CN110148635A - 一种降低表面复合减反膜电池的工艺流程 - Google Patents
一种降低表面复合减反膜电池的工艺流程 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110148635A CN110148635A CN201910351315.3A CN201910351315A CN110148635A CN 110148635 A CN110148635 A CN 110148635A CN 201910351315 A CN201910351315 A CN 201910351315A CN 110148635 A CN110148635 A CN 110148635A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- silicon wafer
- wool
- silicon
- making herbs
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 238000005215 recombination Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 230000006798 recombination Effects 0.000 title claims abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 89
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 89
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 89
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims abstract description 36
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims abstract description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000007592 spray painting technique Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 6
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 6
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 5
- 101100373011 Drosophila melanogaster wapl gene Proteins 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 210000004483 pasc Anatomy 0.000 claims description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 3
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 3
- MNTPMEHIQKUBIC-UHFFFAOYSA-N silicon;hydrofluoride Chemical compound F.[Si] MNTPMEHIQKUBIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 3
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 claims description 3
- MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N tunicamycin Natural products CC(C)CCCCCCCCCC=CC(=O)NC1C(O)C(O)C(CC(O)C2OC(C(O)C2O)N3C=CC(=O)NC3=O)OC1OC4OC(CO)C(O)C(O)C4NC(=O)C MEYZYGMYMLNUHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HIVGXUNKSAJJDN-UHFFFAOYSA-N [Si].[P] Chemical compound [Si].[P] HIVGXUNKSAJJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 6
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 6
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 241000519996 Teucrium chamaedrys Species 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000036647 reaction Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种降低表面复合减反膜电池的工艺流程,具体包括如下步骤:步骤一、根据硅片表面的材料成分,选取性质相同的材料,生产出液态喷漆作为RIE制绒时的替代层并储存,加工时先采用专业的线切割机,将硅片表面的损伤层切除,去损伤层后的硅片迅速传输至下一工位进行加工。步骤二、硅片去损伤层后,将硅片用专用的夹具进行固定,在夹具上覆膜,涉及电池生产技术领域。该降低表面复合减反膜电池的工艺流程,替代层会代替硅片的表层进行制绒工序,使制绒工序不会对硅片本身造成损伤,同时省去了RIE制绒后,对制绒造成的损伤层进行去除的工序,缩短了生产周期,且因替代层化学性质与硅片表层相同,不会影响硅片的工作。
Description
技术领域
本发明涉及电池生产技术领域,具体为一种降低表面复合减反膜电池的 工艺流程。
背景技术
电池指盛有电解质溶液和金属电极以产生电流的杯、槽或其他容器或复 合容器的部分空间,能将化学能转化成电能的装置。具有正极、负极之分。 随着科技的进步,电池泛指能产生电能的小型装置。如太阳能电池。电池的 性能参数主要有电动势、容量、比能量和电阻。利用电池作为能量来源,可 以得到具有稳定电压,稳定电流,长时间稳定供电,受外界影响很小的电流, 并且电池结构简单,携带方便,充放电操作简便易行,不受外界气候和温度 的影响,性能稳定可靠,在现代社会生活中的各个方面发挥有很大作用。电 池的性能参数主要有电动势、容量、比能量和电阻。电动势等于单位正电荷 由负极通过电池内部移到正极时,电池非静电力(化学力)所做的功。电动 势取决于电极材料的化学性质,与电池的大小无关。电池所能输出的总电荷 量为电池的容量,通常用安培小时作单位。在电池反应中,1千克反应物质所 产生的电能称为电池的理论比能量。电池的实际比能量要比理论比能量小。 因为电池中的反应物并不全按电池反应进行,同时电池内阻也要引起电动势降,因此常把比能量高的电池称做高能电池。电池的面积越大,其内阻越小。 电池的能量储存有限,电池所能输出的总电荷量叫做它的容量,通常用安培 小时作单位,它也是电池的一个重要参数。原电池制成后即可以产生电流, 但在放电完毕即被废。
现有的晶体硅太阳能电池生产中,有对硅片表面进行制绒的工序,但制 绒工序通常时直接在硅片的表面进行,或多或少会对硅片表面造成一定的损 伤,进而会导致电池的各方面性能降低,影响电池的质量。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本发明提供了一种降低表面复合减反膜电池的工 艺流程,解决了制绒工序通常时直接在硅片的表面进行,或多或少会对硅片 表面造成一定的损伤,进而会导致电池各方面性能降低,影响电池质量的问 题。
(二)技术方案
为实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:一种降低表面复 合减反膜电池的工艺流程,具体包括如下步骤:
步骤一、根据硅片表面的材料成分,选取性质相同的材料,生产出液态 喷漆作为RIE制绒时的替代层并储存,加工时先采用专业的线切割机,将硅 片表面的损伤层切除,去损伤层后的硅片迅速传输至下一工位进行加工。
步骤二、硅片去损伤层后,将硅片用专用的夹具进行固定,在夹具上覆 膜,使硅片位置暴露,利用定制的喷枪向硅片表面喷上替代层,覆膜会遮挡 多余部分,使硅片表面所需位置覆盖一层替代层,然后将硅片静置使替代层 凝固。
步骤三、替代层凝固后,即在硅片表面覆盖上一层膜,但不影响硅片的 特性,然后对硅片进行RIE制绒,采用能与替代层材料发生化学反应的气体, 利用辉光放电的原理,使气体变成低温等离子体,对替代层进行腐蚀,同时 利用活性离子对替代层的冲击,实现替代层的制绒,制绒结束后,用检测仪 器对制绒效果进行检测,剔除不合格品,合格品移送至下一工位。
步骤四、RIE制绒后,需对硅片进行扩散处理,采用光照快速热处理的方 法,使替代层表面形成一层氧化层,然后再在管式的扩散炉内,通过液态磷 源(或硼源)的挥发,在硅片表面沉积磷原子(或硼原子),然后向硅片体 内扩散,制成p-n结,便完成了扩散工序。
步骤五、扩散工序完成后,对硅片进行去PSG和刻边工序,采用干法刻 蚀技术,将硅片四周的N型硅去除,避免漏电,利用辉光放电技术使反应气 体变成活性离子,与硅片四周的N型硅反应,使其自动挥发掉,然后利用氢 氟酸对硅片进行处理,去除扩散工序产生的磷硅玻璃。
步骤六、去PSG和刻边工序完成后,需对硅片进行减反处理,在替代层 表面形成的氧化层,即二氧化硅表面沉积SIN作为减反膜,减反处理结束后, 便可对硅片进行丝网印刷以及最终的烧结步骤。
(三)有益效果
本发明提供了一种降低表面复合减反膜电池的工艺流程。具备以下有益 效果:
(1)、该降低表面复合减反膜电池的工艺流程,通过根据硅片表面的材 料成分,选取性质相同的材料,生产出液态喷漆作为RIE制绒时的替代层, 在进行制绒工序时,替代层会代替硅片的表层进行制绒工序,使制绒工序不 会对硅片本身造成损伤,同时省去了RIE制绒后,对制绒造成的损伤层进行 去除的工序,缩短了生产周期,且因替代层化学性质与硅片表层相同,不会 影响硅片的工作。
(2)、该降低表面复合减反膜电池的工艺流程,通过在替代层表面形成 的氧化层,即二氧化硅表面沉积SIN作为减反膜,既获得了较好的表面钝化 效果,也保证了硅片表面的光吸收度。
(3)、该降低表面复合减反膜电池的工艺流程,通过采用干法刻蚀技术, 将硅片四周的N型硅去除,避免漏电,利用辉光放电技术使反应气体变成活 性离子,与硅片四周的N型硅反应,使其自动挥发掉,采用干法刻蚀的优势 是,刻蚀速率较高,且可保持刻蚀后的表面具有良好的物理形貌,有助于扩 散工序中扩散结分布的均匀性。
具体实施方式
下面将对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描 述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明 中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所 有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明公开了一种降低表面复合减反膜电池的工艺流程,具体包括如下 步骤:
步骤一、根据硅片表面的材料成分,选取性质相同的材料,生产出液态 喷漆作为RIE制绒时的替代层并储存,在进行制绒工序时,替代层会代替硅 片的表层进行制绒工序,使制绒工序不会对硅片本身造成损伤,同时省去了 RIE制绒后,对制绒造成的损伤层进行去除的工序,缩短了生产周期,且因替 代层化学性质与硅片表层相同,不会影响硅片的工作,加工时先采用专业的 线切割机,将硅片表面的损伤层切除,去损伤层后的硅片迅速传输至下一工 位进行加工。
步骤二、硅片去损伤层后,将硅片用专用的夹具进行固定,在夹具上覆 膜,使硅片位置暴露,利用定制的喷枪向硅片表面喷上替代层,覆膜会遮挡 多余部分,使硅片表面所需位置覆盖一层替代层,然后将硅片静置使替代层 凝固。
步骤三、替代层凝固后,即在硅片表面覆盖上一层膜,但不影响硅片的 特性,然后对硅片进行RIE制绒,采用能与替代层材料发生化学反应的气体, 利用辉光放电的原理,使气体变成低温等离子体,对替代层进行腐蚀,同时 利用活性离子对替代层的冲击,实现替代层的制绒,制绒结束后,用检测仪 器对制绒效果进行检测,剔除不合格品,合格品移送至下一工位。
步骤四、RIE制绒后,需对硅片进行扩散处理,采用光照快速热处理的方 法,使替代层表面形成一层氧化层,然后再在管式的扩散炉内,通过液态磷 源(或硼源)的挥发,在硅片表面沉积磷原子(或硼原子),然后向硅片体 内扩散,制成p-n结,便完成了扩散工序。
步骤五、扩散工序完成后,对硅片进行去PSG和刻边工序,采用干法刻 蚀技术,将硅片四周的N型硅去除,避免漏电,利用辉光放电技术使反应气 体变成活性离子,与硅片四周的N型硅反应,使其自动挥发掉,采用干法刻 蚀的优势是,刻蚀速率较高,且可保持刻蚀后的表面具有良好的物理形貌, 有助于扩散工序中扩散结分布的均匀性,然后利用氢氟酸对硅片进行处理, 去除扩散工序产生的磷硅玻璃。
步骤六、去PSG和刻边工序完成后,需对硅片进行减反处理,在替代层 表面形成的氧化层,即二氧化硅表面沉积SIN作为减反膜,既获得了较好的 表面钝化效果,也保证了硅片表面的光吸收度,减反处理结束后,便可对硅 片进行丝网印刷以及最终的烧结步骤。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来 将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示 这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、 “包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系 列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明 确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有 的要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而 言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行 多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限 定。
Claims (1)
1.一种降低表面复合减反膜电池的工艺流程,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一、根据硅片表面的材料成分,选取性质相同的材料,生产出液态喷漆作为RIE制绒时的替代层并储存,加工时先采用专业的线切割机,将硅片表面的损伤层切除,去损伤层后的硅片迅速传输至下一工位进行加工。
步骤二、硅片去损伤层后,将硅片用专用的夹具进行固定,在夹具上覆膜,使硅片位置暴露,利用定制的喷枪向硅片表面喷上替代层,覆膜会遮挡多余部分,使硅片表面所需位置覆盖一层替代层,然后将硅片静置使替代层凝固。
步骤三、替代层凝固后,即在硅片表面覆盖上一层膜,但不影响硅片的特性,然后对硅片进行RIE制绒,采用能与替代层材料发生化学反应的气体,利用辉光放电的原理,使气体变成低温等离子体,对替代层进行腐蚀,同时利用活性离子对替代层的冲击,实现替代层的制绒,制绒结束后,用检测仪器对制绒效果进行检测,剔除不合格品,合格品移送至下一工位。
步骤四、RIE制绒后,需对硅片进行扩散处理,采用光照快速热处理的方法,使替代层表面形成一层氧化层,然后再在管式的扩散炉内,通过液态磷源(或硼源)的挥发,在硅片表面沉积磷原子(或硼原子),然后向硅片体内扩散,制成p-n结,便完成了扩散工序。
步骤五、扩散工序完成后,对硅片进行去PSG和刻边工序,采用干法刻蚀技术,将硅片四周的N型硅去除,避免漏电,利用辉光放电技术使反应气体变成活性离子,与硅片四周的N型硅反应,使其自动挥发掉,然后利用氢氟酸对硅片进行处理,去除扩散工序产生的磷硅玻璃。
步骤六、去PSG和刻边工序完成后,需对硅片进行减反处理,在替代层表面形成的氧化层,即二氧化硅表面沉积SIN作为减反膜,减反处理结束后,便可对硅片进行丝网印刷以及最终的烧结步骤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910351315.3A CN110148635A (zh) | 2019-04-28 | 2019-04-28 | 一种降低表面复合减反膜电池的工艺流程 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910351315.3A CN110148635A (zh) | 2019-04-28 | 2019-04-28 | 一种降低表面复合减反膜电池的工艺流程 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110148635A true CN110148635A (zh) | 2019-08-20 |
Family
ID=67594065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910351315.3A Pending CN110148635A (zh) | 2019-04-28 | 2019-04-28 | 一种降低表面复合减反膜电池的工艺流程 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110148635A (zh) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101814548A (zh) * | 2009-02-19 | 2010-08-25 | 上海交大泰阳绿色能源有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池双层膜的制作方法 |
TW201123508A (en) * | 2009-12-22 | 2011-07-01 | Univ Nat Chiao Tung | Antireflection layer, method for fabricating antireflection surface, and photovoltaic device applying the same |
CN202004005U (zh) * | 2011-03-05 | 2011-10-05 | 常州天合光能有限公司 | 正面钝化的rie制绒晶体硅电池 |
CN103022253A (zh) * | 2012-12-21 | 2013-04-03 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种太阳能电池及其制备方法 |
CN103985777A (zh) * | 2014-05-20 | 2014-08-13 | 新奥光伏能源有限公司 | 一种硅异质结太阳能电池及其制作方法 |
CN105355707A (zh) * | 2015-10-14 | 2016-02-24 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种高效晶硅太阳能电池及其制备方法 |
CN205104495U (zh) * | 2015-10-14 | 2016-03-23 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种高效晶硅太阳能电池 |
-
2019
- 2019-04-28 CN CN201910351315.3A patent/CN110148635A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101814548A (zh) * | 2009-02-19 | 2010-08-25 | 上海交大泰阳绿色能源有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池双层膜的制作方法 |
TW201123508A (en) * | 2009-12-22 | 2011-07-01 | Univ Nat Chiao Tung | Antireflection layer, method for fabricating antireflection surface, and photovoltaic device applying the same |
CN202004005U (zh) * | 2011-03-05 | 2011-10-05 | 常州天合光能有限公司 | 正面钝化的rie制绒晶体硅电池 |
CN103022253A (zh) * | 2012-12-21 | 2013-04-03 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种太阳能电池及其制备方法 |
CN103985777A (zh) * | 2014-05-20 | 2014-08-13 | 新奥光伏能源有限公司 | 一种硅异质结太阳能电池及其制作方法 |
CN105355707A (zh) * | 2015-10-14 | 2016-02-24 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种高效晶硅太阳能电池及其制备方法 |
CN205104495U (zh) * | 2015-10-14 | 2016-03-23 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种高效晶硅太阳能电池 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103606596B (zh) | 磷掺杂硅片、其制作方法、太阳能电池片及其制作方法 | |
CN201699033U (zh) | 双面受光型晶体硅太阳能电池 | |
CN110265497B (zh) | 一种选择性发射极的n型晶体硅太阳电池及其制备方法 | |
CN105206711B (zh) | 一种太阳能电池片加工方法 | |
CN101820009A (zh) | 一种选择性发射极晶体硅太阳电池及其制备方法 | |
US8871618B2 (en) | In-situ fabrication method for silicon solar cell | |
CN105355693A (zh) | 一种可提高光电转换效率的perc太阳能光伏电池 | |
CN107799616B (zh) | 一种叉指背接触太阳能电池片及其制作方法 | |
CN102534547A (zh) | 一种晶体硅太阳电池的渐变减反射氮化硅薄膜的制备工艺 | |
CN102487091A (zh) | 一种新型背接触太阳能电池及其制造方法 | |
CN109545900A (zh) | 一种太阳能电池片用硅片的背表面的钝化方法 | |
CN105355722A (zh) | 一种太阳能电池组件的制造方法 | |
CN109888060A (zh) | 一种具有三层钝化层结构的太阳电池及其制备方法 | |
CN111816714A (zh) | 一种激光硼掺杂背钝化太阳能电池及其制备方法 | |
CN102569502A (zh) | 一种湿法刻蚀工艺 | |
CN108461554A (zh) | 全背接触式异质结太阳能电池及其制备方法 | |
CN104362219A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池制造工艺 | |
CN208336240U (zh) | 太阳能电池及太阳能电池组件 | |
CN106024933A (zh) | 一种晶体硅太阳电池的背面局部双质杂质掺杂结构及其掺杂方法 | |
CN105161552A (zh) | 一种单面抛光n型太阳能电池及其制备方法 | |
CN102306664A (zh) | 一种发射极上黑硅结构的太阳能电池及其制备方法 | |
US20190363203A1 (en) | Double Printing Method and Screen Stencil for Improving the Tensile Force of the Electrode of Solar Panel | |
CN105355710B (zh) | 一种太阳能电池片加工工艺 | |
CN110148635A (zh) | 一种降低表面复合减反膜电池的工艺流程 | |
CN209434195U (zh) | 一种具有三层钝化层结构的太阳电池 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190820 |