CN110098215A - 显示装置 - Google Patents

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CN110098215A
CN110098215A CN201910361949.7A CN201910361949A CN110098215A CN 110098215 A CN110098215 A CN 110098215A CN 201910361949 A CN201910361949 A CN 201910361949A CN 110098215 A CN110098215 A CN 110098215A
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electrode
display device
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陈鹏聿
郭雅佩
陈弘祥
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AU Optronics Corp
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Abstract

一种显示装置，包括基板、多个主动式像素以及多个被动式像素。基板具有第一显示区以及连接第一显示区的第二显示区。多个被动式像素位于第一显示区上。多个主动式像素位于第二显示区上。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置，且特别涉及一种包括两种像素的显示装置。
背景技术
目前，为了增加产品的使用便利性，许多厂商会将显示装置与相机结合在一起。举例来说，现有的手机或平板电脑内时常附载有相机功能。在现有的手机或平板电脑中，为了提供足够的边框区来设置前镜头，显示区的面积往往会被限缩。举例来说，常常会于显示面板上的边框区钻孔，用以设置相机的镜头。然而，钻孔的部分不具备显示功能，导致可以显示画面的显示区的面积被限缩。
发明内容
本发明提供一种显示装置，可以增加能够显示画面的区域的面积，借此获得窄边框或无边框的优点。
本发明的一实施例提供一种显示装置，包括基板、多个主动式像素以及多个被动式像素。基板具有第一显示区以及连接第一显示区的第二显示区。多个被动式像素位于第一显示区上。多个主动式像素位于第二显示区上。
本发明的一实施例提供一种显示装置，包括基板、至少一驱动电路、主动元件、绝缘层、第一电极、第二电极、第一发光层、第二发光层以及第三电极。基板具有第一显示区以及连接第一显示区的第二显示区。至少一驱动电路位于基板上，主动元件位于第二显示区上，且电性连接至至少一驱动电路，而绝缘层覆盖于主动元件上。第一电极以及第二电极位于绝缘层上，且第一电极位置对应于第一显示区，第二电极位置对应第二显示区上。其中，第一电极电性连接至至少一驱动电路，且第二电极电性连接至主动元件。第三电极位于第一电级与第二电极上。第一发光层设置于第一电极与第三电极之间，且位置对应于第一显示区，而第二发光层则设置于第二电极与第三电极之间，且位置对应于第二显示区。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1A是依照本发明的实施例的一种显示装置的俯视示意图。
图1B是图1A剖线AA’以及剖线BB’的剖面示意图。
图2A是依照本发明的实施例的一种显示装置的俯视示意图。
图2B是图2A剖线CC’的剖面示意图。
图3是依照本发明的实施例的一种显示装置的俯视示意图。
图4是依照本发明的实施例的一种显示装置的俯视示意图。
图5是依照本发明的实施例的一种显示装置的剖面示意图。
其中，附图标记说明如下：
1、1a、1b、1c、1d：显示装置
100：基板
110：第一显示区
120：第二显示区
200：光学模块
A1：第一电极
A2：第二电极
AA：显示区
BA：周边区
CH：通道层
D：漏极
DL：数据线
DR：驱动电路
E1：第一发光层
E2：第二发光层
G：栅极
GI：闸绝缘层
H1、H2、O：开口
I1：第一绝缘层
I2：第二绝缘层
DR1：第一驱动电路
DR2：第二驱动电路
L1：第一发光二极管
L1r：第一红色发光二极管
L1g：第一绿色发光二极管
L1b：第一蓝色发光二极管
L1w：第一白色发光二极管
L2：第二发光二极管
L2r：第二红色发光二极管
L2g：第二绿色发光二极管
L2b：第二蓝色发光二极管
L2w：第二白色发光二极管
P1：第一像素
P2：第二像素
PDL：像素定义层
S：源极
SL：扫描线
SW1：第一侧
SW2：第二侧
T、Tr、Tg、Tb、Tw：主动元件
TR：穿透区
T1：第三电极
T2：第三电极
W1：第一走线
W2：第二走线
具体实施方式
图1A是依照本发明的实施例的一种显示装置的俯视示意图。图1B是图1A剖线AA’以及剖线BB’的剖面示意图。为了方便说明，图1A省略示出了部分构件，举例来说，图1A中的第一像素仅以简单的矩形示出，第二像素仅以简单的矩形加上主动元件的电路符号示出。
请参考图1A与图1B，显示装置1包括基板100、多个第一像素P1以及多个第二像素P2。在本实施例中，显示装置1还包括至少一驱动电路DR、多条第一走线W1以及多条第二走线W2。基板100具有显示区AA，显示区AA包括第一显示区110以及连接第一显示区110的第二显示区120。在本实施例中，第二显示区120环绕第一显示区110，但本发明不以此为限。在本实施例中，基板100还具有周边区BA，周边区BA环绕显示区AA，且驱动电路DR位于基板100的周边区BA上，但本发明不以此为限。在其他实施例中，基板100可以不具有周边区BA，驱动电路DR可以设置于基板100的显示区AA上及/或基板100背面。在本实施例中，驱动电路DR包括第一驱动电路DR1以及第二驱动电路DR2，多条第一走线W1以及多条第二走线W2设置于基板100上，且多个第一像素P1与多个第二像素P2可通过多条第一走线W1或多条第二走线W2电性连接到驱动电路DR。
多个第二像素P2位于第二显示区120上。在本实施例中，第二像素P2为主动式像素，各第二像素P2包括主动元件T以及第二发光二极管L2。虽然在本实施例中，以各第二像素P2包括一个主动元件T以及一个第二发光二极管L2为例，但本发明不以此为限。在其他实施例中，各第二像素P2包括多个主动元件T以及多个第二发光二极管L2。换句话说，各第二像素P2包括多个子像素。
详言之，主动元件T位于基板100的第二显示区120上，且主动元件T电性连接至驱动电路DR。在本实施例中，第二走线W2电性连接于主动元件T与驱动电路DR，其中第二走线W2包括数据线DL以及扫描线SL。于图1B的实施例中，主动元件T包括通道层CH、栅极G、源极S与漏极D。具体而言，栅极G电性连接至扫描线SL，且通过扫描线SL而电性连接至第一驱动电路DR1。栅极G重叠于通道层CH，且栅极G与通道层CH之间夹有闸绝缘层GI。源极S与漏极D位于通道层CH上，且电性连接至通道层CH。源极S电性连接至数据线DL，且通过数据线DL而电性连接至第二驱动电路DR2。
在本实施例中，主动元件T是以底部栅极型的薄膜晶体管为例，但本发明不以此为限。在其他实施例中，主动元件T也可以是顶部栅极型或其他类型的薄膜晶体管。
第二发光二极管L2电性连接至主动元件T。详言之，请参阅图1B，第二发光二极管L2包括第二电极A2、第二发光层E2以及第三电极T2。具体而言，第一绝缘层I1位于主动元件T上，换言之，第一绝缘层I1位于闸绝缘层GI、源极S与漏极D上。于本实施例中，第二绝缘层I2位于第一绝缘层I1上，使得主动元件T与第二发光二极管L2之间设置两层绝缘层，但本发明不以此为限，可依不同主动元件的特性或其他制程考量，增加或减少绝缘层的层数。第二电极A2位于第一绝缘层I1(第二绝缘层I2)上，且位置对应于第二显示区120上。于本实施例的第二像素P2中，第二发光二极管L2是电性连接主动元件T。具体而言，第二电极A2通过开口O而电性连接至主动元件T的漏极D，其中开口O贯穿第一绝缘层I1以及第二绝缘层I2，如此一来，第二电极A2即可经由开口O而连接于主动元件T。像素定义层PDL位于第二绝缘层I2上，且具有开口H2，其中第二发光层E2位于开口H2中。详言之，开口H2形成于像素定义层PDL，且开口H2形成位置对应于第二电极A2，如此一来，当第二发光层E2位于开口H2内时，使得第二发光层E2的位置亦对应于第二电极A2。于本实施例中，第三电极T2位于像素定义层PDL以及第二发光层E2上，使得第二发光层E2设置于第二电极A2与第三电极T2之间，如此一来，可通过第二电极A2与第三电极T2的驱动电性(如电压、电流、电场等特性)来控制第二发光层E2的发光亮度。换言之，于本实施例的第二像素P2中，可以通过电性驱动信号输入于主动元件T，进而控制第二发光二极管L2的发光亮度，以形成第二像素P2为主动式像素。举例而言，当第二发光二极管L2为有机发光二极管时，第二像素P2为主动式有机发光二极管(Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode,AMOLED)。
多个第一像素P1位于第一显示区110上。在本实施例中，第一像素P1为被动式像素，各第一像素P1包括第一发光二极管L1。虽然在本实施例中，以各第一像素P1包括一个第一发光二极管L1为例，但本发明不以此为限。在其他实施例中，各第一像素P1包括多个第一发光二极管L1。换句话说，各第一像素P1包括多个子像素。
请参阅图1A与图1B，第一发光二极管L1电性连接至驱动电路DR。在本实施例中，第一走线W1电性连接第一发光二极管L1与驱动电路DR。在本实施例中，第一走线W1与部分连接至主动元件T的数据线DL实质上为同一条导线。换句话说，第一走线W1连接至部分第二走线W2，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第一走线W1与第二走线W2互相分离。第一发光二极管L1包括第一电极A1、第一发光层E1以及第三电极T1。具体而言，第一电极A1位于第一绝缘层I1(第二绝缘层I2)上，且第一电极A1位置对应于第一显示区110上。于本实施例中，第一电极A1通过数据线DL而电性连接至第二驱动电路DR2。请参阅图1B的第一像素P1，像素定义层PDL位于第二绝缘层I2上，且具有开口H1，其中第一发光层E1位于开口H1中。详言之，开口H1形成于像素定义层PDL，且开口H1形成位置对应于第一电极A1，如此一来，当第一发光层E1位于开口H1内时，使得第一发光层E1的位置亦对应于第一电极A1。于本实施例中，第三电极T1位于像素定义层PDL以及第一发光层E1上，使得第一发光层E1设置于第一电极A1与第三电极T1之间，如此一来，可通过第一电极A1与第三电极T1的驱动电性(如电压、电流、电场..等特性)来控制第一发光层E1的发光亮度。换言之，于本实施例的第一像素P1中，驱动电路DR是直接将电性驱动信号传递至第一发光二极管L1，而未需经由像素内的主动元件(如第二像素P2的主动元件T)，即可控制第一发光二极管L1的发光亮度，以形成第一像素P1为被动式像素。举例而言，当第一发光二极管L1为有机发光二极管时，第一像素P1为被动式有机发光二极管(Passive-Matrix Organic Light-Emitting Diode,PMOLED)。
在本实施例中，第一发光二极管L1的第三电极T1以及第二发光二极管L2的第三电极T2电性连接且一体成形。换句话说，第三电极T1(T2)实质为整面式地覆盖于第一显示区与第二显示区。举例而言，第一电极A1与第二电极A2皆为发光二极管的阳极，且第一电极A1与第二电极A2为结构分离，可通过同一道光罩来形成图案化的电极结构。第三电极T1(T2)则为发光二极管的阴极，且为整面式的形成于第一显示区与第二显示区，使得第三电极T1(对应于第一显示区)与第三电极T2(对应于第二显示区)为同一材料、同一层别。在本实施例中，第一发光二极管L1与第二发光二极管L2电性连接至相同的第二驱动电路DR2，但本发明不以此为限。在其他实施例中，用来控制第二发光二极管L2的驱动电路可以与用来控制第一发光二极管L1的驱动电路分离。换句话说，第二发光二极管L2可以通过其他信号线而电性连接至其他驱动电路，并不限制第二发光二极管L2一定要通过数据线DL而电性连接至第二驱动电路DR2。
在本实施例中，第一像素P1与第二像素P2的面积是由像素定义层PDL所界定。在一些实施例中，第一像素P1与第二像素P2的面积约等于对应的两条扫描线以及对应的两条数据线所围绕出来的面积，但本发明不以此为限。
在一些实施例中，第一发光二极管L1于基板100上垂直投影的面积与第二发光二极管L2于基板100上垂直投影的面积相同。在一些实施例中，第一像素P1于基板100上垂直投影的面积与第二像素P2于基板100上垂直投影的面积相同。换句话说，显示装置1对应第一显示区110位置处的分辨率可以等于显示装置1对应第二显示区120位置处的分辨率，但本发明不以此为限。在其他实施例中，显示装置1对应第一显示区110位置处的分辨率可以不同于显示装置1对应第二显示区120位置处的分辨率。
在本实施例中，第一发光二极管L1以及第二发光二极管L2是以有机发光二极管为例，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第一发光二极管L1以及第二发光二极管L2为微型发光二极管(micro-LED)，且包含无机的发光层。
在本实施例中，第一像素P1不具有主动元件，也就是说，第一像素P1中的电路较第二像素P2简单。因此，第一像素P1相较于第二像素P2具有较高的穿透率。
光学模块200位置对应于第一显示区110。光学模块200设置于基板100背面的第一显示区110上。光学模块200例如为电荷耦合元件(Charge-coupled Device)、三维感测装置(3D sensor)、虹膜辨识装置等等。当欲执行拍摄功能时，影像可以穿过第一显示区110，并抵达光学模块200。此外，由于第一显示区110上的第一像素P1具备显示功能。因此，在不需要执行拍摄功能时，第一显示区110上的第一像素P1可以显示图示(Icon)，如电池电量、网络信号或其他影像。换句话说，于本实施例中，第一显示区110为被动式像素P1，使得光学模块200设置的位置是对应于被动式像素P1。如此一来，被动式像素P1能提供较高的穿透率，增加光学模块200的使用效能，同时，亦能兼顾被动式像素P1的显示作用，进而形成第一显示区110能够进行显示作用，同时亦可提供光学模块200的使用效能。另外，以使用者的角度来看，本实施例的显示装置能够实现全面屏的显示作用，且不易看到光学模块200实体结构，确能够达到光学模块200的使用性，进而增加显示装置的美观度与显示品质。
基于上述，由于显示装置1包括第一像素P1以及第二像素P2，显示装置1具有较高的穿透率，且可以增加能够显示画面的区域的面积，借此获得窄边框或无边框的优点。
图2A是依照本发明的实施例的一种显示装置的俯视示意图。图2B是图2A剖线CC’的剖面示意图。在此必须说明的是，图2A与图2B的实施例沿用图1A和图1B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图2A与图2B，在本实施例中，显示装置1a的各第一像素P1(被动式像素)包括多个第一发光二极管L1(如：第一红色发光二极管L1r、第一绿色发光二极管L1g以及第一蓝色发光二极管L1b)以及穿透区TR。穿透区TR位于第一发光二极管L1一侧。
第一红色发光二极管L1r、第一绿色发光二极管L1g以及第一蓝色发光二极管L1b分别电性连接至同一条扫描线SL，且第一红色发光二极管L1r、第一绿色发光二极管L1g以及第一蓝色发光二极管L1b分别电性连接至不同条数据线DL。第一像素P1中第一发光二极管L1的数量可以依照实际需求而进行调整。
在图2A与图2B的实施例中，第一发光二极管L1与第二发光二极管L2的层叠结构皆与图1A与图1B的实施例相同，在此不在多加赘述。于本实施例中，第一像素P1还包含穿透区TR，可以增加第一像素P1的穿透度，进而提升光学模块200的使用效能与灵敏度。具体而言，第三电极T1于对应穿透区TR处具有开口H3。换句话说，穿透区TR中未设置第三电极T1，使穿透区TR具有较高的穿透率。在其他变形例中，除了第三电极T1外，开口H3亦可形成于其他层别，换言之，于穿透区TR中，除了没有第三电极T1外，亦可同时没有其他层别，如第一发光层E1、第一电极A1、各绝缘层等。
在本实施例中，像素定义层PDL的部分开口H1重叠于穿透区TR，因此，部分第一发光层E1位于穿透区TR中，然而本发明不以此为限。在其他实施例中，像素定义层PDL的开口H1不重叠于穿透区TR，且穿透区TR中未设置第一发光层E1，如图5的实施例。
在本实施例中，显示装置1a的各第二像素P2(主动式像素)包括多个主动元件T(如：主动元件Tr、主动元件Tg以及主动元件Tb)、多个第二发光二极管L2(如：第二红色发光二极管L2r、第二绿色发光二极管L2g以及第二蓝色发光二极管L2b)。第二红色发光二极管L2r、第二绿色发光二极管L2g以及第二蓝色发光二极管L2b分别电性连接至主动元件Tr、主动元件Tg以及主动元件Tb。主动元件Tr、主动元件Tg以及主动元件Tb电性连接至同一条扫描线SL，且主动元件Tr、主动元件Tg以及主动元件Tb分别电性连接至不同条数据线DL。各第二像素P2中主动元件T以及第二发光二极管L2的数量可以依照实际需求而进行调整。
部分第一像素P1(被动式像素)的第一发光二极管L1位于穿透区TR的第一侧SW1，另一部分第一像素P1(被动式像素)的第一发光二极管L1位于穿透区TR的第二侧SW2，第一侧SW1不同于第二侧SW2。且第一发光二极管L1位于穿透区TR的第一侧SW1的第一像素P1与第一发光二极管L1位于穿透区TR的第二侧SW2的第一像素P1交替排列。借此因此，显示装置对应于第一显示区110处的穿透率可以分布的较为均匀。
图3是依照本发明的实施例的一种显示装置的俯视示意图。在此必须说明的是，图3的实施例沿用图2A与图2B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图3，显示装置1b的各第二像素P2(主动式像素)包括多个主动元件T(如：主动元件Tr、主动元件Tg、主动元件Tb以及主动元件Tw)、多个第二发光二极管L2(如：第二红色发光二极管L2r、第二绿色发光二极管L2g、第二蓝色发光二极管L2b以及第二白色发光二极管L2w)。第二红色发光二极管L2r、第二绿色发光二极管L2g、第二蓝色发光二极管L2b以及第二白色发光二极管L2w分别电性连接至主动元件Tr、主动元件Tg、主动元件Tb以及主动元件Tw。
虽然在本实施例中，是以第二像素P2包括第二红色发光二极管L2r、第二绿色发光二极管L2g、第二蓝色发光二极管L2b以及第二白色发光二极管L2w为例，但本发明不以此为限。第二像素P2还可以包括其他颜色的发光二极管。在本实施例中，第二白色发光二极管L2w可以使第二像素P2具有较高的穿透率。
图4是依照本发明的实施例的一种显示装置的俯视示意图。在此必须说明的是，图4的实施例沿用图3的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图4，显示装置1c的各第一像素P1(被动式像素)多个第一发光二极管L1(如：第一红色发光二极管L1r、第一绿色发光二极管L1g、第一蓝色发光二极管L1b以及第一白色发光二极管L1w)以及穿透区TR。
虽然在本实施例中，是以第一像素P1包括第一红色发光二极管L1r、第一绿色发光二极管L1g、第一蓝色发光二极管L1b以及第一白色发光二极管L1w为例，但本发明不以此为限。第一像素P1还可以包括其他颜色的发光二极管。在本实施例中，第一白色发光二极管L1w可以使第一像素P1具有较高的穿透率。
图5是依照本发明的实施例的一种显示装置的剖面示意图。在此必须说明的是，图5的实施例沿用图2A与图2B的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图5的显示装置1d与图2B的显示装置1a的差异在于：显示装置1d的第一像素P1中，穿透区TR中未设置第一发光层E1。
在本实施例中，像素定义层PDL的开口H1不重叠于穿透区TR，且穿透区TR中未设置第一发光层E1以及第一电极A1。因此，穿透区TR有较高的穿透率。
综上所述，本发明的显示装置包括第一像素以及第二像素两种不同的像素，可以增加显示装置能够显示画面的区域的面积，借此获得窄边框或无边框的优点。
虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的变动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (19)

1.一种显示装置，包括：
一基板，具有一第一显示区以及连接该第一显示区的一第二显示区；
多个被动式像素，位于该第一显示区上；以及
多个主动式像素，位于该第二显示区上；以及至少一驱动电路，位于该基板上。
2.如权利要求1所述的显示装置，还包含一光学模块，位置对应于该第一显示区。
3.如权利要求2所述的显示装置，还包含：
一第一走线，设置于该基板上；以及
一第二走线，设置于该基板上；
其中，各该被动式像素包括一第一发光二极管，且该第一走线电性连接该第一发光二极管与该驱动电路，且
各该主动式像素包括一主动元件与一第二发光二极管，其中该第二走线电性连接于该主动元件与该驱动电路，且该主动元件电性连接于该第二发光二极管。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中，各该主动式像素于该基板上垂直投影的面积与各该被动式像素于该基板上垂直投影的面积相同。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中，各该被动式像素包括：
一第一发光二极管；以及
一穿透区，位于该第一发光二极管一侧。
6.如权利要求5所述的显示装置，其中，部分所述被动式像素的所述第一发光二极管位于所述穿透区的第一侧，另一部分所述被动式像素的所述第一发光二极管位于所述穿透区的第二侧，其中，该第一侧不同于该第二侧，且该部分所述被动式像素与该另一部分所述被动式像素交替排列。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，各该主动式像素包括一第二红色发光二极管、一第二绿色发光二极管、一第二蓝色发光二极管以及一第二白色发光二极管。
8.如权利要求7所述的显示装置，其中，各该被动式像素包括一第一红色发光二极管、一第一绿色发光二极管以及一第一蓝色发光二极管。
9.如权利要求1所述的显示装置，其中，各该被动式像素包括一第一红色发光二极管、一第一绿色发光二极管、一第一蓝色发光二极管以及一第一白色发光二极管。
10.一种显示装置，包括：
一基板，具有一第一显示区以及连接该第一显示区的一第二显示区；
至少一驱动电路，位于该基板上；
一主动元件，位于该第二显示区上，且电性连接至该至少一驱动电路；
一绝缘层，覆盖于所述主动元件；
一第一电极以及一第二电极，位于该绝缘层上，且该第一电极位置对应于该第一显示区，该第二电极位置对应该第二显示区上，其中该第一电极电性连接至该至少一驱动电路，且该第二电极电性连接至该主动元件；
一第三电极，位于该第一电极与该第二电极上；
一第一发光层，设置于该第一电极与该第三电极之间，且位置对应于该第一显示区；以及
一第二发光层，设置于该第二电极与该第三电极之间，且位置对应于该第二显示区。
11.如权利要求10所述的显示装置，还包含一光学模块，位置对应于该第一显示区。
12.如权利要求10所述的显示装置，包括多个第一像素以及多个第二像素，分别位于该第一显示区以及该第二显示区上，其中，
各该第一像素包括一第一发光二极管，且该第一发光二极管包括该第一电极、该第一发光层以及该第三电极，且各该第二像素包括该主动元件以及一第二发光二极管，且该第二发光二极管包括该第二电极、该第二发光层及该第三电极。
13.如权利要求12所述的显示装置，其中，各该第一像素于该基板上垂直投影的面积与各该第二像素于该基板上垂直投影的面积相同。
14.如权利要求12所述的显示装置，其中，各该第一像素还包括：
一穿透区，位于该第一发光二极管的一侧；以及
一开口，形成于该第三电极，其中该开口的位置对应于该穿透区。
15.如权利要求14所述的显示装置，其中，部分所述第一像素的所述第一发光二极管位于所述穿透区的一第一侧，另一部分所述第一像素的所述第一发光二极管位于所述穿透区的一第二侧，该第一侧不同于该第二侧。
16.如权利要求12所述的显示装置，其中，各该第二像素包括一第二红色发光二极管、一第二绿色发光二极管、一第二蓝色发光二极管以及一第二白色发光二极管。
17.如权利要求12所述的显示装置，其中，各该第一像素包括一第一红色发光二极管、一第一绿色发光二极管以及一第一蓝色发光二极管。
18.如权利要求12所述的显示装置，其中，各该第一像素包括一第一红色发光二极管、一第一绿色发光二极管、一第一蓝色发光二极管以及一第一白色发光二极管。
19.如权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一发光二极管与所述第二发光二极管电性连接。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110767727A (zh) * 2019-10-31 2020-02-07 Oppo广东移动通信有限公司 电子设备
CN111524930A (zh) * 2019-12-02 2020-08-11 友达光电股份有限公司 显示装置
WO2021189632A1 (zh) * 2020-03-26 2021-09-30 武汉华星光电技术有限公司 显示面板和显示装置
CN114078365A (zh) * 2020-08-18 2022-02-22 群创光电股份有限公司 显示装置及其驱动方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110619813B (zh) 2018-06-20 2021-05-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、其驱动方法、显示装置及高精度金属掩模版
US11263968B2 (en) 2018-06-20 2022-03-01 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and driving method thereof, and display device
CN110620129B (zh) * 2018-06-20 2022-02-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、其驱动方法、显示装置及高精度金属掩模板
CN110767099B (zh) * 2018-11-07 2022-09-13 云谷（固安）科技有限公司 显示面板和显示终端
CN110767107B (zh) * 2018-12-28 2023-03-24 昆山国显光电有限公司 显示装置及其显示面板、oled阵列基板
CN110767695B (zh) * 2018-12-28 2021-05-04 云谷（固安）科技有限公司 显示装置及其显示面板、oled阵列基板
CN109801950B (zh) * 2019-01-31 2021-02-26 厦门天马微电子有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
US20210028389A1 (en) * 2019-07-23 2021-01-28 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and display device
US11289050B2 (en) * 2019-08-16 2022-03-29 Silicon Works Co., Ltd. Controller and display device including the same
KR102635377B1 (ko) * 2019-09-24 2024-02-08 엘지디스플레이 주식회사 게이트 구동 회로 및 디스플레이 장치
WO2021070236A1 (ja) * 2019-10-08 2021-04-15 シャープ株式会社 発光デバイス
KR20210130891A (ko) * 2020-04-22 2021-11-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111584591B (zh) * 2020-05-22 2023-03-28 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、驱动方法及显示装置
KR20220001967A (ko) * 2020-06-30 2022-01-06 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN115224091A (zh) * 2020-08-28 2022-10-21 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN206451466U (zh) * 2017-02-14 2017-08-29 广东欧珀移动通信有限公司 显示屏及电子装置
CN107425042A (zh) * 2017-07-27 2017-12-01 京东方科技集团股份有限公司 一种oled阵列基板、显示装置
CN107768545A (zh) * 2017-09-28 2018-03-06 上海天马微电子有限公司 一种有机电致发光显示面板及显示装置
CN107863448A (zh) * 2017-10-24 2018-03-30 京东方科技集团股份有限公司 一种显示屏及其制造方法、显示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005134755A (ja) * 2003-10-31 2005-05-26 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
KR102534107B1 (ko) 2016-03-24 2023-05-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN207338380U (zh) 2017-07-21 2018-05-08 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板及显示装置
CN108257514A (zh) 2017-09-30 2018-07-06 昆山国显光电有限公司 显示屏、显示屏驱动方法及其显示装置
CN107682489B (zh) 2017-11-20 2019-11-19 珠海市魅族科技有限公司 一种移动终端和移动终端的显示屏控制方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN206451466U (zh) * 2017-02-14 2017-08-29 广东欧珀移动通信有限公司 显示屏及电子装置
CN107425042A (zh) * 2017-07-27 2017-12-01 京东方科技集团股份有限公司 一种oled阵列基板、显示装置
CN107768545A (zh) * 2017-09-28 2018-03-06 上海天马微电子有限公司 一种有机电致发光显示面板及显示装置
CN107863448A (zh) * 2017-10-24 2018-03-30 京东方科技集团股份有限公司 一种显示屏及其制造方法、显示装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110767727A (zh) * 2019-10-31 2020-02-07 Oppo广东移动通信有限公司 电子设备
CN110767727B (zh) * 2019-10-31 2023-08-01 Oppo广东移动通信有限公司 电子设备
CN111524930A (zh) * 2019-12-02 2020-08-11 友达光电股份有限公司 显示装置
CN111524930B (zh) * 2019-12-02 2023-04-07 友达光电股份有限公司 显示装置
WO2021189632A1 (zh) * 2020-03-26 2021-09-30 武汉华星光电技术有限公司 显示面板和显示装置
US11716881B2 (en) 2020-03-26 2023-08-01 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and display device
CN114078365A (zh) * 2020-08-18 2022-02-22 群创光电股份有限公司 显示装置及其驱动方法

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Publication number Publication date
US10985231B2 (en) 2021-04-20
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