CN110085642B - 有机发光显示设备及制造有机发光显示设备的方法 - Google Patents

Abstract

一种有机发光显示设备及制造有机发光显示设备的方法，该有机发光显示设备包括：第一基底，包括显示区域和外围区域；第二基底，面对第一基底；第一金属层，位于第一基底的外围区域中，第一金属层包括多个孔；以及密封构件，将第一基底结合至第二基底，其中多个孔中的至少一个孔包括不与密封构件重叠的区域。

Description

有机发光显示设备及制造有机发光显示设备的方法

相关申请的交叉引用

于2014年11月18日提交至韩国知识产权局且题目为“有机发光显示设备及制造有机发光显示设备的方法”的第10-2014-0160870号韩国专利申请，通过引用整体并入本文。

技术领域

实施方式涉及有机发光显示设备及制造有机发光显示设备的方法。

背景技术

显示设备是用于给用户提供例如图像或图片的视觉信息的设备。显示设备可以制造成各种类型以用于表达例如图像或图片的视觉信息。

例如，有机发光显示设备是电激发有机化合物来发光的自发光显示设备。有机发光显示设备可以由低电压驱动、可以容易变薄以及可以具有广视角和快速反应时间。因此，有机发光显示设备作为代替液晶显示(LCD)装置的下一代显示设备引起了很多关注。

发明内容

实施方式针对有机发光显示设备及制造有机发光显示设备的方法。

实施方式可以通过提供一种有机发光显示设备来实现，该有机发光显示设备包括：第一基底，包括显示区域和外围区域；第二基底，面对第一基底；第一金属层，位于第一基底的外围区域中，第一金属层包括多个孔；以及密封构件，将第一基底结合至第二基底，其中多个孔中的至少一个孔包括不与密封构件重叠的区域。

多个孔中的至少一个孔的最长的尺寸可以大于密封构件的宽度。

多个孔沿密封构件的长度方向可以彼此间隔开。

在多个孔之中沿密封构件的长度方向彼此相邻地布置的孔中的至少一些孔可以相互重叠。

多个孔中的至少一个孔可以具有多边形形状、圆形形状或椭圆形形状。

多个孔中的孔可以被二维地布置。

在多个孔之中沿第一方向彼此相邻地布置的孔可以被对角地布置。

在多个孔之中沿第一方向彼此相邻地布置的孔的部分区域在第一方向上可以相互重叠，并且其他部分区域在第一方向上可以相互不重叠。

第一方向可以是密封构件的长度方向。

多个孔中的一些孔可以不与密封构件重叠。

显示区域可以包括晶体管，以及第一金属层可以由与作为晶体管的电极的材料相同的材料形成。

第一金属层可以由与晶体管的源电极和漏电极中的至少一个电极的材料相同的材料形成。

有机发光显示设备可以进一步包括在第一基底和第一金属层之间的第一绝缘层。

第一绝缘层可以由与位于显示区域中的层间绝缘层的材料相同的材料形成。

有机发光显示设备可以进一步包括在第一基底和第一绝缘层之间的第二金属层和第三金属层，第二金属层和第三金属层彼此间隔开。

有机发光显示设备可以进一步包括在第一基底上的第二绝缘层，第二绝缘层覆盖第二金属层，其中第一绝缘层在第二绝缘层上并且覆盖第三金属层。

第二金属层和第三金属层之间的、在所述密封构件宽度方向上的距离可小于多个孔中的至少一个孔的最长的尺寸。

第二金属层和第三金属层可以位于不同的层上。

实施方式可以通过提供一种制造有机发光显示设备的方法来实现，该方法包括：提供第一基底，该第一基底包括显示区域和围绕显示区域的外围区域；在外围区域中顺序地形成绝缘层和金属层；在金属层中形成孔；以及通过填充孔的密封构件将第一基底结合至对应于第一基底的第二基底，其中位于金属层中的孔的一部分不与密封构件的宽度重叠。

孔的最长的尺寸可以大于密封构件的宽度。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施方式，诸多特征将会对本领域技术人员显而易见，在附图中：

图1说明了示意地示出根据示例性实施方式的有机发光显示设备的图；

图2说明了示意地示出图1的有机发光显示设备的平面图；

图3说明了图1的密封构件和显示区域的一部分的剖视图；

图4说明了图3的密封构件和孔的示意性平面图；

图5说明了根据另一示例性实施方式的密封构件和孔的平面图；

图6A和6B说明了根据其他示例性实施方式的密封构件和孔的平面图；

图7说明了根据另一示例性实施方式的密封构件和孔的一部分的平面图；

图8说明了图7的密封构件的局部剖视图；

图9说明了根据另一示例性实施方式的有机发光显示设备的剖视图；以及

图10说明了根据示例性实施方式的制造有机发光显示设备的方法的流程图。

具体实施方式

现在，将在下文中参照附图对示例性实施方式进行更充分的描述；然而，示例性实施方式可以以不同的形式实施并且不应被解释为限于在本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使本公开将是彻底的和完整的，并将示例性实现方式充分地传达给本领域技术人员。

在附图中，为了说明的清楚起见，层和区域的尺寸可以被放大。相同的参考数字始终指示相同的元件。

在以下示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或可以表示彼此不垂直的不同方向。

如“第一”和“第二”的术语可以用于描述不同的元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语可以仅用作用于将一个元件与另一元件区分开的目的。

在本申请中所使用的、仅用于描述某些实施方式的术语不意在限制该实施方式。在以下描述中，技术术语仅用于解释具体的示例性实施方式，而不是限制该实施方式。除非相反地提及，否则单数形式的术语可以包括复数形式。“包括(include)”、“包括(comprise)”、“包括(including)”或“包括(comprising)”的意思指明了性质、区域、固定数量、步骤、过程、元件和/或组件，但是不排除其他性质、区域、固定数量、步骤、过程、元件和/或组件。

在以下实施方式中，当例如层或区域的元件被称为在另一元件“上”时，这除了包括一个元件直接设置在另一元件上的情况之外，还包括一个元件设置在其他元件之间的情况。

图1说明了示意地示出根据示例性实施方式的有机发光显示设备100的图。图2说明了示意地示出图1的有机发光显示设备100的平面图。

参照图1和图2，有机发光显示设备100可以包括第一基底10(具有显示区域DA)、第二基底20(面对第一基底10)以及密封构件30(围绕显示区域DA并将第一基底10结合至第二基底20)。

第一基底10可以分为或包括显示区域DA和围绕显示区域DA的外围区域PA。例如，有机发光显示设备100可以分为或包括外围区域PA和显示区域DA。第一基底10可以由例如透明玻璃材料形成，透明玻璃材料的主要成分是SiO₂。在实现方式中，第一基底10可以由例如透明塑性材料形成。第一基底10可以是例如具有柔性的柔性基底。与玻璃基底相比，柔性基底由于其重量小而可以较轻，并且柔性基底可以不容易断裂。在实现方式中，第一基底10可以由具有柔性特征的材料，例如诸如柔性塑料薄膜的聚合物材料形成。

第一基底10的显示区域DA可以包括作为驱动薄膜晶体管(TFT)的多个晶体管(Ta和Tb)、电容器(Cst)以及形成在第一基底10上的有机发光装置(OLED)。以下将更详细地描述显示区域DA。

第二基底20可以对应于第一基底10并且可以由多种材料，例如玻璃材料、金属材料或塑性材料形成。在实现方式中，执行各种功能的功能层可以形成在第二基底20上。例如，功能层可以包括偏光器、触摸屏以及盖窗中的至少一个。

触摸屏可以具有触摸屏图案直接形成在第二基底20上的结构，例如可以是on-cell触摸屏面板。偏光器可以帮助减少和/或防止外界光从显示区域DA反射。盖窗可以保护有机发光显示设备100。

第一基底10可通过密封构件30结合至第二基底20。密封构件30可以设置在外围区域PA中或设置在外围区域PA上以围绕第一基底10的显示区域DA。密封构件30可以密封显示区域DA，从而保护显示区域DA免受外部影响。在实现方式中，在通过第一基底10、第二基底20以及密封构件30密封的内部空间S中，可以设置吸湿剂和/或填充物。

集成电路(IC)50可以安装在第一基底10的一个边缘，例如没有被第二基底20覆盖或不与第二基底20对齐的边缘上。将IC 50连接至显示区域DA的金属线可以设置在第一基底10和密封构件30之间。

密封构件30可以由例如通过施加至其上的热能而熔化的材料形成或包括通过施加至其上的热能而熔化的材料。密封构件30可以是或包括例如由光硬化的材料，例如，密封构件30可以包括玻璃熔料。

为了通过密封构件30将第一基底10结合至第二基底20，通过例如照射紫外(UV)光或激光可以使密封构件30硬化。例如，UV光或激光可以穿透第二基底20并且可以照射至密封构件30上。当金属材料设置在密封构件30之下时，穿透密封构件30的UV光或激光可以从金属材料反射并且可以再次传输至密封构件30，从而提高UV光或激光的照射效率。

然而，除了密封构件30的材料之外，位于密封构件30和第一基底10之间的材料(金属)可以被光熔化。因此，熔化的材料能沿光的传播方向移动并且可以积聚在光的照射终止的点。所积聚的材料可以引起密封构件30部分地分离。

根据示例性实施方式的有机发光显示设备100可以包括不与密封构件30的宽度(W)重叠的孔(h)，并因此，熔化的材料可以远离密封构件30地分散和/或积聚。因此，可以减少和/或防止部分分离。例如，由于孔的位置，使得熔化的材料通常可以远离密封构件地分散，而不是积聚在光的照射终止的点，并因此，材料可以不以变得不利于密封构件的附接的量积聚或可以不积聚在变得不利于密封构件的附接的位置。例如，孔可以引导熔化的材料远离密封构件(例如，在密封构件的旁边)。

图3说明了图1的密封构件30和显示区域DA的一部分的剖视图。图4说明了图3的密封构件30和孔的示意性平面图。

参照图3，缓冲层101可以进一步形成在第一基底10上。缓冲层101可以由例如SiOx、SiNx、SiON、AlO或AlON的无机材料或例如丙烯或聚酰亚胺的有机材料形成，或者无机材料和有机材料可以交替地堆叠。缓冲层101可以帮助防止氧气和湿气的渗入并且防止来自或穿透基底10的杂质或湿气的分散。在实现方式中，缓冲层101可以帮助调节结晶时的传热速度，并因此，半导体可以充分地结晶。

第一基底10的显示区域DA可以包括像素，而像素包括电路和有机发光装置。为了描述的方便，在图3中仅示出了一个像素。显示区域DA可以包括多个像素。此外，图3示出了包括在像素中的两个TFT和有机发光装置。在实现方式中，除了所示出的元件之外，像素可以进一步包括另外的TFT和电容器。

像素电路和连接至像素电路的有机发光装置OLED可以形成在缓冲层101上，其中像素电路包括例如第一TFT Ta和第二TFT Tb的多个TFT和电容器(未显示)。第一TFT Ta可以包括有源层102a、第一栅电极104a、源电极106sa以及漏电极106da，并且第二TFT Tb包括有源层102b、第二栅电极104b、源电极106sb以及漏电极106db。在这两个TFT，即第一TFT Ta和第二TFT Tb中，栅电极104a和104b可以形成在不同的层上。

例如，在第一TFT Ta中，可以以特定图案形成的有源层102a可以设置在缓冲层101的上表面上。有源层102a可以包括例如硅的无机半导体材料、有机半导体材料或氧化物半导体材料，并且可以通过向这些材料注入P型或N型掺杂而形成。第一栅绝缘层113可以形成在有源层102a上。第一栅电极104a可以形成在第一栅绝缘层113上，与有源层102a对应。可以形成第二栅绝缘层123和层间绝缘层105以覆盖第一栅电极104a，并且源电极106sa和漏电极106da可以形成在层间绝缘层105上以接触有源层102a的特定区域。

在第二TFT Tb中，可以以特定图案形成的有源层102b可以设置在缓冲层101的上表面上，并且第一栅绝缘层113和第二栅绝缘层123可以形成在有源层102b上。第二栅电极104b可以形成在第二栅绝缘层123上，与有源层102b对应。层间绝缘层105可以形成为覆盖第二栅电极104b，并且源电极106sb和漏电极106db可以形成在层间绝缘层105上以接触有源层102b。

这里，层间绝缘层105可以形成为单层或多层，而该单层或多层由例如二氧化硅或氮化硅的无机材料形成。层间绝缘层105的厚度可以大于第一栅绝缘层113的厚度或第二栅绝缘层123的厚度，并且层间绝缘层105的表面可以平面化，从而帮助降低在源电极106sa、106sb和/或漏电极106da、106db与下导电层之间产生寄生电容的可能性，或防止在源电极106sa、106sb和/或漏电极106da、106db与下导电层之间产生寄生电容。

如上所述，在TFT，例如第一TFT Ta和第二TFT Tb中，在第一栅电极104a和有源层102a之间的栅绝缘层的厚度可以不同于在第二栅电极104b和有源层102b之间的栅绝缘层的厚度。因此，可以获得以下效果。首先，当用作驱动TFT的TFT形成为具有厚的栅绝缘层时，可以拓宽栅电压的驱动范围，以及通过改变施加至驱动TFT的栅电极的栅电压的电平，从有机发光装置发出的光可以被控制为具有足够的灰度。其次，用作开关TFT的TFT可以形成以具有薄的栅绝缘层，并因此，可以以高的速度导通或截止，从而减少可以在栅电极和有源层之间产生的寄生电容。因此，可以实现对于有机发光显示设备来说最优的像素电路结构。

可以形成钝化层107以覆盖第一TFT Ta的源电极106sa和漏电极106da以及第二TFT Tb的源电极106sb和漏电极106db。为了平面化，可以在钝化层107上进一步形成单独的绝缘层。

有机发光装置OLED可以形成在钝化层107上。有机发光装置OLED可以包括第一电极111、第二电极112以及中间层114。

第一电极111可以形成在钝化层107上。第一电极111可以电连接至源电极106sa、漏电极106da、源电极106sb以及漏电极106db中的一个。此外，可以形成像素限定层109以覆盖第一电极111的一部分。可以在像素限定层109中形成开口，然后，包括有机发射层的中间层114可以形成在由该开口限定的区域中。第二电极112可以形成在中间层114上。

图像可以不在第一基底10的外围区域PA中显示或不在第一基底10的外围区域PA处显示，并且用于驱动的各种构件和其他模块可以设置在显示区域DA中。在外围区域PA中，缓冲层101和第一绝缘层210可以顺序地设置在第一基底10上。此外，第一金属层310可以设置在第一绝缘层210上，以及第二绝缘层220可以设置在第一绝缘层210上并且可以覆盖第一金属层310。第二金属层320可以设置在第二绝缘层220上且通过第二绝缘层220与第一金属层310绝缘，并且第一金属层310可以与第二金属层320分开。在实现方式中，第一金属层310和第二金属层320可以设置为在有机发光显示设备的高度方向上，例如在与第一基底10和/或第二基底20的向内面向的表面正交的方向上，彼此不重叠。在实现方式中，第三绝缘层230可以设置在第二绝缘层220上并且可以覆盖第二金属层320，以及第三金属层330可以设置在第三绝缘层230上。第三金属层330可以包括多个孔h。密封构件30可以填充多个孔h并且可以将第一基底10结合至第二基底20。在实现方式中，在第一金属层310和第二金属层320之间的距离d可以小于形成在第三金属层330中的孔h的最长的长度或尺寸。

位于外围区域PA中的第一绝缘层210和第二绝缘层220可以由分别与位于显示区域DA中的第一栅绝缘层113和第二栅绝缘层123的材料相同的材料形成。在实现方式中，位于外围区域PA中的第一金属层310和第二金属层320可以由分别与位于显示区域DA中的第一栅电极104a和第二栅电极104b的材料相同的材料形成。在实现方式中，位于外围区域PA中的第三绝缘层230可以由与位于显示区域DA中的层间绝缘层105的材料相同的材料形成，以及位于外围区域PA中的第三金属层330可以由与位于显示区域DA中的源电极106sa、漏电极106da、源电极106sb以及漏电极106db的材料相同的材料形成。

根据示例性实施方式的孔h可以不与密封构件30的宽度W重叠。例如，孔h可以具有比密封构件30的宽度W宽的宽度。如图4中所示出的，根据示例性实施方式的孔h可以布置为沿密封构件30的长度方向l1(在图4中)彼此分开或间隔开。孔h可以具有四边形的形状。孔h的最长的长度或尺寸a可以大于密封构件30的宽度W。因此，例如在与第一基底10和/或第二基底20的向内面向的表面正交的方向上，孔h的部分区域h1可以与密封构件30重叠，并且其他部分区域h2可以不与密封构件30重叠。例如，孔h的中心区域可以与密封构件30重叠，并且孔h的边缘区域可以不与密封构件30重叠。

孔h可以设置为多个，并且可以一维地布置多个孔h。例如，孔h可以重复地布置为在密封构件30的长度方向l1上或沿密封构件30的长度方向l1彼此分开或间隔开。可以在密封构件30的长度方向l1上照射光，例如，当光照射至密封构件30时，激光可以沿长度方向l1移动。熔化的材料可以在密封构件30的长度方向l1上移动并且可以积聚在孔h中。在实现方式中，可以在密封构件30的宽度方向W1上照射光。熔化的材料可以在密封构件30的宽度方向W1上移动并且可以积聚在孔h中。熔化的材料可以积聚在孔h中，并且可以防止熔化的材料厚厚地积聚(例如，在设备的任何一个部分)。因此，可以减少和/或防止密封构件30的部分分离。

图5说明了根据另一示例性实施方式的密封构件和孔的平面图。图6A和6B说明了根据其他示例性实施方式的密封构件和孔的平面图。如图5和6A中所示出的，多个孔h可以布置为在密封构件30的长度方向l1上彼此分开或间隔开。孔h的最长的长度或尺寸a可以大于密封构件30的宽度W。因此，孔h的部分区域或一部分可以与密封构件30重叠，并且孔h的另一部分区域或另一部分可以不与密封构件30重叠。例如，孔h的中心区域可以与密封构件30重叠，并且边缘区域可以不与密封构件30重叠。在实现方式中，至少一些孔(在多个孔h之中在密封构件30的长度方向上彼此相邻地布置的孔)可以相互重叠。

图5中所示出的孔h可以具有平行四边形形状。孔h的最长的长度a的方向可以与密封构件30的宽度方向W1和密封构件30的长度方向l1中的至少一个不同。因此，孔510和520(它们是在多个孔h之中彼此相邻地布置的孔)的至少部分区域可以在与密封构件30的宽度方向W1相同的线上或沿与密封构件30的宽度方向W1相同的线设置或排列。此外，在多个孔h之中彼此相邻地布置的孔520和孔530的至少部分区域可以在与密封构件30的长度方向l1相同的线上或沿与密封构件30的长度方向l1相同的线设置或排列。

在实现方式中，孔h可以具有至少弯曲一次的锯齿形形状，例如，如图6A中所示出的。孔h的最长的长度或路径a的方向可以与密封构件30的宽度方向W1和密封构件30的长度方向l1不同。

与图4中所示出的孔h相比，图5和6A中所示出的孔h可以帮助减少熔化的材料的移动距离。熔化的材料的移动距离可以减小，并且在孔h中所积聚的熔化的材料的量可以减少。因此，可以减少密封构件30的部分分离。在附图中，为了描述的方便，以多边形形状示出孔h。在实现方式中，孔h可具有圆形形状、椭圆形形状或诸如四边形形状的多边形形状。

在实现方式中，如图6B中所示出的，孔可以通过子孔h1和h2以及子孔h3至h5的组合来配置或可以是子孔h1和h2以及子孔h3至h5的组合，其中子孔h1和h2从密封构件30的内侧开始、与密封构件30重叠并且终止于密封构件30的内侧，以及子孔h3至h5从密封构件30的外侧开始、与密封构件30重叠并且终止于密封构件30的外侧。子孔h1至h5中的每一个的形状可以是半圆形形状、椭圆形形状或诸如三角形形状的多边形形状。

图7说明了根据另一示例性实施方式的密封构件和孔的一部分的平面图。图8说明了图7的密封构件30的局部剖视图。如图7和8中所示出的，多个孔h可以二维地布置在第三金属层330中。例如，多个孔h可以以偏移图案布置。孔710(它是在多个孔h之中位于密封构件30的边缘区域中的孔)的部分区域或一部分可以不与密封构件30重叠或对齐。在实现方式中，在多个孔h之中位于密封构件30的中心区域中的孔720的部分区域或一部分可以不与例如密封构件30的边缘重叠。

多个孔h可以关于长度方向l1和宽度方向W1中的至少一个方向对角地布置。在多个孔h之中在长度方向l1上彼此相邻地布置的两个孔730和740的部分区域可以在长度方向l1上相互重叠或对齐，并且另一部分区域可以在长度方向l1上不相互重叠或对齐。例如，多个孔h可以以偏移图案布置。在多个孔h之中在宽度方向W1上彼此相邻地布置的孔740和孔750的部分区域可以相互重叠或对齐。因此，虽然孔h的最长的长度a可能小于密封构件30的宽度W，但是多个孔h可以容纳在密封构件30的长度方向l1或宽度方向W1上移动的熔化的材料。

图9说明了根据另一示例性实施方式的有机发光显示设备的剖视图。与图3相比，图9的有机发光显示设备可以包括一个TFT。因此，在外围区域PA中，缓冲层101、第一绝缘层210以及第一金属层310可以设置在基底10上，以及第三绝缘层230可以设置在第一金属层310上。例如，与图3相比，可以省略第二绝缘层220和第二金属层320。此外，在图9中，可以具有比密封构件30的宽度大的宽度的孔h可以形成在第三金属层330中，以及密封构件30可以填充孔h并且将第一基底10结合至第二基底20。

图10说明了根据示例性实施方式的制造有机发光显示设备的方法的流程图。例如，在制造有机发光显示设备的方法中，在操作S1010中可以提供第一基底10，第一基底10包括显示区域DA和围绕显示区域DA的外围区域PA。第一绝缘层210、第一金属层310、第二绝缘层220、第二金属层320、第三绝缘层230以及第三金属层330可以顺序地形成在第一基底10的外围区域PA中。例如，缓冲层101、第一栅绝缘层113、第一栅电极104a、第二栅绝缘层123、第二栅电极104b、层间绝缘层105、源电极106sa、漏电极106da、源电极106sb以及漏电极106db可以形成在第一基底10上，跨越显示区域DA和外围区域PA，并且有机发光装置OLED以及第一晶体管Ta和第二晶体管Tb可以形成在显示区域DA中。在形成第一晶体管Ta和第二晶体管Tb时，在形成源电极106sa、漏电极106da、源电极106sb以及漏电极106db的过程中，本方法可以包括形成第三金属层330的操作，第三金属层330设置在第一基底10的外围区域PA中。

在操作S1020中，孔h可以形成在第三金属层330中。

在操作S1030中，通过使用填充孔h的密封构件30，第一基底10可以结合至对应于第一基底10的第二基底20。密封构件30可以形成在围绕显示区域DA的外围区域PA中，并且可以形成为填充孔h。形成在第三金属层330中的孔h的一部分可以不与密封构件30的宽度W重叠。

第一基底10和第二基底20可以彼此对齐，并且当UV光或激光从第二基底20的上方照射时，在第一基底10和第二基底20之间的密封构件30可以硬化。当UV光或激光照射至密封构件30上时，形成在第一基底10上以与密封构件30重叠的第三金属层330反射激光。因此，密封构件30首先可以被从第二基底20的上方照射的光硬化，并且其次可以被通过第三金属层330反射的激光硬化。因此，密封构件30可以被坚硬地硬化。此外，即使第三金属层330会被光的照射熔化，熔化的材料也可以积聚在孔h中，并且可以减少密封构件30的部分分离。

通过总结与回顾，在有机发光显示设备中，密封构件可以用于将下基底结合至上基底。通过将激光照射在密封构件上，下基底可以结合至上基底。金属可被所照射的激光熔化、沿着激光的方向移动，并且可能在某一区域中厚厚地堆积。厚厚地堆积的材料可能引起密封构件的部分分离。

实施方式可以提供有机发光显示设备及制造有机发光显示设备的方法，该有机发光显示设备及制造有机发光显示设备的方法帮助减少密封构件的部分分离。

实施方式可以提供有机发光显示设备及制造有机发光显示设备的方法，该有机发光显示设备及制造有机发光显示设备的方法帮助增强密封构件的结合力。

在本文中公开了示例性实施方式，并且虽然使用了具体的术语，但是这些术语仅以一般性的和描述性的意义使用和解释，并且不是为了限制的目的。在一些情况下，如在本申请的提交时的领域内的普通技术人员显而易见的，除非另外特别地指出，否则与具体实施方式关联地描述的特征、特点和/或元件可以单独地使用，或和与其他实施方式关联地描述的特征、特点和/或元件结合。因此，本领域的技术人员将理解的是，在不背离如在所附权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以做出形式和细节上的各种改变。

Claims (14)

1.一种有机发光显示设备，包括：

第一基底，包括显示区域和外围区域；

有机发光元件，设置在所述显示区域中；

第二基底，面对所述第一基底；

密封构件，设置在所述第一基底与所述第二基底之间；

绝缘层，设置在所述第一基底的所述外围区域中；

第一金属层，设置在所述外围区域中，所述第一金属层设置在所述绝缘层与所述密封构件之间；

第二金属层，位于所述第一金属层上方；以及

多个孔，不连续地设置在所述第二金属层的所述外围区域中，其中所述密封构件与所述多个孔的一部分重叠。

2.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述密封构件包括与所述显示区域相邻的内侧表面和与所述内侧表面相对的外侧表面，并且其中所述外侧表面与所述第二金属层的边缘分隔开。

3.如权利要求2所述的有机发光显示设备，其中所述密封构件的所述外侧表面与所述第一金属层的边缘分隔开。

4.如权利要求2所述的有机发光显示设备，其中所述密封构件的宽度大于所述第一金属层的宽度。

5.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述第二金属层的一部分与所述第一金属层的一部分重叠。

6.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述密封构件延伸以完全环绕所述显示区域。

7.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述多个孔中的至少一个被所述密封构件完全覆盖。

8.如权利要求1所述的有机发光显示设备，还包括与所述有机发光元件电连接的电路，所述电路包括晶体管和电容器，其中所述晶体管包括有源层、栅电极、以及源电极和漏电极中之一，并且所述电容器包括两个电极。

9.如权利要求8所述的有机发光显示设备，其中所述第一金属层包括与所述电路的一个电极相同的材料。

10.如权利要求9所述的有机发光显示设备，其中所述第二金属层包括与所述电路的另一个电极相同的材料。

11.如权利要求10所述的有机发光显示设备，其中所述第二金属层包括与所述源电极和所述漏电极中之一相同的材料。

12.如权利要求1所述的有机发光显示设备，还包括设置在所述第一基底与所述绝缘层之间的第三金属层。

13.如权利要求12所述的有机发光显示设备，其中所述第三金属层与所述第一金属层分隔开。

14.如权利要求13所述的有机发光显示设备，其中所述第三金属层与所述第一金属层之间的距离小于所述密封构件的宽度。