.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征是，在所述基板的另一面设置有金字塔型阵列薄膜结构。
16.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征是，所述光取出层采用喷墨打印方法、或丝网印刷方法湿法工艺制备。
CN2010101966567A 2010-06-01 2010-06-01 一种有机电致发光器件 Active CN101882666B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010101966567A CN101882666B (zh) 2010-06-01 2010-06-01 一种有机电致发光器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010101966567A CN101882666B (zh) 2010-06-01 2010-06-01 一种有机电致发光器件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101882666A true CN101882666A (zh) 2010-11-10
CN101882666B CN101882666B (zh) 2012-03-14

Family

ID=43054614

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010101966567A Active CN101882666B (zh) 2010-06-01 2010-06-01 一种有机电致发光器件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101882666B (zh)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104009178A (zh) * 2013-02-26 2014-08-27 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104009182A (zh) * 2013-02-26 2014-08-27 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104051664A (zh) * 2013-03-12 2014-09-17 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
US8979324B2 (en) 2011-12-29 2015-03-17 Industrial Technology Research Institute Optical device structures with the light outcoupling layers
CN104485346A (zh) * 2014-12-22 2015-04-01 北京维信诺光电技术有限公司 一种有机电致发光装置及其制备方法
CN104934545A (zh) * 2014-03-19 2015-09-23 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 有机发光二极管器件及其制备方法
CN105355798A (zh) * 2015-11-25 2016-02-24 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制作方法、显示装置
CN105810841A (zh) * 2014-12-29 2016-07-27 固安翌光科技有限公司 一种有机电致发光器件
CN105810834A (zh) * 2014-12-29 2016-07-27 固安翌光科技有限公司 一种有机电致发光器件
CN105810840A (zh) * 2014-12-29 2016-07-27 固安翌光科技有限公司 一种有机电致发光器件
CN106848077A (zh) * 2017-01-11 2017-06-13 山东师范大学 一种有机电致发光器件及其制备方法、显示屏
CN109817843A (zh) * 2019-01-30 2019-05-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 在oled显示器中形成微透镜阵列的方法和微透镜阵列
CN110137379A (zh) * 2019-05-31 2019-08-16 京东方科技集团股份有限公司 封装盖板、封装盖板的制备方法、显示面板
CN111512192A (zh) * 2018-01-03 2020-08-07 株式会社Lg化学 光学膜

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101980758B1 (ko) 2012-12-14 2019-08-28 엘지디스플레이 주식회사 Oled 표시 장치 및 그의 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004127575A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Toyota Industries Corp Ｅｌ装置及びその製造方法並びにｅｌ装置を用いた液晶表示装置
US20060113901A1 (en) * 2004-11-29 2006-06-01 Jong-Seok Oh Organic electroluminescent display device and method of producing the same
CN1947277A (zh) * 2004-04-22 2007-04-11 肖特股份公司 有增大的提取效率的有机电光元件

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004127575A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Toyota Industries Corp Ｅｌ装置及びその製造方法並びにｅｌ装置を用いた液晶表示装置
CN1947277A (zh) * 2004-04-22 2007-04-11 肖特股份公司 有增大的提取效率的有机电光元件
US20060113901A1 (en) * 2004-11-29 2006-06-01 Jong-Seok Oh Organic electroluminescent display device and method of producing the same

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8979324B2 (en) 2011-12-29 2015-03-17 Industrial Technology Research Institute Optical device structures with the light outcoupling layers
CN104009178A (zh) * 2013-02-26 2014-08-27 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104009182A (zh) * 2013-02-26 2014-08-27 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104051664A (zh) * 2013-03-12 2014-09-17 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104934545A (zh) * 2014-03-19 2015-09-23 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 有机发光二极管器件及其制备方法
CN104485346A (zh) * 2014-12-22 2015-04-01 北京维信诺光电技术有限公司 一种有机电致发光装置及其制备方法
CN104485346B (zh) * 2014-12-22 2018-02-13 北京维信诺光电技术有限公司 一种有机电致发光装置及其制备方法
CN105810840A (zh) * 2014-12-29 2016-07-27 固安翌光科技有限公司 一种有机电致发光器件
CN105810834A (zh) * 2014-12-29 2016-07-27 固安翌光科技有限公司 一种有机电致发光器件
CN105810841A (zh) * 2014-12-29 2016-07-27 固安翌光科技有限公司 一种有机电致发光器件
CN105810834B (zh) * 2014-12-29 2018-02-27 固安翌光科技有限公司 一种有机电致发光器件
CN105810841B (zh) * 2014-12-29 2018-05-01 固安翌光科技有限公司 一种有机电致发光器件
US11139457B2 (en) 2015-11-25 2021-10-05 Boe Technology Group Co., Ltd. OLED, method for fabricating the same, display device
CN105355798A (zh) * 2015-11-25 2016-02-24 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制作方法、显示装置
CN106848077A (zh) * 2017-01-11 2017-06-13 山东师范大学 一种有机电致发光器件及其制备方法、显示屏
CN106848077B (zh) * 2017-01-11 2018-08-28 山东师范大学 一种有机电致发光器件及其制备方法、显示屏
CN111512192A (zh) * 2018-01-03 2020-08-07 株式会社Lg化学 光学膜
CN111512192B (zh) * 2018-01-03 2022-05-17 株式会社Lg化学 光学膜
CN109817843A (zh) * 2019-01-30 2019-05-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 在oled显示器中形成微透镜阵列的方法和微透镜阵列
CN109817843B (zh) * 2019-01-30 2021-10-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 在oled显示器中形成微透镜阵列的方法和微透镜阵列
CN110137379A (zh) * 2019-05-31 2019-08-16 京东方科技集团股份有限公司 封装盖板、封装盖板的制备方法、显示面板
CN110137379B (zh) * 2019-05-31 2022-04-22 京东方科技集团股份有限公司 封装盖板、封装盖板的制备方法、显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
CN101882666B (zh) 2012-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101882666B (zh) 一种有机电致发光器件
CN101452997B (zh) 一种叠层结构有机电致发光器件
CN102024909A (zh) 一种发光稳定的有机电致发光器件及其制备方法
CN101222023A (zh) 白色有机发光器件
CN101889480A (zh) 具有电致磷光质涂覆的发射量子点的有机发光二极管
CN102074658B (zh) 电荷产生层、叠层有机发光二极管及其制备方法
CN109378392A (zh) 一种有机电致发光器件及显示装置
CN105514291A (zh) 一种有机电致发光器件
CN108183176A (zh) 一种叠层钙钛矿发光二极管及其制备方法
CN106435483A (zh) 一种高精度oled器件的制备装置及制备方法
CN102569660A (zh) 一种叠层结构有机电致发光器件
CN102005539A (zh) 一种白光有机电致发光器件及其制备方法
CN101908532B (zh) 薄型双面显示oled装置及其制备方法
CN101908533A (zh) 双面显示oled装置及其制备方法
CN101540375A (zh) 一种有机电致发光器件
CN101009364A (zh) 用于电子传输层的组合物、其制造的电子传输层、及包括该电子传输层的有机电致发光器件
CN104966786B (zh) 一种有机电致发光器件
CN101916830B (zh) 白色有机电致发光器件及其制备方法
CN101882667B (zh) 一种有机电致发光器件
CN201540892U (zh) 双面显示oled装置
CN112510164A (zh) 基于溶剂气相处理空穴注入层的蓝光oled及其制备方法
CN106008574B (zh) 一种用作有机电致磷光器件主体材料和热致延迟荧光材料的多功能化三芳基硼衍生物
CN104134753A (zh) 一种叠层有机电致发光器件
CN113066935A (zh) 一种双激基复合物为主体的白色有机电致发光器件
CN111048672B (zh) 一种基于钙钛矿电致发光的白光led及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20160219

Address after: 065500 Hebei Langfang emerging industry demonstration area

Patentee after: GU'AN YEOLIGHT TECHNOLOGY CO., LTD.

Patentee after: Tsinghua University

Address before: 215300 Kunshan high tech Zone, Jiangsu Province, Feng Feng Road, No. 188, No.

Patentee before: Weixinnuo Display Tech Co., Ltd.

Patentee before: Tsinghua University

Patentee before: Weixinnuo Science and Technology Co., Ltd., Beijing