CN110071708A - 具有减小的开关响应延迟的射频开关电路和设备 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种具有减小的开关响应延迟的射频开关电路和设备，所述射频开关电路包括：开关电路，包括连接在第一端子与第二端子之间的多个开关晶体管；栅极电阻器电路，包括多个栅极电阻器，所述多个栅极电阻器中的每个具有连接到所述多个开关晶体管中的相应一个的栅极的第一节点；以及栅极缓冲器电路，包括多个栅极缓冲器，所述多个栅极缓冲器中的每个连接到所述多个栅极电阻器中的相应一个的第二节点，其中，所述多个栅极缓冲器中的每个被配置为通过所述多个栅极电阻器中的相应一个向所述多个开关晶体管中的相应一个的栅极提供第一栅极信号。

Description

具有减小的开关响应延迟的射频开关电路和设备
本申请要求于2018年1月24日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0008697号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
本申请涉及一种具有减小的开关响应延迟的射频开关电路和设备。
背景技术
通常，支持各种频带的功率放大器模块(PAM)可包括选择多个频带的射频(RF)开关、滤波器以及对RF信号进行放大的多个功率放大器(PA)。
PAM的RF开关可根据PA和滤波器的配置而在形状方面不同，并且由于PA通常被设计为处于包括多个频带的宽带，因此可将具有一个输入端口和多个输出端口的单极多掷(SPMT)开关用作RF开关。
通常，由PAM处理的多个频带中的一些频带(例如，B42、B43和B48)可使用时分双工(TDD)通信方案，并且由于这种TDD通信方案划分时间并且交替地执行发送和接收，所以开关时间对于以上提到的TDD通信方案中的操作性能可能是重要的。
典型的射频开关可包括串联开关和分路开关，并且串联开关和分路开关可包括多个堆叠的晶体管。
电阻器的一个端子连接到所述多个晶体管中的每个的栅极，并且电阻器的另一端子连接到控制缓冲器。
开关延迟时间可通过连接到所述多个晶体管中的每个的栅极的栅极电阻器和连接到所述多个晶体管中的每个的栅极的电容器(即，所述多个晶体管中的每个的栅-源电容器和栅-漏电容器)来确定。
所述多个晶体管的尺寸可根据诸如开关的插入损耗等的特性来确定，并且当所述多个晶体管的尺寸被确定时，电容器的值物理地被确定。因此，当开关时间的标准被确定时，电阻值也根据所述确定的开关时间的标准被确定。
相应地，开关时间和隔离特性彼此间是权衡关系，并且当在任何系统中要求开关时间更短时，隔离特性可能劣化。
因此，在典型的射频开关中，开关时间在栅极电阻器的电阻值被保持在合适的值时增大，以便不使隔离特性劣化。
发明内容
提供本发明内容是为了以简化的形式介绍将在下面的具体实施方式中进一步描述的所选择的构思。本发明内容不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总体方面，一种射频开关电路包括：开关电路，包括连接在第一端子与第二端子之间的多个开关晶体管；栅极电阻器电路，包括多个栅极电阻器，所述多个栅极电阻器中的每个具有连接到所述多个开关晶体管中的相应一个的栅极的第一节点；栅极缓冲器电路，包括多个栅极缓冲器，所述多个栅极缓冲器中的每个连接到所述多个栅极电阻器中的相应一个的第二节点，其中，所述多个栅极缓冲器中的每个被配置为通过所述多个栅极电阻器中的相应一个向所述多个开关晶体管中的相应一个的所述栅极提供第一栅极信号。
所述多个栅极缓冲器中的每个可包括：第一缓冲器，被配置为接收所述第一栅极信号；以及第二缓冲器，与所述第一缓冲器并联连接，并且被配置为接收所述第一栅极信号。
所述多个栅极电阻器中的每个可包括：第一电阻器，连接到所述第一缓冲器的输出节点；以及第二电阻器，连接到所述第二缓冲器的输出节点。
所述多个开关晶体管中的每个可包括：第一晶体管，具有栅极，所述栅极被配置为从所述第一缓冲器接收所述第一栅极信号；以及第二晶体管，具有被配置为从所述第二缓冲器接收所述第一栅极信号的栅极、连接到所述第一晶体管的源极的源极、连接到所述第一晶体管的漏极的漏极以及连接到所述第一晶体管的基体的基体。
在一个总体方面，一种射频开关设备包括：第一射频开关电路，连接在第一端子与第二端子之间，并且被配置为响应于第一信号而对第一信号路径进行开关；以及第二射频开关电路，连接在所述第一端子与第三端子之间，并且被配置为响应于第二信号而对第二信号路径进行开关，其中，所述第一射频开关电路包括：开关电路，包括连接在所述第一端子与所述第二端子之间的多个开关晶体管；栅极电阻器电路，包括多个栅极电阻器，所述多个栅极电阻器中的每个具有连接到所述多个开关晶体管中的相应一个的栅极的第一节点；以及栅极缓冲器电路，包括多个栅极缓冲器，所述多个栅极缓冲器中的每个连接到所述多个栅极电阻器中的相应一个的第二节点，其中，所述多个栅极缓冲器中的每个被配置为通过所述多个栅极电阻器中的相应一个来向所述多个开关晶体管中的相应一个的所述栅极提供第一栅极信号。
所述多个栅极缓冲器中的每个可包括：第一缓冲器，被配置为接收所述第一栅极信号；以及第二缓冲器，与所述第一缓冲器并联连接，并且被配置为接收所述第一栅极信号。
所述多个栅极电阻器中的每个可包括：第一电阻器，连接到所述第一缓冲器的输出节点；以及第二电阻器，连接到所述第二缓冲器的输出节点。
所述多个开关晶体管中的每个可包括：第一晶体管，具有栅极，所述栅极被配置为从所述第一缓冲器接收所述第一栅极信号；以及第二晶体管，具有被配置为从所述第二缓冲器接收所述第一栅极信号的栅极、连接到所述第一晶体管的源极的源极、连接到所述第一晶体管的漏极的漏极以及连接到所述第一晶体管的基体的基体。
在一个总体方面，一种射频开关电路包括：开关电路，包括串联连接的多个开关晶体管；以及缓冲器电路，包括多个缓冲器；其中，所述多个缓冲器中的每个分别连接到所述多个开关晶体管中的每个的栅极，并且其中，所述多个缓冲器中的每个被配置为单独向所述多个开关晶体管中的相应一个的栅极发送所接收到的栅极信号。
所述射频开关电路可包括栅极电阻器电路，所述栅极电阻器电路包括多个栅极电阻器，所述多个栅极电阻器中的每个具有连接到所述多个开关晶体管中的相应一个的栅极的第一节点以及连接到所述多个缓冲器中的相应一个的输出节点的第二节点。
所述缓冲器可以是栅极缓冲器。
所述多个开关晶体管中的每个可包括彼此并联连接的第一晶体管和第二晶体管。
所述多个缓冲器中的每个可包括与第二缓冲器并联连接的第一缓冲器，并且所述第一缓冲器和所述第二缓冲器被配置为接收所述栅极信号。
所述多个开关晶体管可连接在第一端子与第二端子之间。
通过下面的具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将是显而易见的。
附图说明
图1是射频(RF)开关设备的示例的示意图；
图2是射频开关设备的示例的另一示意图；
图3是射频开关电路的示例的示意图；
图4是图3的射频开关电路的第一栅极缓冲器、第一栅极电阻器和第一晶体管的示例的示意图；
图5是典型的射频开关电路的电阻器和电容器的等效电路图的示例；
图6是图3的射频开关电路的电阻器和电容器的等效电路图的示例；
图7是图4的射频开关电路的电阻器和电容器的等效电路图的示例；
图8是示出针对图5的每个栅极信号的响应特性的示例的示图；
图9是示出针对图6的每个栅极信号的响应特性的示例的示图；
图10是示出针对图7的每个栅极信号的响应特性的示例的示图；以及
图11是示出栅极信号的延迟时间的示例的示图。
在整个附图和具体实施方式中，相同的附图标记指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明和方便起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。在附图中，例如由于制造技术和/或公差，所示形状的改变可以被预估。因此，在此描述的示例不应被解释为限于在此示出的区域的特定形状，例如，在此描述的示例包括由于制造导致的形状的改变。
具体实施方式
提供下面的具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后，在此描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改和等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作的顺序仅仅是示例，并且不限于这里阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序进行的操作之外，可对这里描述的操作的顺序做出在理解了本申请的公开内容之后将显而易见的改变。此外，为了更加清楚和简洁，可省略本领域已知的特征的描述。
在此描述的特征可以以不同的形式实施，并且将不被解释为限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，仅仅为了示出在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些可行方式。
在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“在”所述另一元件“上”、直接“连接到”所述另一元件或直接“结合到”所述另一元件，或者它们之间可存在一个或更多个其它元件。相反，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，它们之间可不存在其它元件。
如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一个和任意两个或更多个的任意组合。
尽管在此可使用诸如“第一”、“第二”、“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分将不受这些术语的限制。更确切地说，这些术语仅用来将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中提及的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分还可被称作第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了易于描述，在此可使用诸如“在……之上”、“上面”、“在……之下”、“下面”的空间相关术语来描述如附图中示出的一个元件与另一元件的关系。这样的空间相关术语意在除了包含附图中描绘的方位之外还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则描述为在其它元件“之上”或“上面”的元件随后将被定位为在所述其它元件“之下”或“下面”。因此，术语“在……之上”根据装置的空间方位包括“在……之上”和“在……之下”两种方位。装置还可以以其它方式被定位(例如，旋转90度或者在其它方位)，并且将相应地解释这里使用的空间相关术语。
在此使用的术语仅是为了描述各种示例，并且将不用于限制本公开。除非上下文另外清楚指出，否则单数形式也意图包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
由于制造技术和/或公差，可能发生附图中所示的形状的变化。因此，在此描述的示例不限于附图中示出的具体形状，而是包括制造期间发生的形状的改变。
图1是射频(RF)开关设备的示例的示意图。
参照图1，RF开关设备可包括开关电路10。
开关电路10可至少包括第一射频开关电路100-1。
第一射频开关电路100-1可连接在第一端子T10与第二端子T21之间，并且可响应于第一栅极信号VG1而操作以对第一端子T10与第二端子T21之间的第一信号路径进行开关。
图2是RF开关设备的示例的另一示意图。
参照图2，RF开关设备的开关电路10可至少包括第一射频开关电路100-1和第二射频开关电路100-2。
第一射频开关电路100-1可连接在第一端子T10与第二端子T21之间，并且可响应于第一栅极信号VG1而操作以对第一端子T10与第二端子T21之间的第一信号路径进行开关。
第二射频开关电路100-2可连接在第一端子T10与第三端子T22之间，并且可响应于第二栅极信号VG2而操作以对第一端子T10与第三端子T22之间的第二信号路径进行开关。
参照图1和图2，第一射频开关电路100-1和第二射频开关电路100-2可具有彼此相同的电路结构。然而，这仅仅是示例，并且第一射频开关电路100-1和第二射频开关电路100-2可具有不同的电路结构。第一射频开关电路100-1和第二射频开关电路100-2可具有如图3所示的电路结构。作为示例，第一射频开关电路100-1将被描述。
图3是射频开关电路的示例的示意图。
参照图3，第一射频开关电路100-1可包括开关电路110、栅极电阻器电路120和栅极缓冲器电路130。
开关电路110可包括连接在第一端子T10与第二端子T21之间的第一开关晶体管M1至第n开关晶体管Mn。
栅极电阻器电路120可包括第一栅极电阻器RG1至第n栅极电阻器RGn，所述第一栅极电阻器RG1至第n栅极电阻器RGn具有连接在第一开关晶体管M1至第n开关晶体管Mn中的相应一个的栅极的一个端子或节点。作为示例，作为隔离电阻器的第一栅极电阻器RG1至第n栅极电阻器RGn中的每个可具有相对大的电阻值(例如，50kΩ)，以在交流(AC)状态下形成隔开状态和在直流(DC)状态下形成连接状态。
栅极缓冲器电路130可包括第一栅极缓冲器GB1至第n栅极缓冲器GBn。第一栅极缓冲器GB1至第n栅极缓冲器GBn可连接到第一栅极电阻器RG1至第n栅极电阻器RGn中的相应一个的另一端子或节点，并且可通过第一栅极电阻器RG1至第n栅极电阻器RGn向第一开关晶体管M1至第n开关晶体管Mn的栅极提供第一栅极信号VG1。
作为示例，第一栅极信号VG1可通过第一栅极缓冲器GB1和第一栅极电阻器RG1被供应到第一开关晶体管M1的栅极，并且第一栅极信号VG1还可通过第n栅极缓冲器GBn和第n栅极电阻器RGn被供应到第n开关晶体管Mn的栅极。
在图3中，电阻器RDS1以及RDS2至RDSn是第一开关晶体管M1至第n开关晶体管Mn的漏-源电阻器，并且是用于将作为参考电压的DC电压分配到第一开关晶体管M1至第n开关晶体管Mn的漏极和源极的电阻器。电阻器RB1以及RB2至RBn是第一开关晶体管M1至第n开关晶体管Mn的单独的基体电阻器，并且RBcom是第一开关晶体管M1至第n开关晶体管Mn的公共基体电阻器。BB可以是基体缓冲器，并且VB可以是基体电压。
图4是图3的射频开关电路的第一栅极缓冲器GB1、第一栅极电阻器RG1和第一开关晶体管M1的示例的示意图。
参照图4，第一栅极缓冲器GB1或第n栅极缓冲器GBn可包括第一缓冲器GB11和第二缓冲器GB12。
第一缓冲器GB11和第二缓冲器GB12可彼此并联连接，并且第一缓冲器GB11和第二缓冲器GB12中的每个可被提供第一栅极信号VG1。作为示例，第一缓冲器GB11和第二缓冲器GB12中的每个的尺寸可比图3的第一栅极缓冲器GB1的尺寸小，并且可以例如是第一栅极缓冲器GB1的尺寸的二分之一。
第一栅极电阻器RG1或第n栅极电阻器RGn可包括第一电阻器RG11和第二电阻器RG12。
第一电阻器RG11可连接到第一缓冲器GB11的输出端子或节点，并且可将从第一缓冲器GB11输出的第一栅极信号VG1发送到第一开关晶体管M1的栅极。
第二电阻器RG12可连接到第二缓冲器GB12的输出端子或节点，并且可将从第二缓冲器GB12输出的第一栅极信号VG1发送到第一开关晶体管M1的栅极。
第一开关晶体管M1或第n开关晶体管Mn可包括第一晶体管M11和第二晶体管M12。
第一晶体管M11可包括栅极，第一栅极信号VG1从第一缓冲器GB11输入到所述栅极。作为示例，第一晶体管M11和第二晶体管M12中的每个的尺寸可比图3的第一开关晶体管M1的尺寸小，并且可以例如是第一开关晶体管M1的尺寸的二分之一。
第二晶体管M12可包括：栅极，第一栅极信号VG1从第二缓冲器GB12输入到所述栅极；源极，连接到第一晶体管M11的源极；漏极，连接到第一晶体管M11的漏极；以及基体，连接到第一晶体管M11的基体。
作为示例，第一晶体管M11的基体和第二晶体管M12的基体可彼此连接并且通过单独的基体电阻器RB1或RBn和公共基体电阻器RBcom连接到基体缓冲器BB，在这种情况下，基体电压VB可传送通过基体缓冲器BB、公共基体电阻器RBcom以及单独的基体电阻器RB1或RBn，并且随后可被供应到第一晶体管M11的基体和第二晶体管M12的基体。
参照图3，射频开关电路的开关速度可取决于时间常数τ，所述时间常数τ根据第一栅极电阻器RG1或第n栅极电阻器RGn的电阻值R和第一开关晶体管M1或第n开关晶体管Mn的电容C确定。
由于第一栅极电阻器RG1或第n栅极电阻器RGn是隔离电阻器，所以第一栅极电阻器RG1或第n栅极电阻器RGn可被设置为相对大的电阻值R。
此外，当与使用一个缓冲器的典型结构进行比较时，在根据示例的射频开关电路中，缓冲器可设置在第一开关晶体管M1至第n开关晶体管Mn中的每个中。因此，当从第一开关晶体管M1至第n开关晶体管Mn中的每个进行观察时，由于仅有一个栅极电阻器和一个开关晶体管被观察，所以栅极信号的幅值可减小，并且缓冲器的尺寸可因此而减小。
因此，可在不增大射频开关电路的整体尺寸的情况下改善开关速度。如上所述，在射频开关电路具有如图3所示的电路结构的情况下，开关时间可被改善，而不会使隔离特性劣化并且不会增大射频开关电路的尺寸或面积。
此外，为了获得相对较快的开关时间，可如图4所示来配置开关。
此外，参照图4，图3的一个开关晶体管可被分为第一晶体管(FET)M11和第二晶体管(FET)M12二者，第一晶体管(FET)M11和第二晶体管(FET)M12可彼此并联连接。在这种情况下，第一晶体管(FET)M11和第二晶体管(FET)M12的源极、漏极和基体可共同地彼此连接，并且仅第一晶体管(FET)M11和第二晶体管(FET)M12的栅极可利用不同的缓冲器驱动。作为示例，连接到栅极的电阻器的值可具有与典型结构的电阻器的值相同的值，从而可确保充分隔离，并且使栅极电容减小到二分之一，从而可以使开关时间减小。
图5是传统的射频开关电路的电阻器和电容器的等效电路图的示例。
将参照图5来描述以下情况：典型的射频开关电路包括一个栅极缓冲器GB、公共栅极电阻器RGcom、单独的栅极电阻器RG1至RG7和第一开关晶体管的电容CM1至第七开关晶体管的电容CM7。
如图5所示，当从栅极缓冲器GB观察开关电路110的第一开关晶体管M1至第七开关晶体管M7中的每个时，可观察到公共栅极电阻器RGcom、单独的栅极电阻器RG1至RG7以及第一开关晶体管的电容CM1至第七开关晶体管的电容CM7中的每个。
图6是图3的射频开关电路的电阻器和电容器的等效电路图的示例。
将参照图3和图6来描述以下情况：图3的射频开关电路包括第一栅极缓冲器GB1至第n栅极缓冲器GBn、第一栅极电阻器RG1至第n栅极电阻器RGn以及第一开关晶体管M1至第n开关晶体管Mn。
如图6所示，当从第一栅极缓冲器GB1观察开关电路110的第一开关晶体管M1时，可观察到第一栅极电阻器RG1和第一开关晶体管M1的电容CM1。
图7是图4的射频开关电路的电阻器和电容器的等效电路图的示例。
将参照图4和图7来描述以下情况：在图4的射频开关电路中，第一栅极缓冲器GB1至第n栅极缓冲器GBn中的每个包括第一缓冲器GB11和第二缓冲器GB12，第一栅极电阻器RG1至第n栅极电阻器RGn中的每个包括第一电阻器RG11和第二电阻器RG12，并且第一开关晶体管M1至第n开关晶体管Mn中的每个包括第一晶体管M11和第二晶体管M12。
如图7所示，当从第一缓冲器GB11观察开关电路110的第一晶体管M11时，可观察到第一电阻器RG11和第一晶体管M11的电容CM11。
图8是示出针对图5的每个栅极信号的响应特性的示例的示图。
参照图5和图8，作为示例，在公共栅极电阻器RGcom具有50kΩ的电阻值、单独的栅极电阻器RG1至RG7中的每个具有50kΩ的电阻值并且第一开关晶体管M1的电容CM1至第七开关晶体管M7的电容CM7中的每个具有1pF的值的情况下，当栅极信号通过栅极缓冲器GB、公共栅极电阻器RGcom和单独的栅极电阻器RG1至RG7被供应到第一开关晶体管M1至第七开关晶体管M7中的每个的栅极时，针对栅极信号的开关响应延迟时间TD1(或上升时间)可按照下面的式1计算。
式1
TD1≈RT*CT*τ≈57kΩ*7pF≈390nsec
在式1中，彼此并联连接的七个栅极电阻器的总电阻值RT可以是大约57kΩ，并且彼此并联连接的晶体管的电容的总值CT可以是大约7pF。
图9是示出针对图6的每个栅极信号的响应特性的示例的示图。
参照图6和图9，作为示例，在第一栅极电阻器RG1具有100kΩ的电阻值并且第一开关晶体管M1的电容CM1具有1pF的值的情况下，当第一栅极信号VG1通过第一栅极缓冲器GB1和第一栅极电阻器RG1被供应到第一开关晶体管M1的栅极时，针对第一栅极信号的开关响应延迟时间TD2(或上升时间)可按照下面的式2计算。
式2
TD2≈RT*CT*τ≈100KΩ*1pF≈100nsec
在式2中，第一栅极电阻器的电阻值RT可以是大约100kΩ，并且第一开关晶体管的电容的值CT是大约1pF。
图10是示出针对图7的每个栅极信号的响应特性的示例的示图。
参照图7和图10，作为示例，在第一电阻器RG11具有100kΩ的电阻值并且第一晶体管M11的电容CM11具有1pF的值的情况下，当第一栅极信号VG1通过第一缓冲器GB11和第一电阻器RG11被供应到第一晶体管M11的栅极时，针对第一栅极信号的开关响应延迟时间TD3(或上升时间)可按照下面的式3计算。
式3
TD3≈RT*CT*τ≈100KΩ*0.5pF≈50nsec
在式3中，第一电阻器的电阻值RT可以是100kΩ，并且由于第一晶体管的尺寸是传统晶体管的尺寸的二分之一，所以第一晶体管的电容CT是0.5pF。
图11是示出栅极信号的延迟时间的示例的示图。
在图11中，TD1是典型的射频开关电路的栅极信号的延迟时间，TD2是当前示例的射频开关电路的栅极信号的延迟时间。
将图11的TD1和TD2相互比较，可看出根据所述示例的射频开关电路的栅极信号的延迟时间TD2比典型的射频开关电路的栅极信号的延迟时间TD1短，从而使开关延迟减小。
如以上所阐述的，根据示例，可通过包括用于每个开关晶体管的单独的缓冲器来使开关响应延迟时间减小而不使隔离特性劣化，从而实现高速开关，并且可通过实现用彼此并联连接的具有小尺寸的两个晶体管替代典型的开关晶体管的结构来改善开关速度。
尽管本公开包括具体示例，但是在理解本申请的公开内容后将显而易见的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神和范围的情况下，可在这些示例中做出形式上和细节上的各种改变。在此描述的示例将仅被认为是描述性的意义，而不是出于限制的目的。每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其它示例中的类似特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术，和/或如果以不同的方式组合描述的系统、架构、装置或电路中的组件和/或用其它组件或它们的等同物替换或补充描述的系统、架构、装置或电路中的组件，则可以获得合适的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物来限定，并且在权利要求及其等同物的范围内的所有变化将被解释为包括在本公开中。

Claims (14)

1.一种射频开关电路，包括：
开关电路，包括连接在第一端子与第二端子之间的多个开关晶体管；
栅极电阻器电路，包括多个栅极电阻器，所述多个栅极电阻器中的每个具有连接到所述多个开关晶体管中的相应一个的栅极的第一节点；以及
栅极缓冲器电路，包括多个栅极缓冲器，所述多个栅极缓冲器中的每个连接到所述多个栅极电阻器中的相应一个的第二节点；
其中，所述多个栅极缓冲器中的每个被配置为通过所述多个栅极电阻器中的相应一个向所述多个开关晶体管中的相应一个的所述栅极提供第一栅极信号。
2.根据权利要求1所述的射频开关电路，其中，所述多个栅极缓冲器中的每个包括：
第一缓冲器，被配置为接收所述第一栅极信号；以及
第二缓冲器，与所述第一缓冲器并联连接，并且被配置为接收所述第一栅极信号。
3.根据权利要求2所述的射频开关电路，其中，所述多个栅极电阻器中的每个包括：
第一电阻器，连接到所述第一缓冲器的输出节点；以及
第二电阻器，连接到所述第二缓冲器的输出节点。
4.根据权利要求3所述的射频开关电路，其中，所述多个开关晶体管中的每个包括：
第一晶体管，具有被配置为从所述第一缓冲器接收所述第一栅极信号的栅极；以及
第二晶体管，具有被配置为从所述第二缓冲器接收所述第一栅极信号的栅极、连接到所述第一晶体管的源极的源极、连接到所述第一晶体管的漏极的漏极以及连接到所述第一晶体管的基体的基体。
5.一种射频开关设备，包括：
第一射频开关电路，连接在第一端子与第二端子之间，并且被配置为响应于第一信号而对第一信号路径进行开关；以及
第二射频开关电路，连接在所述第一端子与第三端子之间，并且被配置为响应于第二信号而对第二信号路径进行开关，
其中，所述第一射频开关电路包括：
开关电路，包括连接在所述第一端子与所述第二端子之间的多个开关晶体管；
栅极电阻器电路，包括多个栅极电阻器，所述多个栅极电阻器中的每个具有连接到所述多个开关晶体管中的相应一个的栅极的第一节点；以及
栅极缓冲器电路，包括多个栅极缓冲器，所述多个栅极缓冲器中的每个连接到所述多个栅极电阻器中的相应一个的第二节点，
其中，所述多个栅极缓冲器中的每个被配置为通过所述多个栅极电阻器中的相应一个向所述多个开关晶体管中的相应一个的所述栅极提供第一栅极信号。
6.根据权利要求5所述的射频开关设备，其中，所述多个栅极缓冲器中的每个包括：
第一缓冲器，被配置为接收所述第一栅极信号；以及
第二缓冲器，与所述第一缓冲器并联连接，并且被配置为接收所述第一栅极信号。
7.根据权利要求6所述的射频开关设备，其中，所述多个栅极电阻器中的每个包括：
第一电阻器，连接到所述第一缓冲器的输出节点；以及
第二电阻器，连接到所述第二缓冲器的输出节点。
8.根据权利要求7所述的射频开关设备，其中，所述多个开关晶体管中的每个包括：
第一晶体管，具有被配置为从所述第一缓冲器接收所述第一栅极信号的栅极；以及
第二晶体管，具有被配置为从所述第二缓冲器接收所述第一栅极信号的栅极、连接到所述第一晶体管的源极的源极、连接到所述第一晶体管的漏极的漏极以及连接到所述第一晶体管的基体的基体。
9.一种射频开关电路，包括：
开关电路，包括串联连接的多个开关晶体管；以及
缓冲器电路，包括多个缓冲器，
其中，所述多个缓冲器中的每个分别连接到所述多个开关晶体管中的每个的栅极，并且，
其中，所述多个缓冲器中的每个被配置为单独向所述多个开关晶体管中的相应一个的栅极发送所接收到的栅极信号。
10.根据权利要求9所述的射频开关电路，还包括栅极电阻器电路，所述栅极电阻器电路包括多个栅极电阻器，所述多个栅极电阻器中的每个具有连接到所述多个开关晶体管中的相应一个的栅极的第一节点以及连接到所述多个缓冲器中的相应一个的输出节点的第二节点。
11.根据权利要求10所述的射频开关电路，其中，所述缓冲器是栅极缓冲器。
12.根据权利要求9所述的射频开关电路，其中，所述多个开关晶体管中的每个包括彼此并联连接的第一晶体管和第二晶体管。
13.根据权利要求9所述的射频开关电路，其中，所述多个缓冲器中的每个包括与第二缓冲器并联连接的第一缓冲器，并且
所述第一缓冲器和所述第二缓冲器被配置为接收所述栅极信号。
14.根据权利要求9所述的射频开关电路，其中，所述多个开关晶体管连接在第一端子与第二端子之间。
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