CN110047853B - 一种阵列基板、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及薄膜晶体管制备方法技术领域，公开了一种阵列基板、显示面板和显示装置，阵列基板包括：衬底基板；形成于所述衬底基板上的驱动晶体管，所述驱动晶体管包括依次形成于所述衬底基板上的遮挡金属层、栅极金属层、绝缘层和源漏金属层，所述栅极金属层位于所述遮挡金属层与所述源漏金属层之间，其中，所述源漏金属层用于与所述栅极金属层配合形成电容的部位设有镂空结构，所述镂空结构在所述衬底上的正投影位于所述栅极金属层在所述衬底上的正投影内。本申请提供的阵列基板，通过对源漏金属层设置镂空结构，源漏金属层和栅极金属层能够形成遮光结构，保证了薄膜晶体管的光照稳定性，也便于对栅极金属层的检测和解析。

Description

一种阵列基板、显示面板和显示装置
技术领域
本申请涉及薄膜晶体管制备方法技术领域，特别涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
背景技术
在现有的薄膜晶体管制备工艺中，参见图1和图2，其中，图2为图1由A处的右侧视图，驱动晶体管对应的部分包括了：屏蔽金属层、缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极金属层、绝缘层和源漏金属层，由于形成的薄膜晶体管内部结构较为复杂，栅极金属层位于屏蔽金属层和源漏金属层之间，由于金属层材质的问题，不便于对位于中间位置的栅极金属层进行检测和解析。
发明内容
本发明提供了一种阵列基板，用于解决对位于中间位置的栅极金属层进行检测和解析的问题。
为了达到上述目的，本发明提供了一种阵列基板，包括：
衬底基板；
形成于所述衬底基板上的驱动晶体管，所述驱动晶体管包括依次形成于所述衬底基板上的遮挡金属层、栅极金属层、绝缘层和源漏金属层，所述栅极金属层位于所述遮挡金属层与所述源漏金属层之间，其中，所述源漏金属层用于与所述栅极金属层配合形成电容的部位设有镂空结构，所述镂空结构在所述衬底上的正投影位于所述栅极金属层在所述衬底上的正投影内。
本发明提供的阵列基板，在驱动晶体管的结构中，将源漏金属层与栅极金属层配合形成电容的部位设置镂空结构，即将原本对应于镂空结构的源漏金属层部分去除，同时使得保留的源漏金属层仍能够与栅极金属层配合形成电容，且仍能够形成遮光结构，而镂空结构使得栅极金属层露出，便于后期的检测和解析。
因此，本发明提供的阵列基板，通过对源漏金属层设置镂空结构，在栅极金属层的上方形成U形金属图案，同时源漏金属层和栅极金属层能够形成遮光结构，既保证了薄膜晶体管的光照稳定性，也便于对栅极金属层的检测和解析。
优选地，沿行方向，所述镂空结构的一侧开口。
优选地，所述阵列基板还包括：依次形成于所述遮挡金属层和所述栅极金属层之间的缓冲层、有源层和栅绝缘层。
优选地，所述绝缘层为无机层。
优选地，沿列方向，所述镂空结构的宽度小于或等于所述栅极金属层的宽度。
优选地，沿行方向，所述镂空结构的长度小于所述栅极金属层的长度。
优选地，所述电容位于漏极金属层在所述衬底上的正投影与所述栅极金属层在所述衬底上的正投影交叠的部位。
优选地，还包括用于将数据线和所述源漏金属层连接的开关晶体管。
本申请还提供了一种显示面板，包括如上述任一项的阵列基板。
本申请还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。
附图说明
图1为现有技术中阵列基板的俯视简化结构图；
图2为现有技术中阵列基板的侧视结构图；
图3为本申请中阵列基板的俯视简化结构图；
图4为本申请中阵列基板的侧视结构图；
图5为本申请中驱动晶体管部分的放大图。
图中：
1-遮挡金属层；2-缓冲层；3-有源层；4-栅绝缘层；5-栅极金属层；
6-绝缘层；7-源漏金属层；71-漏极金属层；72-源极金属层；8-镂空结构；
B-驱动晶体管；C-电容。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图3和图4，其中，图4为图3由A处的右侧视图，本发明提供了一种阵列基板，包括：衬底基板；形成于衬底基板上的驱动晶体管B和开关晶体管，驱动晶体管B包括依次形成于衬底基板上的遮挡金属层1、栅极金属层5、绝缘层6和源漏金属层7，栅极金属层5位于遮挡金属层1与源漏金属层7之间，其中，源漏金属层7用于与栅极金属层5配合形成电容C的部位设有镂空结构8，镂空结构8在衬底上的正投影位于栅极金属层5在衬底上的正投影内。
本发明提供的阵列基板，本发明提供的阵列基板，在驱动晶体管的结构中，将源漏金属层7与栅极金属层5配合形成电容的部位设置镂空结构8，即将原本对应于镂空结构8的源漏金属层7部分去除，同时使得保留的源漏金属层7仍能够与栅极金属层5配合形成电容C，且仍能够形成遮光结构，而镂空结构8使得栅极金属层5露出，便于后期的检测和解析。
因此，本发明提供的阵列基板，通过对源漏金属层7设置镂空结构8，同时源漏金属层7和栅极金属层5能够形成遮光结构，既保证了薄膜晶体管的光照稳定性，也便于对栅极金属层5的检测和解析。
在具体的实施过程中，沿行方向，本申请中的镂空结构8的一侧开口，且开口朝向A处右侧的数据线，便于在后续对源漏金属层7对应于镂空结构8的部分去除。
此外，本发明提供的阵列基板还包括：依次形成于遮挡金属层和栅极金属层之间的缓冲层2、有源层3和栅绝缘层4，由图4可以看出，本发明的阵列基板采用了顶栅结构，可降低器件的工作电压，减少栅漏电流，提高器件的性能和稳定性。
作为一种可实施的案例，位于栅极金属层5和源漏金属层7之间的绝缘层为无机膜层，可保证有效的绝缘效果。
具体地，沿列方向和行方向，镂空结构的尺寸可以根据实际的情况来确定，只要确保栅极金属层5与源漏金属层7能够配合形成电容，且能够形成能够遮光的结构。
在一种可实施的案例中，沿列方向，镂空结构8的宽度小于栅极金属层5的宽度，从侧视图4可以看出，镂空结构8在衬底基板上的正投影位于栅极金属层5在衬底上的正投影内，能够确保栅极金属层5与源漏金属层7形成的遮光结构，增强了薄膜晶体管的光照稳定性，也利于栅极金属层5被检测解析，并及时发现问题、解决问题。
在一种可实施的案例中，沿行方向，镂空结构8的长度小于栅极金属层5的长度，镂空结构8在衬底上的正投影位于栅极金属层5在衬底上的正投影内，能够确保栅极金属层5与源漏金属层7形成的遮光结构，增强了薄膜晶体管的光照稳定性。
进一步地，如图5所示，源漏金属层7与栅极金属层5配合形成的电容C实际为漏极金属层71在衬底上正投影与栅极金属层5在衬底上的正投影交叠的部位。
除此之外，本发明提供的阵列基板还包括用于将数据线和源漏金属层7连接的开关晶体管，当漏极金属层71的数据线向源极金属层72的像素进行充放电时，开关晶体管处于开态，当不需要充放电时，开关晶体管处于关态。
基于同一发明思路，本申请还提供了一种显示面板，包括了上述任一特征的阵列基板，进一步提高了显示面板的显示效果。
基于同一发明思路，本申请还提供了一种显示装置，包括了上述显示面板，保证了显示装置的显示效果。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
形成于所述衬底基板上的驱动晶体管，所述驱动晶体管包括依次形成于所述衬底基板上的遮挡金属层、栅极金属层、绝缘层和源漏金属层，所述栅极金属层位于所述遮挡金属层与所述源漏金属层之间，其中，所述源漏金属层用于与所述栅极金属层配合形成电容的部位设有镂空结构，所述镂空结构在所述衬底基板上的正投影位于所述栅极金属层在所述衬底基板上的正投影内。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿行方向，所述镂空结构的一侧开口。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：依次形成于所述遮挡金属层和所述栅极金属层之间的缓冲层、有源层和栅绝缘层。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层为无机层。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿列方向，所述镂空结构的宽度小于或等于所述栅极金属层的宽度。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿行方向，所述镂空结构的长度小于所述栅极金属层的长度。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述电容位于漏极金属层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极金属层在所述衬底基板上的正投影交叠的部位。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括用于将数据线和所述源漏金属层连接的开关晶体管。
9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1~8任一项的阵列基板。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板。
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