CN202004005U - 正面钝化的rie制绒晶体硅电池 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种RIE制绒晶体硅电池，特别是一种正面钝化的RIE制绒晶体硅电池，在RIE制绒晶体硅电池的正面具有SiO2和SiNx的叠层薄膜，作为RIE制绒晶体硅电池的正面钝化层，SiO2层在SiNx层的下方。SiO2层的厚度为5～20nm，所述的SiO2和SiNx的叠层薄膜的总厚度为70～90nm。与单层SiNx薄膜相比，将SiO2/SiNx双层薄膜作为正面钝化层应用于RIE制绒晶体硅电池有以下优点：1.SiO2薄膜能够有效饱和表面悬挂键，降低其与硅片的界面态密度。2.SiNx薄膜内具有很高的正电荷密度，在硅片表面形成内建电场，降低表面的电子或空穴浓度，从而降低载流子复合速率。

Description

正面钝化的RIE制绒晶体硅电池
技术领域
本实用新型涉及一种RIE制绒晶体硅电池，特别是一种正面钝化的RIE制绒晶体硅电池。
背景技术
当前晶体硅太阳能电池生产中，一般采用PECVD方法生长单层SiNx薄膜作为正面钝化层及减反膜，具有降低表面反射以及表面钝化、体钝化作用。一方面钝化硅晶体表面，减少表面复合中心；另一方面由于SiNx薄膜中含有大量的以N-H键和Si-H键存在的氢，烧结过程中氢从N-H键、Si-H键中释放出来，然后扩散进入电池内，起到体钝化的作用。
但SiNx沉积在硅片表面后，界面缺陷密度较高，相对于SiO2表面钝化效果较差。同时，利用RIE方法制备的绒面其表面损伤严重，表面复合速率大，因此单层SiNx薄膜作为正面钝化层应用于RIE绒面效果不够理想。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种正面钝化的RIE制绒晶体硅电池，克服单层SiNx薄膜作为正面钝化层应用于RIE绒面效果不够理想的问题。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种正面钝化的RIE制绒晶体硅电池，在RIE制绒晶体硅电池的正面具有SiO2和SiNx的叠层薄膜，作为RIE制绒晶体硅电池的正面钝化层，SiO2层在SiNx层的下方。
SiO2层的厚度为5～20nm，所述的SiO2和SiNx的叠层薄膜的总厚度为70～90nm。
本实用新型的有益效果是：与单层SiNx薄膜相比，将SiO2/SiNx双层薄膜作为正面钝化层应用于RIE制绒晶体硅电池有以下优点：1.SiO2薄膜能够有效饱和表面悬挂键，降低其与硅片的界面态密度。2.SiNx薄膜内具有很高的正电荷密度，在硅片表面形成内建电场，降低表面的电子或空穴浓度，从而降低载流子复合速率。
在两者的综合作用下，能够有效钝化RIE制绒晶体硅电池，使电池的开路电压提升3-5mV，转换效率提升0.1％-0.3％。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明；
图1是本实用新型的结构示意图；
图中，1.电池片；2.焊带；3.测温元件；4.加热工具；5.防焊材料。
具体实施方式
一种正面钝化的RIE制绒晶体硅电池，在RIE制绒晶体硅电池的正面具有SiO2和SiNx的叠层薄膜，作为RIE制绒晶体硅电池的正面钝化层，SiO2层1在SiNx层2的下方。SiO2层1的厚度为5～20nm，SiO2和SiNx的叠层薄膜的总厚度为70～90nm。
将SiO2和SiNx的叠层薄膜作为RIE制绒晶体硅电池的正面钝化层，兼具了SiO2薄膜降低表面缺陷密度的作用以及SiNx薄膜得益于其较高的正电荷密度而产生的良好的场效应钝化效果。RIE制绒晶体硅电池经正常的扩散及去PSG工艺后，首先用干氧氧化的方法在洁净的硅片绒面生长一层厚度为5～20nm的SiO2层，氧气流量为0.5～8slm，氧化时间为5～20min，接着采用PECVD的方法沉积一层富硅的SiNx薄膜，其中硅烷、氨气流量比为1∶3，沉积温度为350～450℃，射频功率为3000W，反应压强为3×10-2Pa，使得SiO2和SiNx的叠层薄膜的总厚度为70～90nm。

Claims (2)

1.一种正面钝化的RIE制绒晶体硅电池，其特征是：在RIE制绒晶体硅电池的正面具有SiO2和SiNx的叠层薄膜，作为RIE制绒晶体硅电池的正面钝化层，SiO2层(1)在SiNx层(2)的下方。
2.根据权利要求1所述的正面钝化的RIE制绒晶体硅电池，其特征是：所述的SiO2层(1)的厚度为5～20nm，所述的SiO2和SiNx的叠层薄膜的总厚度为70～90nm。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103413840A (zh) * 2013-08-14 2013-11-27 中节能太阳能科技（镇江）有限公司 一种抗pid效应的晶体硅太阳能电池及其制备方法
CN105957917A (zh) * 2016-06-17 2016-09-21 浙江大学 基于表面等离激元的波长选择Si基光电导中远红外阻挡杂质带探测器及其制备方法
CN110148635A (zh) * 2019-04-28 2019-08-20 北京点域科技有限公司 一种降低表面复合减反膜电池的工艺流程

Cited By (4)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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