CN110112242A - 一种太阳能电池及一种太阳能电池的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种太阳能电池，包括硅基太阳能电池基板；位于硅基太阳能电池基板背光侧表面的氧化硅膜层；位于氧化硅膜层背向硅基太阳能电池基板一侧表面的氧化铝膜层；位于氧化铝膜层背向硅基太阳能电池基板一侧表面的氮化硅膜层；位于硅基太阳能电池基板背光侧表面的背面电极，以及位于硅基太阳能电池基板受光侧表面的正面电极。上述硅基太阳能电池基板的背光侧表面设置有“氧化硅‑氧化铝‑氮化硅”三层钝化结构，可以进一步减少硅基太阳能电池基板背面表面复合电流密度，通过减少太阳能电池内部电流消耗可以有效提高太阳能电池的转换效率。本发明还提供了一种太阳能电池的制备方法，所制备而成的太阳能电池同样具有上述有益效果。
Description
技术领域
本发明涉及光伏技术领域，特别是涉及一种太阳能电池及一种太阳能电池的制备方法。
背景技术
随着光伏产业的发展与进步，太阳能电池的转换效率以及可靠性得到了极大的提高。对于晶硅太阳能电池来说，晶硅太阳能电池的表面复合对其转换效率的影响很大。
在现阶段，为了减少晶硅太阳能电池背光侧表面，即太阳能电池背面表面复合电流密度，通常是先在晶硅太阳能电池背光侧表面设置氧化铝膜层，再在氧化铝膜层表面设置氮化硅膜层。此时在晶硅太阳能电池背光侧表面设置有“氧化铝-氮化硅”双层钝化结构以减少太阳能电池背面表面复合电流密度。
但是在现有技术中，太阳能电池背面表面复合电流密度通常较大，通过“氧化铝-氮化硅”双层钝化结构通常无法将太阳能电池背面表面复合电流密度降低至30fA/cm2，使得太阳能电池的转换效率较低。所以如何提供一种具有较高转换效率的太阳能电池是本领域技术人员急需解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种太阳能电池，具有较高的转换效率；本发明还提供了一种太阳能电池的制备方法，所制备而成的太阳能电池具有较高的转换效率。
为解决上述技术问题，本发明提供一种太阳能电池，包括：
硅基太阳能电池基板；
位于所述硅基太阳能电池基板背光侧表面的氧化硅膜层；
位于所述氧化硅膜层背向所述硅基太阳能电池基板一侧表面的氧化铝膜层；
位于所述氧化铝膜层背向所述硅基太阳能电池基板一侧表面的氮化硅膜层；
位于所述硅基太阳能电池基板背光侧表面的背面电极，以及位于所述硅基太阳能电池基板受光侧表面的正面电极。
可选的，所述氧化硅膜层厚度的取值范围为2nm至3nm，包括端点值。
可选的，所述氧化铝膜层厚度的取值范围为2nm至4nm，包括端点值。
可选的，所述氮化硅膜层厚度的取值范围为70nm至120nm，包括端点值。
本发明还提供了一种太阳能电池的制备方法，包括：
在硅基太阳能电池基板背光侧表面沉积氧化硅膜层；
在所述氧化硅膜层表面沉积氧化铝膜层；
在所述氧化铝膜层表面沉积氮化硅膜层；
在所述硅基太阳能电池基板背光侧表面设置背面电极，并在所述硅基太阳能电池基板受光侧表面设置正面电极，以制成所述太阳能电池。
可选的，所述在硅基太阳能电池基板背光侧表面沉积氧化硅膜层包括：
利用PECVD机台通过硅烷与笑气的反应在硅基太阳能电池基板背光侧表面沉积氧化硅膜层。
可选的，沉积所述氧化硅膜层时所述硅烷与所述笑气的流量比的取值范围为1:10至1:15，包括端点值；所述氧化硅膜层的沉积温度的取值范围为450℃至580℃，包括端点值；沉积所述氧化硅膜层时所述PECVD机台内气压的取值范围为1500Torr至1800Torr，包括端点值。
可选的，所述在所述氧化硅膜层表面沉积氧化铝膜层包括：
利用ALD设备通过三甲基铝与纯水的反应在所述氧化硅膜层表面沉积氧化铝膜层。
可选的，所述在所述氧化铝膜层表面沉积氮化硅膜层包括：
利用PECVD机台通过硅烷与氨气的反应在所述氧化铝膜层表面沉积氮化硅膜层。
可选的，沉积所述氮化硅膜层时所述硅烷与所述氨气的流量比的取值范围为1:6至1:15，包括端点值；所述氮化硅膜层的沉积温度的取值范围为440℃至570℃，包括端点值；沉积所述氮化硅膜层时所述PECVD机台内气压的取值范围为1300Torr至1600Torr，包括端点值。
本发明所提供的一种太阳能电池，包括硅基太阳能电池基板；位于硅基太阳能电池基板背光侧表面的氧化硅膜层；位于氧化硅膜层背向硅基太阳能电池基板一侧表面的氧化铝膜层；位于氧化铝膜层背向硅基太阳能电池基板一侧表面的氮化硅膜层；位于硅基太阳能电池基板背光侧表面的背面电极，以及位于硅基太阳能电池基板受光侧表面的正面电极。上述硅基太阳能电池基板的背光侧表面设置有“氧化硅-氧化铝-氮化硅”三层钝化结构，对于硅材质的硅基太阳能电池基板，氧化硅膜层可以使硅基太阳能电池基板表面的硅悬挂键饱和，从而有效减少硅基太阳能电池基板表面的硅悬挂键数量，降低表面复合电流密度；而氧化铝膜层自身带有负电荷，可以通过场钝化效应对硅基太阳能电池基板提供良好的钝化效果；而氮化硅膜层作为减反射层可以抑制长波段光透过硅基太阳能电池基板，并且提供一定的氢钝化作用。
通过在硅基太阳能电池基板的背光侧表面设置“氧化硅-氧化铝-氮化硅”三层钝化结构，可以进一步减少硅基太阳能电池基板背面表面复合电流密度，通常可以将太阳能电池背面表面复合电流密度降低至20fA/cm2左右，通过减少太阳能电池内部电流消耗可以有效提高太阳能电池的转换效率。
本发明还提供了一种太阳能电池的制备方法，所制备而成的太阳能电池同样具有上述有益效果，在此不再进行赘述。
附图说明
为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所提供的一种太阳能电池的结构示意图；
图2为本发明实施例所提供的一种太阳能电池制备方法的流程图；
图3为本发明实施例所提供的一种具体的太阳能电池制备方法的流程图。
图中：1.硅基太阳能电池基板、2.氧化硅膜层、3.氧化铝膜层、4.氮化硅膜层、5.钝化减反层、6.背面电极、7.正面电极。
具体实施方式
本发明的核心是提供一种太阳能电池。在现有技术中，通常是先在晶硅太阳能电池背光侧表面设置氧化铝膜层，再在氧化铝膜层表面设置氮化硅膜层。此时在晶硅太阳能电池背光侧表面设置有“氧化铝-氮化硅”双层钝化结构以减少太阳能电池背面表面复合电流密度。但是由于氧化铝膜层与硅基太阳能电池基板之间晶格失配，使得氧化铝膜层与硅基太阳能电池基板之间具有较多的硅悬挂键，从而使得硅基太阳能电池基板表面具有较多的复合中心，使得太阳能电池背面具有较高的表面复合电流密度，使得太阳能电池具有较低的转换效率。
而本发明所提供的一种太阳能电池，包括硅基太阳能电池基板；位于硅基太阳能电池基板背光侧表面的氧化硅膜层；位于氧化硅膜层背向硅基太阳能电池基板一侧表面的氧化铝膜层；位于氧化铝膜层背向硅基太阳能电池基板一侧表面的氮化硅膜层；位于硅基太阳能电池基板背光侧表面的背面电极，以及位于硅基太阳能电池基板受光侧表面的正面电极。上述硅基太阳能电池基板的背光侧表面设置有“氧化硅-氧化铝-氮化硅”三层钝化结构，对于硅材质的硅基太阳能电池基板，氧化硅膜层可以使硅基太阳能电池基板表面的硅悬挂键饱和，从而有效减少硅基太阳能电池基板表面的硅悬挂键数量，降低表面复合电流密度；而氧化铝膜层自身带有负电荷，可以通过场钝化效应对硅基太阳能电池基板提供良好的钝化效果；而氮化硅膜层作为减反射层可以抑制长波段光透过硅基太阳能电池基板，并且提供一定的氢钝化作用。
通过在硅基太阳能电池基板的背光侧表面设置“氧化硅-氧化铝-氮化硅”三层钝化结构，可以进一步减少硅基太阳能电池基板背面表面复合电流密度，通常可以将太阳能电池背面表面复合电流密度降低至20fA/cm2左右，通过减少太阳能电池内部电流消耗可以有效提高太阳能电池的转换效率。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1，图1为本发明实施例所提供的一种太阳能电池的结构示意图。
参见图1，在本发明实施例中，所述太阳能电池包括硅基太阳能电池基板1；位于所述硅基太阳能电池基板1背光侧表面的氧化硅膜层2；位于所述氧化硅膜层2背向所述硅基太阳能电池基板1一侧表面的氧化铝膜层3；位于所述氧化铝膜层3背向所述硅基太阳能电池基板1一侧表面的氮化硅膜层4；位于所述硅基太阳能电池基板1背光侧表面的背面电极6，以及位于所述硅基太阳能电池基板1受光侧表面的正面电极7。
上述硅基太阳能电池基板1为本发明实施例所提供的太阳能电池中主要用于将光能转换成电能的部件，该硅基太阳能电池基板1主体的材质为硅，具体的，该硅基太阳能电池基板1可以为多晶硅太阳能电池基板1或单晶硅太阳能电池基板1，有关硅基太阳能电池基板1的具体材质在本发明实施例中并不做具体限定。需要说明的是，在本发明实施例中硅基太阳能电池基板1通常为在硅衬底表面进行制绒以及扩散所制备而成的硅基太阳能电池基板1，即在本发明实施例中，硅基太阳能电池基板1包括硅衬底和扩散层。例如，若上述硅衬底为p型硅衬底，则上述扩散层通常为n型扩散层。有关硅基太阳能电池基板1的具体结构可以参考现有技术，在此不再进行赘述。
通常情况下，硅基太阳能电池基板1具有面向太阳的一面和背离太阳的一面，其中面向太阳的一面通常称为受光侧表面，也称为正面；背离太阳的一面通常称为背光侧表面，也称为背面。通常情况下，上述硅基太阳能电池基板1中扩散层通常位于硅衬底的受光侧表面。在本发明实施例中，上述氧化硅膜层2位于硅基太阳能电池基板1的背光侧表面，使得氧化硅膜层2与硅基太阳能电池基板1直接接触。
相比于氧化铝膜层3，氧化硅膜层2的晶格与硅基太阳能电池基板1的晶格更加匹配，使得与硅基太阳能电池基板1直接接触的氧化硅膜层2可以有效减少硅基太阳能电池基板1表面的硅悬挂键数量，从而降低表面复合电流密度。有关氧化硅膜层2的具体制备工艺将在下述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。通常情况下，在本发明实施例中氧化硅膜层2厚度的取值范围通常为2nm至3nm，包括端点值，即上述氧化硅膜层2的厚度可以恰好为2nm或3nm。同时，上述氧化硅膜层2的折射率通常在1.46至1.56之间，包括端点值。
上述氧化铝膜层3位于氧化硅膜层2背向硅基太阳能电池基板1一侧表面，即氧化铝膜层3位于硅基太阳能电池基板1背光侧。由于氧化铝膜层3自身固定有大量负电荷，可以对硅基太阳能电池基板1提供良好的场钝化效应，有效减少硅基太阳能电池基板1的界面态密度，起到良好的钝化效果，有效减少载流子在硅基太阳能电池基板1表面的复合速率。有关氧化铝膜层3的具体制备工艺将在下述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。
需要说明的是，上述氧化铝膜层3还可以增加硅基太阳能电池基板1对波长较长的光线，例如波长大于600nm的光线的二次吸收。由于波长较长的光线容易穿透硅基太阳能电池基板1，当外界光线从硅基太阳能电池基板1穿透至氧化硅膜层2与氧化铝膜层3之间的界面时，可以发生反射从而被硅基太阳能电池基板1二次吸收，从而进一步增加硅基太阳能电池基板1对波长大于600nm的光线的吸收效率。通常情况下，在本发明实施例中氧化铝膜层3厚度的取值范围通常为2nm至4nm，包括端点值，即上述氧化铝膜层3的厚度可以恰好为2nm或4nm。
上述氮化硅膜层4位于氧化铝膜层3背向硅基太阳能电池基板1一侧表面，即氮化硅膜层4位于硅基太阳能电池基板1背光侧，从而形成“氧化硅-氧化铝-氮化硅”的背面钝化结构。上述氮化硅膜层4通常作为减反射层设置在硅基太阳能电池基板1背光侧，有关减反射层的具体原理以及具体结构可以参考现有技术，在此不再进行赘述。在本发明实施例中，氮化硅膜层4可以有效抑制长波段光线穿过硅基太阳能电池基板1，从而有效增加硅基太阳能电池基板1对长波段光线的吸收效率。并且，氮化硅膜层4可以提供一定的氢钝化作用，从而进一步提高硅基太阳能电池基板1的钝化效果，进一步减少硅基太阳能电池基板1背面表面复合电流密度。有关氮化硅膜层4的具体制备工艺将在下述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。
通常情况下，在本发明实施例中氮化硅膜层4厚度的取值范围通常为70nm至120nm，包括端点值，即上述氮化硅膜层4的厚度可以恰好为70nm或120nm。同时，上述氮化硅膜层4的折射率通常在2.05至2.3之间，包括端点值。在本发明实施例中，在硅基阳能电池基板的背光侧表面设置上述“氧化硅-氧化铝-氮化硅”的背面钝化结构，可以将硅基阳能电池基板的背表面复合电流密度降低至20fA/cm2以内，提升太阳能电池的开路电压，使硅基太阳能电池基板1可以进一步利用长波段光线，提升太阳能电池的短路电流，最终提高太阳能电池转换效率0.03％至0.07％左右。
需要说明的是，在硅基太阳能电池基板1的受光侧表面通常也会设置钝化减反层5，以减少硅基太阳能电池基板1正表面复合电流密度以及增加硅基太阳能电池基板1正面的光吸收率。上述钝化减反层5可以是单层结构也可以是多层复合结构，有关设置于硅基太阳能电池基板1受光侧表面的钝化减反层5的具体结构可以参考现有技术，在此不再进行赘述。
上述正面电极7位于硅基太阳能电池基板1受光侧表面，该正面电极7通常与硅基太阳能电池基板1中的扩散层相接触以实现电连接；上述背面电极6位于硅基太阳能电池基板1背光侧表面，该背面电极6通常依次穿过上述氮化硅膜层4、氧化铝膜层3和氧化硅膜层2，而与硅基太阳能电池基板1中硅衬底相接触以实现电连接。有关上述正面电极7以及背面电极6的具体结构可以参考现有技术，在此不再进行赘述。
本发明实施例所提供的一种太阳能电池，包括硅基太阳能电池基板1；位于硅基太阳能电池基板1背光侧表面的氧化硅膜层2；位于氧化硅膜层2背向硅基太阳能电池基板1一侧表面的氧化铝膜层3；位于氧化铝膜层3背向硅基太阳能电池基板1一侧表面的氮化硅膜层4；位于硅基太阳能电池基板1背光侧表面的背面电极6，以及位于硅基太阳能电池基板1受光侧表面的正面电极7。上述硅基太阳能电池基板1的背光侧表面设置有“氧化硅-氧化铝-氮化硅”三层钝化结构，对于硅材质的硅基太阳能电池基板1，氧化硅膜层2可以使硅基太阳能电池基板1表面的硅悬挂键饱和，从而有效减少硅基太阳能电池基板1表面的硅悬挂键数量，降低表面复合电流密度；而氧化铝膜层3自身带有负电荷，可以通过场钝化效应对硅基太阳能电池基板1提供良好的钝化效果；而氮化硅膜层4作为减反射层可以抑制长波段光透过硅基太阳能电池基板1，并且提供一定的氢钝化作用。
通过在硅基太阳能电池基板1的背光侧表面设置“氧化硅-氧化铝-氮化硅”三层钝化结构，可以进一步减少硅基太阳能电池基板1背面表面复合电流密度，通常可以将太阳能电池背面表面复合电流密度降低至20fA/cm2左右，通过减少太阳能电池内部电流消耗可以有效提高太阳能电池的转换效率。
下面对本发明所提供的一种太阳能电池的制备方法进行介绍，下文描述的制备方法与上述描述的太阳能电池的结构可以相互对应参照。
请参考图2，图2为本发明实施例所提供的一种太阳能电池制备方法的流程图。
参见图2，在本发明实施例中，所述太阳能电池的制备方法可以包括：
S101：在硅基太阳能电池基板背光侧表面沉积氧化硅膜层。
有关硅基太阳能电池基板的具体结构以及氧化硅膜层的具体结构已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。在本步骤中，会具体通过沉积工艺在硅基太阳能电池基板背光侧表面沉积氧化硅膜层。有关氧化硅膜层具体的设置工艺将在下述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。
S102：在氧化硅膜层表面沉积氧化铝膜层。
有关氧化铝膜层的具体结构已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。在本步骤中，会具体通过沉积工艺在氧化硅膜层表面沉积氧化铝膜层。有关氧化铝膜层具体的设置工艺将在下述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。
S103：在氧化铝膜层表面沉积氮化硅膜层。
有关氮化硅膜层的具体结构已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。在本步骤中，会具体通过沉积工艺在氧化铝膜层表面沉积氮化硅膜层。有关氮化硅膜层具体的设置工艺将在下述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。
S104：在硅基太阳能电池基板背光侧表面设置背面电极，并在硅基太阳能电池基板受光侧表面设置正面电极，以制成太阳能电池。
在本步骤中，当设置背面电极时，通常是先通过激光开槽在硅基太阳能电池基板背光侧表面开设穿透上述氮化硅膜层、氧化铝膜层以及氧化硅膜层的窄槽；再通过丝网印刷工艺在窄槽中印刷导电浆料；最后烧结上述导电浆料使其固化，以形成背面电极。当设置正面电极时，通常是通过烧结银浆，使银浆穿透钝化减反层与太阳能电池基板接触，以形成正面电极。有关上述背面电极以及正面电极具体的制备工艺可以参考现有技术，在此不再见进行赘述。
本发明实施例所提供的一种太阳能电池的制备方法，所制备而成的太阳能电池在硅基太阳能电池基板的背光侧表面设置有“氧化硅-氧化铝-氮化硅”三层钝化结构，对于硅材质的硅基太阳能电池基板，氧化硅膜层可以使硅基太阳能电池基板表面的硅悬挂键饱和，从而有效减少硅基太阳能电池基板表面的硅悬挂键数量，降低表面复合电流密度；而氧化铝膜层自身带有负电荷，可以通过场钝化效应对硅基太阳能电池基板提供良好的钝化效果；而氮化硅膜层作为减反射层可以抑制长波段光透过硅基太阳能电池基板，并且提供一定的氢钝化作用。通过在硅基太阳能电池基板的背光侧表面设置“氧化硅-氧化铝-氮化硅”三层钝化结构，可以进一步减少硅基太阳能电池基板背面表面复合电流密度，通常可以将太阳能电池背面表面复合电流密度降低至20fA/cm2左右，通过减少太阳能电池内部电流消耗可以有效提高太阳能电池的转换效率。
有关本发明所提供的一种太阳能电池制备方法的具体内容将在下述发明实施例中做详细介绍。
请参考图3，图3为本发明实施例所提供的一种具体的太阳能电池制备方法的流程图。
参见图3，在本发明实施例中，所述太阳能电池的制备方法可以包括：
S201：利用PECVD机台通过硅烷与笑气的反应在硅基太阳能电池基板背光侧表面沉积氧化硅膜层。
在本发明实施例中，具体通过PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，等离子体增强化学的气相沉积)机台可以在硅基太阳能电池基板背光侧表面沉积氧化硅膜层。具体的，在本步骤中利用PECVD机台通过硅烷与笑气(N2O)的反应可以生成并沉积氧化硅膜层。有关硅烷与笑气反应生成氧化硅的具体反应过程可以参考现有技术，在此不再进行赘述。相比于传统的通过热氧化的方法氧化硅基太阳能电池基板表面以生成氧化硅膜层，利用PECVD机台通过硅烷与笑气的反应在硅基太阳能电池基板背光侧表面沉积氧化硅膜层通常具有更低的温度，从而可以避免高温对硅基太阳能电池基板的热损伤。
具体的，在本步骤中，在利用PECVD机台进行硅烷与笑气的反应时，即沉积氧化硅膜层时，硅烷与笑气的流量比的取值范围通常为1:10至1:15，包括端点值。即在反应时上述笑气的体积通常是硅烷体积的10倍至15倍，包括端点值。上述氧化硅膜层的沉积温度的取值范围通常为450℃至580℃，包括端点值；即在进行硅烷与笑气的反应时PECVD机台内的温度通常在450℃至580℃之间，包括端点值。在沉积氧化硅膜层时，PECVD机台内气压的取值范围通常为1500Torr至1800Torr，包括端点值，此时PECVD机台功率的范围通常在12000W至15000W，包括端点值。通过上述工艺条件可以在硅基太阳能电池基板背光侧表面沉积一致密均匀的氮化硅膜层。
S202：利用ALD设备通过三甲基铝与纯水的反应在氧化硅膜层表面沉积氧化铝膜层。
在本发明实施例中，具体通过ALD(Atomic layer deposition，原子层沉积)设备可以在氧化硅膜层表面沉积氧化铝膜层。具体的，在本步骤中利用ALD设备通过三甲基铝与纯水的反应可以生成并沉积氧化铝膜层。通常情况下上述三甲基铝与纯水是由氮气携带进入ALD设备的反应腔室中进行反应，有关三甲基铝(TMA)与纯水反应生成氧化铝的具体反应过程可以参考现有技术，在此不再进行赘述。在本步骤中，通常仅沉底一层厚度在2nm至4nm之间，包括端点值的氧化铝膜层。
S203：利用PECVD机台通过硅烷与氨气的反应在氧化铝膜层表面沉积氮化硅膜层。
在本发明实施例中，具体通过PECVD机台可以在氧化铝膜层表面沉积氮化硅膜层。具体的，在本步骤中利用PECVD机台通过硅烷与氨气的反应可以生成并沉积氮化硅膜层。有关硅烷与氨气(NH3)反应生成氮化硅的具体反应过程可以参考现有技术，在此不再进行赘述。
具体的，在本步骤中，在利用PECVD机台进行硅烷与氨气的反应时，即沉积氮化硅膜层时，硅烷与氨气的流量比的取值范围通常为1:6至1:15，包括端点值。即在反应时上述氨气的体积通常是硅烷体积的6倍至15倍，包括端点值。上述氮化硅膜层的沉积温度的取值范围通常为440℃至570℃，包括端点值；即在进行硅烷与氨气的反应时PECVD机台内的温度通常在440℃至570℃之间，包括端点值。在沉积氮化硅膜层时，PECVD机台内气压的取值范围通常为1300Torr至1600Torr，包括端点值，此时PECVD机台功率的范围通常在13000W至16000W，包括端点值。通过上述工艺条件可以在氧化铝膜层表面沉积一致密均匀的氮化硅膜层。
S204：在硅基太阳能电池基板背光侧表面设置背面电极，并在硅基太阳能电池基板受光侧表面设置正面电极，以制成太阳能电池。
本步骤与上述发明实施例中S104基本一致，详细内容请参考上述发明实施例，在此不再进行赘述。
本发明实施例所提供的一种太阳能电池的制备方法，通过上述氧化硅沉积工艺可以有效减少高温对硅基太阳能电池基板的热损伤；同时通过上述氧化铝沉积工艺以及氮化硅沉积工艺可以制备致密均匀的对应膜层。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种太阳能电池及一种太阳能电池的制备方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
Claims (10)
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
硅基太阳能电池基板；
位于所述硅基太阳能电池基板背光侧表面的氧化硅膜层；
位于所述氧化硅膜层背向所述硅基太阳能电池基板一侧表面的氧化铝膜层；
位于所述氧化铝膜层背向所述硅基太阳能电池基板一侧表面的氮化硅膜层；
位于所述硅基太阳能电池基板背光侧表面的背面电极，以及位于所述硅基太阳能电池基板受光侧表面的正面电极。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述氧化硅膜层厚度的取值范围为2nm至3nm，包括端点值。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述氧化铝膜层厚度的取值范围为2nm至4nm，包括端点值。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述氮化硅膜层厚度的取值范围为70nm至120nm，包括端点值。
5.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
在硅基太阳能电池基板背光侧表面沉积氧化硅膜层；
在所述氧化硅膜层表面沉积氧化铝膜层；
在所述氧化铝膜层表面沉积氮化硅膜层；
在所述硅基太阳能电池基板背光侧表面设置背面电极，并在所述硅基太阳能电池基板受光侧表面设置正面电极，以制成所述太阳能电池。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在硅基太阳能电池基板背光侧表面沉积氧化硅膜层包括：
利用PECVD机台通过硅烷与笑气的反应在硅基太阳能电池基板背光侧表面沉积氧化硅膜层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，沉积所述氧化硅膜层时所述硅烷与所述笑气的流量比的取值范围为1:10至1:15，包括端点值；所述氧化硅膜层的沉积温度的取值范围为450℃至580℃，包括端点值；沉积所述氧化硅膜层时所述PECVD机台内气压的取值范围为1500Torr至1800Torr，包括端点值。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述氧化硅膜层表面沉积氧化铝膜层包括：
利用ALD设备通过三甲基铝与纯水的反应在所述氧化硅膜层表面沉积氧化铝膜层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述氧化铝膜层表面沉积氮化硅膜层包括：
利用PECVD机台通过硅烷与氨气的反应在所述氧化铝膜层表面沉积氮化硅膜层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，沉积所述氮化硅膜层时所述硅烷与所述氨气的流量比的取值范围为1:6至1:15，包括端点值；所述氮化硅膜层的沉积温度的取值范围为440℃至570℃，包括端点值；沉积所述氮化硅膜层时所述PECVD机台内气压的取值范围为1300Torr至1600Torr，包括端点值。
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