CN109755274A - 有机发光显示器 - Google Patents

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Abstract

一种有机发光显示器包括：外覆层，所述外覆层设置在基板上，所述外覆层具有凹部和设置在相邻凹部之间的凸部；以及有机发光二极管和辅助有机发光二极管，所述有机发光二极管和所述辅助有机发光二极管设置在所述外覆层上。所述有机发光二极管的第一电极设置在所述凹部中。所述辅助有机发光二极管的辅助电极设置在所述凸部上。

Description

有机发光显示器
技术领域
本发明涉及有机发光显示器。
背景技术
最近，正在开发比阴极射线管(CRT)体积更小且重量更轻的各种显示装置。这些显示装置的示例包括液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光显示装置(OLED)等。
在这些显示装置中，有机发光显示器是通过激发有机化合物发光的自发光显示器。与LCD相比，有机发光显示器在没有背光的情况下工作；因此，有机发光显示器可以更轻和更薄并且以简化的工艺制造。此外，因为有机发光显示器可以在低温下制造，具有1ms或更短的快速响应时间，并且具有低功耗、宽视角和高对比度的特征，所以它们被广泛使用。
有机发光显示器包括像素，每个像素具有将电能转换为光能的有机发光二极管。有机发光二极管包括阳极、阴极和位于阳极和阴极之间的有机发光层。空穴和电子分别从阳极和阴极注入，并且它们复合以形成激子，由此当激子从激发态衰变到基态时，有机发光显示器显示图像。
相邻像素可以由堤岸(或像素限定层)限定。堤岸包括分别对应于像素的孔。从有机发光二极管产生的光可以通过孔发射并且变得对用户可见。与孔对应的区域可以被定义为发光区域，并且其余区域可以被定义为非发光区域。
优选地，在工艺方面，堤岸的孔覆盖了可能的最大面积，因为发光区域的面积确定孔径比。然而，由于工艺的限制，与当前非发光区域覆盖的面积的量相比，难以进一步减小非发光区域。因此，需要提出一种方法以出于不同的目的来使用覆盖一定面积的非发光区域。此外，为了制造具有高PPI(每英寸像素)的高分辨率有机发光显示器，要求在有限的空间中存在大量器件，因此需要找到一种改进空间利用的方法。
发明内容
本发明提供一种省略传统堤岸结构的有机发光显示器。此外，本发明提供一种有效地利用了传统上分配给非发光区域的区域的有机发光显示器。
在一个方面，提供了一种有机发光显示器，包括：外覆层，所述外覆层设置在基板上，所述外覆层具有凹部和设置在相邻凹部之间的凸部；以及有机发光二极管和辅助有机发光二极管，所述有机发光二极管和所述辅助有机发光二极管设置在所述外覆层上。所述有机发光二极管的第一电极设置在所述凹部中。所述辅助有机发光二极管的辅助电极设置在所述凸部上。
所述辅助电极是反射电极。
该有机发光显示器还包括顺序设置在所述第一电极和所述辅助电极上的有机发光层和第二电极。所述有机发光二极管和所述辅助有机发光二极管共用所述有机发光层和所述第二电极。
该有机发光显示器还包括：相对基板，所述相对基板面对所述基板；和滤色器，所述滤色器布置在所述相对基板上。
该有机发光显示器还包括设置在所述凹部中的滤色器。
该有机发光显示器还包括钝化层，所述钝化层插置在所述有机发光二极管和所述滤色器之间，所述钝化层覆盖所述辅助有机发光二极管。
该有机发光显示器还包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述外覆层下方并经由穿透所述外覆层的第一像素接触孔连接到所述第一电极；以及辅助薄膜晶体管，所述辅助薄膜晶体管设置在所述外覆层下方并经由穿透所述外覆层的第二像素接触孔连接到所述辅助电极。
所述第一像素接触孔与所述凹部交叠。所述第二像素接触孔与所述凸部交叠。
所述第一电极是透射电极。所述辅助电极是反射电极。
该有机发光显示器还包括：上滤色器，从所述有机发光二极管提供的光的一部分穿过所述上滤色器；和下滤色器，所述下滤色器面对所述上滤色器，从所述有机发光二极管提供的光的另一部分穿过所述下滤色器。
所述辅助电极包括顺序层叠的透明导电材料和金属材料。所述第一电极包括所述透明导电材料。
在另一方面，提供了一种有机发光显示器，该有机发光显示器包括由外覆层上形成的台阶分离地限定的像素和辅助像素。所述辅助像素包括连接到辅助薄膜晶体管的辅助电极。当所述辅助薄膜晶体管导通时，所述辅助电极用作辅助有机发光二极管的一个电极，并且当所述辅助薄膜晶体管截止时，所述辅助电极用作反射位于一个方向上的对象(object)的图像的反射电极。
所述辅助像素与所述像素分离地被驱动。
所述辅助像素的驱动信号与所述像素的驱动信号不同。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入且构成本说明书的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在图中：
图1是示意性地示出有机发光显示器的框图；
图2是示意性地示出图1中所示的一个像素的电路图；
图3是示出图2的具体示例的图；
图4是示意性地示出根据本发明的第一示例性实施方式的有机发光显示器中的两个相邻像素的结构的截面图；
图5是示意性地示出根据本发明的第二示例性实施方式的有机发光显示器中的有效显示区域的平面图；
图6是示意性地示出可变区域中的辅助像素的电路图；
图7是用于说明驱动辅助像素的示例的图；
图8是示意性地示出根据本发明的第二示例性实施方式的有机发光显示器中的两个相邻像素的结构的截面图；
图9A至图9C是用于说明滤色器的构造的示例的图；
图10A至图10C是按时间顺序示出根据本发明的第二示例性实施方式的用于制造有机发光显示器的方法的图；以及
图11是示意性地示出根据本发明的第三示例性实施方式的有机发光显示器中的两个相邻像素的结构的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细描述本发明的示例性实施方式。在整个说明书中，相似的附图标记表示基本相似的组件。在描述本发明时，当认为与本发明相关的已知功能或构造的详细描述可能不必要地使本发明的主题模糊不清时，将省略这些描述。在描述各种示例性实施方式时，将在开始的示例性实施方式中给出相同或相似组件的描述，但在其它示例性实施方式中，将省略这些描述。
尽管包括诸如“第一”和“第二”之类的序数的术语可用于描述各种组件，但是这些组件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与其它组件区分开。
图1是示意性地示出有机发光显示器的框图。图2是示意性地示出图1中所示的一个像素的电路图。图3是示出图2的具体示例的图。
参照图1，根据本发明的有机发光显示器10包括显示驱动电路和显示面板DIS。
显示驱动电路包括数据驱动电路12、选通驱动电路14和定时控制器16，并将输入图像的视频数据电压写入到显示面板DIS上的像素PIX。数据驱动电路12将从定时控制器16接收的数字视频数据RGB转换为模拟伽马补偿电压并产生数据电压。从数据驱动电路12输出的数据电压被提供给数据线D1至Dm。选通驱动电路14顺序地将与数据电压同步的选通信号提供给选通线G1至Gn，并从显示面板DIS选择像素PIX以写入数据电压。
定时控制器16从主机系统19接收诸如垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、数据使能信号DE、主时钟MCLK等的定时信号，并同步数据驱动电路12和选通驱动电路14的操作定时。用于控制数据驱动电路12的数据定时控制信号包括源采样时钟SSC、源输出使能信号SOE等。用于控制选通驱动电路14的选通定时控制信号包括：选通起始脉冲GSP、选通移位时钟GSC、选通输出使能信号GOE等。
主机系统19可以被实现为以下任何一个：电视系统、机顶盒、导航系统、DVD播放器、蓝光播放器、个人计算机PC、家庭影院系统和电话系统。主机系统19包括嵌入有定标器的片上系统(SoC)，并且将输入图像的数字视频数据RGB转换成适于在显示面板DIS上显示的格式。主机系统19将定时信号Vsync、Hsync、DE和MCLK与数字视频数据一起发送到定时控制器16。
显示面板DIS可以具有各种形状。也就是说，显示面板DIS的平面可以是矩形或正方形，并且还可以具有各种自由形状，诸如圆形、椭圆形或多边形。
显示面板DIS包括具有多个像素PXL的有效显示区域。像素PXL可以由数据线D1至Dm(m是正整数)和选通线G1至Gn(n是正整数)的交叉限定，但不限于此。每个像素PXL包括作为自发光元件的有机发光二极管。显示面板DIS包括发射红(R)光、蓝(B)光和绿(G)光的红色(R)像素PXL、蓝色(B)像素PXL和绿色(G)像素PXL。
参照图2，多条数据线D和多条选通线G在显示面板DIS上交叉，并且像素PXL以矩阵形式布置在交叉处。每个像素PXL包括有机发光二极管OLE、控制流过有机发光二极管OLE的电流量的驱动薄膜晶体管DT以及用于设置驱动薄膜晶体管DT的栅源电压的编程部分SC。
编程部分SC可以包括至少一个开关薄膜晶体管和至少一个存储电容器。开关薄膜晶体管响应于来自选通线G的选通信号而导通，以将来自数据线D的数据电压施加到存储电容器的一个电极。驱动薄膜晶体管DT通过根据存储电容器中存储的电压电平控制提供给有机发光二极管OLE的电流量来调节从有机发光二极管OLE发射的光量。从有机发光二极管OLE发射的光量与从驱动薄膜晶体管DT提供的电流量成比例。这样的像素PXL连接到高电平电压源Evdd和低电平电压源Evss，以从功率生成部(未示出)接收高电平电源电压和低电平电源电压。像素PXL的薄膜晶体管可以被实现为p型或n型。此外，像素PXL的薄膜晶体管的半导体层可以包含非晶硅、多晶硅或氧化物。下面将描述包含氧化物的半导体层，但本公开不限于此。有机发光二极管OLE包括阳极ANO、阴极CAT和夹在阳极ANO和阴极CAT之间的有机发光层。阳极ANO连接到驱动薄膜晶体管DT。
如图3的(a)所示，子像素可包括内部补偿电路CC、以及前述开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器Cst和有机发光二极管OLE。内部补偿电路CC可以包括连接到补偿信号线INIT的一个或更多个晶体管。内部补偿电路CC将驱动晶体管DR的栅源电压设置为反映阈值电压的变化的电压，以抵消当有机发光二极管OLE发光时由驱动晶体管DR的阈值电压引起的任何亮度变化。在这种情况下，扫描线GL1包括至少两条扫描线GL1a和GL1b以控制开关晶体管SW和内部补偿电路CC中的晶体管。
如图3的(b)所示，子像素可包括开关晶体管SW1、驱动晶体管DR、感测晶体管SW2、电容器Cst和有机发光二极管OLE。感测晶体管SW2是可以包括在内部补偿电路CC中的晶体管，并且执行用于补偿子像素的感测操作。
开关晶体管SW1用于响应于通过第一扫描线GL1a提供的扫描信号，将通过数据线DL1提供的数据电压提供给第一节点N1。感测晶体管SW2用于响应于通过第二扫描线GL1b提供的感测信号，复位或感测位于驱动晶体管DR和有机发光二极管OLE之间的第二节点N2。
根据本发明的子像素的结构不限于上述结构，而是可以变化为包括诸如2T(晶体管)1C(电容器)、3T1C、4T2C、5T2C、6T2C和7T2C之类的其它结构。
<第一示例性实施方式>
图4是示意性地示出根据本发明的第一示例性实施方式的有机发光显示器中的两个相邻像素的结构的截面图。
参照图4，根据本发明的第一示例性实施方式的有机发光显示器包括薄膜晶体管基板SUB。分别对应于像素的薄膜晶体管T和连接到薄膜晶体管T的有机发光二极管OLE设置在薄膜晶体管基板SUB上。尽管稍后描述，可以通过外覆层OC的凸部BS来划分相邻像素。
薄膜晶体管T可以具有各种结构，包括底栅结构、顶栅结构和双栅结构。也就是说，每个薄膜晶体管T可以包括半导体层、栅极以及源极/漏极，并且半导体层、栅极和源极/漏极可以布置在不同的层上，且至少一个绝缘层介于它们之间。
可以在薄膜晶体管T和有机发光二极管OLE之间插置至少一个绝缘层。至少一个绝缘层可以包括由诸如光压克力(photoacryl)、聚酰亚胺、苯并环丁烯树脂、丙烯酸酯树脂等的有机物质制成的外覆层OC。外覆层OC可以使形成有薄膜晶体管T和各种信号线的基板SUB的表面平整。尽管未示出，但是至少一个绝缘层还可以包括钝化层，该钝化层包括硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)或它们的多层，并且钝化层可以插置在外覆层OC和薄膜晶体管T之间。为了便于说明，至少一个绝缘层将被描述为例如仅包括外覆层OC。
外覆层OC包括凹部GR和凸部BS。每个凹部GR可以通过使外覆层OC的顶表面向内部分地凹进而形成。尽管稍后描述，但是每个凹部GR可被形成得足够深以容纳有机发光二极管OLE的第一电极ANO。形成有凹部GR的区域可以对应于发光区域EA。发光区域EA是发射从有机发光二极管OLE产生的光的区域，其不同于对发光没有贡献的非发光区域NEA。凹部GR的形状可以由底面BP和从底面BP的相对边缘延伸的两个侧面SP限定。
凸部BS形成在每两个相邻的凹部GR之间。因为凹部GR以预定间隔形成在外覆层OC上，所以凸部BS是外覆层OC的留在每两个相邻的凹部GR之间的部分。凸部BS可以用作限定相邻像素的像素限定层。形成有凸部BS的区域可以对应于非发光区域NEA。
本发明的第一示例性实施方式允许减少由添加的工艺产生的额外处理时间、成本和缺陷，因为它不需要形成用于限定相邻像素的像素限定层，因此具有显著提高工艺良率的优点。
此外，因为没有形成像素限定层，所以本发明的第一示例性实施方式不需要用于将像素限定层与外覆层OC上的特定位置对齐的额外工艺。高分辨率显示设备的每英寸像素(PPI)越高，像素限定层越窄，这使得正确的对齐变得困难。在这方面，本发明提供了显著提高工艺良率并防止由堤岸未对齐引起的图像质量的任何劣化的优点。
薄膜晶体管T和有机发光二极管OLE可以经由穿透外覆层OC的像素接触孔PH电连接。像素接触孔PH形成在凹部GR下方并且暴露薄膜晶体管T的至少一部分。因此，像素接触孔PH位于在垂直方向(或上/下方向)上与凹部GR交叠。
有机发光二极管OLE包括彼此面对的第一电极ANO和第二电极CAT，以及插置在第一电极ANO和第二电极CAT之间的有机发光层OL。例如，第一电极可以是阳极，第二电极可以是阴极，但本公开不限于此。
第一电极ANO可以由单层或多层组成。第一电极ANO还包括用作反射电极的反射层。反射层可以由铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)或这些元素的合金(优选地，APC(银/钯/铜合金))制成。在示例中，第一电极ANO可以由ITO(铟锡氧化物)/Ag合金/ITO的三层形成。在这种情况下，可以形成下部ITO以改善外覆层OC和Ag合金之间的粘附性。
第一电极ANO被分配给每个像素-每个像素一个第一电极ANO。每个第一电极ANO被包含在相应的凹部GR的内部空间中。因此，第一电极ANO可以与预设位置正确对齐。凸部BS位于相邻的第一电极ANO之间。相邻的第一电极ANO可以通过凸部BS对齐，在水平方向(或左/右方向)上彼此隔开预定距离。这样，本发明的第一示例性实施方式具有通过使用外覆层OC的凹部GR和凸部BS将第一电极ANO和预设位置正确对齐的优点。
第二电极CAT可以由诸如ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)或ZnO(锌氧化物)之类的透明导电材料制成，或者可以由薄的诸如镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)或银(Ag)之类的不透明导电材料制成，并用作透射电极。第二电极CAT可以设置为以集成方式在薄膜晶体管基板SUB上延伸，以覆盖像素。
有机发光层OL设置为在薄膜晶体管基板SUB上延伸以覆盖像素。根据本发明的有机发光显示器包括发射白(W)光的有机发光层OL和红色(R)滤色器、绿色(G)滤色器和蓝色(B)滤色器，以便产生红(R)光、绿(G)光和蓝(B)光。也就是说，从有机发光层OL发射的白(W)光穿过分别对应于红色(R)像素PXL、绿色(G)像素PXL和蓝色(B)像素PXL的红色(R)滤色器、绿色(G)滤色器和蓝色(B)滤色器，由此允许有机发光显示器产生红(R)光、绿(G)光和蓝(B)光。
在根据本发明的有机发光显示器中，发射白(W)光的有机发光层OL足够宽以覆盖面板的整个表面的大部分，因此不需要使用精细金属掩模(FMM)工艺将红色(R)有机发光层OL、蓝色(B)有机发光层OL和绿色(G)有机发光层OL分别分配给相应的像素PXL。因此，本发明具有避免使用上述FMM的问题(例如，与高分辨率相关的工艺良率的下降以及引起有机发光层OL的变位的对齐误差)的优点。
发射白(W)光的有机发光层OL可以具有多层叠结构，例如n层叠结构(n是大于或等于1的整数)。在一个示例中，双层叠结构可以包括位于阳极ANO和阴极CAT之间的电荷产生层CGL，以及分别位于夹在它们之间的电荷产生层CGL下方和上方的第一层叠STC1和第二层叠STC2。第一层叠STC1和第二层叠STC2均包括发光层，并且还可以包括诸如空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层之类的公共层中的至少一个。第一层叠STC1的发光层和第二层叠STC2的发光层可以包括不同颜色的发光材料。
在另一示例中，发射白(W)光的有机发光层OL可以具有单层叠结构。单个层叠包括发光层EML，并且还可以包括上述公共层中的至少一个。
<第二示例性实施方式>
图5是示意性地示出根据本发明的第二示例性实施方式的有机发光显示器中的有效显示区域的平面图。图6是示意性地示出可变区域中的辅助像素的电路图。图7是用于说明驱动辅助像素的示例的图。图8是示意性地示出根据本发明的第二示例性实施方式的有机发光显示器中的两个相邻像素的结构的截面图。在描述第二示例性实施方式时，可以省略与第一示例性实施方式的部分基本相同的部分的描述。
参照图5，根据第二示例性实施方式的有机发光显示器包括具有多个像素PXL的有效显示区域AA。尽管附图例示了像素PXL例如采用近似矩形的形状，但是它们不限于该形状。也就是说，像素PXL可以具有各种形状。例如，像素PXL可以具有各种平面形状，诸如圆形、椭圆形和多边形。像素PXL中的一个可以具有与另一个不同的尺寸和不同的平面形状。像素PXL的平面形状可以由凹部GR的平面形状确定。
可变区域VRA被限定在有效显示区域AA的至少一个区域中。可变区域VRA可以被限定为对应于第一示例性实施方式中限定的非发光区域NEA(参照图4)。也就是说，可变区域VRA可以被限定在第一示例性实施方式中定义的非发光区域NEA(参照图4)的选定区域中。
可变区域VRA包括辅助像素APXL。在一个示例中，如图中所示，辅助像素APXL可以位于彼此相邻的第一像素PXL1和第二像素PXL2之间。辅助像素APXL包括辅助薄膜晶体管AT和连接到辅助薄膜晶体管AT的辅助有机发光二极管OLE2。可变区域VRA中的辅助像素APXL可以由辅助薄膜晶体管AT以与现有像素PXL1和PXL2不同的方式控制。辅助薄膜晶体管AT可以具有与分配给现有像素PXL1和PXL2的薄膜晶体管相同的结构。
参照图6，通过示例的方式，辅助像素APXL包括辅助有机发光二极管OLE2和对辅助有机发光二极管OLE2进行开关操作的辅助薄膜晶体管AT。辅助有机发光二极管OLE2包括辅助电极ANO2、第二电极CAT和位于辅助电极ANO2和第二电极CAT之间的有机发光层。辅助电极ANO2通过辅助薄膜晶体管AT连接到高电平电压源Evdd，以从功率生成部接收高电平电源电压。第二电极CAT连接到低电平电压源Evss，以从功率生成部接收低电平电源电压。辅助薄膜晶体管AT响应于辅助控制信号MW对辅助电极ANO2和高电平电压源Evdd之间的电流路径进行开关。辅助薄膜晶体管AT可以将高电平电压源Evdd连接到辅助电极ANO2或使其浮置。
在另一示例中，辅助像素APXL的结构可以是以下结构中的一种：2T1C、3T1C、4T2C、5T2C、6T2C和7T2C，但不限于此，如图3所示。此外，辅助像素APXL可以具有与现有像素相同的电路结构。
参照图7，当辅助薄膜晶体管AT导通(ON)时，辅助阳极ANO2通过电源路径接收高电平电源电压。在这种情况下，辅助有机发光二极管OLE2保持ON状态。当辅助有机发光二极管OLE2保持ON状态时，辅助像素APXL可以用作发射白光的白色像素，并且这允许与从现有像素发出的红(R)光、绿(G)光和蓝(B)光一起的全色表示。辅助电极ANO2可以允许白光指向前方。因此，可以改进发出的光的亮度，并且可以降低功耗。此外，因为辅助像素APXL可以根据需要被选择性地驱动，因此辅助像素APXL可以与现有像素分开驱动并且用作白光照明部。
当辅助薄膜晶体管AT截止(OFF)时，辅助电极ANO2进入浮置状态并且不能接收高电平电源电压EVDD。在这种情况下，辅助有机发光二极管OLE2保持OFF状态。当辅助有机发光二极管OLE2保持OFF状态时，辅助电极ANO2可以用作镜子以反射位于有机发光显示器的前方的对象的图像。因此，根据本发明的第二示例性实施方式的有机发光显示器可以用作镜子显示器。在本发明的第二示例性实施方式中，与现有技术不同，不需要添加额外的反射构件以使镜子显示器工作。因此，可以消除用于形成反射构件的附加工艺，并且这可以产生诸如减少与工艺相关的制造时间和成本以及减少由于添加工艺而导致的缺陷的益处，由此允许更高的产量。
参照图8，根据本发明的第二示例性实施方式的有机发光显示器包括薄膜晶体管基板SUB。在薄膜晶体管基板SUB上，设置有分别分配给像素PXL1和PXL2的薄膜晶体管T和连接到薄膜晶体管T的有机发光二极管OLE1，并且设置有分配给辅助像素APXL的辅助薄膜晶体管AT和连接到辅助薄膜晶体管AT的辅助有机发光二极管OLE2。
像素PXL1和PXL2以及辅助像素APXL可以通过形成在外覆层OC上的台阶来分离地限定。也就是说，像素PXL1和PXL2以及辅助像素APXL可以由凹部GR和凸部BS之间的水平差限定。相邻像素PXL1和PXL2可以由外覆层OC的凸部BS限定。
薄膜晶体管T和辅助薄膜晶体管AT可以具有各种结构，包括底栅结构、顶栅结构和双栅结构。也就是说，每个薄膜晶体管T和AT可以包括半导体层、栅极和源极/漏极，并且半导体层，栅极和源极/漏极可以布置在不同的层上，且至少一个绝缘层介于它们之间。此外，薄膜晶体管T和辅助薄膜晶体管AT可以以不同的结构实现。
可以在薄膜晶体管T和有机发光二极管OLE1之间以及辅助薄膜晶体管AT和辅助有机发光二极管OLE2之间插置至少一个绝缘层。至少一个绝缘层可以包括由诸如光压克力、聚酰亚胺、苯并环丁烯树脂、丙烯酸酯树脂等的有机材料制成的外覆层OC。外覆层OC可以使形成有薄膜晶体管T和各种信号线的基板SUB的表面平整。尽管未示出，但是至少一个绝缘层还可以包括由硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)或它们的多层组成的钝化层，并且钝化层可以插置在外覆层OC和薄膜晶体管T和AT之间。为了便于说明，将至少一个绝缘层描述为例如仅包括外覆层OC。
外覆层OC包括凹部GR和凸部BS。每个凹部GR可以通过使外覆层OC的顶表面向内部分地凹进而形成。尽管稍后描述，但是每个凹部GR可以被形成得足够深以容纳有机发光二极管OLE1的第一电极ANO1。
凸部BS形成在每两个相邻的凹部GR之间。凸部BS所在的区域可以是可变区域VRA。因为凹部GR以预定间隔形成在外覆层OC上，所以凸部BS是外覆层OC的留在每两个相邻的凹部GR之间的部分。
薄膜晶体管T和有机发光二极管OLE1可以经由穿透外覆层OC的第一像素接触孔PH1电连接。第一像素接触孔PH1形成在凹部GR下方并暴露出薄膜晶体管T的至少一部分。因此，第一像素接触孔PH1位于在垂直方向(或上/下方向)上与凹部GR交叠。
辅助薄膜晶体管AT和辅助有机发光二极管OLE2可以经由穿透外覆层OC的第二像素接触孔PH2电连接。第二像素接触孔PH2形成在凸部BS下方并且暴露辅助薄膜晶体管AT的至少一部分。因此，第二像素接触孔PH2位于在垂直方向(或上/下方向)上与凸部BS交叠。
有机发光二极管OLE1包括彼此面对的第一电极ANO1和第二电极CAT以及插置在第一电极ANO1和第二电极CAT之间的有机发光层OL。辅助有机发光二极管OLE2包括彼此面对的辅助电极ANO2和第二电极CAT，以及插置在辅助电极ANO2和第二电极CAT之间的有机发光层OL。有机发光二极管OLE1和辅助有机发光二极管OLE2可以共用有机发光层OL和第二电极CAT。
更具体地，有机发光二极管OLE1的第一电极ANO1设置在凹部GR中。第一电极ANO1可以由单层或多层组成。第一电极ANO1还包括用作反射电极的反射层。形成第一电极ANO1的反射层可以由铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)或这些元素的合金(优选地，APC(银/钯/铜合金))制成。在一个示例中，第一电极ANO1可以由ITO/Ag合金/ITO的三层形成。
辅助有机发光二极管OLE2的辅助电极ANO2设置在凸部BS上。也就是说，在第二示例性实施方式中，辅助有机发光二极管OLE2的辅助电极ANO2形成在形成有凸部BS的区域中，这与第一示例性实施方式不同。辅助电极ANO2还包括用作反射电极和镜子的反射层。形成第二电极ANO2的反射层可以由铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)或这些元素的合金(优选地，APC(银/钯/铜合金))制成。在一个示例中，辅助电极ANO2可以由ITO/Ag合金/ITO的三层形成。
辅助电极ANO2可以通过与第一电极ANO1相同的工艺由相同的材料形成，但不限于此。根据需要，第一电极ANO1和辅助电极ANO2可以具有不同的结构。在一个示例中，第一电极ANO1可以由ITO/Ag合金/ITO的层叠结构形成，并且辅助电极ANO2可以由Ag合金的单层结构形成。
辅助电极ANO2与第一电极ANO1隔开预定距离。也就是说，第一电极ANO1和辅助电极ANO2可以不电连接而是彼此分离并接收不同的信号。因此，包括辅助电极ANO2的辅助有机发光二极管OLE2和包括第一电极ANO1的有机发光二极管OLE1可以彼此分离地进行驱动。
有机发光层OL设置为在第一电极ANO1和辅助电极ANO2上延伸以覆盖像素。第二电极CAT设置为在有机发光层OL上延伸以覆盖像素。第二电极CAT可以由诸如ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)或ZnO(锌氧化物)之类的透明导电材料制成，或者可以由薄的诸如镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)或银(Ag)之类的不透明导电材料制成，并用作透射电极。
在本发明的第二示例性实施方式中，形成有凸部BS的区域可以可选地用作发光区域(或照明部)和镜面区域，这与形成有凸部BS的区域被定义为非发光区域NEA的第一示例性实施方式不同。因此，本发明的第二示例性实施方式可以提供显著提高空间利用率的有机发光显示器。
图9A至图9C是用于说明滤色器的构造的示例的图。
参照图9A，滤色器CF可以形成在面对基板SUB的相对基板CSUB上。也就是说，相对基板CSUB可以由透明材料制成，以允许从有机发光二极管OLE发射的光通过。可以为每个像素分配一个滤色器CF。滤色器CF可以包括让红(R)光通过的红色(R)滤色器、让绿(G)光通过的绿色(R)滤色器和让蓝(B)光通过的蓝色(B)滤色器。红色(R)滤色器CF、绿色(G)滤色器CF和蓝色(B)滤色器CF被分配给相应的红色(R)像素、绿色(G)像素和蓝色(B)像素。尽管未示出，但是相邻滤色器CF可以由形成在相对基板CSUB上的黑底限定。在这种情况下，从凸部BS上的辅助有机发光二极管OLE2发射的白光可以是用户可见的，而不通过滤色器CF。
参照图9B，滤色器CF可以形成在基板SUB上的有机发光二极管OLE上。在这种情况下，滤色器CF被包含在凹部GR中。滤色器CF可以包括让红(R)光通过的红色(R)滤色器、让绿(G)光通过的绿色(R)滤色器和让蓝(B)光通过的蓝色(B)滤色器。红色(R)滤色器CF、绿色(G)滤色器CF和蓝色(B)滤色器CF被分配给相应的红色(R)像素、绿色(G)像素和蓝色(B)像素。
从有机发光二极管OLE1提供的光穿过包含在凹部GR中的滤色器CF并被发射。由于滤色器CF被包含在凹部GR中，因此从凸部BS上的辅助有机发光二极管OLE2提供的光不穿过滤色器CF而被发射。
每个滤色器CF被包含在相应的凹部GR的内部空间中。因此，滤色器CF可以与凹部GR内的预设位置正确对齐。凸部BS位于相邻的滤色器之间。相邻的滤色器CF可以通过凸部BS对齐，在水平方向(或左/右方向)上彼此分开预设距离。也就是说，本发明的示例性实施方式具有通过使用外覆层OC的凹部GR和凸部BS将滤色器CF与预设位置正确对齐的优点。
参照图9C，有机发光显示器还可包括钝化层PAS，该钝化层PAS插置在有机发光二极管OLE1和滤色器CF之间并覆盖辅助有机发光二极管OLE2。钝化层PAS可以由诸如硅氧化物膜(SiOx)或硅氮化物膜(SiNx)之类的无机材料制成。
通过在有机发光二极管OLE1的第二电极CAT上形成钝化层PAS，可以使在有机发光二极管OLE1和辅助有机发光二极管OLE2暴露于执行形成滤色器CF的过程的环境时而产生的劣化问题最小化。此外，钝化层PAS的形成允许有效地阻挡杂质进入有机发光二极管OLE1和辅助有机发光二极管OLE2，从而提供防止有机发光二极管OLE1和辅助有机发光二极管OLE2的寿命和亮度的劣化的优点。钝化层PAS的另一个优点是有效地缓冲(或减轻)压力。因此，可以防止易碎的第二电极CAT上的裂缝，并阻止氧气和湿气通过裂缝进入。
在下文中，参照图10A至图10C，将描述根据本发明的第二示例性实施方式的制造有机发光显示器的方法。图10A至图10C是按时间顺序示出根据本发明的第二示例性实施方式的制造方法的图。在描述根据本发明的制造方法时，应该注意，尽管制造方法被分成不连续的步骤，但是可以细分这些步骤。此外，下面仅描述形成作为本发明的基本特征的外覆层OC、外覆层OC上的有机发光二极管OLE1和辅助有机发光二极管OLE2的过程。
参照图10A，有机绝缘材料OM被沉积在形成有薄膜晶体管T和辅助薄膜晶体管AT的基板SUB上。有机绝缘材料OM可以是正型光阻材料。在掩模工艺中，制备半色调掩模HM以将有机绝缘材料图案化。半色调掩模HM包括用于阻挡投射至其的所有光的全色调区域FA、用于透射投射至其的光的一部分并阻挡其一部分的半色调区域HA以及用于透射投射至其的所有光的透射区域GA。随后，通过制备好的半色调掩模HM选择性地投射光。
当通过半色调掩模曝光的有机绝缘材料OM显影时，透射区域GA中的有机绝缘材料OM被去除，并且全色调区域FA和半色调区域HA中的有机绝缘材料OM保留。在这种情况下，全色调区域FA中的有机绝缘材料OM比半色调掩模HA中的有机绝缘材料OM厚。
通过去除透射区域GA中的有机绝缘材料OM而形成的空间用作第一像素接触孔PH1和第二像素接触孔PH2。第一像素接触孔PH1暴露薄膜晶体管T的至少一部分，第二像素接触孔PH2暴露辅助薄膜晶体管AT的至少一部分。留在全色调区域FA和半色调区域HA中的有机绝缘材料OM用作外覆层OC。在这种情况下，由于全色调区域FA中的有机绝缘材料OM与半色调掩模HA中的有机绝缘材料OM之间的厚度差异，形成凹部GR和凸部BS。每个凹部GR是通过使外覆层OC的顶表面向内部分地凹进而形成的内部空间。凸部BS形成在每两个相邻的凹部GR之间。因为凹部GR以预定间隔形成在外覆层OC上，因此凸部BS是外覆层OC的留在每两个相邻的凹部GR之间的一部分。凹部GR可以对应于半色调掩模HA，并且凸部BS可以对应于全色调区域FA。外覆层OC的凸部BS可以用作限定相邻像素的像素限定层。因此，本发明的示例性实施方式允许减少由于添加的工艺而导致的额外处理时间、成本和缺陷，因为它不需要任何额外的工艺来形成像素限定层，因此具有显著提高工艺良率的优点。
参照图10B，将导电材料沉积在形成有外覆层OC的基板SUB上。通过在掩模工艺中使导电材料图案化，第一电极ANO1形成在凹部GR中，辅助电极ANO2形成在凸部BS上。第一电极ANO1和辅助电极ANO2分开地设置，彼此隔开预定距离。第一电极ANO1经由穿透外覆层OC的第一像素接触孔PH1连接到薄膜晶体管T。辅助电极ANO2经由穿透外覆层OC的第二像素接触孔PH2连接到辅助薄膜晶体管AT。
由于第一像素接触孔PH1是用于连接包含在凹部GR中的第一电极ANO1和薄膜晶体管T的元件，所以第一像素接触孔PH1在垂直方向上与凹部GR交叠。由于第二像素接触孔PH2是用于连接形成在凸部BS上的辅助电极ANO2和辅助薄膜晶体管AT的元件，所以第二像素接触孔PH2在垂直方向上与凸部BS交叠。
参照图10C，在形成有第一电极ANO1的基板SUB上依次形成有机发光层OL和第二电极CAT。因此，完成了包括第一电极ANO1、有机发光层OL和第二电极CAT的有机发光二极管OLE1和包括辅助电极ANO2、有机发光层OL和第二电极CAT的辅助有机发光二极管OLE2。如图所示，有机发光二极管OLE1和辅助有机发光二极管OLE2可以共用有机发光层OL，因此减少了工艺数量。
<第三示例性实施方式>
图11是示意性地示出根据本发明的第三示例性实施方式的有机发光显示器中的两个相邻像素的结构的截面图。在描述第三示例性实施方式时，可以省略与第二示例性实施方式的部件基本相同的部件的描述。
根据本发明的第三示例性实施方式的有机发光显示器可以被实现为双面发光显示器。参照图11，根据本发明的第三示例性实施方式的有机发光显示器包括薄膜晶体管基板SUB。在薄膜晶体管基板SUB上，设置有分配给像素PXL的薄膜晶体管T和连接到薄膜晶体管T的有机发光二极管OLE1，并且设置有分配给辅助像素APXL的辅助薄膜晶体管AT和连接到辅助薄膜晶体管AT的辅助有机发光二极管OLE2。
有机发光二极管OLE1包括第一电极ANO1、有机发光层OL和第二电极CAT。与第二示例性实施方式不同，第一电极ANO1用作透射电极。为此，第一电极ANO1可以由诸如ITO之类的透明导电材料制成。
根据本发明的第三示例性实施方式的有机发光显示器还包括上滤色器CFU和下滤色器CFL。每个上滤色器CFU使来自有机发光二极管OLE1的一部分光通过。每个下滤色器CFL设置成面对上滤色器CFU，且有机发光二极管OLE1位于它们之间，并且每个下滤色器使来自有机发光二极管OLE1的另一部分光通过。
更具体地，从有机发光层OL产生的光的一部分可以穿过第二电极CAT并向前行进并且在显示装置前对用户可见。如图所示，透过第二电极CAT的光通过穿过位于有机发光二极管OLE1上方的上滤色器CFU而表示相应的颜色。从有机发光层OL产生的光的另一部分可以穿过第一电极ANO1并向后行进并且在显示装置后对用户可见。如图所示，透过第一电极ANO1的光通过穿过位于有机发光二极管OLE1下方的下滤色器CFU而表示相应的颜色。
辅助有机发光二极管OLE2包括辅助电极ANO2、有机发光层OL和第二电极CAT。辅助电极ANO2用作反射电极。因此，分配有辅助有机发光二极管OLE2的区域是具有发光/照明/镜子功能的可变区域VRA。
有机发光二极管OLE2的辅助电极ANO2和有机发光二极管OLE1的第一电极ANO1可以通过一个工艺同时形成。例如，辅助电极ANO2可以包括透明导电材料和金属材料，并且具有透明导电层和反射层在彼此顶部层叠的层叠结构，并且第一电极ANO1可以包括形成辅助电极ANO2的透明导电材料并且具有由透明导电层构成的单层结构，但本公开不限于此。
根据本发明第三示例性实施方式的有机发光显示器可以实现为在不同方向上显示图像信息的双面显示设备。因此，根据本发明的第三示例性实施方式的有机发光显示器可以容易地应用于各种显示设备，诸如公共显示器、私人显示器、数字标牌等。
本发明具有通过消除传统像素限定层结构而省略像素限定层(或堤岸)形成过程和像素限定层对齐过程的优点。此外，本发明可以提供一种有机发光显示器，其通过使用传统的非发光区域作为具有发光/照明/镜子功能的可变区域而显著地提高了空间利用率。
通过以上描述，本领域技术人员将理解，在不脱离本发明的范围和精神的情况下，可以进行各种修改和改变。因此，本发明的技术范围应由所附权利要求而不是说明书的详细描述来限定。

Claims (16)

1.一种有机发光显示器，该有机发光显示器包括：
外覆层，所述外覆层设置在基板上，所述外覆层具有凹部和设置在相邻凹部之间的凸部；以及
有机发光二极管和辅助有机发光二极管，所述有机发光二极管和所述辅助有机发光二极管设置在所述外覆层上，
其中，所述有机发光二极管的第一电极设置在所述凹部中，并且所述辅助有机发光二极管的辅助电极设置在所述凸部上。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述辅助电极是反射电极。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示器，该有机发光显示器还包括顺序地设置在所述第一电极和所述辅助电极二者上的有机发光层和第二电极，
其中，所述有机发光二极管和所述辅助有机发光二极管共用所述有机发光层和所述第二电极。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示器，该有机发光显示器还包括：
相对基板，所述相对基板面对所述基板；以及
滤色器，所述滤色器被布置在所述相对基板上。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示器，该有机发光显示器还包括设置在所述凹部中的滤色器。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示器，该有机发光显示器还包括钝化层，所述钝化层被插置在所述有机发光二极管和所述滤色器之间，所述钝化层覆盖所述辅助有机发光二极管。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示器，该有机发光显示器还包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述外覆层下方并经由穿透所述外覆层的第一像素接触孔连接到所述第一电极；以及
辅助薄膜晶体管，所述辅助薄膜晶体管设置在所述外覆层下方并经由穿透所述外覆层的第二像素接触孔连接到所述辅助电极。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示器，其中，所述第一像素接触孔与所述凹部交叠，并且所述第二像素接触孔与所述凸部交叠。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述第一电极是透射电极，并且
其中，所述辅助电极是反射电极。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示器，该有机发光显示器还包括：
上滤色器，从所述有机发光二极管提供的光的一部分穿过所述上滤色器；以及
下滤色器，所述下滤色器面对所述上滤色器，从所述有机发光二极管提供的光的另一部分穿过所述下滤色器。
11.根据权利要求9所述的有机发光显示器，其中，所述辅助电极包括顺序层叠的透明导电材料和金属材料，并且
所述第一电极包括所述透明导电材料。
12.根据权利要求1所述的有机发光显示器，其中，具有所述凸部和所述凹部的所述外覆层是通过半色调掩模形成的。
13.一种有机发光显示器，该有机发光显示器包括：
外覆层，所述外覆层设置在基板上，所述外覆层具有凹部和设置在相邻凹部之间的凸部；以及
多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管设置在所述外覆层和所述基板之间并且分别对应于多个像素，
其中，通过所述外覆层的所述凸部来划分所述多个像素当中的相邻像素。
14.一种有机发光显示器，该有机发光显示器包括由外覆层上形成的台阶分离地限定的像素和辅助像素，
其中，所述辅助像素包括连接到辅助薄膜晶体管的辅助电极，并且
其中，当所述辅助薄膜晶体管导通时，所述辅助电极用作辅助有机发光二极管的一个电极，并且当所述辅助薄膜晶体管截止时，所述辅助电极用作反射位于一个方向上的对象的图像的反射电极。
15.根据权利要求14所述的有机发光显示器，其中，所述辅助像素与所述像素分离地被驱动。
16.根据权利要求14所述的有机发光显示器，其中，所述辅助像素的驱动信号不同于所述像素的驱动信号。
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