CN110136959A - 电容器组件及制造该电容器组件的方法 - Google Patents

电容器组件及制造该电容器组件的方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种电容器组件及制造该电容器组件的方法。所述电容器组件包括：主体，所述主体中交替堆叠有介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上且连接到所述内电极。所述介电层包括复合层、第一保护层和第二保护层，所述复合层包括介电材料粉末和金属颗粒，所述第一保护层和所述第二保护层包括介电材料粉末并通过所述复合层分开。所述第一保护层和所述第二保护层中的每个的厚度等于或大于所述介电层的厚度的1/3。

Description

电容器组件及制造该电容器组件的方法
本申请要求于2018年2月8日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0015658号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种电容器组件及制造该电容器组件的方法。
背景技术
多层陶瓷电容器(MLCC)(一种电容器组件)是安装在包括例如液晶显示器(LCD)和等离子体显示面板(PDP)的图像装置、计算机、智能电话和蜂窝电话的各种电子产品的印刷电路板上以进行充电或放电的片式电容器。
这样的MLCC能够有利地确保高电容、小型化并且易于安装，因此能够用作各种电子装置的组件。随着诸如计算机和移动装置的各种电子装置的尺寸减小并输出高水平的功率，对MLCC的小型化和高电容的需求日益增加。为了同时实现MLCC的小型化和高电容，需要使用具有高介电常数的介电材料，或者需要增大堆叠层的数量或增大电极面积，但根据朝向日益小型化的趋势，在增大堆叠层的数量或增大电极面积方面存在限制。
因此，对与现有技术相比具有高介电常数的介电材料存在持续的需求，但不存在与传统介电材料的BaTiO3相比具有高介电常数且适合使用的材料。
韩国专利公开公布第2016-0007219号公开了一种通过将金属颗粒分布在BaTiO3中并在BaTiO3/金属界面处添加空间电荷效应来增大介电常数的方法。
然而，根据韩国专利公开公布第2016-0007219号，存在介电常数会增大但可靠性会被劣化的问题。
发明内容
本公开的一方面可提供一种电容器组件，所述电容器组件包括具有增大的介电常数而不劣化可靠性的介电层。
根据本公开的示例性实施例，一种电容器组件可包括：主体，所述主体中交替堆叠有介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述介电层包括复合层及第一保护层和第二保护层，所述复合层包括第一介电材料和金属颗粒，所述第一保护层和所述第二保护层通过所述复合层分开并包括第二介电材料。所述第一保护层和所述第二保护层中的每个的厚度等于或大于所述介电层的厚度的1/3。
根据本公开的另一示例性实施例，一种制造电容器组件的方法可包括：制备包括第一介电材料粉末的保护层膏；制备包括第二介电材料粉末和金属颗粒的复合层膏；将所述保护层膏涂覆在支撑构件上以形成第一保护层，在所述第一保护层上涂覆所述复合层膏以形成复合层，然后，在所述复合层上涂覆所述保护层膏以形成第二保护层，从而生成介电材料片；在所述介电材料片上涂覆导电膏以印刷内电极；堆叠和烧结其上印刷有所述内电极的所述介电材料片以形成主体；以及在所述主体上形成连接到所述内电极的外电极。所述第一保护层和所述第二保护层中的每个的厚度等于或大于所述介电材料片的厚度的1/3。
附图说明
通过以下结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和其他优点将被更清楚地理解，在附图中：
图1是根据本公开的实施例的电容器组件的示意性透视图；
图2是沿图1的线I-I'的截面图；
图3是图2的'A'部分的放大图；以及
图4是示出本公开的发明示例与比较示例之间的DC偏置行为的比较的曲线图。
具体实施方式
在下文中，现将参照附图详细描述本公开的示例性实施例。
在附图中，X轴方向被定义为第一方向或长度方向，Y轴方向被定义为第二方向或宽度方向，Z轴方向被定义为第三方向或厚度方向。
电容器组件
图1是根据本公开的实施例的电容器组件的示意性透视图。图2是沿图1的线I-I'的截面图。图3是图2的'A'部分的放大图。
参照图1至图3，根据本公开的实施例的电容器组件100可包括：主体110，在主体110中交替地堆叠有介电层111以及内电极121和122；以及外电极131和132，设置在主体110上并分别连接到内电极121和122。介电层111可包括：复合层111b，包括介电材料和金属颗粒M；以及第一保护层111a和第二保护层111c，通过复合层111b分开并包括介电材料。
主体110可包括交替堆叠的介电层111以及内电极121和122。主体110可包括其中堆叠有多个介电层111并且内电极121和122在介电层111之间交替地分开的多层结构。
主体110的具体形状没有具体限制，但是主体110可具有如附图中所示的六面体形状或其类似形状。主体110中包括的陶瓷粉末颗粒在烧结工艺期间收缩，因此，主体110可能不呈具有完全直线的六面体形状，而是可具有大致六面体的形状。
介电层111可包括：复合层111b，包括第一介电材料和金属颗粒M；以及第一保护层111a和第二保护层111c，通过复合层111b分开并包括第二介电材料，并且第一保护层和第二保护层中的每个的厚度可等于或大于介电层的厚度的1/3。
复合层111b可包括第一介电材料和金属颗粒M，因此可增大介电层的介电常数。
金属颗粒M可增大介电材料和金属颗粒表面的肖特基势垒，以在金属颗粒周围形成空间电荷层，从而增大组合物的介电常数。
肖特基势垒是当金属和半导体彼此接触时产生的势垒，并且就此而言，当金属和半导体彼此接触时，载流子移动以匹配两个对象的费米能级，并且在半导体的表面上形成空间电荷层，从而构成势垒。
类似于金属和半导体彼此接触的情况，当介电材料和金属颗粒彼此接触时，也可在介电材料和金属颗粒表面上产生肖特基势垒，因此，可实现空间电荷层的效果，从而增大介电常数。
在这种情况下，复合层中包括的金属颗粒可以是镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铱(Ir)、金(Au)和硒(Se)中的一种或更多种。
复合层中包括的第一介电材料和第二介电材料可以是钛酸钡(BaTiO3)。
镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铱(Ir)、金(Au)和硒(Se)中的一种或更多种金属元素(用于增大介电材料和金属颗粒表面的肖特基势垒的材料)可添加到钛酸钡(BaTiO3)，以增大介电材料组合物的介电常数。
金属颗粒M可具有5nm至600nm的范围内的尺寸(例如，直径)。
当金属颗粒M具有小于5nm的尺寸时，金属颗粒的带隙增大，因为实现了与添加非金属材料的情况中的效果相同的效果，因此不再存在金属特性。
另一方面，当金属颗粒M具有大于600nm的尺寸时，随着金属颗粒的表面积与体积的比率减小，当添加相同量的金属颗粒时表面积减小，并且在金属颗粒周围形成的空间电荷层减少，因此存在增大介电常数的效果被降低的担忧。
基于复合层的总体积，可以以复合层的2vol％至8vol％包括金属颗粒M。
当金属颗粒小于复合层的2vol％时，增大介电常数的效果可被忽略，当金属颗粒大于复合层的8vol％时，金属颗粒彼此连接并且金属颗粒的表面积相对于体积的比率减小，因此，当添加相同量的金属颗粒时，存在由于表面积减小和在金属颗粒周围形成的空间电荷层减少而导致使增大介电常数的效果降低的担忧。
然后，第一保护层111a和第二保护层111c可通过复合层111b分开，以防止内电极121和122与复合层111b中包括的金属颗粒M之间的短路。当介电层仅包括复合层时，金属颗粒M与内电极121和122之间可能发生短路，存在关于可靠性劣化的担忧。
第一保护层和第二保护层以及复合层中包括的介电材料可以是相同的材料。例如，如同复合层中包括的介电材料，第一保护层和第二保护层中包括的介电材料可以是钛酸钡(BaTiO3)。
第一保护层111a和第二保护层111c可不包括金属颗粒。这是因为：如果包括金属颗粒，则存在第一保护层111a和第二保护层111c不能用作上述保护层的担忧。
下面描述用于确保可靠性和增大介电常数的第一保护层和第二保护层以及复合层的厚度。
根据本公开的发明示例的第一保护层111a和第二保护层111c中的每个的厚度可等于或大于介电层111的厚度的1/3。
参照图3，当第一保护层111a的厚度为Ta、复合层111b的厚度为Tb、第二保护层111c的厚度为Tc并且介电层111的厚度为Td时，满足Td＝Ta+Tb+Tc、Td/3≤Ta和Td/3≤Tc。
当第一保护层的厚度Ta或第二保护层的厚度Tc小于介电层的厚度Td的1/3时，内电极121和122与复合层中包括的金属颗粒M之间可能发生短路，因此，存在关于可靠性劣化的担忧。
在这种情况下，复合层111b的厚度可等于或大于400nm，并且可以是介电层111的厚度的1/3或更小。
当复合层的厚度小于400nm时，增大介电常数的效果可被忽略，当复合层的厚度大于介电层的厚度的1/3时，不能充分确保保护层的厚度，因此存在关于可靠性劣化的担忧。
图4是示出本公开的发明示例与比较示例之间的DC偏置行为的比较的曲线图。
根据本公开的发明示例，介电层的厚度为8μm，第一保护层和第二保护层的厚度为3μm，复合层的厚度为2μm，介电材料通过BaTiO3形成，复合层中包括的Ni为5vol％。根据比较示例，使用与现有技术中相同的BaTiO3将介电层制造为8μm的厚度。
根据本公开的发明示例，与比较示例相比，介电常数增大并且电容增大约60％。
通常，当电容通过介电材料中的颗粒的生长而增大时，随着DC场增大，电容趋于被显著降低。但是，如图4所示，根据发明示例，在与比较示例中的电平相似的电平下测量2V/μm下的电容变化率，可实现与比较示例的DC偏置行为相似的DC偏置行为，由此确定的是，电容通过形成复合层中包括的Ni的空间电荷层被增大，而不通过在介电材料中生长颗粒被增大。
当以预定时间间隔增大电场的同时执行寿命劣化测试时，可看出的是，与比较示例相比，在相等的水平或更高水平上实现了可靠性。
然后，内电极121和122可与介电层交替堆叠，并且可包括第一内电极121和第二内电极122。第一内电极121及第二内电极122可在主体110中包括的介电层111之间交替地分开，且可分别从主体110的相对端暴露出来。在这种情况下，第一内电极121和第二内电极122可通过布置在第一内电极121和第二内电极122之间的介电层111彼此电断开。第一内电极121和第二内电极122的材料没有具体限制，并且可使用例如诸如钯(Pd)或钯-银(Pd-Ag)合金的贵金属材料以及镍(Ni)和铜(Cu)中的一种或多种的导电膏形成。可使用丝网印刷方法、凹版印刷方法等印刷导电膏，并且本公开不限于此。此外，第一内电极121和第二内电极122的厚度可根据使用等适当地确定，并且不限于此，例如，第一内电极121和第二内电极122的厚度可以是0.1μm至5μm或0.1μm至2.5μm。
外电极131和外电极132可设置于主体110上且可分别连接到第一内电极121和第二内电极122。如图2所示，电容器组件100可包括分别连接到第一内电极121和第二内电极122的第一外电极131和第二外电极132。根据本实施例，尽管电容器组件100包括两个外电极131和132，但第一外电极131和第二外电极132的数量、形状等可根据第一内电极121和第二内电极122的形状或目的而改变。
第一外电极131和第二外电极132可通过任何材料(诸如金属)形成，只要该材料具有导电性即可，第一外电极131和第二外电极132的具体材料可考虑电性能、结构稳定性等来确定，并且第一外电极131和第二外电极132可具有多层结构。例如，电容器组件100可包括接触主体和内电极并通过Ni形成的电极层以及形成在电极层上的镀层。
制造电容器组件的方法
根据本公开的另一实施例的制造电容器组件的方法可包括：制备包括介电材料粉末的保护层膏；制备包括介电材料粉末和金属颗粒的复合层膏；将保护层膏涂覆在支撑构件上以形成第一保护层，将复合层膏涂覆在第一保护层上以形成复合层，然后，在复合层上涂覆保护层膏以形成第二保护层以制备介电材料片；在介电材料片上涂覆导电膏以印刷内电极；堆叠和烧结其上印刷有内电极的介电材料片以形成主体，并在主体上形成连接到内电极的外电极，在这种情况下，第一保护层和第二保护层中的每个的厚度等于或大于介电材料片的厚度的1/3。
在下文中，将详细描述每个步骤，并且将省略与上述电容器组件中的描述重复的描述。
首先，可制备用于包括介电材料粉末的保护层的膏体。例如，可向钛酸钡(BaTiO3)粉末添加各种添加剂、有机溶剂、增塑剂、粘合剂和分散剂，并将其彼此混合以获得混合物。然后，可将混合物分散以制备用于保护层的膏体。
然后，可制备包括介电材料粉末和金属颗粒的复合层膏。例如，可向钛酸钡(BaTiO3)粉末颗粒添加各种添加剂、有机溶剂、增塑剂、粘合剂、分散剂等，并且可以以基于复合层膏的总体积的2vol％至8vol％添加镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铱(Ir)、金(Au)和硒(Se)的金属元素中的任意一种，并进行混合以获得混合物，并将混合物分散在粘合剂中，以制备用于复合层的膏体。
然后，将保护层膏涂覆在支撑构件上以形成第一保护层，将复合层膏涂覆在第一保护层上以形成复合层，并将保护层膏涂覆在复合层上以形成第二保护层，从而生成介电材料片。在这种情况下，第一保护层和第二保护层中的每个的厚度可以等于或大于介电材料片的厚度的1/3。
如此，可单独制备保护层膏和复合层膏以实现第一保护层/复合层/第二保护层的夹层结构，这有利地确保了可靠性并增大了介电常数。另外，可容易地控制复合层以及第一保护层和第二保护层中的每个的厚度。
然后，可使用印刷方法等将用于内电极的导电膏涂覆在介电材料片上以印刷内电极。导电膏的印刷方法可以是丝网印刷方法、凹版印刷方法等，但本公开不限于此。
可堆叠并烧结其上印刷有内电极的介电材料片以形成主体。在这种情况下，可根据电容器组件的期望电容来调整其上印刷有内电极的堆叠的介电材料片的数量。
然后，可在主体上形成外电极，以完成电容器组件。
如上所述，根据本公开的示例性实施例，可在不劣化可靠性的情况下获得包括具有增大的介电常数的介电层的电容器组件。然而，本领域技术人员将领会的是，可通过本发明实现的效果不限于已在上文具体描述的效果，并且可从前面的详细描述中清楚地理解本发明的其他优点。
虽然以上已经示出并描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员而言将显而易见的是，在不脱离由所附权利要求所限定的本公开的范围的情况下，可做出修改和变型。

Claims (13)

1.一种电容器组件，所述电容器组件包括：
主体，所述主体中交替堆叠有介电层和内电极；以及
外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极，
其中，所述介电层包括复合层、第一保护层和第二保护层，所述复合层包括第一介电材料和金属颗粒，所述第一保护层和所述第二保护层通过所述复合层分开并包括第二介电材料；并且
其中，所述第一保护层和所述第二保护层中的每个的厚度等于或大于所述介电层的厚度的1/3。
2.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述复合层的厚度大于或等于400nm并且小于或等于所述介电层的厚度的1/3。
3.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述金属颗粒包括镍、钯、铂、铱、金和硒中的一种或更多种。
4.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述金属颗粒具有5nm至600nm的范围内的尺寸。
5.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，基于所述复合层的总体积，在所述复合层的2vol％至8vol％的范围内包括所述金属颗粒。
6.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述第一介电材料和所述第二介电材料是相同的材料。
7.根据权利要求6所述的电容器组件，其中，所述第一介电材料和所述第二介电材料是钛酸钡。
8.根据权利要求1所述的电容器组件，其中，所述第一保护层和所述第二保护层不包括金属颗粒。
9.一种制造电容器组件的方法，所述方法包括：
制备包括第一介电材料粉末的保护层膏；
制备包括第二介电材料粉末和金属颗粒的复合层膏；
将所述保护层膏涂覆在支撑构件上以形成第一保护层，在所述第一保护层上涂覆所述复合层膏以形成复合层，然后，在所述复合层上涂覆所述保护层膏形成第二保护层以生成介电材料片；
在所述介电材料片上涂覆导电膏以在所述介电材料片上印刷内电极；
堆叠和烧结印刷有所述内电极的所述介电材料片以形成主体；以及
在主体上形成连接到所述内电极的外电极，
其中，所述第一保护层和所述第二保护层中的每个的厚度等于或大于所述介电材料片的厚度的1/3。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述金属颗粒包括镍、钯、铂、铱、金和硒中的一种或更多种。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一介电材料和所述第二介电材料是相同的材料。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一介电材料和所述第二介电材料是钛酸钡。
13.根据权利要求9所述的方法，其中，所述复合层的厚度大于或等于400nm并且小于或等于所述介电材料片的厚度的1/3。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102105384B1 (ko) * 2018-07-19 2020-04-28 삼성전기주식회사 적층형 커패시터
KR20230128323A (ko) * 2021-02-02 2023-09-04 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 무기 입자 함유 페이스트, 무기 입자 함유 막, 및 적층체
US11462065B1 (en) 2022-01-05 2022-10-04 Mark Ellery Ogram Security system

Citations (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1064704A (ja) * 1996-08-21 1998-03-06 Sumitomo Metal Ind Ltd 積層チップ型電子部品
JPH1064703A (ja) * 1996-08-21 1998-03-06 Sumitomo Metal Ind Ltd 積層チップ型電子部品
CN1257052A (zh) * 1998-07-29 2000-06-21 Tdk株式会社 电介质陶瓷组合物及其电子元件
JP2003077761A (ja) * 2001-09-05 2003-03-14 Nec Tokin Ceramics Corp 積層セラミックコンデンサ、及び積層セラミック部品
JP2004311990A (ja) * 2003-03-27 2004-11-04 Kyocera Corp 積層セラミック電子部品の製造方法
CN1572747A (zh) * 2003-05-22 2005-02-02 日本电气硝子株式会社 等离子体显示板用电介质材料
US20050122030A1 (en) * 2001-09-10 2005-06-09 Noritake Co. Ltd Thick-film sheet member its applied device and methods for manufacturing them
JP2005191409A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層セラミックコンデンサの製造方法
CN1763888A (zh) * 2004-08-31 2006-04-26 佳能株式会社 叠层体的形成方法及使用了此叠层体的电子源、图像显示装置的制造方法
JP2006186096A (ja) * 2004-12-27 2006-07-13 Ngk Spark Plug Co Ltd 誘電体積層構造体の製造方法
JP2006210431A (ja) * 2005-01-25 2006-08-10 Ngk Spark Plug Co Ltd 誘電体積層構造体の製造方法
JP2007142089A (ja) * 2005-11-17 2007-06-07 Ngk Spark Plug Co Ltd 誘電体積層構造体とその製造方法、及びコンデンサ
JP2007214107A (ja) * 2005-09-06 2007-08-23 Toray Ind Inc ペースト組成物、誘電体組成物、キャパシタおよびペースト組成物の製造方法
JP2008081355A (ja) * 2006-09-27 2008-04-10 Kyocera Corp 誘電体原料粉末およびその製法、ならびに積層セラミックコンデンサ
CN101238080A (zh) * 2005-08-29 2008-08-06 京瓷株式会社 介电陶瓷及其制造方法、以及层叠陶瓷电容器
JP2010278430A (ja) * 2009-05-26 2010-12-09 General Electric Co <Ge> 高エネルギー密度コンデンサおよび他のデバイスのための複合構造
US20100309607A1 (en) * 2009-06-04 2010-12-09 Industrial Technology Research Institute Capacitor substrate structure
CN101964254A (zh) * 2009-07-23 2011-02-02 财团法人工业技术研究院 电容基板结构
CN103346014A (zh) * 2013-06-14 2013-10-09 中国海洋大学 石墨纸-钛酸钡陶瓷薄膜电容器及其制备方法
KR20140020011A (ko) * 2012-08-07 2014-02-18 한국전기연구원 고유전율을 갖는 복합 세라믹 유전체 조성물 및 그 제조방법
CN104992837A (zh) * 2015-07-21 2015-10-21 苏州电力电容器有限公司 应用于准法拉第超级电容器的复合基材及其制法与应用
KR20160007219A (ko) * 2014-07-11 2016-01-20 삼성전기주식회사 유전체 조성물 및 이의 제조방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100541551B1 (ko) * 2003-09-19 2006-01-10 삼성전자주식회사 적어도 3층의 고유전막들을 갖는 아날로그 커패시터 및그것을 제조하는 방법
KR100607178B1 (ko) * 2004-01-14 2006-08-01 삼성전자주식회사 불균일하게 분포된 결정 영역을 갖는 유전막을 포함하는캐패시터 및 그 제조 방법
US7596842B2 (en) * 2005-02-22 2009-10-06 Oak-Mitsui Inc. Method of making multilayered construction for use in resistors and capacitors
US20070108490A1 (en) * 2005-11-14 2007-05-17 General Electric Company Film capacitors with improved dielectric properties
US7804678B2 (en) * 2007-04-25 2010-09-28 Industrial Technology Research Institute Capacitor devices
CN101983408B (zh) * 2008-03-31 2012-11-14 三井金属矿业株式会社 电容器形成材料和带有电容器的印刷电路板
KR20100096625A (ko) * 2009-02-25 2010-09-02 삼성전기주식회사 커패시터 및 그 제조방법
CN101996767B (zh) * 2009-08-10 2013-03-13 小岛压力加工工业株式会社 薄膜电容器及其制造方法
CN102858691B (zh) * 2010-04-28 2015-09-23 株式会社村田制作所 具有阴离子控制的介电性质的钙钛矿材料、薄膜电容器器件及其制造方法
US8885322B2 (en) 2010-10-12 2014-11-11 Apricot Materials Technologies, LLC Ceramic capacitor and methods of manufacture
JP5838927B2 (ja) 2011-10-14 2016-01-06 Tdk株式会社 積層セラミック電子部品
KR101761940B1 (ko) * 2012-05-04 2017-07-26 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품 및 이의 제조방법
KR102057911B1 (ko) * 2013-06-19 2019-12-20 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
KR102212640B1 (ko) * 2015-07-06 2021-02-05 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품

Patent Citations (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1064704A (ja) * 1996-08-21 1998-03-06 Sumitomo Metal Ind Ltd 積層チップ型電子部品
JPH1064703A (ja) * 1996-08-21 1998-03-06 Sumitomo Metal Ind Ltd 積層チップ型電子部品
CN1257052A (zh) * 1998-07-29 2000-06-21 Tdk株式会社 电介质陶瓷组合物及其电子元件
JP2003077761A (ja) * 2001-09-05 2003-03-14 Nec Tokin Ceramics Corp 積層セラミックコンデンサ、及び積層セラミック部品
US20050122030A1 (en) * 2001-09-10 2005-06-09 Noritake Co. Ltd Thick-film sheet member its applied device and methods for manufacturing them
JP2004311990A (ja) * 2003-03-27 2004-11-04 Kyocera Corp 積層セラミック電子部品の製造方法
CN1572747A (zh) * 2003-05-22 2005-02-02 日本电气硝子株式会社 等离子体显示板用电介质材料
JP2005191409A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層セラミックコンデンサの製造方法
CN1763888A (zh) * 2004-08-31 2006-04-26 佳能株式会社 叠层体的形成方法及使用了此叠层体的电子源、图像显示装置的制造方法
JP2006186096A (ja) * 2004-12-27 2006-07-13 Ngk Spark Plug Co Ltd 誘電体積層構造体の製造方法
JP2006210431A (ja) * 2005-01-25 2006-08-10 Ngk Spark Plug Co Ltd 誘電体積層構造体の製造方法
CN101238080A (zh) * 2005-08-29 2008-08-06 京瓷株式会社 介电陶瓷及其制造方法、以及层叠陶瓷电容器
JP2007214107A (ja) * 2005-09-06 2007-08-23 Toray Ind Inc ペースト組成物、誘電体組成物、キャパシタおよびペースト組成物の製造方法
JP2007142089A (ja) * 2005-11-17 2007-06-07 Ngk Spark Plug Co Ltd 誘電体積層構造体とその製造方法、及びコンデンサ
JP2008081355A (ja) * 2006-09-27 2008-04-10 Kyocera Corp 誘電体原料粉末およびその製法、ならびに積層セラミックコンデンサ
JP2010278430A (ja) * 2009-05-26 2010-12-09 General Electric Co <Ge> 高エネルギー密度コンデンサおよび他のデバイスのための複合構造
US20100309607A1 (en) * 2009-06-04 2010-12-09 Industrial Technology Research Institute Capacitor substrate structure
CN101964254A (zh) * 2009-07-23 2011-02-02 财团法人工业技术研究院 电容基板结构
KR20140020011A (ko) * 2012-08-07 2014-02-18 한국전기연구원 고유전율을 갖는 복합 세라믹 유전체 조성물 및 그 제조방법
CN103346014A (zh) * 2013-06-14 2013-10-09 中国海洋大学 石墨纸-钛酸钡陶瓷薄膜电容器及其制备方法
KR20160007219A (ko) * 2014-07-11 2016-01-20 삼성전기주식회사 유전체 조성물 및 이의 제조방법
CN104992837A (zh) * 2015-07-21 2015-10-21 苏州电力电容器有限公司 应用于准法拉第超级电容器的复合基材及其制法与应用

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