CN110061419A - 半导体激光器元件、其制造方法以及发光装置 - Google Patents

半导体激光器元件、其制造方法以及发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110061419A
CN110061419A CN201910024786.3A CN201910024786A CN110061419A CN 110061419 A CN110061419 A CN 110061419A CN 201910024786 A CN201910024786 A CN 201910024786A CN 110061419 A CN110061419 A CN 110061419A
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor laser
laser component
clad
face
optical waveguide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910024786.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110061419B (zh
Inventor
川上俊之
太田将之
川村亮太
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Fukuyama Laser Co Ltd
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN110061419A publication Critical patent/CN110061419A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110061419B publication Critical patent/CN110061419B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H01S5/0286—Coatings with a reflectivity that is not constant over the facets, e.g. apertures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1003—Waveguide having a modified shape along the axis, e.g. branched, curved, tapered, voids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H01S5/0285—Coatings with a controllable reflectivity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04254—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1025—Extended cavities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1039—Details on the cavity length
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1082—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region with a special facet structure, e.g. structured, non planar, oblique
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/2202—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure by making a groove in the upper laser structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
    • H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
    • H01S5/0202—Cleaving
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02216—Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H01S5/0282—Passivation layers or treatments
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H01S5/0287—Facet reflectivity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
    • H01S5/162—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions made by diffusion or disordening of the active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

本发明实现一种能够充分抑制源自制造过程的污染的、具有较高的可靠性的半导体激光器元件。半导体激光器元件(303)具有朝向其第一端延伸的光波导，光波导依次具有第一包覆层(2)、活性层(3)、第二包覆层(4)以及电极层(10)。在光波导的第二端从活性层(3)的一侧依次具有电介质膜(8)以及金属膜(9)的反射面横穿活性层(3)。

Description

半导体激光器元件、其制造方法以及发光装置
技术领域
本发明涉及一种半导体激光器元件、其制造方法以及发光装置。
背景技术
熟知半导体激光器用于光盘，但还已知有除此以外的用途。对于这样的半导体激光器的进一步的用途，已知有用于汽车中，更具体而言，包含蓝色激光器等前灯、以及红外激光器等用于自动驾驶的车间测量用装置。此外，对于半导体激光器的进一步的用途，已知有在显示器以及投影仪等显示装置中用作光源。对于这些进一步的用途，谋求较高的可靠性。
作为所述半导体激光器的现有技术，已知有具有作为解理面或蚀刻镜面的射出面，在隔着光波导而与所述射出面对置的反射面附着Al、W或多层绝缘层(例如，参照专利文献1)。此外，作为所述半导体激光器的现有技术，已知有一种前端面通过劈开来形成，后端面通过ICP干蚀刻等来形成，该后端面被与p侧电极相同的金属多层膜或电介质多层膜覆盖的半导体激光器(例如，参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-031579号公报(2000年1月28日公开)
专利文献2：国际公开第2005/053124号(2005年6月9日公开)
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而，从半导体激光器元件的可靠性的观点出发，上述那样的现有技术存在问题。例如，在专利文献1的技术中，当向反射面附着Al或W时，有时该反射面会成为泄漏路径，从而有时半导体激光器元件的可靠性下降。当由多层绝缘膜形成所述反射面时，有时源自作为该多层绝缘膜的材料的绝缘体的灰尘会附着于半导体激光器元件，从而有时半导体激光器元件的可靠性下降。
此外，在专利文献2的技术中，当利用与p侧电极相同的金属多层膜覆盖后端面时，有时后端面会成为泄漏路径，从而有时半导体激光器元件的可靠性下降。当由电介质多层膜形成所述后端面时，有时源自作为电介质多层膜的材料的绝缘体的灰尘会附着于半导体激光器元件，从而有时半导体激光器元件的可靠性下降。如此，从抑制源自制造过程的制品污染的观点考虑，现有技术存在有研究的余地。
本发明的一个方式的目的在于，实现一种能够充分抑制源自制造过程的污染的、具有较高的可靠性的半导体激光器元件。
解决问题的方案
为了解决上述的课题，本发明的第一方式的半导体激光器元件依次具有第一包覆层、活性层、第二包覆层以及电极层，其中，所述半导体激光器元件具有：光波导，其朝向所述半导体激光器元件的第一端的端面而从所述半导体激光器元件的第二端的端面的内侧延伸；及反射面，其横穿配置于所述光波导的所述第二端侧的端部的所述活性层，所述反射面从所述活性层的一侧依次具有电介质膜以及金属膜。
此外，为了解决上述的课题，本发明的第二方式的半导体激光器元件的制造方法包含：在基板上，在依次具有第一包覆层、活性层以及第二包覆层的元件原材料的所述第二包覆层上形成从所述基板的第一端延伸至第二端的作为光波导的部分的工序；在作为所述光波导的部分的所述第二端侧的端部，形成在所述第二包覆层开口并且横穿所述活性层的凹部的工序；形成覆盖所述凹部的侧面的所述第一端侧的、所述活性层露出的部分的电介质膜的工序；形成覆盖所述电介质膜的金属膜的工序；及在作为所述光波导的部分的所述第二包覆层上形成电极层的工序。
而且，为了解决所述的课题，本发明的第三方式的发光装置具有所述第一方式的半导体激光器元件。
发明效果
根据本发明的一个方式，源自半导体激光器元件的材料的灰尘的附着得以抑制，此外该灰尘可在制造过程中被去除。由此，根据本发明的所述的方式，能够实现能够充分抑制源自制造过程的污染的、具有较高的可靠性的半导体激光器元件。
附图说明
图1的(a)为示意地表示本发明的一个实施方式的半导体激光器元件的结构的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述半导体激光器元件的情况下的剖切面的结构的图。
图2的(a)为示意地表示本发明的一个实施方式的半导体激光器元件的制造过程的第一工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。
图3的(a)为示意地表示本发明的一个实施方式的半导体激光器元件的制造过程的第二工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。
图4的(a)为示意地表示本发明的一个实施方式的半导体激光器元件的制造过程的第三工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。
图5的(a)为示意地表示本发明的一个实施方式的半导体激光器元件的制造过程的第四工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。
图6的(a)为示意地表示本发明的一个实施方式的半导体激光器元件的制造过程的第五工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。
图7的(a)为示意地表示本发明的一个实施方式的半导体激光器元件的制造过程的第六工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。
图8的(a)为示意地表示本发明的一个实施方式的半导体激光器元件的制造过程的第七工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。
图9的(a)为示意地表示本发明的一个实施方式的半导体激光器元件的制造过程的第八工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。
图10的(a)为示意地表示本发明的一个实施方式的半导体激光器元件的制造过程的第九工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。
图11的(a)为示意地表示本发明的一个实施方式的半导体激光器元件的制造过程的向第十工序供给的制造物的立体图，(b)为示意地表示本发明的一个实施方式的半导体激光器元件的制造过程的第十一工序的制造物的立体图。
图12为示意地表示本发明的一个实施方式的半导体激光器元件的制造过程的第十二工序的制造物的立体图。
图13为示意地表示本发明的一个实施方式的发光装置的结构的立体图。
图14的(a)为示意地表示以往的半导体激光器元件的一个示例的结构的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述半导体激光器元件的情况下的剖切面的结构的图。
图15的(a)为示意地表示以往的半导体激光器元件的制造过程的第一工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。
图16的(a)为示意地表示以往的半导体激光器元件的制造过程的第二工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。
图17的(a)为示意地表示以往的半导体激光器元件的制造过程的第三工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。
图18的(a)为示意地表示以往的半导体激光器元件的制造过程的第四工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。
图19的(a)为示意地表示以往的半导体激光器元件的制造过程的第五工序的制造物的立体图，(b)为示意地表示沿(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。
图20的(a)为示意地表示以往的半导体激光器元件的制造过程的向第六工序供给的制造物的立体图，(b)为示意地表示以往的半导体激光器元件的制造过程的第七工序的制造物的立体图。
图21为示意地表示本发明的以往的半导体激光器元件的制造过程的第八工序的制造物的立体图。
具体实施方式
[半导体激光器元件的结构]
以下，对本发明的一个实施方式详细地进行说明。本发明的实施方式的半导体激光器元件除后述的反射面的构成以外，能够与公知的半导体激光器元件同样地构成。图1的(a)为示意地表示本发明的一实施方式的半导体激光器元件的结构的立体图。图1的(b)为示意地表示沿图1的(a)的线L剖切所述半导体激光器元件的情况下的剖切面的结构的图。
半导体激光器元件303如图1所示，在基板1上依次具有第一包覆层2、活性层3、第二包覆层4以及电极层10。基板1可以为用于支承激光器元件结构的公知的基板。例如，基板1为n型GaAs基板。
活性层3具有量子阱层。构成活性层3的结晶能够根据用于所述量子阱层的结晶来确定。此外，构成活性层3的结晶也能够根据半导体激光器元件的用途来适当地确定。构成活性层3的结晶的示例中包含AlGaAs、GaAs以及GaInP。
第一包覆层2以及第二包覆层4由具有将产生的光约束于活性层3的作用的结晶材料构成。例如，在产生的激光为红外激光或红色激光的情况下，第一包覆层2以及第二包覆层4的结晶材料的示例中包含AlGaInP。第二包覆层4的上表面沿着半导体激光器元件303的长边方向具有两根槽(后述附图标记4A)和位于其间的凸部(后述的附图标记4B)。
电极层10以覆盖半导体激光器元件303的上表面的方式配置。电极层10沿着所述上表面的长边方向在第二包覆层4的所述凸部的中心部与第二包覆层4接触，在所述上表面的其他部分与后述的电介质膜8接触。电极层10为p侧的电极。电极层10在层叠方向上整体具有充分的导电性即可，例如由金属构成。电极层10的材料的金属的示例中包含Au、Al以及Ag。
从前述的第一包覆层2依次具有电极层10的部分，构成朝向半导体激光器元件303的一端面6延伸的光波导。一端面6为半导体激光器元件303的第一端的端面。俯视观察半导体激光器元件303时的半导体激光器元件303的长边方向的光波导的范围为，从一端面6到后述的凹部7的一端面6侧的侧面。此外，半导体激光器元件303的短边方向的所述光波导的范围为，形成于第二包覆层4的高折射率部区域的宽度，在本实施方式中与脊部的宽度相等。
电极层10既可以是单层也可以是层叠结构。层叠结构的电极层10例如依次具有密接层以及保护层。所述密接层为与后述的金属膜9的密合性比较高的层，例如由前述的电极层10的金属材料构成。所述保护层为用于提高电极层10的化学或物理耐性的层。保护层的材料的金属的示例中包含Ti、W、Ta、Nb、Ni以及Pt。
半导体激光器元件303还具有在第二包覆层4的上表面开口的凹部7。如此，半导体激光器元件303在该第二端的端面的内侧具有凹部7。第二端为所述第一端的相反侧的端部。此外，凹部7在所述光波导的第二端侧的端部，在其深度方向上从所述第二包覆层4达到基板1的表面。如此，凹部7具有从第二包覆层4至少达到第一包覆层2的深度。
凹部7的俯视观察时的形状为矩形。凹部7位于基板1的长边方向的第二端侧，凹部7的第二端侧的侧面配置为，距半导体激光器元件303的第二端的端面具有规定的距离。
凹部7的沿着基板1的俯视观察时的形状的长边方向的长度例如为5～20μm。在考虑到来自光波导的光的渗出的方面，凹部7的沿着基板1的俯视观察时的形状的短边方向的长度能够在从1μm程度到几百μm的范围中来任意地确定。例如，凹部7的短边方向的长度能够在从所述光波导的宽度到该宽度+100μm的范围内适当地确定。
凹部7在其表面依次具有电介质膜8以及金属膜9。电介质膜8除了覆盖凹部7的表面，还覆盖第二包覆层4的所述凸部的所述中心部以外的部分。电介质膜8由呈现出作为膜的充分的电绝缘性的材料构成。电介质膜8的材料的示例中包含氧化铝、氧化硅、氧化锆、氮化硅、氮化铝、氮化镓、氮氧化硅以及氮氧化铝。
金属膜9除了延伸至凹部7的表面以外，还延伸至俯视观察半导体激光器元件303时的情况下的凹部7的开口部的周缘部，例如从凹部7的开口端缘延伸至通常0.5～1μm的位置。如此，金属膜9配置为，在俯视观察半导体激光器元件303时延伸至第二包覆层4的一部分之上。距金属膜9的所述开口端缘的延伸位置能够根据光学工艺的精度适当地确定。此外，在俯视观察半导体激光器元件303时，金属膜9从第二包覆层4的凹部7延伸至半导体激光器元件303的外缘之间的位置。然后，电极层10还位于金属膜9上。
凹部7的一端面6侧的侧面为，在所述光波导的第二端侧的端部横穿活性层3的平面，从活性层3的一侧依次具有电介质膜8以及金属膜9。如此所述侧面构成横穿活性层3的反射面。该反射面位于比半导体激光器元件303的第二端的端面靠第一端侧。如此，半导体激光器元件303在该第二端的端面的内侧(一端面6侧)具有反射面。
凹部7的侧面与作为半导体激光器元件303的激光的射出面的一端面6近似平行。在此“近似平行”是指，处于对于所述反射面实现半导体激光器元件303的激光的所期望的输出而充分发挥功能的朝向。所述侧面例如位于与一端面6所成的角度为10°以下的朝向。所述侧面相对于一端面6的朝向从提高激光的输出(将反射率的下降率抑制在20％以下)的观点出发，优选为2°以下，进一步优选为平行。
半导体激光器元件303具有一端面6。一端面6为所述光波导的第一端侧的端部，如上所述成为激光的射出面。一端面6为，通过构成半导体激光器元件的结晶的集合体的劈开而形成的解理面。另外，前述的反射面为所述光波导的第二端侧的端部。
一端面6被端面涂膜11覆盖。端面涂膜11为，覆盖半导体激光器元件303的第一端的端面的电介质制的膜(衍生物膜)。端面涂膜11根据半导体激光器元件303的端面的保护以及反射率的控制的观点配置。例如，端面涂膜11形成为，产生的激光的所述射出面的反射率比所述反射面低。所述射出面以及所述反射面的激光的反射率例如能够根据半导体激光器元件的所期望的性能适当地确定。
构成端面涂膜11的电介质的示例中包含通过电介质膜8例示的电介质的示例。构成端面涂膜11的电介质既可以与构成电介质膜8的电介质相同也可以不同。
半导体激光器元件303还具有窗区域5。窗区域5为，位于所述光波导的两端部的、与所述光波导的中央部相比激光的吸收少的区域。窗区域5除配置于所述光波导的两端部以外，还配置于半导体激光器元件303的第二端的端面与凹部7之间。窗区域5为，用于防止因吸收激光时的热而光波导的端面溶解从而激光器劣化的部分。从激光器的劣化防止的观点出发，窗区域5优选为实质上不吸收激光的区域。
在此也可以说，半导体激光器元件303在具有第一表面和第二表面的半导体的基板1的第一表面上，具有依次层叠第一包覆层2、活性层3、第二包覆层4而成的层叠结构体，在该层叠结构中具有光波导结构。此外，也可以说在光波导结构的两端，第一镜面(一端面6)以及第二镜面(反射面)配置为，相互实质上平行。
所述第一镜面从所述层叠体结构的上表面横跨基板1的第二面且实质上平坦。所述第二镜面构成于从所述层叠体结构的上表面穿过第二包覆层4而至少到达第一包覆层2的凹部7的一个面。
凹部7具有与所述第二镜面对置的侧面(对置面)，且该对置面配置于半导体激光器元件303的与第二端的端面分离的位置。所述第一镜面侧的凹部7的侧面被电介质膜8覆盖，电介质膜8被金属膜9覆盖。如此，所述第二镜面构成为，从活性层3侧依次层叠电介质膜8和金属膜9。然后，所述第一镜面的激光的反射率比所述第二镜面的反射率低。
此外，半导体激光器元件303优选为，在所述光波导结构的两端具有来自活性层3的激光的吸收率比该中央部低的窗区域5。进一步优选所述第一镜面以及第二镜面配置在窗区域5内。
在半导体激光器元件303的厚度方向上，凹部7的深度以及所述光波导结构的厚度均能够比半导体激光器元件303的厚度小。
此外，金属膜9形成为，从凹部7的至少侧面横跨所述层叠结构体的上表面。然后，金属膜9配置于从半导体激光器元件303的第二端的端面向第一端侧离开的位置。
此外，半导体激光器元件303覆盖包含所述第二镜面的凹部7的一部分，而且，金属膜9在第二镜面上具有作为导电层的电极层10。电极层10在半导体激光器元件303的前述的俯视观察时结构的短边方向上，具有宽度比金属膜9大的大小。此外，电极层10能够至少由密接层和保护层(保护层/密接层)这两层结构构成。然后，电极层10兼用作用于向所述光波导结构注入载流子的电极层10。
[半导体激光器元件的制造方法]
半导体激光器元件303除所述反射面的制造的工序以外，还能够利用与公知的半导体激光器元件同样的方法进行制造。例如，半导体激光器元件303能够通过以下的方法进行制造。
所述制造方法为，在基板1上，在依次具有第一包覆层2、活性层3以及第二包覆层4的元件原材料的第二包覆层4，形成从基板1的第一端延伸至第二端的作为光波导的部分的工序(光波导形成工序)。该工序例如能够通过后述的第一工序来实施。图2的(a)为示意地表示半导体激光器元件303的制造过程的第一工序的制造物的立体图。图2的(b)为示意地表示沿图2的(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。
所述元件原材料例如在一张晶圆上形成许多。在各个元件原材料中，在作为所述光波导的部分的两端部，形成有激光的吸收比该光波导的中央部少的窗区域5。窗区域5能够通过公知的方法进行制作，例如通过使锌(Zn)从第二包覆层4的结晶的表面扩散来进行制作。
所述元件原材料具有所谓的空气脊(air ridge)结构。在所述光波导形成工序(第一工序)中，在第二包覆层4形成从基板1的第一端延伸至第二端的并列的两根槽4A。作为所述光波导的部分被包含在位于俯视观察所述半导体激光器元件时的两根槽4A之间的凸部4B中。槽4A通过光刻等公知的方法来形成。如此，制作形成有凸部4B(也称作“激光器凸脊”或者“凸脊”)以及窗区域的晶圆。
所述制造方法还包含在作为所述光波导的部分的第二端侧的端部，沿其深度方向至少形成从第二包覆层4达到第一包覆层2的凹部7的工序。该工序能够通过例如后述的第二工序以及第三工序来实施。图3的(a)为示意地表示半导体激光器元件303的制造过程的第二工序的制造物的立体图。图3的(b)为示意地表示沿图3的(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。此外，图4的(a)为示意地表示半导体激光器元件303的制造过程的第三工序的制造物的立体图。图4的(b)为示意地表示沿图4的(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。
形成所述凹部的工序为形成例如在基板1的厚度方向上横穿活性层3的深度的凹部7、例如从第二包覆层4到达基板1的凹部7的工序。首先，在第二工序中，以未蚀刻的部分为掩膜的图案P1形成于第二包覆层4上。接下来，在第三工序中，通过干蚀刻实施图案蚀刻，通过蚀刻形成到达基板1的表面的凹部7。接下来，在第四工序中，去除图案P1。
所述制造方法还包含形成覆盖凹部7的侧面的第一端侧的活性层3露出的部分的电介质膜8的工序。该工序例如能够通过后述的第四工序、第五工序以及第六工序来实施。图5的(a)为示意地表示半导体激光器元件303的制造过程的第四工序的制造物的立体图。图5的(b)为示意地表示沿图5的(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。此外，图6的(a)为示意地表示半导体激光器元件303的制造过程的第五工序的制造物的立体图。图6的(b)为示意地表示沿图6的(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构图。而且，图7的(a)为示意地表示半导体激光器元件303的制造过程的第六工序的制造物的立体图。图7的(b)为示意地表示沿图7的(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。
所述电介质膜形成工序例如为，形成覆盖凹部7的表面的电介质膜8的工序。首先，在第四工序中，在形成有凹部7的元件原材料的表面例如通过电子回旋共振等离子化学蒸镀(ECR等离子CVD)法形成电介质膜8。接下来，在第五工序中，图案P2形成于电介质膜8上。图案P2具有与沿着凸部4B的顶面的长边方向的一部分对应的开口。接下来，在第六工序中，去除图案P2。如此，沿着凸部4B的顶面的长边方向的一部分露出。如此，实施用于使凸部4B的上部露出的蚀刻的图案、蚀刻以及图案的去除。
所述制造方法还包含形成覆盖电介质膜8的金属膜9的工序。该工序例如能够通过后述的第七工序以及第八工序来实施。图8的(a)为示意地表示半导体激光器元件303的制造过程的第七工序的制造物的立体图。图8的(b)为示意地表示沿图8的(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。此外，图9的(a)为示意地表示半导体激光器元件303的制造过程的第八工序的制造物的立体图。图9的(b)为示意地表示沿图9的(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。
形成所述金属膜的工序例如为，形成覆盖凹部7的电介质膜8并且覆盖凹部7的开口的周缘部的金属膜9的工序。首先，在第七工序中，在被蚀刻的电介质膜8上形成有用于形成金属膜9的图案P3。图案P3位于电介质膜8，并具有俯视观察时的形状为矩形的开口。该开口包含凹部7以及该周缘部。接下来，在第八工序中，在具有图案P3的元件原材料的表面，例如通过真空蒸镀形成金属膜9。然后，去除图案P3。如此，实施用于形成金属膜9的图案、成膜以及图案的去除。
所述制造方法还包含在作为所述光波导的部分的第二包覆层4上形成电极层10的工序。该工序例如能够通过后述的第九工序来实施。图10的(a)为示意地表示半导体激光器元件303的制造过程的第九工序的制造物的立体图。图10(b)为示意地表示沿图10的(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。
形成所述电极层的工序例如为，在金属膜9上形成俯视观察半导体激光器元件时覆盖金属膜9的导电膜的工序。在第九工序中，在形成有金属膜9的所述元件原材料上，例如通过真空蒸镀形成电极层10。电极层10例如具有金和钛这两层结构。首先，以金的薄膜来形成，接下来形成钛的薄膜，从而形成电极层10。如此，为p侧电极且兼具固定金属膜9的功能的电极层10被形成。
所述制造方法例如还包含对形成有所述电极层的半导体激光器元件前体进行清洗的工序(清洗工序)。半导体激光器元件前体为半导体激光器元件的一个制造过程的半成品。清洗工序的半导体激光器元件前体也可以是向所述的工序供给的元件原材料，也可以是作为该集合体的元件块，也可以是作为元件块的集合体的晶圆。所述的清洗工序例如能够通过后述的第十工序来实施。图11的(a)为示意地表示半导体激光器元件303的制造过程的向第十工序供给的制造物的立体图。如上所述，所述元件原材料形成于晶圆。该晶圆通过公知的方法来清洗。如此，元件原材料以晶圆的状态进行清洗。通过该清洗，将在至此的制造过程中产生并附着于元件原材料的灰尘从元件原材料去除。
所述制造方法例如还包含形成覆盖所述半导体激光器元件前体的第一端侧的端面的端面涂膜的工序。该工序的半导体激光器元件前体形成有半导体激光器元件303的一端面6即可，也可以是前述的元件原材料，也可以是元件块。形成所述的端面涂膜的工序例如能够通过后述的第十一工序来实施。图11的(b)为示意地表示半导体激光器元件303的制造过程的第十一工序的制造物的立体图。从所述晶圆切出多个所述的元件原材料相连的元件块DB1。元件块DB1为矩形的块，并具有任意元件原材料的作为第一端的端面(射出面)的一面。在第十一工序中，在所述一面上例如通过前述的ECR等离子CVD制作Al2O3等电介质的薄膜(端面涂膜11)。
所述制造方法还能够包含从半导体激光器元件的块(元件块)DB1截取半导体激光器元件303的工序。该工序例如能够通过后述的第十二工序来实施。图12为示意地表示半导体激光器元件303的制造过程的第十二工序的制造物的立体图。在第十二工序中，元件块DB1通过公知的方法切成元件单位。如此，获得半导体激光器元件303。
如以上说明那样，所述制造方法在基板1上的第一表面依次包含第一包覆层2、活性层3、第二包覆层4，例如在通过外延生长形成的该层叠体结构中，包含形成作为光波导的结构的工序。在作为光波导的结构中，以一定的宽度设置有波长比活性层3的光致发光波长短的窗区域5。
而且，从窗区域5内的表面侧通过蚀刻设置凹部7，将凹部7的光波导结构侧的侧面设为与该光波导结构近似垂直的蚀刻镜(反射面)。然后，蚀刻镜通过在该侧面形成电介质膜8的工序和在电介质膜8上形成金属膜9的工序来形成。通过金属膜9形成于电介质膜8上，来防止由半导体激光器元件303的金属膜9引起的p侧与n侧的短路。
另一方的反射面(射出面)通过劈开而形成为与光波导近似垂直。然后，在该劈开镜面上形成有电介质膜(端面涂膜11)。激光的主射出侧(前表面)为了使激光器的放射图案稳定化，而需要是较高的精度且端面平坦。反射面通过蚀刻来形成，因此与解理面相比其平面性变低。通过劈开以及电介质的端面涂膜的形成来形成射出面，从控制为所要的激光器的光放射图案的观点出发是进一步优选的。
金属膜9也可以被图案化。此外，也可以追加于金属膜9而还形成不同种类的金属膜(例如作为二层结构的导电层的电极层10)。此外，金属膜9如上所述从凹部7的内表面达到开口的周缘部地形成。如此，优选金属膜9配置为，从反射面的端通过凹部7的开口端缘而绕入至半导体激光器元件的上表面侧。通过这样的配置，金属膜9相对于电介质膜8的密合性进一步提高，金属膜9更加难以被剥离。另外，优选金属膜9的金属材料为激光的反射率稳定的金(Au)。
在本实施方式的所述的制造方法中，能够在反射面的制造后对半导体激光器元件前体进行清洗，此外，能够由单层构成射出面的端面涂膜11。因此，半导体激光器元件303在完成时，几乎不具有制造过程中产生的灰尘。因此，半导体激光器元件303与以往的半导体激光器元件相比，所述灰尘的污染以及由该灰尘引起的可靠性的下降得以抑制。
[与现有技术的对比]
在此，对以往的半导体激光器元件以及其制造方法进行说明。图14的(a)为示意地表示以往的半导体激光器元件的一个示例的结构的立体图。图14的(b)为示意地表示沿图14的(a)的线L剖切所述半导体激光器元件的情况下的剖切面的结构的图。半导体激光器元件100如图14的(a)以及图14的(b)所示，在半导体激光器元件的第二端的端面为反射面且该反射面由多个电介质膜的层叠体构成这一点，与实施方式的半导体激光器元件303不同。
即，以往的半导体激光器元件100基本上依次具有基板1、第一包覆层2、活性层3、第二包覆层4以及电极层10。在半导体激光器元件100的光波导的两端形成有窗区域5，在层叠方向上的窗区域5与电极层10之间配置有电介质膜8。半导体激光器元件100的第一端的端面由电介质制的端面涂膜11构成，第二端的端面由电介质多层膜21构成。
半导体激光器元件100能够通过以下的制造方法进行制造。图15的(a)为示意地表示半导体激光器元件100的制造过程的第一工序的制造物的立体图。图15的(b)为示意地表示沿图15的(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。在第一工序中，与前述的实施方式同样地制作空气脊结构。
图16的(a)为示意地表示半导体激光器元件100的制造过程的第二工序的制造物的立体图。图16的(b)为示意地表示沿图16的(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。图17的(a)为示意地表示半导体激光器元件100的制造过程的第三工序的制造物的立体图。图17的(b)为示意地表示沿图17的(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。图18的(a)为示意地表示半导体激光器元件100的制造过程的第四工序的制造物的立体图。图18的(b)为示意地表示沿图18的(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。对于空气脊结构的凸部的上表面的露出，除使用图案P11以外与前述的实施方式的露出相同。此外，在露出的第二包覆层4上形成电介质膜8的方法与前述的实施方式的方法相同。
图19的(a)为示意地表示半导体激光器元件100的制造过程的第五工序的制造物的立体图。图19的(b)为示意地表示沿图19的(a)的线L剖切所述制造物的情况下的剖切面的结构的图。对于电极层10的制作，除在形成有电介质膜8的元件原材料上直接制作电极层10以外，与前述的实施方式的制作相同。
图20的(a)为示意地表示半导体激光器元件100的制造过程的向第六工序供给的制造物的立体图。在半导体激光器元件100的制造中，在第六工序中，在元件块DB2的半导体激光器元件100的第一端侧的端面(射出面)侧的面，一体地制作电介质制的端面涂膜11。端面涂膜11的制作法与前述的实施方式的制作法相同。
图20的(b)为示意地表示半导体激光器元件100的制造过程的第七工序的制造物的立体图。在第七工序中，在半导体激光器元件100的第二端的端面，制作作为反射面的电介质的多层膜(电介质多层膜21)。电介质多层膜21通过多次层叠电介质膜来制作。
图21为示意地表示半导体激光器元件100的制造过程的第八工序的制造物的立体图。在两端面制作所述那样的电介质膜后，从元件块DB2截取半导体激光器元件100。如此，制作半导体激光器元件100。
[防止污染的机理的说明]
以往的半导体激光器元件如上所述，前表面(射出面)以及后表面(反射面)例如均为由电介质的蒸镀实施的端面涂膜。特别是，在以往的半导体激光器元件中，其表面为了实现高反射率，而通过多层且厚膜的蒸镀膜来形成。后表面的膜为多层且厚膜，因此易于产生因电介质从膜剥离而产生的灰尘。
再者，搭载于汽车的半导体激光器元件的使用环境严峻。此外，光源的合格与否与乘员的安全有关。因此，谋求提高各个半导体激光器元件的品质以及可靠性。
例如，在半导体激光器元件的端面附着有灰尘的情况下，存在有因该灰尘的材质等，而引起半导体激光器元件的性能显著的下降的可能性。因而，重要是防止灰尘向半导体激光器元件的端面的附着，生产清洁的半导体激光器元件。
半导体激光器元件的射出面的发光部分通常伴随着发光而产生发热，存在有光镊效果。因此，想到了该发光部分会吸引污染。此外不仅在制造时，在半导体激光器元件的利用时也谋求保持清洁。另外，性能的下降例如可以说是，半导体激光器元件的可靠性的下降且激光器发光图案变化。
半导体激光器元件的所述灰尘的示例中包含源自端面涂膜的灰尘、以及源自吸附于该元件的制造过程的灰尘。为了从半导体激光器元件去除该灰尘，理想的是，在从所述晶圆切开各个半导体激光器元件后对该元件进行清洗。然而，对于将各个半导体激光器元件固定于片材上进行清洗，在成本方面以及技术方面成为较大的负担。因而，重要的是，首先抑制灰尘的产生，将半导体激光器元件的端面(射出面)的发光部分维持为清洁状态。
在本实施方式的半导体激光器元件303的制造中，光波导的射出侧的端面(射出面)由电介质的蒸镀的端面涂膜11构成，光波导的与射出侧相反侧的端面(反射面)由电介质膜8和金属膜9的层叠结构构成。
就反射面而言，金属膜9位于其表面侧。因此，在将半导体激光器元件303从所述晶圆或元件块DB1切开前进行清洗，能够将制造过程中附着的灰尘从半导体激光器元件的元件块DB1去除。射出面由电介质的膜构成，但射出面的反射率低且射出面的膜厚较薄。因此，端面涂膜难以剥离。因此，本实施方式的半导体激光器元件303与以往的半导体激光器元件100相比，能够将因电介质制的膜的剥离产生的灰尘大幅地降低为例如一半以下。
如此，在本实施方式中，能够将因膜剥离产生的灰尘降低为一半以下，此外，能够在半导体激光器元件的制造过程的晶圆或元件块的状态下进行清洗，因此能够降低所述灰尘。
对于灰尘的降低，在多色的、例如将红色激光器与蓝色激光器配置于同一半导体激光器元件的复合的半导体激光器元件中，能够灰尘降低向蓝色激光器的端面的吸附。因此，作为显示器用或者投影仪用的高性能的RGB元件能够使用所述半导体激光器元件进行生产。
此外，如上所述，在汽车搭载用的半导体激光器元件中，存在有源自该元件的灰尘的产生对该元件的周边的电子零件产生重大的影响的可能性。因此，重要的是所述灰尘的降低。本实施方式的半导体激光器元件能够抑制灰尘的产生，因此作为汽车搭载用的半导体激光器元件是有利的。
如上所述，在本实施方式的半导体激光器元件的制造中，能够与以往的半导体激光器元件的制造的端面的涂布的次数相比，将端面的涂布的次数减少到一半或其以下。因此，能够降低由蒸镀时的电介质的附着产生的污染。
此外，在以往的半导体激光器元件的制造中，在通过蒸镀在元件原材料的第一端的端面形成电介质的膜的期间，有时在放置的第二端的端面上产生氧化。因该氧化，例如第二端的端面的成膜性会下降，并产生膜的剥离，由此有时半导体激光器元件的可靠性会下降。然而，在本实施方式中，在半导体激光器元件的第一端的端面形成有作为单层的电介质膜的端面涂膜，在第二端的端面可以不形成电介质的膜。
如此在本实施方式中，端面处的电介质的蒸镀的成膜的次数减半，且可防止应形成电介质的膜的端面的氧化。因此，根据本实施方式，端面的成膜在第一端的端面处的成膜可以为一次，因此期待该成膜的材料以及工时的降低。
本实施方式的半导体激光器元件能够用于帧激光器等、具有该半导体激光器元件的发光装置。
[发光装置]
图13为示意地表示本发明的一个实施方式的发光装置的结构的立体图。如图13所示，帧激光器(发光装置)300具有：激光器封装301、准直透镜保持器302、半导体激光器元件303、杆(stem)304、基座305以及准直透镜306。
激光器封装301为，用于收容半导体激光器元件303以及其他光学零件的壳体。准直透镜保持器302为，具有用于将从半导体激光器元件303射出的激光的光束向所期望的方向控制的孔或狭缝的器具。杆304为线缆的焊盘。杆304通过线缆与半导体激光器元件303电连接。基座305为对半导体激光器元件303进行支承的基部。基座305例如由电介质构成。半导体激光器元件303使凸部4B朝向基座305，并在所谓的结朝下(junction-down)的位置利用AuSn等粘接材料粘贴于基座305。准直透镜306配置于从半导体激光器元件303进行振荡的激光的光路上。
如此，帧激光器300除对半导体激光器元件使用前述的实施方式的元件以外，与公知的帧激光器同样地构成。
根据前述的说明可知，半导体激光器元件303具有如下结构：在凸部4B的与光波导对应的部分(特别是也称作“前方凸部”)的周围具有与前方凸部同等的高度。即，半导体激光器元件303具有与所述前方凸部相同的高度的结构(例如，槽4A的凸部4B的对侧的部分等)、或者比前方凸部更高的结构(例如，比凸部4B的凹部7靠第二端侧的部分(特别是也称作“后方凸部”)等)。因此，在半导体激光器元件303以结朝下安装于基座305的情况下，施加于前方凸部的应力向所述的结构扩散。因此，根据帧激光器300的半导体激光器元件303的所述配置，可期待降低对与光波导对应的前方凸部的损伤。
所述后方凸部的长度(半导体激光器元件303的长边方向的长度)优选为，对于实现用于从前述的晶圆向元件块的分离的剖切而充分长，从晶圆的利用效率的观点出发，优选较短。从这样的观点出发，所述后方凸部的长度优选为例如10～15μm。
另外，凹部7的长度(半导体激光器元件303的长边方向的长度)优选为，对于能够形成电介质膜8和金属膜9而充分长，从晶圆的利用效率的观点出发，优选较短。从这样的观点出发，如上所述，凹部7的长度优选为例如5～20μm。
在帧激光器300中，更具体而言，半导体激光器元件303也可以为红色激光器用的元件。在该情况下，对于各部分的材料，基板1也可以为GaAs，第一包覆层2以及第二包覆层4也可以分别为AlGaInP，活性层3也可以为InGaAs，也可以在所述光波导的两端部具有窗区域5。此外，电介质膜8也可以为SiO2，金属膜9也可以为Au，电极层10也可以为Ti/Au的层叠体，端面涂膜11也可以为Al2O3。该半导体激光器元件303的一端面6的红色激光(波长约830nm)的反射率为5％以下。具有所述的结构的帧激光器300例如应用于汽车的自动驾驶用的传感器。
〔变形例〕
本发明的实施方式的半导体激光器元件以及发光装置也可以在获得前述实施方式的效果的范围内还包含其他结构，也可以将一部分的结构置换为其他结构。
例如，所述半导体激光器元件也可以还具有配置于金属膜上的导电膜。该导电膜如上所述也可以兼用作电极层，也可以与电极层分别地形成。该导电膜也与所述电极层同样地，也可以依次具有密接层以及保护层，所述保护层的材料也可以为选自由Ti、W、Ta、Nb、Ni以及Pt构成的组中的至少一种材料。
另外，电极层并不限定于密接层与保护层的层叠结构，例如也可以是金属的单层。
此外，所述反射面如果是至少横穿所述活性层的面，则也可以不是凹部的第一端侧的侧面。例如，所述反射面也可以是形成于所述元件原材料的贯穿孔的壁面。
此外，所述凹部具有在其形成时至少供活性层露出的深度即可。例如，凹部也可以具有从第二包覆层到第一包覆层的表面的深度。如此，凹部也可以具有从第二包覆层到第一包覆层的表面与基板内之间的任意的位置的深度。
此外，在半导体激光器元件的制造中，清洗工序的清洗的对象物并不限于形成电极层10后的晶圆，在能够去除制造过程中产生的灰尘的范围内，能够以任意的时机来实施。例如，清洗工序的清洗的对象物也可以是从晶圆切开的元件块。在该情况下，清洗工序也可以在形成端面涂布层前，也可以在形成端面涂布层后。
此外，本实施方式的半导体激光器元件的制造方法，在可获得前述的实施方式的效果的范围内，也可以具有前述以外的其他工序。例如，所述制造方法也可以包含通过例如外延生长形成在基板上的第一表面依次包含第一包覆层、活性层、第二包覆层的层叠体结构的工序。
此外，所述制造方法也可以还在任意的时期包含在第一包覆层侧例如基板的第一包覆层的相反侧的表面形成n侧的电极层的工序。n侧的电极层的材料的示例包含金、锡以及它们的合金。
此外，所述发光装置(帧激光器)在结朝下的位置将半导体激光器元件配置于基座上，但也可以配置在结向上(junction-up)的位置。
〔总结〕
本发明的方式1的半导体激光器元件303依次具有第一包覆层2、活性层3、第二包覆层4以及电极层10，半导体激光器元件303具有：光波导，其朝向半导体激光器元件303的第一端的端面(一端面6)而从半导体激光器元件303的第二端的端面的内侧延伸；及反射面，其横穿配置于该光波导的所述第二端侧的端部的活性层3，该反射面从活性层3的一侧依次具有电介质膜8以及金属膜9。
根据所述的结构，与半导体激光器元件303的端面分别地形成有所述反射面。因此，无需端面的多层的电介质膜的反射面。此外，能够在端面的成膜之前形成反射面，因此因端面的成膜引起的灰尘的附着得以抑制。因此，根据所述构成，在半导体激光器元件303中，能够实现可充分抑制源自制造过程的污染的较高的可靠性。
就本发明的方式2的半导体激光器元件303而言，在所述方式1的基础上，金属膜9也可以在俯视观察半导体激光器元件303时，从所述反射面延伸至第二包覆层4的一部分之上。
根据所述的结构，金属膜9更加易于卡定于半导体激光器元件303。因此，根据所述的结构，从提高金属膜9相对于电介质膜8的密合性的观点出发是更有效的。
就本发明的方式3的半导体激光器元件303而言，在所述方式1或2的基础上，也可以半导体激光器元件303还在所述第二端的端面的内侧具有凹部7，所述反射面为凹部7的半导体激光器元件303的所述第一端侧的侧面。
根据所述的结构，能够通过蚀刻等公知的方法更加简单且精密制作所述反射面。
就本发明的方式4的半导体激光器元件303而言，在所述方式3的方式的基础上，金属膜9也可以在俯视观察半导体激光器元件303时，从第二包覆层4的所述反射面或凹部7延伸至所述半导体激光器元件303的外缘之间的位置。
根据所述的结构，通过防止由金属膜9引起的短路，并且从提高金属膜9相对于电介质膜8的密合性的观点出发是更加有效的。
就本发明的方式5的半导体激光器元件303而言，在所述方式3或4的方式的基础上，凹部7也可以具有从第二包覆层4至少达到第一包覆层2的深度。
根据所述的结构，在凹部7的深度方向上，所述反射面可靠地横穿活性层3。此外，对于从第二包覆层4到第一包覆层2，通常能够以相同的方法或条件形成凹部7。因此，根据所述的结构，能够更可靠且简单地形成凹部7。
就本发明的方式6的半导体激光器元件303而言，在所述方式1～5中任意方式的基础上，一端面6也可以为解理面。
根据所述的结构，能够更容易地控制射出面的反射率。
就本发明的方式7的半导体激光器元件303而言，在所述方式1～6中任意方式的基础上，也可以还具有覆盖一端面6的电介质膜(电介质制的端面涂膜11)。
根据所述的结构，能够更加容易地控制光波导的射出面的反射率。
就本发明的方式8的半导体激光器元件303而言，在所述方式1～7中任意方式的基础上，也可以还在所述光波导的两端部具有与该光波导的中央部相比激光的吸收少的窗区域5。
根据所述的结构，伴随着激光器的射出的活性层3的熔融得以抑制，能够更加提高半导体激光器元件303的耐久性以及可靠性。
就本发明的方式9的半导体激光器元件303而言，在所述方式1～8中任意方式的基础上，电极层10也可以配置于金属膜9上。
根据所述的结构，能够进一步提高半导体激光器元件303的金属膜9以及电极层10的密合性。
就本发明的方式10的半导体激光器元件303而言，在所述方式9的方式的基础上，也可以电极层10从金属膜9侧依次具有密接层以及保护层，该保护层的材料为选自由Ti、W、Ta、Nb、Ni以及Pt构成的组中的至少一种材料。
根据所述的结构，能够更加提高金属膜9与电极层10之间的密合性和电极层10的耐久性。
就本发明的方式11的半导体激光器元件303而言，在所述方式1～10中任意方式的基础上，金属膜9的金属也可以为选自由Au、Al以及Ag构成的组中的至少一种金属。
根据所述的结构，能够更加提高所述反射面的反射率的稳定性。
本发明的方式12的半导体激光器元件303的制造方法包含：在基板1上，在依次具有第一包覆层2、活性层3以及第二包覆层4的元件原材料的第二包覆层4上，形成从基板1的第一端延伸至第二端的作为光波导的部分的工序；在作为所述光波导的部分的第二端侧的端部，形成在第二包覆层4开口并且横穿活性层3的凹部7的工序；形成覆盖凹部7的侧面的所述第一端侧的、活性层3露出的部分的电介质膜8的工序；形成覆盖电介质膜8的金属膜9的工序；及在作为所述光波导的部分的第二包覆层4上形成电极层10的工序。
根据所述的结构，在凹部7内形成有反射面，因此无需在半导体激光器元件303的第二端的端面形成反射面。此外，反射面形成在凹部7内，因此不易附着源自端面的成膜的灰尘。因此，根据所述的结构，能够制造可充分抑制源自制造过程的污染的具有较高的可靠性的半导体激光器元件303。
就本发明的方式13的半导体激光器元件303的制造方法而言，在所述方式12的基础上，所述元件原材料也可以在所述光波导部分的两端部还包含与该光波导的中央部相比激光的吸收少的窗区域5。
根据所述的结构，伴随着激光器的射出的活性层3的熔融进一步得以抑制。因此，能够制造具有更高的耐久性以及可靠性的半导体激光器元件303。
就本发明的方式14的半导体激光器元件303的制造方法而言，在所述方式12或13的基础上，也可以形成所述电介质膜8的工序为形成覆盖凹部7的表面的电介质膜8的工序，形成金属膜9的工序为形成覆盖凹部7的电介质膜8并且覆盖凹部7的开口的周缘部的金属膜9的工序。
根据所述的结构，能够制作具有相对于半导体激光器元件303的更高的密合性的金属膜9，且能够在凹部7内更简单地制造能够防止由金属膜9引起的短路的反射面。
就本发明的方式15的半导体激光器元件303的制造方法而言，在所述方式12～14中任意方式的基础上，也可以在形成凹部7的工序中，形成具有从第二包覆层4至少达到第一包覆层2的深度的凹部7。
根据所述的结构，凹部7可靠地横穿活性层3，因此能够更可靠地制造横穿活性层3的反射面。此外，根据所述的结构，对于从第二包覆层4到第一包覆层2的凹部7，通常能够以相同的方法或条件形成凹部7，因此能够更可靠且简单地形成凹部7。
就本发明的方式16的半导体激光器元件303的制造方法而言，在所述方式12～15中任意方式的基础上，也可以在形成电极层10的工序中，形成还位于金属膜9上的电极层10。
根据所述的结构，能够制造在金属膜9以及电极层10之间具有更高的密合性的半导体激光器元件303。
就本发明的方式17的半导体激光器元件303的制造方法而言，在所述方式12～16中任意方式的基础上，也可以还包含形成覆盖形成有电极层10的半导体激光器元件前体的一端面6的电介质膜(端面涂膜11)的工序。
根据所述的结构，能够更加容易地控制光波导的射出面的反射率。
就本发明的方式18的半导体激光器元件303的制造方法而言，在所述方式12～17中任意方式的基础上，也可以还包含对形成有电极层10的半导体激光器元件前体进行清洗的工序。
根据所述的结构，能够从该前体去除制造过程中附着于所述前体灰尘。因此，能够制造具有更高的可靠性的半导体激光器元件303。
就本发明的方式19的半导体激光器元件303的制造方法而言，在所述方式12～18中任意方式的基础上，也可以形成作为所述光波导的部分的工序为在第二包覆层4形成从基板1的所述第一端延伸至所述第二端的并列的两根槽的工序，作为所述光波导的部分被包含在位于俯视观察所述半导体激光器元件303时的所述两根槽之间的凸部中。
根据所述的结构，能够制造更简单地控制并确定射出面的发光位置的半导体激光器元件303。此外，通过所述构成制造的半导体激光器元件303在将所述凸部以及槽朝向基体安装的情况下，被所述槽间的凸部和所述槽的两侧部支承。因此，根据所述的结构，能够制造所述凸部对半导体激光器元件303的应力进一步缓和的半导体激光器元件303。
本发明的方式20的发光装置(帧激光器300)具有所述方式1～11中任意方式的半导体激光器元件303。
根据所述的结构，能够实现具有更高的可靠性的发光装置。
本发明并不限定于上述的各实施方式，在权利要求所示的范围内能够实施各种变更，通过对不同的实施方式中分别公开的技术手段进行适当组合而获得的实施方式也包含于本发明的技术范围中。而且，通过对各实施方式中分别公开的技术手段进行组合，能够形成新的技术特征。
附图标记说明
1：基板
2：第一包覆层
3：活性层
4：第二包覆层
4A：槽
4B：凸部
5：窗区域
6：一端面
7：凹部
8：电介质膜
9：金属膜
10：电极层
11：端面涂膜
21：电介质多层膜
100、303：半导体激光器元件
300：帧激光器
301：激光器封装
302：准直透镜保持器
304：杆
305：基座
306：准直透镜
DB1、DB2：元件块
L：表示剖切面的位置的线
P1～P3、P11：图案。

Claims (20)

1.一种半导体激光器元件，依次具有第一包覆层、活性层、第二包覆层以及电极层，
所述半导体激光器元件的特征在于，具有：
光波导，其朝向所述半导体激光器元件的第一端的端面而从所述半导体激光器元件的第二端的端面的内侧起延伸；及
反射面，其横穿配置于所述光波导的所述第二端侧的端部的所述活性层，
所述反射面从所述活性层的一侧依次具有电介质膜以及金属膜。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器元件，其特征在于，
所述金属膜在俯视观察所述半导体激光器元件时，从所述反射面延伸至所述第二包覆层的一部分之上。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器元件，其特征在于，
所述半导体激光器元件还在所述第二端的端面的内侧具有凹部，
所述反射面为所述凹部的所述第一端侧的侧面。
4.根据权利要求3所述的半导体激光器元件，其特征在于，
所述金属膜在俯视观察所述半导体激光器元件时，从所述第二包覆层的所述反射面或所述凹部延伸至所述半导体激光器元件的外缘之间的位置。
5.根据权利要求3所述的半导体激光器元件，其特征在于，
所述凹部具有从所述第二包覆层至少达到所述第一包覆层的深度。
6.根据权利要求1所述的半导体激光器元件，其特征在于，
所述第一端的端面为解理面。
7.根据权利要求1所述的半导体激光器元件，其特征在于，
还具有覆盖所述第一端的端面的电介质膜。
8.根据权利要求1所述的半导体激光器元件，其特征在于，
还在所述光波导的两端部具有与所述光波导的中央部相比激光的吸收少的窗区域。
9.根据权利要求1所述的半导体激光器元件，其特征在于，
所述电极层还配置于所述金属膜上。
10.根据权利要求9所述的半导体激光器元件，其特征在于，
所述电极层从所述金属膜侧依次具有密接层以及保护层，所述保护层的材料为选自由Ti、W、Ta、Nb、Ni以及Pt构成的组中的至少一种材料。
11.根据权利要求1所述的半导体激光器元件，其特征在于，
所述金属膜的金属为选自由Au、Al以及Ag构成的组中的至少一种金属。
12.一种半导体激光器元件的制造方法，其特征在于，包含：
在基板上，在依次具有第一包覆层、活性层以及第二包覆层的元件原材料的所述第二包覆层上形成从所述基板的第一端延伸至第二端的作为光波导的部分的工序；
在作为所述光波导的部分的所述第二端侧的端部，形成在所述第二包覆层开口并且横穿所述活性层的凹部的工序；
形成覆盖所述凹部的侧面的所述第一端侧的、所述活性层露出的部分的电介质膜的工序；
形成覆盖所述电介质膜的金属膜的工序；及
在作为所述光波导的部分的所述第二包覆层上形成电极层的工序。
13.根据权利要求12所述的半导体激光器元件的制造方法，其特征在于，
所述元件原材料还在作为所述光波导的部分的两端部，包含与所述光波导的中央部相比激光的吸收少的窗区域。
14.根据权利要求12所述的半导体激光器元件的制造方法，其特征在于，
形成所述电介质膜的工序为，形成覆盖所述凹部的表面的所述电介质膜的工序，
在形成所述金属膜的工序中，形成覆盖所述凹部的所述电介质膜并且覆盖所述凹部的开口的周缘部的所述金属膜。
15.根据权利要求12所述的半导体激光器元件的制造方法，其特征在于，
在形成所述凹部的工序中，形成从所述第二包覆层至少达到所述第一包覆层的深度的所述凹部。
16.根据权利要求12所述的半导体激光器元件的制造方法，其特征在于，
在形成所述电极层的工序中，形成还位于所述金属膜上的所述电极层。
17.根据权利要求12所述的半导体激光器元件的制造方法，其特征在于，
还包括形成覆盖形成有所述电极层的半导体激光器元件前体的所述第一端侧的端面的电介质膜的工序。
18.根据权利要求12所述的半导体激光器元件的制造方法，其特征在于，
还包括清洗形成有所述电极层的半导体激光器元件前体的工序。
19.根据权利要求12所述的半导体激光器元件的制造方法，其特征在于，
形成作为所述光波导的部分的工序为，在所述第二包覆层形成从所述基板的所述第一端延伸至所述第二端的并列的两根槽的工序，作为所述光波导的部分被包含在位于俯视观察所述半导体激光器元件时的所述两根槽之间的凸部中。
20.一种发光装置，其特征在于，
具有权利要求1所述的半导体激光器元件。
CN201910024786.3A 2018-01-18 2019-01-10 半导体激光器元件、其制造方法以及发光装置 Active CN110061419B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018006496A JP2019125738A (ja) 2018-01-18 2018-01-18 半導体レーザ素子、その製造方法および発光装置
JP2018-006496 2018-01-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110061419A true CN110061419A (zh) 2019-07-26
CN110061419B CN110061419B (zh) 2021-01-08

Family

ID=67214277

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910024786.3A Active CN110061419B (zh) 2018-01-18 2019-01-10 半导体激光器元件、其制造方法以及发光装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10998695B2 (zh)
JP (1) JP2019125738A (zh)
CN (1) CN110061419B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7121536B2 (ja) * 2018-05-18 2022-08-18 株式会社堀場製作所 半導体レーザ素子の製造方法及びその半導体レーザ装置並びにガス分析装置
US11125689B2 (en) * 2018-07-13 2021-09-21 The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Highly stable semiconductor lasers and sensors for III-V and silicon photonic integrated circuits
DE112021002697A5 (de) * 2020-05-12 2023-02-16 Ams-Osram International Gmbh Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips
CN114336268B (zh) * 2022-03-04 2022-05-31 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 一种高可靠性低缺陷半导体发光器件及其制备方法
DE102022115644A1 (de) * 2022-06-23 2023-12-28 Ams-Osram International Gmbh Laserdiodenbauelement und verfahren zur herstellung zumindest eines laserdiodenbauelements

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5228047A (en) * 1990-09-21 1993-07-13 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device and a method for producing the same
CN1509508A (zh) * 2001-06-15 2004-06-30 ���ǻ�ѧ��ҵ��ʽ���� 半导体激光器元件及其制造方法
CN1527450A (zh) * 2003-09-24 2004-09-08 中国科学院上海微系统与信息技术研究 用于半导体激光器后腔面的高反射率膜系及其镀膜用夹具
CN101499621A (zh) * 2008-01-21 2009-08-05 三洋电机株式会社 半导体激光元件及其制造方法
CN101809833A (zh) * 2007-09-28 2010-08-18 三洋电机株式会社 氮化物类半导体发光元件、氮化物类半导体激光元件、氮化物类半导体发光二极管及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法
CN104303381A (zh) * 2012-05-18 2015-01-21 住友电气工业株式会社 Iii族氮化物半导体激光元件

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4845725A (en) * 1987-05-20 1989-07-04 Spectra Diode Laboratories, Inc. Window laser with high power reduced divergence output
JP2000031579A (ja) 1999-06-23 2000-01-28 Mitsubishi Chemicals Corp エッチトミラ―型化合物半導体レ―ザ―集積素子
US20070104242A1 (en) * 2003-11-28 2007-05-10 Nec Corporation Distributed-feedback semiconductor laser, distributed-feedback semiconductor laser array, and optical module

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5228047A (en) * 1990-09-21 1993-07-13 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device and a method for producing the same
CN1509508A (zh) * 2001-06-15 2004-06-30 ���ǻ�ѧ��ҵ��ʽ���� 半导体激光器元件及其制造方法
CN1527450A (zh) * 2003-09-24 2004-09-08 中国科学院上海微系统与信息技术研究 用于半导体激光器后腔面的高反射率膜系及其镀膜用夹具
CN101809833A (zh) * 2007-09-28 2010-08-18 三洋电机株式会社 氮化物类半导体发光元件、氮化物类半导体激光元件、氮化物类半导体发光二极管及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法
CN101499621A (zh) * 2008-01-21 2009-08-05 三洋电机株式会社 半导体激光元件及其制造方法
CN104303381A (zh) * 2012-05-18 2015-01-21 住友电气工业株式会社 Iii族氮化物半导体激光元件

Also Published As

Publication number Publication date
US10998695B2 (en) 2021-05-04
CN110061419B (zh) 2021-01-08
US20190221999A1 (en) 2019-07-18
JP2019125738A (ja) 2019-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110061419A (zh) 半导体激光器元件、其制造方法以及发光装置
JP4330476B2 (ja) 半導体発光素子
JP7078045B2 (ja) 発光素子及び発光素子アレイ
US7555025B2 (en) Semiconductor laser device
JP5021693B2 (ja) 半導体発光素子
CN1713468B (zh) 用于晶片级光电封装的封盖及其制造方法
WO2014178651A1 (ko) 반도체 발광소자
JP2010067891A (ja) 発光素子
JP2006203162A (ja) 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP6094632B2 (ja) 半導体レーザ素子
CN104348085B (zh) 发光元件、其制造方法和显示设备
KR20090027220A (ko) 반도체발광소자 및 제조방법
JP2010068007A (ja) 窒化物半導体レーザ素子
JP2020145391A (ja) 半導体光素子、光モジュール、及び半導体光素子の製造方法
JP4178022B2 (ja) 半導体レーザ素子およびその製造方法、並びに、その製造方法に用いる治具
JP5391804B2 (ja) 半導体素子及びその製造方法
US20200176952A1 (en) Surface emitting laser and method of manufacturing the same
KR101378948B1 (ko) 반도체 발광소자
JPH1197789A (ja) 半導体レーザ装置
JPWO2011058890A1 (ja) 発光素子
JP4983398B2 (ja) 半導体レーザ素子
US8878218B2 (en) Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same
JP2007281277A (ja) 半導体レーザ素子の製造方法
KR20160073366A (ko) 반도체 발광소자
JPS63141385A (ja) マルチビ−ム半導体レ−ザ装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220321

Address after: Asahi 1, Damen Machi, Fukuyama, Hiroshima, Japan

Patentee after: Sharp Fukuyama laser Co.,Ltd.

Address before: No. 1, no Japanese country

Patentee before: Sharp Corp.

TR01 Transfer of patent right