CN110082383B - 一种提升电容容值精度的方法及系统 - Google Patents

一种提升电容容值精度的方法及系统 Download PDF

Info

Publication number
CN110082383B
CN110082383B CN201910206109.3A CN201910206109A CN110082383B CN 110082383 B CN110082383 B CN 110082383B CN 201910206109 A CN201910206109 A CN 201910206109A CN 110082383 B CN110082383 B CN 110082383B
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
capacitor
module
driving
infrared
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910206109.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110082383A (zh
Inventor
林锦伟
林伟铭
钟艾东
甘凯杰
翁佩雪
郭文海
邓丹丹
赵玉会
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
UniCompound Semiconductor Corp
Original Assignee
UniCompound Semiconductor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by UniCompound Semiconductor Corp filed Critical UniCompound Semiconductor Corp
Priority to CN201910206109.3A priority Critical patent/CN110082383B/zh
Publication of CN110082383A publication Critical patent/CN110082383A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110082383B publication Critical patent/CN110082383B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/02—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B7/06—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness
    • G01B7/08—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness using capacitive means
    • G01B7/085—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness using capacitive means for measuring thickness of coating
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N25/00—Investigating or analyzing materials by the use of thermal means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J2005/0077—Imaging

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开一种提升电容容值精度的方法及系统，其中方法包括如下步骤：驱动晶圆传送模组传送晶圆到晶圆预热腔组；驱动晶圆预热腔组对晶圆进行加热；驱动晶圆传送模组传送加热后的晶圆到红外成像模组；驱动红外成像模组拍摄晶圆表面的红外照片；驱动通信模组传输晶圆红外照片到数据分析处理中心；通过红外成像并计算出薄膜厚度，并自动用于介电层沉积，从而可以实现沉积参数的自动化调整，提高了电容容值精确度，节省了人工调整时间。

Description

一种提升电容容值精度的方法及系统
技术领域
本发明涉及半导体生产机台参数控制领域，尤其涉及一种提升电容容值精度的方法及系统。
背景技术
现有的化学气相沉积法制备薄膜的主要工艺参数有：
⑴温度。温度对化学气相沉积膜的生长速度有很大的影响。
⑵反应物输入与配比。气体组成比例会影响镀膜质量与成长率。
⑶压力。压力会影响化学气相沉积反应效率、成膜质量及膜层厚度的均匀性。
化学气相沉积机台的组件内部设有对以上主要工艺参数的监控模块，可根据沉积薄膜的性能需求调整相关的参数，从而满足生产需要。现有的GaAs 基薄膜电容结构为：金属-介电层-金属，(介电层SixNy介电常数ε：6.9)，其介电层的性能与以上主要工艺参数紧密相关，但由于不同光罩下同样的沉积参数沉积出来的介电层厚度存在偏差，从而导致电容容值的失准，在量产时存在一定的风险。而现有技术调整目标容值时，局限于机台参数的调整，容值调整较为盲目，效率较低。
发明内容
为此，需要提供一种提升电容容值精度的方法及系统，解决现有机台调整效率低下的问题。
为实现上述目的，发明人提供了一种提升电容容值精度的方法，包括如下步骤：
驱动晶圆传送模组传送晶圆到晶圆预热腔组；
驱动晶圆预热腔组对晶圆进行加热；
驱动晶圆传送模组传送加热后的晶圆到红外成像模组；
驱动红外成像模组拍摄晶圆表面的红外照片；
驱动通信模组传输晶圆红外照片到数据分析处理中心；
数据分析处理中心通过红外照片计算金属占比率，再通过电容公式计算出需要沉积的薄膜厚度；
驱动通信模组传输薄膜厚度到沉积机台的控制端，控制端根据薄膜厚度设定沉积参数并控制沉积机台根据沉积参数对晶圆进行介电层沉积。
进一步地，所述数据分析处理中心通过红外照片计算金属占比率包括步骤：
数据分析处理中心通过格子法计算高温对应颜色的占比率，得到金属的占比率。
进一步地，所述电容公式为：d＝εA/((K/R+b))；其中：
K:拟合项；R:金属占比率；b:常数；ε:介电常数；A:电容有效面积；d: 介电层厚度。
进一步地，所述沉积机台为化学气相沉积机台。
进一步地，所述晶圆为砷化镓晶圆。
本发明提供一种提升电容容值精度的系统，包括如下模组：晶圆传送模组、晶圆预热腔组、红外成像模组、通信模组、数据分析处理中心和沉积机台；其中：
晶圆传送模组用于传送晶圆到晶圆预热腔组；
晶圆预热腔组用于对晶圆进行加热；
晶圆传送模组还用于传送加热后的晶圆到红外成像模组；
红外成像模组用于拍摄晶圆表面的红外照片；
通信模组用于传输晶圆红外照片到数据分析处理中心；
数据分析处理中心用于通过红外照片计算金属占比率，再通过电容公式计算出需要沉积的薄膜厚度；
通信模组还用于传输薄膜厚度到沉积机台的控制端，控制端用于根据薄膜厚度设定沉积参数并控制沉积机台根据沉积参数对晶圆进行介电层沉积。
进一步地，数据分析处理中心用于通过格子法计算高温对应颜色的占比率，得到金属的占比率。
进一步地，所述电容公式为：d＝εA/((K/R+b))；其中：
K:拟合项；R:金属占比率；b:常数；ε:介电常数；A:电容有效面积；d: 介电层厚度。
进一步地，所述沉积机台为化学气相沉积机台。
进一步地，所述晶圆为砷化镓晶圆。
区别于现有技术，上述技术方案通过红外成像并计算出薄膜厚度，并自动用于介电层沉积，从而可以实现沉积参数的自动化调整，提高了电容容值精确度，节省了人工调整时间。
附图说明
图1为具体实施方式所述的方法流程图；
图2为具体实施方式所述的系统结构图。
附图标记说明：
201、晶圆传送模组；
202、晶圆预热腔组；
203、红外成像模组；
204、通信模组；
205、数据分析处理中心；
206、沉积机台。
具体实施方式
为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
请参阅图1到图2，本实施例提供一种提升电容容值精度的方法，可以应用在图2的系统上。其中方法执行的主体可以是系统上独立的总控制器，总控制器起到信息的转发和时机的控制。或者每个步骤也可以由各个模组进行。本方法包括如下步骤：步骤S101驱动晶圆传送模组传送晶圆到晶圆预热腔组；步骤S102驱动晶圆预热腔组对晶圆进行加热；加热可以是对晶圆的底面进行加热，而后热会通过晶圆底面传导到晶圆顶面。步骤S103驱动晶圆传送模组传送加热后的晶圆到红外成像模组；步骤S104驱动红外成像模组拍摄晶圆表面的红外照片；步骤S105驱动通信模组传输晶圆红外照片到数据分析处理中心；步骤S106数据分析处理中心通过红外照片计算金属占比率，再通过电容公式计算出需要沉积的薄膜厚度；步骤S107驱动通信模组传输薄膜厚度到沉积机台的控制端，控制端根据薄膜厚度设定沉积参数并控制沉积机台根据沉积参数对晶圆进行介电层沉积。这样通过红外成像可以计算出金属比占率，而后可以计算出薄膜厚度，沉积机台可以利用该薄膜厚度来自动设定机台沉积参数，并自动用于介电层(电介质层)沉积，从而可以实现沉积参数的自动化调整，提高了电容容值精确度，节省了人工调整时间。
由于半导体的导热性能没有金属好，经过适当的加热后晶圆表面会呈现明显的温度分布(即红外照片颜色分布)，有高温区域和低温区域，高温区域面积除去晶圆总面积即是金属占比率。高温和低温分割可以是取个高温区域中心值与低温区域中心值之间的中间值作为分割值，面积的计算可以通过像素点多少来计算。在某些实施例中，还可以通过格子法计算金属占比率，具体地，数据分析处理中心通过格子法计算高温对应颜色的占比率，得到金属的占比率。格子法首先将红外照片的晶圆划分成多个等大的正方形格子，通过判断格子的颜色，数出高温格子数量处于晶圆总数量即可以得到金属占比率。通过格子法可以减少金属的占比率计算的时间。
金属占比率与电容的介电层厚度有直接关系，具体为：由于容值的拟合公式C＝K/R+b，而C＝εA/d,那么K/R+b＝εA/d,则d＝εA/((K/R+b))。其中， K:拟合项；R:金属占比率；b:常数；ε:介电常数(介电层材料的介电常数)； A:电容有效面积；d:介电层厚度。通过获取金属占比率，就可以计算出介电层厚度。其中K和b可以通过对不同占比率的晶圆进行相同工艺的沉积后，测量得到多组的电容容值，在根据多组的电容容值算得K和b的值，即K和b的值可以通过试验得到。这样通过公式，即可以得到介电层厚度，而后可以直接用于沉积机台的使用。沉积机台的控制端只要获取到介电层厚度后，就可以自动计算得到沉积机台的工艺参数，从而实现对晶圆的自动沉积。
本发明提供一种提升电容容值精度的系统，如图2所示，包括如下模组：晶圆传送模组201、晶圆预热腔组202、红外成像模组203、通信模组204、数据分析处理中心205和沉积机台206；其中：晶圆传送模组用于传送晶圆到晶圆预热腔组；晶圆预热腔组用于对晶圆进行加热；晶圆传送模组还用于传送加热后的晶圆到红外成像模组；红外成像模组用于拍摄晶圆表面的红外照片；通信模组用于传输晶圆红外照片到数据分析处理中心；数据分析处理中心用于通过红外照片计算金属占比率，再通过电容公式计算出需要沉积的薄膜厚度；通信模组还用于传输薄膜厚度到沉积机台的控制端，控制端用于根据薄膜厚度设定沉积参数并控制沉积机台根据沉积参数对晶圆进行介电层沉积。在对晶圆进行沉积时，要通过晶圆传送模组将上述晶圆传送到机台内进行介电层沉积。通过红外成像可以计算出金属比占率，而后可以计算出薄膜厚度，沉积机台可以利用该薄膜厚度来自动设定机台沉积参数，并自动用于介电层(电介质层)沉积，从而可以实现沉积参数的自动化调整，提高了电容容值精确度，节省了人工调整时间。
金属占比可以通过格子法来计算，则数据分析处理中心用于通过格子法计算高温对应颜色的占比率，得到金属的占比率。通过格子法可以减少金属的占比率计算的时间。
为了实现介电层厚度的计算，所述电容公式为：d＝εA/((K/R+b))；其中： K:拟合项；R:金属占比率；b:常数；ε:介电常数；A:电容有效面积；d:介电层厚度。这样通过公式，即可以得到介电层厚度，而后可以直接用于沉积机台的使用。沉积机台的控制端只要获取到介电层厚度后，就可以自动计算得到沉积机台的工艺参数，从而实现对晶圆的自动沉积。
上述所有实施例中，为了实现介电层的沉积，所述沉积机台为化学气相沉积机台。所述晶圆可以为砷化镓晶圆。
其中，晶圆传送模组用于对晶圆进行传送，现有的晶圆加工设备一般都具有该模块，一般是通过机械手臂和吸盘来实现晶圆的传送。晶圆预热腔组实现对晶圆的加热，一般通过一个平面的加热圆盘来实现，而后晶圆放置在圆盘平面上，就可以实现对晶圆加热。红外成像模组可以通过红外相机来获取照片。通信模块可以现有的有线或者无线通信模块。数据分析处理中心可以是个计算机，用于实现对数据的分析计算。沉积机台用于实现介电层的沉积，一般输入沉积厚度等参数后，沉积机台的控制端获取到后可以实现工艺参数的自动设定和控制机台沉积。
需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此，基于本发明的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本发明的专利保护范围之内。

Claims (8)

1.一种提升电容容值精度的方法，其特征在于，包括如下步骤：
驱动晶圆传送模组传送晶圆到晶圆预热腔组；
驱动晶圆预热腔组对晶圆进行加热；
驱动晶圆传送模组传送加热后的晶圆到红外成像模组；
驱动红外成像模组拍摄晶圆表面的红外照片；
驱动通信模组传输晶圆红外照片到数据分析处理中心；
数据分析处理中心通过红外照片计算金属占比率，再通过公式计算出需要沉积的薄膜厚度；
驱动通信模组传输薄膜厚度到沉积机台的控制端，控制端根据薄膜厚度设定沉积参数并控制沉积机台根据沉积参数对晶圆进行介电层沉积；
所述公式为：d＝εA/((K/R+b))；其中：
K:拟合项；R:金属占比率；b:常数；ε:介电常数；A:电容有效面积；d:介电层厚度。
2.根据权利要求1所述的一种提升电容容值精度的方法，其特征在于，所述数据分析处理中心通过红外照片计算金属占比率包括步骤：
数据分析处理中心通过格子法计算高温对应颜色的占比率，得到金属的占比率。
3.根据权利要求1所述的一种提升电容容值精度的方法，其特征在于：所述沉积机台为化学气相沉积机台。
4.根据权利要求1所述的一种提升电容容值精度的方法，其特征在于：所述晶圆为砷化镓晶圆。
5.一种提升电容容值精度的系统，其特征在于，包括如下模组：晶圆传送模组、晶圆预热腔组、红外成像模组、通信模组、数据分析处理中心和沉积机台；其中：
晶圆传送模组用于传送晶圆到晶圆预热腔组；
晶圆预热腔组用于对晶圆进行加热；
晶圆传送模组还用于传送加热后的晶圆到红外成像模组；
红外成像模组用于拍摄晶圆表面的红外照片；
通信模组用于传输晶圆红外照片到数据分析处理中心；
数据分析处理中心用于通过红外照片计算金属占比率，再通过公式计算出需要沉积的薄膜厚度；
通信模组还用于传输薄膜厚度到沉积机台的控制端，控制端用于根据薄膜厚度设定沉积参数并控制沉积机台根据沉积参数对晶圆进行介电层沉积；
所述公式为：d＝εA/((K/R+b))；其中：
K:拟合项；R:金属占比率；b:常数；ε:介电常数；A:电容有效面积；d:介电层厚度。
6.根据权利要求5所述的一种提升电容容值精度的系统，其特征在于，数据分析处理中心用于通过格子法计算高温对应颜色的占比率，得到金属的占比率。
7.根据权利要求5所述的一种提升电容容值精度的系统，其特征在于：所述沉积机台为化学气相沉积机台。
8.根据权利要求5所述的一种提升电容容值精度的系统，其特征在于：所述晶圆为砷化镓晶圆。
CN201910206109.3A 2019-03-19 2019-03-19 一种提升电容容值精度的方法及系统 Active CN110082383B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910206109.3A CN110082383B (zh) 2019-03-19 2019-03-19 一种提升电容容值精度的方法及系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910206109.3A CN110082383B (zh) 2019-03-19 2019-03-19 一种提升电容容值精度的方法及系统

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110082383A CN110082383A (zh) 2019-08-02
CN110082383B true CN110082383B (zh) 2021-06-18

Family

ID=67412599

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910206109.3A Active CN110082383B (zh) 2019-03-19 2019-03-19 一种提升电容容值精度的方法及系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110082383B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111254419B (zh) * 2020-01-17 2021-12-28 北京北方华创真空技术有限公司 用于沉积法镀膜的设备及控制镀膜厚度的系统和方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1306095A (zh) * 1999-10-08 2001-08-01 贝瑟尔荷姆钢铁公司 炼钢中减少炉渣带入的系统和方法
US6291367B1 (en) * 2000-06-01 2001-09-18 Atmel Corporation Method for depositing a selected thickness of an interlevel dielectric material to achieve optimum global planarity on a semiconductor wafer
JP2005243921A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Nec Electronics Corp 半導体装置及びその製造方法
CN105990095A (zh) * 2015-02-13 2016-10-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Mim电容器及其制备方法
CN106290464A (zh) * 2016-08-10 2017-01-04 同济大学 一种基于红外成像的沥青混合料温度离析评价方法
CN109473379A (zh) * 2018-10-15 2019-03-15 上海华虹宏力半导体制造有限公司 晶圆工艺条件的控制系统及控制方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101153978B1 (ko) * 2002-03-26 2012-06-14 카부시키카이샤 시.브이.리서어치 비결정질 금속 산화막의 제조 방법 및 비결정질 금속산화막을 가지는 커패시턴스 소자와 반도체 장치를제조하는 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1306095A (zh) * 1999-10-08 2001-08-01 贝瑟尔荷姆钢铁公司 炼钢中减少炉渣带入的系统和方法
US6291367B1 (en) * 2000-06-01 2001-09-18 Atmel Corporation Method for depositing a selected thickness of an interlevel dielectric material to achieve optimum global planarity on a semiconductor wafer
JP2005243921A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Nec Electronics Corp 半導体装置及びその製造方法
CN105990095A (zh) * 2015-02-13 2016-10-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Mim电容器及其制备方法
CN106290464A (zh) * 2016-08-10 2017-01-04 同济大学 一种基于红外成像的沥青混合料温度离析评价方法
CN109473379A (zh) * 2018-10-15 2019-03-15 上海华虹宏力半导体制造有限公司 晶圆工艺条件的控制系统及控制方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110082383A (zh) 2019-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI782082B (zh) 用以結合光學量測與質量量測之系統及方法
CN110082383B (zh) 一种提升电容容值精度的方法及系统
US20130102159A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate transfer method and method for manufacturing semiconductor device
CN101399163A (zh) 校正外延反应腔温度的方法
CN104269354A (zh) 一种提高ccd器件用硅外延片的厚度均匀性的方法
CN107805779B (zh) 一种激光溅射法制备CsPbBr3薄膜的方法
TW201534399A (zh) 坩堝隔絕層的製造方法及其所應用之噴塗裝置
US7509186B2 (en) Method and system for reducing the variation in film thickness on a plurality of semiconductor wafers having multiple deposition paths in a semiconductor manufacturing process
CN206742216U (zh) 基板传送装置及包含该基板传送装置的基板处理系统
CN107275248B (zh) 机台控制方法和机台控制系统
CN109868460B (zh) 一种薄膜生长系统及生长方法
CN102605351A (zh) Lpcvd保养后复机方法
CN110184587A (zh) 提高硅片间刻蚀速率均匀性的方法及化学气相沉积设备
US10636690B2 (en) Laminated top plate of a workpiece carrier in micromechanical and semiconductor processing
CN107475681B (zh) 用于均匀控制大面积柔性衬底温度的方法
CN110246780B (zh) 发光二极管外延片的生长方法
CN104269368A (zh) 一种利用前端模块为晶圆加热的装置及方法
CN204557049U (zh) 光阻预烤炉的热板改良结构
CN100431096C (zh) 半导体晶片的处理方法
CN208954953U (zh) 晶圆位置检测装置
CN106854756A (zh) 一种物理气相沉积方法
CN108666231A (zh) 基板处理系统、基板传送装置和传送方法
CN105441876B (zh) 一种薄膜沉积设备
CN204241988U (zh) 光阻预烤炉加热器温度控制装置
CN103184413A (zh) 真空镀膜装置及其方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant