CN110054214A - 基于三氟乙酸盐诱导的小晶粒CsPbX3钙钛矿薄膜的制备方法 - Google Patents

基于三氟乙酸盐诱导的小晶粒CsPbX3钙钛矿薄膜的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种基于三氟乙酸盐诱导的小晶粒CsPbX3钙钛矿薄膜的制备方法，首先制备CsPbX3钙钛矿前驱体溶液，然后采用旋涂工艺，将CsPbX3钙钛矿前驱体溶液设置于衬底上并固化退火成膜。在紫外灯的照射下，CsPbX3钙钛矿薄膜会根据卤素X的不同而呈现不同的颜色。本发明摒弃了传统用于制备CsPbX3钙钛矿薄膜的铯源溴化铯(CsBr)，采用三氟乙酸铯(CsTFA)作为新的铯源，制备的钙钛矿薄膜成本明显减少，采用本发明制备的CsPbX3薄膜相比于传统方法制备的CsPbX3薄膜稳定性得到明显提高，钙钛矿粒径得到明显的减小，制备工艺更加环保和绿色健康。

Description

基于三氟乙酸盐诱导的小晶粒CsPbX3钙钛矿薄膜的制备方法
技术领域
本发明涉及一种钙钛矿薄膜的制备方法，特别是涉及一种全无机铯铅卤钙钛矿薄膜的制备方法，应用于光电材料或半导体材料制备工艺技术领域。
背景技术
基于全无机铯铅卤钙钛矿，即CsPbX3，其中X为Cl、Br或I，由于其具有颜色饱和度高、出色的载流子迁移率，低成本制造及热稳定性和化学稳定性高等独特优势，在新型显示和固态照明领域备受关注，具备广阔的市场应用价值。
然而，先前报道的CsPbX3钙钛矿薄膜表现出较差的性能，主要受晶界处相关陷阱态和大晶体尺寸的影响。相邻晶界处的陷阱态引起严重的非辐射能量转移，导致钙钛矿薄膜的较短光致发光(PL)寿命和低PL量子产率(QY)。较大的钙钛矿晶体尺寸则通常会降低辐射复合的可能性，从而降低在发光显示中应用的效率。为了减少无机CsPbX3薄膜的晶体尺寸，已经开发了几种策略，包括反溶剂蒸汽处理，聚合物添加剂辅助薄膜生长和前体溶液成分优化，然而这些策略虽然能一定程度上减小晶粒尺寸，但同时会制造出更多的晶界缺陷并因此产生更高密度的陷阱态。此外，在电场的诱导下，钙钛矿中组成的离子会沿着晶界迁移，进行离子迁移，这会引起钙钛矿发光层的非辐射复合，限制了发光器件性能并降低了器件稳定性。因此，很迫切需要研究出一种高效的薄膜的制备方法，即在获得小晶粒钙钛矿得同时，又能减少薄膜晶界缺陷。因此，寻求低成本、稳定好并且颗粒细化的CsPbX3钙钛矿薄膜制备工艺显得尤为重要，成为亟待解决的技术问题。
发明内容
为了解决现有技术问题，本发明的目的在于克服已有技术存在的不足，提供一种基于三氟乙酸盐诱导的小晶粒CsPbX3钙钛矿薄膜的制备方法，摒弃了传统用于制备CsPbX3钙钛矿薄膜的铯源卤化铯(CsX)，采用三氟乙酸铯(CsTFA)作为新的铯源，制备的钙钛矿薄膜成本明显减少，采用本发明制备的CsPbX3薄膜相比于传统方法制备的CsPbX3薄膜稳定性得到明显提高，钙钛矿粒径得到明显的减小。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种基于三氟乙酸盐诱导的小晶粒CsPbX3钙钛矿薄膜的制备方法，包括如下步骤：
a.CsPbX3钙钛矿前驱体溶液的制备：
采用三氟乙酸铯(CsTFA)、卤化铅(PbX2)作为原料，其中X为Cl、Br或I，按照CsTFA和PbX2的摩尔比为(1.3～1.9)：1配比，分别称量上述原料，并将原料溶解在无水二甲基亚砜(DMSO)中，得到原料混合液，并将原料混合液在温度为不低于60℃条件下加热，同时利用搅拌器进行搅拌，使原料混合液搅拌均匀过夜，然后采用孔隙尺寸不大于0.45μm孔径的过滤网对原料混合液进行过滤，得到均一的CsPbX3钙钛矿前驱体溶液，备用；优选按照CsTFA和PbX2的摩尔比为(1.5～1.9)：1配比制备CsPbX3钙钛矿前驱体溶液；进一步优选按照CsTFA和PbX2的摩尔比为(1.7～1.9)：1配比制备CsPbX3钙钛矿前驱体溶液；
b.CsPbX3钙钛矿薄膜的制备：
取不少于100ul的在所述步骤a中制备的CsPbX3钙钛矿前驱体溶液，滴在衬底上进行旋涂，在衬底表面形成一层CsPbX3钙钛矿前驱体液膜，并在不低于80℃下对液膜进行固化并退火处理至少10分钟，从而在衬底表面结合CsPbX3钙钛矿薄膜。优选在衬底表面结合CsPbX3钙钛矿薄膜的厚度不低于300nm。优选所制备的CsPbX3钙钛矿薄膜的全无机钙钛矿晶粒径范围在40-100nm之间。在紫外灯的照射下，CsPbX3钙钛矿薄膜会根据卤素X的不同而呈现不同的颜色。
本发明与现有技术相比较，具有如下显而易见的突出实质性特点和显著优点：
1.本发明方法使用CsTFA作为制备全无机钙钛矿薄膜的铯源，其材料成本低廉，利于产业化；且环境友好，用其作为铯源可以避免在制备全无机钙钛矿薄膜时，经常用到含有甲苯、氯苯或氯仿的“反溶剂”，制备工艺更加环保和绿色健康；
2.本发明方法形成全无机钙钛矿晶粒径显著减小，薄膜覆盖光滑平整，粗糙度低，没有空洞，薄膜晶界缺陷少，本发明所制备的CsPbX3钙钛矿薄膜质量高，性能稳定；
3.本发明方法使用的CsTFA不仅可以用作制备全无机钙钛矿薄膜时的铯源，其本身的三氟乙酸根离子团TFA-更是能和钙钛矿表面裸露的未配位的铅离子结合，钝化薄膜表面缺陷，抑制离子迁移，用于制作发光器件性能能显著提升了器件稳定性。
附图说明
图1为本发明实施例一制备的不同原料比例的CsPbBr3钙钛矿薄膜的发射光谱。
图2为现有技术和本发明实施例一制备的CsPbBr3钙钛矿薄膜的平面和横断面扫描电子显微镜图对比。
具体实施方式
以下结合具体的实施例子对上述方案做进一步说明，本发明的优选实施例详述如下：
实施例一：
在本实施例中，参见图1和图2，一种基于三氟乙酸盐诱导的小晶粒CsPbBr3钙钛矿薄膜的制备方法，包括如下步骤：
a.CsPbBr3钙钛矿前驱体溶液的制备：
采用三氟乙酸铯(CsTFA)、溴化铅(PbBr2)作为原料，按照CsTFA和PbBr2的摩尔比分别为1.3:1、1.5:1、1.7:1和1.9:1的配比，分别称量不同配比的上述原料，并分别将原料溶解在无水二甲基亚砜(DMSO)中，得到一系列原料混合液，并将各原料混合液设置于加热搅拌器上，在温度为60℃条件下加热，同时利用搅拌器进行搅拌，使原料混合液搅拌均匀过夜，然后采用孔隙尺寸为0.45μm孔径的聚四氟乙烯过滤器对原料混合液进行过滤，得到均一的CsPbBr3钙钛矿前驱体溶液，备用；
b.CsPbBr3钙钛矿薄膜的制备：
将制备好的样品衬底放置在旋涂仪中，取100ul的在所述步骤a中制备的CsPbBr3钙钛矿前驱体溶液，滴在衬底上，控制转速为4000rpm，进行旋涂40s，在衬底表面形成一层CsPbBr3钙钛矿前驱体液膜，然后将样品转移到加热台上对液膜进行固化，并在80℃下退火处理10分钟，从而在衬底表面结合生成厚度为300nm的CsPbBr3钙钛矿薄膜。
实验测试分析：
对本实施例方法得到CsPbBr3钙钛矿薄膜进行光学测试和微观观察，图1为本实施例方法制备的不同原料比例的CsPbBr3钙钛矿薄膜的发射光谱。从图可知，按照CsTFA和PbBr2的摩尔比分别为1.3:1、1.5:1、1.7:1和1.9:1的配比，随着CsTFA占比的增加，最终制备的CsPbBr3钙钛矿薄膜的发光强度增加。图2为现有技术和本实施例制备的CsPbBr3钙钛矿薄膜的平面和横断面扫描电子显微镜图对比。其中图a和图c为现有技术传统工艺采用铯源溴化铯(CsBr)制备CsPbBr3钙钛矿薄膜的平面和横断面扫描电子显微镜图；图b和图d为本实施例采用三氟乙酸铯(CsTFA)作为新的铯源制备CsPbBr3钙钛矿薄膜的平面和横断面扫描电子显微镜图。从图2可见，传统工艺采用铯源溴化铯(CsBr)制备CsPbBr3钙钛矿薄膜的晶粒的粒径主要在100～300nm之间，而本实施例采用三氟乙酸铯(CsTFA)作为新的铯源制备CsPbBr3钙钛矿薄膜的的晶粒的粒径低于80nm。在紫外灯的照射下，本实施例方法得到CsPbBr3钙钛矿薄膜会呈现绿色。
本实施例方法使用的CsTFA不仅可以用作制备全无机钙钛矿薄膜时的铯源，其本身的三氟乙酸根离子团TFA-更是能和钙钛矿表面裸露的未配位的铅离子结合，钝化薄膜表面缺陷，抑制离子迁移，用于制作发光器件性能能显著提升了器件稳定性。本实施例方法形成全无机钙钛矿晶粒径显著减小，薄膜覆盖光滑平整，粗糙度低，没有空洞，薄膜晶界缺陷少，本发明所制备的CsPbBr3钙钛矿薄膜质量高，性能稳定。本实施例制备的小晶粒全无机钙钛矿不仅适合用作光电材料，还能用作半导体材料。本实施例方法使用CsTFA作为制备全无机钙钛矿薄膜的铯源，其材料成本低廉，利于产业化；且环境友好，用其作为铯源可以避免在制备全无机钙钛矿薄膜时，经常用到含有甲苯、氯苯或氯仿的“反溶剂”，制备工艺更加环保和绿色健康。
实施例二：
本实施例与实施例一基本相同，特别之处在于：
在本实施例中，一种基于三氟乙酸盐诱导的小晶粒CsPbCl3钙钛矿薄膜的制备方法，包括如下步骤：
a.CsPbCl3钙钛矿前驱体溶液的制备：
采用三氟乙酸铯(CsTFA)、氯化铅(PbCl2)作为原料，按照CsTFA和PbCl2的摩尔比分别为1.3:1、1.5:1、1.7:1和1.9:1的配比，分别称量不同配比的上述原料，并分别将原料溶解在无水二甲基亚砜(DMSO)中，得到一系列原料混合液，并将各原料混合液设置于加热搅拌器上，在温度为60℃条件下加热，同时利用搅拌器进行搅拌，使原料混合液搅拌均匀过夜，然后采用孔隙尺寸为0.45μm孔径的聚四氟乙烯过滤器对原料混合液进行过滤，得到均一的CsPbCl3钙钛矿前驱体溶液，备用；
b.CsPbCl3钙钛矿薄膜的制备：
将制备好的样品衬底放置在旋涂仪中，取100ul的在所述步骤a中制备的CsPbCl3钙钛矿前驱体溶液，滴在衬底上，控制转速为4000rpm，进行旋涂40s，在衬底表面形成一层CsPbCl3钙钛矿前驱体液膜，然后将样品转移到加热台上对液膜进行固化，并在80℃下退火处理10分钟，从而在衬底表面结合生成厚度为300nm的CsPbCl3钙钛矿薄膜。
实验测试分析：
对本实施例方法得到CsPbCl3钙钛矿薄膜进行光学测试和微观观察，按照CsTFA和PbCl2的摩尔比分别为1.3:1、1.5:1、1.7:1和1.9:1的配比，随着CsTFA占比的增加，最终制备的CsPbCl3钙钛矿薄膜的发光强度增加。通过对比可知，传统工艺采用铯源氯化铯(CsCl)制备CsPbCl3钙钛矿薄膜的晶粒的粒径主要在100～200nm之间，而本实施例采用三氟乙酸铯(CsTFA)作为新的铯源制备CsPbCl3钙钛矿薄膜的晶粒的粒径低于60nm。在紫外灯的照射下，本实施例方法得到CsPbCl3钙钛矿薄膜会呈现蓝色。
本实施例方法使用的CsTFA不仅可以用作制备全无机钙钛矿薄膜时的铯源，其本身的三氟乙酸根离子团TFA-更是能和钙钛矿表面裸露的未配位的铅离子结合，钝化薄膜表面缺陷，抑制离子迁移，用于制作发光器件性能能显著提升了器件稳定性。本实施例方法形成全无机钙钛矿晶粒径显著减小，薄膜覆盖光滑平整，粗糙度低，没有空洞，薄膜晶界缺陷少，本发明所制备的CsPbCl3钙钛矿薄膜质量高，性能稳定。本实施例制备的小晶粒全无机钙钛矿不仅适合用作光电材料，还能用作半导体材料。本实施例方法使用CsTFA作为制备全无机钙钛矿薄膜的铯源，其材料成本低廉，利于产业化；且环境友好，用其作为铯源可以避免在制备全无机钙钛矿薄膜时，经常用到含有甲苯、氯苯或氯仿的“反溶剂”，制备工艺更加环保和绿色健康。
实施例三：
本实施例与前述实施例基本相同，特别之处在于：
在本实施例中，一种基于三氟乙酸盐诱导的小晶粒CsPbI3钙钛矿薄膜的制备方法，包括如下步骤：
a.CsPbI3钙钛矿前驱体溶液的制备：
采用三氟乙酸铯(CsTFA)、碘化铅(PbI2)作为原料，按照CsTFA和PbI2的摩尔比分别为1.3:1、1.5:1、1.7:1和1.9:1的配比，分别称量不同配比的上述原料，并分别将原料溶解在无水二甲基亚砜(DMSO)中，得到一系列原料混合液，并将各原料混合液设置于加热搅拌器上，在温度为60℃条件下加热，同时利用搅拌器进行搅拌，使原料混合液搅拌均匀过夜，然后采用孔隙尺寸为0.45μm孔径的聚四氟乙烯过滤器对原料混合液进行过滤，得到均一的CsPbI3钙钛矿前驱体溶液，备用；
b.CsPbI3钙钛矿薄膜的制备：
将制备好的样品衬底放置在旋涂仪中，取100ul的在所述步骤a中制备的CsPbI3钙钛矿前驱体溶液，滴在衬底上，控制转速为4000rpm，进行旋涂40s，在衬底表面形成一层CsPbI3钙钛矿前驱体液膜，然后将样品转移到加热台上对液膜进行固化，并在80℃下退火处理10分钟，从而在衬底表面结合生成厚度为300nm的CsPbI3钙钛矿薄膜。
实验测试分析：
对本实施例方法得到CsPbI3钙钛矿薄膜进行光学测试和微观观察，按照CsTFA和PbI2的摩尔比分别为1.3:1、1.5:1、1.7:1和1.9:1的配比，随着CsTFA占比的增加，最终制备的CsPbI3钙钛矿薄膜的发光强度增加。通过对比可知，传统工艺采用铯源氯化铯(CsI)制备CsPbI3钙钛矿薄膜的晶粒的粒径主要在200～300nm之间，而本实施例采用三氟乙酸铯(CsTFA)作为新的铯源制备CsPbI3钙钛矿薄膜的晶粒的粒径低于100nm。在紫外灯的照射下，本实施例方法得到CsPbI3钙钛矿薄膜会呈现红色。
本实施例方法使用的CsTFA不仅可以用作制备全无机钙钛矿薄膜时的铯源，其本身的三氟乙酸根离子团TFA-更是能和钙钛矿表面裸露的未配位的铅离子结合，钝化薄膜表面缺陷，抑制离子迁移，用于制作发光器件性能能显著提升了器件稳定性。本实施例方法形成全无机钙钛矿晶粒径显著减小，薄膜覆盖光滑平整，粗糙度低，没有空洞，薄膜晶界缺陷少，本发明所制备的CsPbI3钙钛矿薄膜质量高，性能稳定。本实施例制备的小晶粒全无机钙钛矿不仅适合用作光电材料，还能用作半导体材料。本实施例方法使用CsTFA作为制备全无机钙钛矿薄膜的铯源，其材料成本低廉，利于产业化；且环境友好，用其作为铯源可以避免在制备全无机钙钛矿薄膜时，经常用到含有甲苯、氯苯或氯仿的“反溶剂”，制备工艺更加环保和绿色健康。
上面对本发明实施例结合附图进行了说明，但本发明不限于上述实施例，还可以根据本发明的发明创造的目的做出多种变化，凡依据本发明技术方案的精神实质和原理下做的改变、修饰、替代、组合或简化，均应为等效的置换方式，只要符合本发明的发明目的，只要不背离本发明基于三氟乙酸盐诱导的小晶粒CsPbX3钙钛矿薄膜的制备方法的技术原理和发明构思，都属于本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种基于三氟乙酸盐诱导的小晶粒CsPbX3钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
a.CsPbX3钙钛矿前驱体溶液的制备：
采用三氟乙酸铯(CsTFA)、卤化铅(PbX2)作为原料，其中X为Cl、Br或I，按照CsTFA和PbX2的摩尔比为(1.3～1.9)：1配比，分别称量上述原料，并将原料溶解在无水二甲基亚砜(DMSO)中，得到原料混合液，并将原料混合液在温度为不低于60℃条件下加热，同时利用搅拌器进行搅拌，使原料混合液搅拌均匀过夜，然后采用孔隙尺寸不大于0.45μm孔径的过滤网对原料混合液进行过滤，得到均一的CsPbX3钙钛矿前驱体溶液，备用；
b.CsPbX3钙钛矿薄膜的制备：
取不少于100ul的在所述步骤a中制备的CsPbX3钙钛矿前驱体溶液，滴在衬底上进行旋涂，在衬底表面形成一层CsPbX3钙钛矿前驱体液膜，并在不低于80℃下对液膜进行固化并退火处理至少10分钟，从而在衬底表面结合CsPbX3钙钛矿薄膜。
2.根据权利要求1所述基于三氟乙酸盐诱导的小晶粒CsPbX3钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤b中，所制备的CsPbX3钙钛矿薄膜的全无机钙钛矿晶粒径为40～100nm。
3.根据权利要求1所述基于三氟乙酸盐诱导的小晶粒CsPbX3钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤b中，在衬底表面结合CsPbX3钙钛矿薄膜的厚度不低于300nm。
4.根据权利要求1所述基于三氟乙酸盐诱导的小晶粒CsPbX3钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤a中，按照CsTFA和PbX2的摩尔比为(1.5～1.9)：1配比制备CsPbX3钙钛矿前驱体溶液。
5.根据权利要求4所述基于三氟乙酸盐诱导的小晶粒CsPbX3钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤a中，按照CsTFA和PbX2的摩尔比为(1.7～1.9)：1配比制备CsPbX3钙钛矿前驱体溶液。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110776000A (zh) * 2019-09-18 2020-02-11 广东工业大学 一种全无机钙钛矿纳米晶及其制备方法和在半导体器件上的应用
CN113325462A (zh) * 2021-04-25 2021-08-31 上海大学 基于钙钛矿纳米晶的γ射线闪烁转换屏的制备方法
KR20220128231A (ko) * 2021-03-12 2022-09-20 울산과학기술원 벌크형 무기 할로겐화물 페로브스카이트 필름, 이를 포함하는 페로브스카이트 청색 발광 다이오드 소자, 및 그 제조방법
CN115651649A (zh) * 2022-10-11 2023-01-31 西北工业大学 一种全氟羧酸铯盐制备量子限域蓝光钙钛矿薄膜及发光器件的方法
CN116004229A (zh) * 2023-01-04 2023-04-25 吉林大学 一种叶绿素修饰的CsPbCl3：Yb3+钙钛矿薄膜及其制备方法和应用

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HAORAN WANG ET AL.: ""Trifluoroacetate induced small-grained CsPbBr3 perovskite films result in efficient and stable lightemitting devices"", 《NATURE COMMUNICATIONS》 *

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110776000A (zh) * 2019-09-18 2020-02-11 广东工业大学 一种全无机钙钛矿纳米晶及其制备方法和在半导体器件上的应用
CN110776000B (zh) * 2019-09-18 2021-12-10 广东工业大学 一种全无机钙钛矿纳米晶及其制备方法和在半导体器件上的应用
KR20220128231A (ko) * 2021-03-12 2022-09-20 울산과학기술원 벌크형 무기 할로겐화물 페로브스카이트 필름, 이를 포함하는 페로브스카이트 청색 발광 다이오드 소자, 및 그 제조방법
KR102511392B1 (ko) 2021-03-12 2023-03-17 울산과학기술원 벌크형 무기 할로겐화물 페로브스카이트 필름, 이를 포함하는 페로브스카이트 청색 발광 다이오드 소자, 및 그 제조방법
CN113325462A (zh) * 2021-04-25 2021-08-31 上海大学 基于钙钛矿纳米晶的γ射线闪烁转换屏的制备方法
CN113325462B (zh) * 2021-04-25 2023-01-10 上海大学 基于钙钛矿纳米晶的γ射线闪烁转换屏的制备方法
CN115651649A (zh) * 2022-10-11 2023-01-31 西北工业大学 一种全氟羧酸铯盐制备量子限域蓝光钙钛矿薄膜及发光器件的方法
CN115651649B (zh) * 2022-10-11 2023-08-18 西北工业大学 一种全氟羧酸铯盐制备量子限域蓝光钙钛矿薄膜及发光器件的方法
CN116004229A (zh) * 2023-01-04 2023-04-25 吉林大学 一种叶绿素修饰的CsPbCl3：Yb3+钙钛矿薄膜及其制备方法和应用
CN116004229B (zh) * 2023-01-04 2023-12-05 吉林大学 一种叶绿素修饰的CsPbCl3：Yb3+钙钛矿薄膜及其制备方法和应用

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