CN110112422A - 微孔金属箔及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种微孔金属箔的制造方法，包括如下步骤：S1、在金属箔的第一表面覆盖第一掩膜层，在金属箔的第二表面覆盖第二掩膜层，以形成覆膜金属箔；S2、使用荷能重离子对覆膜金属箔进行辐照，以在第一掩膜层和/或第二掩膜层内形成离子径迹；S3、对辐照后的覆膜金属箔进行蚀刻，以在覆膜金属箔上形成微孔；S4、去除经过蚀刻后的覆膜金属箔表面的第一掩膜层和第二掩膜层，得到微孔金属箔。本发明提供的上述制造方法具有成本低、工艺简单，生产效率高等特点；且按照本发明提供的方法制得的微孔金属箔的孔径较小，能够满足将其作为集流体制作电极的需求。

Description

微孔金属箔及其制造方法
技术领域
本发明涉及金属箔加工领域，具体涉及一种微孔金属箔及其制造方法。
背景技术
锂离子电池是一种二次电池，具有能量高、工作电压高、工作温度范围宽、体积小、质量轻、贮存寿命长等优点。随着锂离子电池应用的不断扩大，对锂离子电池的能量密度和安全性的要求也越来越高。目前研究发现，采用微孔金属箔作为集流体制作电极比传统金属箔有明显的优点，不但可以增大电极的表面积、提高正负极材料在电极上的附着力、抑制枝晶的生长、提高电池的储电能力，还能改善锂离子电池的安全性能，降低挤压、撞击、被尖锐物体刺穿时造成锂离子电池内部短路的概率，减少导致电芯热失控的风险。因此，微孔金属箔受到了人们的广泛关注。
传统的微孔金属箔的制造方法有冲孔加工、激光加工。冲孔加工的形成的孔的孔径较大，一般在300μm以上，在这样的金属箔上涂布电极活性材料时，容易产生漏浆料等问题；激光加工可制作孔径较小的微孔金属箔，但激光加工制作成本贵，生产效率低。
发明内容
为了解决上述技术问题中的至少一个方面，本发明的实施例一方面提供了一种微孔金属箔的制造方法，包括如下步骤：
S1、在金属箔的第一表面覆盖第一掩膜层，在所述金属箔的第二表面覆盖第二掩膜层，以形成覆膜金属箔；
S2、使用荷能重离子对所述覆膜金属箔进行辐照，以在所述第一掩膜层和/或所述第二掩膜层内形成离子径迹；
S3、对辐照后的所述覆膜金属箔进行蚀刻，以在所述覆膜金属箔上形成微孔；
S4、去除经过蚀刻后的所述覆膜金属箔表面的所述第一掩膜层和所述第二掩膜层，得到微孔金属箔。
在一些实施例中，步骤S1包括：
通过涂布、喷涂或覆膜的方式将所述第一掩膜层和所述第二掩膜层覆盖到所述金属箔的第一表面和第二表面上。
在一些实施例中，步骤S1包括：
利用高分子聚合物材料形成所述第一掩膜层与所述第二掩膜层中至少一个；
所述高分子聚合物材料为对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯或聚酰亚胺。
在一些实施例中，所述第一掩膜层与所述第二掩膜层由相同或不同的材料制成。
在一些实施例中，步骤S1中，
所述金属箔为铜箔、铝箔、镍箔、不锈钢箔或镁箔，所述金属箔厚度为2μm至100μm。
在一些实施例中，步骤S1中：
所述第一掩膜层与所述第二掩膜层的厚度相同或不同。
在一些实施例中，所述第一掩膜层或所述第二掩膜层的厚度为1μm至50μm；
在一些实施例中，步骤S2中，
使用荷能重离子对所述覆膜金属箔进行辐照的步骤包括：使所述荷能重离子的运动方向与所述覆膜金属箔所在的平面垂直。
在一些实施例中，步骤S2包括：
使所述荷能重离子贯穿所述第一掩膜层或所述第二掩膜层，在被贯穿的所述第一掩膜层或所述第二掩膜层内形成离子径迹；或者
使所述荷能重离子穿所述金属箔并贯穿所述第一掩膜层和所述第二掩膜层，在所述第一掩膜层和所述第二掩膜层内均形成离子径迹。
在一些实施例中，步骤S2包括：
通过遮挡板遮挡所述荷能重离子，在所述遮挡板内设置有特定图案的通孔组合，使得所述覆膜金属箔仅有局部能受到辐照。
在一些实施例中，步骤S3包括：
利用第一蚀刻液对辐照后的所述覆膜金属箔进行蚀刻或者
先利用第一蚀刻液对所述覆膜金属箔表面的所述第一掩膜层和/或所述第二掩膜层进行蚀刻，再利用第二蚀刻液对所述覆膜金属箔内部的金属箔进行蚀刻。
本发明另一方面提供了一种根据上述方法制造而成的微孔金属箔。
相对于现有技术中的制造微孔金属箔的方法，本发明提供的上述制造方法具有成本低、工艺简单，生产效率高等特点；且按照本发明提供的方法制得的微孔金属箔的孔径较小，能够满足将其作为集流体制作电极的需求。
附图说明
通过下文中参照附图对本发明所作的描述，本发明的其它目的和优点将显而易见，并可帮助对本发明有全面的理解。
图1为根据本发明示例性实施例的微孔金属箔的制造方法流程图；
图2为根据本发明示例性实施例的覆盖了掩膜层的金属箔的结构示意图；
图3为图2中的结构经过辐照在掩膜层内形成离子径迹的示意图；
图4为图3中的结构在掩膜层上蚀刻形成微孔的示意图；
图5为图4中的结构在金属箔上蚀刻形成微孔的示意图；
图6为根据本发明示例性实施例的微孔金属箔的示意图；
图7为根据本发明另一个示例性实施例的微孔金属箔的示意图。
需要说明的是，以上全部附图并不一定按比例来绘制，而是仅以不影响读者理解的示意性方式示出。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。
参照图1，为根据本发明示例性实施例的微孔金属箔的制造方法流程图。本发明的实施例中提供了一种微孔金属箔的制造方法，包括如下步骤：
S1、在金属箔的第一表面覆盖第一掩膜层，在金属箔的第二表面覆盖第二掩膜层，以形成覆膜金属箔。
参照图2，为根据本发明示例性实施例的金属箔覆盖了掩膜层之后的结构示意图。可见，金属箔3的第一表面和第二表面分别由第一掩膜层1和第二掩膜层2覆盖，此时金属箔3和第一掩膜层1、第二掩膜层2上均没有微孔。
根据一些实施例，金属箔3可以为铜箔、铝箔、镁箔、镍箔、不锈钢箔或其他种类的金属箔，金属箔的厚度可以为2μm至100μm。第一掩膜层1或第二掩膜层2单层的厚度可以为1μm至50μm，二者的厚度可以相同也可以不同。
根据一些实施例，步骤S1还包括：通过涂布、喷涂、覆膜等方式将第一掩膜层1和第二掩膜层2覆盖到金属箔3的第一表面和第二上，使第一掩膜层1和第二掩膜层2分别紧密均匀地覆盖金属箔3的第一表面和第二表面，二者的覆盖方式可以相同也可以不同。例如，第一掩膜层1和第二掩膜层2可均通过涂布的方式覆盖；也可以第一掩膜层1通过涂布的方式覆盖，第二掩膜层2通过喷涂的方式覆盖。二者最优的覆盖方式可根据二者的材料选择。
根据一些实施例，步骤S1还包括：利用高分子聚合物材料形成第一掩膜层1与第二掩膜层2中至少一个。例如，第一掩膜层1和第二掩膜层2可以均由高分子聚合物材料制成；也可以一个由高分子聚合物材料制成，另一个由其他材料制成，另一个掩膜层的制造材料只要满足能紧密覆盖金属箔3，并能在后续的刻蚀步骤中保护金属箔3即可。制造掩膜层所用的高分子聚合物材料可以为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)，聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)等，所用材料只要满足该层掩膜层在经过重离子辐照后能产生离子径迹即可。当第一掩膜层1和第二掩膜层2均由高分子聚合物材料制成时，制造二者所用的高分子聚合物材料可以相同也可以不同。
S2、使用荷能重离子对覆膜金属箔进行辐照，以在第一掩膜层1和/或第二掩膜层2内形成离子径迹。
参照图3，为图2中的结构经过辐照在掩膜层内形成离子径迹的示意图。荷能重离子可由重离子加速器发射出，图中箭头表示使用荷能重离子辐照时，重离子(重离子束)的运动方向，该方向可以与覆膜金属箔所在的平面成一定角度，如45°-90°；优选地，使该方向与金属箔3所在的平面垂直，这样能更好地保证离子径迹4的方向，以能更好地控制金属箔3的刻蚀。
根据一些实施例，因为金属箔1的厚度差异及荷能重离子能量的差异，荷能重离子可能穿透金属箔3也可能无法穿透金属箔3，进行辐照时，只需满足荷能重离子至少能贯穿一个掩膜层并在掩膜层内形成贯穿的离子径迹4即可。例如，荷能重离子可以只贯穿第一掩膜层1或只贯穿第二掩膜层2，在被贯穿掩膜层或内形成离子径迹4；即此时荷能重离子只贯穿金属箔3被辐照的表面的掩膜层但无法贯穿金属箔3。或者荷能重离子可贯穿金属箔3并贯穿第一掩膜层1和第二掩膜层2，如图3所示，在第一掩膜层1和第二掩膜层2内均形成离子径迹4；此时因荷能重离子是垂直照射，第一掩膜层1和第二掩膜层2内形成的离子径迹4的位置是对应的，方便于后续的蚀刻步骤中在特定的位置形成微孔。
可以理解的是，当第一掩膜层1和第二掩膜层2的材料或厚度不同，且荷能重离子只能贯穿一层掩膜层时，使荷能重离子辐照更合适的一面的掩膜层。例如，若第一掩膜层1和第二掩膜层2中只有一个由高分子聚合物材料制成，另一个掩膜层经过辐照后无法形成离子径迹4，则使荷能重离子辐照由高分子聚合物材料制成的那一个掩膜层。当第一掩膜层1和第二掩膜层2的材料、厚度均相同，或荷能重离子能够在第一掩膜层1和第二掩膜层2中均形成贯穿的离子径迹4时，荷能重离子辐照任意一面的掩膜层均可。掩膜层上形成的离子径迹密度可为1×102/cm2～1×109/cm2。
可选地，在该步骤中，还可以通过遮挡板遮挡重离子，并使遮挡板内设置有特定图案的通孔组合，使得覆膜金属箔仅有局部能受到辐照，即仅在该区域的掩膜层内能形成离子径迹4。通过限制离子径迹4的区域，经过后续步骤处理后，能制得微孔呈特定图案分布的微孔金属箔。
S3、对辐照后的覆膜金属箔进行蚀刻，以在覆膜金属箔上形成微孔。
根据一些实施例，步骤S3包括：利用蚀刻液对辐照后的覆层金属箔进行蚀刻。所用的蚀刻液为NaOH溶液、KOH溶液、H2SO4溶液、HCl溶液、HF溶液、NaClO溶液、KMnO4溶液或FeCl3溶液其中的一种或几种的混合液。蚀刻液可根据掩膜层和金属箔的材质进行选择，可根据实际需求选用单一试剂溶液或配方试剂溶液作为蚀刻液，同时，亦可以在蚀刻液中加入适量添加剂改善蚀刻效果；蚀刻工艺参数也可以根据实际情况进行选取，例如蚀刻液的浓度可控制在0.1-50mol/L，蚀刻液温度可控制在0-100℃范围内，蚀刻时间可控制在1-300分钟范围内，以保证能够完成蚀刻。
参照图4和图5，通过蚀刻，先在第一掩膜层1和第二掩膜层2上的离子径迹4处形成微孔，再在金属箔3的对应位置处形成微孔5。图示实施例为第一掩膜层1和第二掩膜层2上均形成有离子径迹4的情况；可以理解的是，若第一掩膜层1和第二掩膜层2中只有一个形成了贯穿的离子径迹4，也能够完成蚀刻，只是完成蚀刻所需的时间相对较长。
可以理解的是，当形成了离子径迹4的掩膜层与金属箔3可用同一种蚀刻液进行蚀刻时，步骤S3可以一步完成。当二者不能使用同一种蚀刻液进行蚀刻时，该步骤可分两步完成，即先利用第一蚀刻液对掩膜层进行蚀刻，在掩膜层上的离子径迹4处形成贯穿的微孔后，再利用第二蚀刻液对金属箔进行蚀刻，以在金属箔3上的对应位置处也形成微孔。在此，第一蚀刻液和第二蚀刻液可以为相同的蚀刻液，也可以为不同的蚀刻液。
根据一些实施例，也可以通过控制蚀刻的时间，使金属箔3上形成的微孔并非是贯穿的微孔，而是相对其表面凹陷的凹孔。
S4、去除经过蚀刻后的覆膜金属箔表面的第一掩膜层和第二掩膜层，得到微孔金属箔。
例如，可采用物理或化学方法去除第一掩膜层1和第二掩膜层2。得到微孔金属箔后，还可以对微孔金属箔进行后续处理，例如：将微孔金属箔浸没在清水中清洗，水温可控制在15-95℃范围内；再将微孔金属箔烘干。
根据上述方法制成的本发明示例性实施例的微孔金属箔如图6和图7所示。其中图7是在辐照步骤中，通过带有“M字”图案的遮挡板遮挡荷能重离子，最终制得的微孔呈“M字”图案分布的微孔金属箔的示意图。
相对于现有技术中的制造微孔金属箔的方法，本发明提供的上述制造方法具有成本低、工艺简单，生产效率高等特点；且按照本发明提供的方法制得的微孔金属箔的孔径较小，能够满足将其作为集流体制作电极的需求。例如，以12μm厚的金属铜箔为原材料，可制得孔径为20μm左右的微孔金属箔。
下面介绍按照本发明提供的方法制造微孔金属箔的具体实施例。
实施例1：
(1)制作掩膜层
选用12μm厚金属铜箔为原材料制作微孔金属箔。在铜箔两面涂布厚度为6μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜作为掩膜层。涂覆PET掩膜层的铜箔总厚度为24μm。
(2)重离子辐照
使用能量为能量150MeV的32S重离子束垂直辐照覆膜铜箔，32S重离子可以完全贯穿覆膜铜箔，辐照密度为5×105/cm2。
(3)掩膜层蚀刻
将重离子辐照后的覆膜铜箔置于6mol/L的NaOH溶液中进行蚀刻，蚀刻溶液温度为65℃，蚀刻时间为30-50min。使PET掩膜在离子径迹处蚀刻形成微孔。
(4)铜箔蚀刻
再将覆膜铜箔浸没在主要成分为FeCl3的蚀刻液中，使FeCl3通过微孔对铜箔进行蚀刻，蚀刻溶液温度为50℃，蚀刻时间约为5分钟。在铜箔上与PET掩膜的微孔相对应的位置蚀刻出微孔。
(5)去掩膜层
使用物理方法将PET掩膜层从铜箔上剥离。
(6)清洗
使用纯净水或去离子水对铜箔进行清洗。
(7)烘干
使用热风吹干。
实施例2：
(1)制作掩膜层
选用8μm厚金属铜箔为原材料制作微孔金属箔。选用聚碳酸酯(PC)作为掩膜层材料。通过刮涂的方法在铜箔的两面涂覆5μm厚的PC掩膜层。
(2)重离子辐照
使用能量为能量250MeV的56Fe重离子束垂直辐照覆膜铜箔，56Fe重离子可以完全贯穿覆膜铜箔，辐照密度为6×105/cm2。
(3)掩膜层蚀刻
将重离子辐照后的覆膜铜箔置于7mol/L的KOH溶液中进行蚀刻，蚀刻溶液温度为65℃，蚀刻时间为40-60min。使PC掩膜在离子径迹处蚀刻形成微孔。
(4)铜箔蚀刻
再将覆膜铜箔浸没在主要成分为FeCl3的蚀刻液中，使FeCl3通过微孔对铜箔进行蚀刻，蚀刻溶液温度为50℃，蚀刻时间约为5分钟。在铜箔上与PC掩膜的微孔相对应的位置蚀刻出微孔。
(5)去掩膜层
将PC掩膜层从铜箔上剥离。
(6)清洗
使用纯净水或去离子水对铜箔进行清洗。
(7)烘干
使用热风吹干。
实施例3：
(1)制作掩膜层
选用25μm厚金属铜箔为原材料制作微孔金属箔。选用聚碳酸酯(PC)作为掩膜层材料。通过浸涂的方法在铜箔的两面涂覆6μm厚的PC掩膜层。
(2)重离子辐照
使用能量为能量150MeV的79Br重离子束垂直辐照覆膜铜箔，79Br重离子不能完全贯穿覆膜铜箔，但可以完全穿透一面的掩膜层，并进入到铜箔中，辐照密度为3×105/cm2。
(3)掩膜层蚀刻
将重离子辐照后的覆膜铜箔置于7mol/L的NaOH溶液中进行蚀刻，蚀刻溶液温度为65℃，蚀刻时间为50-70min。使PC掩膜在离子径迹处蚀刻形成微孔。
(4)铜箔蚀刻
再将覆膜铜箔浸没在主要成分为FeCl3的蚀刻液中，使FeCl3通过微孔对铜箔进行蚀刻，蚀刻溶液温度为50℃，蚀刻时间约为10分钟。在铜箔上与PC掩膜的微孔相对应的位置蚀刻出微孔。
(5)去掩膜层
将PC掩膜层从铜箔上剥离。
(6)清洗
使用纯净水或去离子水对铜箔进行清洗。
(7)烘干
使用热风吹干。
实施例4：
(1)制作掩膜层
选用10μm厚金属铜箔为原材料制作微孔金属箔。通过刮涂的方法在铜箔的一面涂覆5μm厚的PET掩膜层，在另一面涂覆6μm厚的PET掩膜层。
(2)重离子辐照
使用能量为能量150MeV的79Br重离子束从6μm厚掩膜层一侧入射，垂直辐照覆膜铜箔，79Br重离子不能完全贯穿涂膜铜箔，即可以完全穿透6μm厚掩膜层，并进入到铜箔中，但不能穿透5μm厚掩膜层，辐照密度为4×105/cm2。
(3)掩膜层蚀刻
将重离子辐照后的覆膜铜箔置于7mol/L的NaOH溶液中进行蚀刻，蚀刻溶液温度为65℃，蚀刻时间为50-70min。使6μm厚PET掩膜在离子径迹处蚀刻形成微孔。
(4)铜箔蚀刻
再将覆膜铜箔浸没在主要成分为FeCl3的蚀刻液中，使FeCl3通过微孔对铜箔进行蚀刻，蚀刻溶液温度为50℃，蚀刻时间约为10分钟。在铜箔上与PET掩膜微孔相对应的位置蚀刻出微孔。
(5)去掩膜层
将PET掩膜层从铜箔上剥离。
(6)清洗
使用纯净水或去离子水对铜箔进行清洗。
(7)烘干
使用热风吹干。
实施例5：
(1)制作掩膜层
选用10μm厚金属铜箔为原材料制作微孔金属箔。通过刮涂的方法在铜箔的一面制作5μm厚聚碳酸酯(PC)掩膜层，在另一面涂覆6μm厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)掩膜层。
(2)重离子辐照
使用能量为能量150MeV的79Br重离子束从6μm厚PET掩膜层一侧入射，垂直辐照覆膜铜箔，79Br重离子不能完全贯穿涂膜铜箔，即可以完全穿透6μm厚掩膜层，并进入到铜箔中，但不能穿透5μm厚PET掩膜层，辐照密度为4×105/cm2。
(3)掩膜层蚀刻
将重离子辐照后的覆膜铜箔置于7mol/L的NaOH溶液中进行蚀刻，蚀刻溶液温度为65℃，蚀刻时间为50-70min。使PC掩膜在离子径迹处蚀刻形成微孔。
(4)铜箔蚀刻
再将覆膜铜箔浸没在主要成分为FeCl3的蚀刻液中，使FeCl3通过微孔对铜箔进行蚀刻，蚀刻溶液温度为50℃，蚀刻时间约为10分钟。在铜箔上与PET掩膜微孔相对应的位置蚀刻出微孔。
(5)去掩膜层
将PC、PET掩膜层从铜箔上剥离。
(6)清洗
使用纯净水或去离子水对铜箔进行清洗。
(7)烘干
使用热风吹干。
实施例6：
(1)制作掩膜层
选用12μm厚金属铝箔为原材料制作微孔铝箔。选用厚度为5μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜作为掩膜层。通过无胶覆膜方法将PET薄膜紧密贴附到铝箔的两面。
(2)重离子辐照
使用能量为能量150MeV的32S重离子束垂直辐照覆膜铝箔，32S重离子可以完全贯穿覆膜铝箔，辐照密度为5×105/cm2。
(3)蚀刻
将重离子辐照后的覆膜铝箔置于5mol/L的NaOH溶液中进行蚀刻，蚀刻溶液温度为65℃，蚀刻时间为40-80min。蚀刻液先在PET掩膜层上蚀刻出微孔，然后继续蚀刻，在铝箔上蚀刻出微孔。
(4)去掩膜层
将PET掩膜层从铜箔上剥离。
(5)清洗
使用纯净水或去离子水对铝箔进行清洗。
(6)烘干
使用热风吹干。
实施例7：
(1)制作掩膜层
选用25μm厚金属铝箔为原材料制作微孔铝箔。选用聚碳酸酯(PC)作为掩膜层材料。通过刮涂的方法在铝箔的两面涂覆5μm厚的PC掩膜层。
(2)重离子辐照
使用能量为能量200MeV的208Pb重离子束垂直辐照覆膜铝箔，208Pb重离子不能完全贯穿覆膜铝箔，但可以完全穿透一面的掩膜层，并进入到铝箔中，辐照密度为4×105/cm2。
(3)蚀刻
将重离子辐照后的覆膜铝箔置于6mol/L的NaOH溶液中进行蚀刻，蚀刻溶液温度为65℃，蚀刻时间为60-120min。蚀刻液先在辐照面的掩膜层上蚀刻出微孔，然后继续蚀刻，在铝箔上蚀刻出微孔。
(5)去掩膜层
将PC掩膜层从铜箔上剥离。
(6)清洗
使用纯净水或去离子水对铝箔进行清洗。
(7)烘干
使用热风吹干。
实施例8：
(1)制作掩膜层
选用20μm厚金属铝箔为原材料制作微孔铝箔。选用PET作为掩膜层材料。通过浸涂的方法在铝箔的两面涂覆6μm厚的PET掩膜层。
(2)重离子辐照
使用能量为能量200MeV的40Ca离子束垂直辐照覆膜铝箔，40Ca重离子可以完全贯穿覆膜铝箔，辐照密度为3×105/cm2。使用带有文字图案“M”的2mm厚的金属板遮挡部分束流。
(3)蚀刻
将重离子辐照后的覆膜铝箔置于5mol/L的NaOH溶液中进行蚀刻，蚀刻溶液温度为65℃，蚀刻时间为50-100min。蚀刻液先在PET掩膜层上蚀刻出微孔，然后继续蚀刻，在铝箔上蚀刻出微孔。
(4)去掩膜层
将PET掩膜层从铜箔上剥离。
(5)清洗
使用纯净水或去离子水对铝箔进行清洗。
(6)烘干
使用热风吹干。最终可制得图7所示的微孔金属箔。
以上所述的具体实施例中所述参数为大致参数，实际应用中可根据具体应用环境进行适当调整。清洗和烘干步骤可根据具体情况进行调整。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种微孔金属箔的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、在金属箔的第一表面覆盖第一掩膜层，在所述金属箔的第二表面覆盖第二掩膜层，以形成覆膜金属箔；
S2、使用荷能重离子对所述覆膜金属箔进行辐照，以在所述第一掩膜层和/或所述第二掩膜层内形成离子径迹；
S3、对辐照后的所述覆膜金属箔进行蚀刻，以在所述覆膜金属箔上形成微孔；
S4、去除经过蚀刻后的所述覆膜金属箔表面的所述第一掩膜层和所述第二掩膜层，得到微孔金属箔。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1包括：
通过涂布、喷涂或覆膜的方式将所述第一掩膜层和所述第二掩膜层覆盖到所述金属箔的第一表面和第二表面上。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1包括：
利用高分子聚合物材料形成所述第一掩膜层与所述第二掩膜层中至少一个；
所述高分子聚合物材料为对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯或聚酰亚胺。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜层与所述第二掩膜层由相同或不同的材料制成。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1中，
所述金属箔为铜箔、铝箔、镍箔、不锈钢箔或镁箔，所述金属箔厚度为2μm至100μm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1中：
所述第一掩膜层与所述第二掩膜层的厚度相同或不同。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜层或所述第二掩膜层的厚度为1μm至50μm。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2中，
使用荷能重离子对所述覆膜金属箔进行辐照的步骤包括：使所述荷能重离子的运动方向与所述覆膜金属箔所在的平面垂直。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，步骤S2包括：
使所述荷能重离子贯穿所述第一掩膜层或所述第二掩膜层，在被贯穿的所述第一掩膜层或所述第二掩膜层内形成离子径迹；或者
使所述荷能重离子贯穿所述金属箔并贯穿所述第一掩膜层和所述第二掩膜层，在所述第一掩膜层和所述第二掩膜层内均形成离子径迹。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，步骤S2包括：
通过遮挡板遮挡所述荷能重离子，在所述遮挡板内设置有特定图案的通孔组合，使得所述覆膜金属箔仅有局部能受到辐照。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3包括：
利用第一蚀刻液对辐照后的所述覆膜金属箔进行蚀刻；或者
先利用第一蚀刻液对所述覆膜金属箔表面的所述第一掩膜层和/或所述第二掩膜层进行蚀刻，再利用第二蚀刻液对所述覆膜金属箔内部的金属箔进行蚀刻。
12.一种根据权利要求1-11中任一项所述的方法制造而成的微孔金属箔。
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