CN110034388A - 天线制备方法及具有其的天线 - Google Patents
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Abstract
天线制备方法及具有其的天线，该方法包括如下步骤：在绝缘基底表面制备氧化石墨烯薄膜；对所述石墨烯薄膜远离所述绝缘基底的一侧进行激光直写以还原得到目标天线。该制备方法属于增材方式制备天线，适合在平面和曲面上制备天线，可制备得到平面结构和曲面结构的天线，也可制备具有高柔韧性的天线。通过激光直写可一步制成与预设图形相同的天线，相较于真空环境下在金属基底上生长石墨烯，然后从金属基底上将石墨烯转移到透明基底上，再使用激光切割减材方式获得石墨烯目标图形的工艺简单、成本低，节约资源。
Description
技术领域
本发明涉及天线领域，尤其是天线制备方法及具有其的天线。
背景技术
天线作为无线电波的辐射和接收装置，是电子通讯设备不可或缺的组成部分。随着现代通信设备持续向微型化、高度集成化，多功能化等方向发展。现有石墨烯天线的加工工艺复杂，耗时较长，目前常用的制备方法包括丝网印刷法和掩膜刻蚀法等，预先制备设定天线图案的掩模层，通过刮涂石墨烯浆料或离子刻蚀石墨烯薄膜等方式，将掩模层图案转移至目标基材上，再经过后续处理(如烘烤等)得到石墨烯天线。这些基于模板的制备方法不仅操作繁琐，成本高昂，而且生产周期长，图形转移过程易产生污染与缺陷。
发明内容
有鉴于此，提供一种天线制备方法，该方法包括如下步骤：
在绝缘基底表面制备氧化石墨烯薄膜；
对所述石墨烯薄膜远离所述绝缘基底的一侧进行激光直写以还原得到目标天线。
进一步地，在绝缘基底表面制备氧化石墨烯薄膜之前还包括清洗所述绝缘基底。
进一步地，所述在绝缘基底表面制备氧化石墨烯薄膜的步骤包括在所述绝缘基底表面涂布氧化石墨烯溶液。
进一步地，还包括烘干所述氧化石墨烯溶液。
进一步地，所述烘干的温度为90～150℃。
进一步地，所述烘干后的氧化石墨烯膜的厚度为2μm～100μm。
进一步地，还包括利用极性溶剂清洗除去未被所述激光直写还原的氧化石墨烯薄膜。
进一步地，所述极性溶剂包括去离子水和/或异丙酮。
进一步地，所述激光直写的激光波长为400nm。
进一步地，所述激光直写的扫描速度为100mm/s～3000mm/s。
另一方面，还提供一种天线，所述天线由上述的天线制备方法制作而成。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1所示为本发明一实施例提供的天线的制备工艺流程图。
图2所示为本发明又一实施例提供的天线制备工艺流程图。
图3所示为本发明再一实施例提供的天线制备工艺流程图。
图4所示为本发明再一实施例提供的天线制备工艺流程图。
图5所示为图4中在曲面绝缘基底上设定焦深Δh的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，详细说明如下。
提供一种天线的制备方法及具有其的天线，该制备方法属于增材方式制备天线，适合在平面和曲面上制备天线，可制备得到平面结构和曲面结构的天线，也可制备具有高柔韧性的天线。通过激光直写可一步制成与预设图形相同的天线，相较于真空环境下在金属基底上生长石墨烯，然后从金属基底上将石墨烯转移到透明基底上，再使用激光切割减材方式获得石墨烯目标图形的工艺简单、成本低，节约资源。
图1所示为本发明一实施例提供的天线的制备工艺流程图，图2所示为本发明又一实施例提供的天线制备工艺流程图。图3所示为本发明再一实施例提供的天线制备工艺流程图。
如图1所示，本发明一实施例提供的天线制备方法包括如下步骤：
在绝缘基底表面制备氧化石墨烯薄膜；
对所述石墨烯薄膜远离所述绝缘基底的一侧进行激光直写以还原得到目标天线。
本实施例中，绝缘基底可以为玻璃、陶瓷、聚酰亚胺、聚氟乙烯或其他材料的绝缘基底。在绝缘基底表面制备氧化石墨烯薄膜，然后对该石墨烯薄膜进行激光直写，其原理是激光辐射目标区域的氧化石墨烯薄膜使其还原为可导电的具有和预先设定图形相一致的石墨烯天线。
石墨烯作为一种特殊的二维纳米材料，自发现以来就备受关注，其拥有极高的载流子迁移率，超强的机械韧性。相对于大多数金属，石墨烯拥有高导电，高耐热，高化学稳定性等特点，在恶劣环境下也有较高的可靠性。在天线器件中引入导电性能更好、质量更轻的石墨烯材料，将大大降低现有无线通信系统天线的部署难度。同时，石墨烯还具有能带间隙可控的特性，通过外置偏置电压可以控制石墨烯的电导率，从而实现对天线性能的动态可调，有望满足天线集成化、多功能化设计的需求，消除传统蚀刻天线制备和成本方面的壁垒。
另一实施例中，在绝缘基底表面制备氧化石墨烯薄膜之前还包括清洗所述绝缘基底。清洗绝缘基底目的是除去基材表面的灰尘、油污。清洗绝缘基底，可提高后续溶液涂布的均匀性和成膜质量，对于表面疏水性的绝缘基底，如聚四氟乙烯，聚氟乙烯等材质的绝缘基底，还可在涂布氧化石墨烯之前预先进行亲水处理，如氧等离子体刻蚀、双氧水和浓硫酸混合液浸泡等，以便提高后续溶液涂布的均匀性和成膜质量。
另一实施例中，清洗绝缘基底之后可用风枪将清洗的液滴吹干去除，避免残留在液滴中的杂质残留在基材表面，然后采用烘干板或烘干箱烘干绝缘基底。
另一实施例中，在绝缘基底表面涂布氧化石墨烯溶液，然后烘干该氧化石墨烯溶液以在绝缘基底上制备氧化石墨烯薄膜。烘干氧化石墨烯溶液为了让液态氧化石墨烯溶液固化成膜，增强氧化石墨烯与绝缘基底的粘附性，同时避免溶剂对激光的吸收而影响最终还原图形质量。
另一实施例中，在清洗后的绝缘基底表面涂布氧化石墨烯溶液，然后烘干该氧化石墨烯溶液以在绝缘基底上制备氧化石墨烯薄膜。烘干氧化石墨烯溶液为了让液态氧化石墨烯溶液固化成膜，增强氧化石墨烯与绝缘基底的粘附性，同时避免溶剂对激光的吸收而影响最终还原图形质量。
进一步地，涂布方法包括旋涂法、喷涂法、刷涂法或浸渍提拉法等，优选旋涂法，旋涂法操作简单且成膜均匀性较好。涂覆制备的石墨烯与绝缘基底表面有较好的共形特性。在其他实施例中也可以在绝缘基底层上直接贴附浸湿的氧化石墨烯膜。浸润是为了将薄膜平铺于基材表面，若不浸润，薄膜可能无法平铺于基材表面，会有褶皱。
烘干氧化石墨烯溶液为了让液态氧化石墨烯溶液固化成膜，增强氧化石墨烯与绝缘基底的粘附性，同时避免溶剂对激光的吸收而影响最终还原图形质量。
进一步地，烘干方式包括热板烘干、烘箱烘干或真空烘干等，优选热板烘干的方式，热板烘干操作简单且热烘干的设备成本低。
进一步地，烘干该氧化石墨烯溶液的烘干温度优选范围90℃～150℃，温度低于90℃会导致烘干所需时间过长，降低效率，温度高于150℃易导致薄膜化学分解，影响薄膜质量。
进一步地，烘干后的氧化石墨烯成膜的厚度优选范围为2μm～100μm，当厚度小于2μm时，制备的石墨烯导电线路太薄，散热受限，影响天线性能，当厚度大于100μm时，影响天线器件的集成，且对于制备线宽较小的线路，线条高宽比过大，易从基材表面剥落。
另一实施例中，在激光直写之后还包括利用极性溶剂清洗除去未被所述激光直写还原的氧化石墨烯薄膜。激光直写辐照区域的氧化石墨烯膜层转变为导电的石墨烯薄膜，并附着在绝缘基材表面，未被辐射区域则仍保持氧化石墨烯薄膜状态，可使用去离子水或异丙醇等极性溶剂通过超声的方式清洗去除，最后获得石墨烯天线图形，在清洗去除未被辐射区域的氧化石墨烯薄膜后，可用风枪将清洗的液滴吹干去除，然后采用烘干板或烘干箱烘干制备好的天线。
进一步地，激光直写的激光波长小于400nm，当激光波长大于400nm时，单光子能量低于氧化石墨烯中大部分的C-O键能，而导致还原过程不充分。
进一步地，激光直写的平均功率为10mW～10W，当激光功率小于10mW时，能量不足以穿透至薄膜底层，无法完全还原出石墨烯线路，当激光功率大于10W时，薄膜易被直接汽化蒸发掉，且损伤基材表面。
进一步地，激光直写的扫描速度为100mm/s～3000mm/s，当扫描速度小于100mm/s时，激光光斑耦合率较高，能量积累导致薄膜汽化蒸发掉，当扫描速度大于3000mm/s时，激光光斑耦合率低，易造成图形线路不连续。
进一步地，依次用有机溶剂和超纯水清洗所述绝缘基底，有机溶剂包括丙酮、异丙醇、乙醇、N-甲基吡咯烷酮、氯仿等，具体应用可依次用丙酮、无水乙醇和超纯水清洗绝缘基底，如此绝缘基底被清洗较为干净。
图4所示为本发明再一实施例提供的天线制备工艺流程图，图5所示为图4中在曲面绝缘基底上设定焦深Δh的示意图。
如图4和图5所示，本实施例用于制备曲面上的天线，具体制备方法如下：
在绝缘基底表面制备氧化石墨烯薄膜；
对所述石墨烯薄膜远离所述绝缘基底的一侧进行激光直写以还原得到目标天线。
本实施例中，本实施例中，绝缘基底可以为玻璃、陶瓷、聚酰亚胺、聚氟乙烯或其他绝缘基底，绝缘基底结构其为曲面结构。在绝缘基底表面制备氧化石墨烯薄膜，然后对该石墨烯薄膜进行激光直写，其原理是激光辐射目标区域的氧化石墨烯薄膜使其还原为可导电的具有和预先设定图形相一致的石墨烯天线。
石墨烯作为一种特殊的二维纳米材料，自发现以来就备受关注，其拥有极高的载流子迁移率，超强的机械韧性。相对于大多数金属，石墨烯拥有高导电，高耐热，高化学稳定性等特点，在恶劣环境下也有较高的可靠性。在天线器件中引入导电性能更好、质量更轻的石墨烯材料，将大大降低现有无线通信系统天线的部署难度。同时，石墨烯还具有能带间隙可控的特性，通过外置偏置电压可以控制石墨烯的电导率，从而实现对天线性能的动态可调，有望满足天线集成化、多功能化设计的需求，消除传统蚀刻天线制备和成本方面的壁垒。
另一实施例中，在绝缘基底表面制备氧化石墨烯薄膜之前还包括清洗所述绝缘基底。清洗绝缘基底目的是除去基材表面的灰尘、油污。清洗绝缘基底，可提高后续溶液涂布的均匀性和成膜质量，对于表面疏水性的绝缘基底，如聚四氟乙烯，聚氟乙烯等材质的绝缘基底，还可在涂布氧化石墨烯之前预先进行亲水处理，如氧等离子体刻蚀、双氧水和浓硫酸混合液浸泡等，以便提高后续溶液涂布的均匀性和成膜质量。
另一实施例中，清洗绝缘基底之后可用风枪将清洗的液滴吹干去除，避免残留在液滴中的杂质残留在基材表面，然后采用烘干板或烘干箱烘干绝缘基底。
另一实施例中，在绝缘基底表面涂布氧化石墨烯溶液，然后烘干该氧化石墨烯溶液以在绝缘基底上制备氧化石墨烯薄膜。烘干是为了让液态氧化石墨烯溶液固化成膜，增强氧化石墨烯与绝缘基底的粘附性，同时避免溶剂对激光的吸收而影响最终还原图形质量。
另一实施例中，在清洗后的绝缘基底表面涂布氧化石墨烯溶液，然后烘干该氧化石墨烯溶液以在绝缘基底上制备氧化石墨烯薄膜。烘干是为了让液态氧化石墨烯溶液固化成膜，增强氧化石墨烯与绝缘基底的粘附性，同时避免溶剂对激光的吸收而影响最终还原图形质量。
进一步地，涂布方法包括旋涂法、喷涂法、刷涂法或浸渍提拉法等，优选旋涂法，旋涂法操作简单且成膜均匀性较好。涂覆制备的石墨烯与绝缘基底表面有较好的共形特性。在其他实施例中也可以在绝缘基底层上直接贴附浸湿的氧化石墨烯膜。浸润是为了将薄膜平铺于基材表面，若不浸润，薄膜可能无法平铺于基材表面，会有褶皱。
进一步地，烘干的方式包括热板烘干、烘箱烘干或真空烘干等，优选热板烘干的方式，热板烘干操作简单且热烘干的设备成本低。
如图5所示，AB所在的平面为激光焦平面(与纸面垂直的平面)，以激光焦深(Δh)分层，将曲面上的天线图形分为若干子层，扫描振镜控制激光在子层内的图形直写加工，z轴电机控制激光焦点移动到下一子层，如此反复，使用激光在氧化石墨烯薄膜上直写出预设天线图形，如图5所示，每一子层的高度均为激光的焦深长度Δh，因为激光在焦深范围内作用的效果基本一致，若超出这个长度则会导致激光离焦，影响激光直写的图形质量，若小于这个长度则会增加分层数量，影响加工效率。
进一步地，烘干温度优选范围90℃～150℃，温度低于90℃会导致烘干所需时间过长，效率较低，温度高于150℃易导致薄膜内部成分分解，影响薄膜质量。
进一步地，烘干后的氧化石墨烯成膜的厚度优选范围2μm～100μm，当厚度小于2μm时，制备的石墨烯导电线路太薄，散热受限，影响天线性能，当厚度大于100μm时，影响天线器件的集成，且对于制备线宽较小的线路，线条高宽比过大，易从基材表面剥落。
另一实施例中，在激光直写之后还包括利用极性溶剂清洗除去未被所述激光直写还原的氧化石墨烯薄膜。激光直写辐照区域的氧化石墨烯膜层转变为导电的石墨烯薄膜，并附着在绝缘基材表面，未被辐射区域则仍保持氧化石墨烯薄膜状态，可使用去离子水和/或异丙醇等极性溶剂通过超声的方式清洗去除，最后获得石墨烯天线图形，在清洗去除未被辐射区域的氧化石墨烯薄膜后，可用风枪将清洗的液滴吹干去除，然后采用烘干板或烘干箱烘干制备好的天线。
进一步地，激光直写的激光波长小于400nm，当激光波长大于400nm时，单光子能量低于氧化石墨烯中大部分的C-O键能，而导致还原过程不充分。
进一步地，激光直写的平均功率为10mW～10W，当激光功率小于10mW时，能量不足以穿透至薄膜底层，无法完全还原出石墨烯线路，当激光功率大于10W时，薄膜易被直接汽化蒸发掉，且损伤基材表面。
进一步地，激光直写的扫描速度为100mm/s～3000mm/s，激光光斑耦合率较高，能量积累导致薄膜汽化蒸发掉，当扫描速度大于3000mm/s时，激光光斑耦合率低，易造成图形线路不连续。
进一步地，在涂布氧化石墨烯溶液之前，依次用丙酮、无水乙醇和超纯水清洗所述绝缘基底。在其他实施例中也可以采用其他方式清洗绝缘基底。
实施例1：
(1)依次采用丙酮、无水乙醇、去离子水清洗玻璃绝缘基底，将玻璃绝缘基底表面的灰尘、油污去除干净，然后吹干并烘干玻璃绝缘基底。
(2)采用旋涂法，在清洗后的玻璃表面涂布一层氧化石墨烯溶液；
(3)将上述涂布后的玻璃置于90℃的热板上烘干2min，待其固化形成稳定的薄膜，膜层厚度2μm；
(4)将上述固化后的玻璃置于激光焦平面上，用扫描振镜控制激光束运动，在玻璃表面直写出预设的天线图形。激光输出波长为355nm，激光输出功率设定为1W，扫描速度为100mm/s；
(5)经激光直写后，将玻璃置于去离子水中超声/冲洗清洗，去除未被激光辐照的区域，取出吹干并烘干，最后在玻璃表面制备出石墨烯天线。
实施例2：
(1)依次采用异丙酮、无水乙醇、去离子水清洗聚酰亚胺绝缘基底，将聚酰亚胺绝缘基底表面的灰尘、油污去除干净，然后吹干并烘干聚酰亚胺绝缘基底；
(2)采用喷涂法，在清洗后的聚酰亚胺绝缘基底表面涂布一层氧化石墨烯溶液；
(3)将上述涂布后的玻璃置于150℃的热板上烘干50s，待其固化形成稳定的薄膜，膜层厚度50μm；
(4)将上述聚酰亚胺绝缘基底置于激光焦平面上，用扫描振镜控制激光束运动，在聚酰亚胺绝缘基底表面直写出预设的天线图形。激光输出波长为308nm，激光输出功率设定为10mW，扫描速度为100mm/s；
(5)经激光直写后，将聚酰亚胺绝缘基底置于去离子水中超声清洗，去除未被激光辐照的区域，取出吹干并烘干，最后在聚酰亚胺绝缘基底表面制备出石墨烯天线。
实施例3：
(1)依次采用N-甲基吡咯烷酮、无水乙醇、去离子水清洗聚四氟乙烯绝缘基底后，采用氧等离子体处理聚四氟乙烯绝缘基底表面，将聚四氟乙烯绝缘基底表面的灰尘、油污去除干净，然后吹干并烘干；
(2)采用浸渍提拉法，在清洗后的聚四氟乙烯绝缘基底表面涂布一层氧化石墨烯溶液；
(3)将上述涂布后的聚四氟乙烯绝缘基底置于90℃的烘箱中烘干，待其固化形成稳定的薄膜，膜层厚度100μm；
(4)将上述聚四氟乙烯绝缘基底置于激光焦平面上，用扫描振镜控制激光束运动，在聚四氟乙烯绝缘基底表面直写出预设的天线图形。激光输出波长为266nm，激光输出功率设定为5W，扫描速度为1000mm/s；
(5)经激光直写后，将聚四氟乙烯绝缘基底置于去离子水中超声清洗，去除未被激光辐照的区域，取出吹干并烘干，最后在聚四氟乙烯绝缘基底表面制备出石墨烯天线。
实施例4：
(1)依次采用氯仿、无水乙醇、去离子水清洗曲面陶瓷绝缘基底，将陶瓷绝缘基底表面的灰尘、油污去除干净，然后吹干并烘干陶瓷绝缘基底；
(2)采用喷涂法，在清洗后的曲面陶瓷绝缘基底表面涂布一层氧化石墨烯溶液；
(3)将上述涂布后的陶瓷绝缘基底置于150℃的热板下烘干1min，待陶瓷绝缘基底固化形成稳定的薄膜，膜层厚度100μm；
(4)以激光焦深(Δh＝200μm)分层，将曲面上的天线图形分为若干子层，扫描振镜控制激光在子层内的图形直写加工，z轴电机控制激光焦点移动到下一子层，如此反复，使用激光在上述涂布有石墨烯前驱体的陶瓷绝缘基材表面直写出预设天线图形。激光波长输出为248nm，激光输出功率设定为2W，扫描速度为3000mm/s；
(5)经激光直写后，将陶瓷绝缘基底置于去离子水中超声清洗，去除未被激光辐照的区域，取出吹干并烘干陶瓷绝缘基底，最后在曲面陶瓷绝缘基底表面制备出曲面共形石墨烯天线。
实施例5：
(1)依次采用丙酮、无水乙醇、去离子水清洗曲面聚氟乙烯绝缘基底后，采用氧等离子体处理聚氟乙烯绝缘基底表面，将聚氟乙烯绝缘基底表面的灰尘、油污去除干净，然后吹干并烘干聚氟乙烯绝缘基底；
(2)采用旋涂法，在清洗后的曲面聚氟乙烯绝缘基底表面涂布一层氧化石墨烯溶液；
(3)将上述涂布后的聚氟乙烯绝缘基底置于90℃的热板下烘干2min，待陶瓷绝缘基底固化形成稳定的薄膜，膜层厚度50μm；
(4)以激光焦深(Δh＝100μm)分层，将曲面聚氟乙烯上的天线图形分为若干子层，扫描振镜控制激光在子层内的图形直写加工，z轴电机控制激光焦点移动到下一子层，如此反复，使用激光在上述涂布有石墨烯前驱体的聚氟乙烯绝缘基材表面直写出预设天线图形。激光波长输出为308nm，激光输出功率设定为10mW，扫描速度为300mm/s；
(5)经激光直写后，将聚氟乙烯绝缘基底置于去离子水中超声清洗，去除未被激光辐照的区域，取出吹干并烘干聚氟乙烯绝缘基底，最后在曲面聚氟乙烯绝缘基底表面制备出曲面共形石墨烯天线。
实施例6：
(1)依次采用无水乙醇、丙酮、去离子水清洗曲面聚酰亚胺绝缘基底，将聚酰亚胺绝缘基底表面的灰尘、油污去除干净，然后吹干并烘干聚酰亚胺绝缘基底；
(2)采用刷涂法法，在清洗后的曲面聚酰亚胺绝缘基底表面涂布一层氧化石墨烯溶液；
(3)将上述涂布后的聚酰亚胺绝缘基底置于90℃的真空下烘干2min，待聚酰亚胺绝缘基底固化形成稳定的薄膜，膜层厚度2μm；
(4)以激光焦深(Δh＝200μm)分层，将曲面聚酰亚胺上的天线图形分为若干子层，扫描振镜控制激光在子层内的图形直写加工，z轴电机控制激光焦点移动到下一子层，如此反复，使用激光在上述涂布有石墨烯前驱体的聚氟乙烯绝缘基材表面直写出预设天线图形。激光波长输出为266nm，激光输出功率设定为1W，扫描速度为100mm/s；
(5)经激光直写后，将聚酰亚胺绝缘基底置于去离子水中超声清洗，去除未被激光辐照的区域，取出吹干并烘干聚酰亚胺绝缘基底，最后在曲面聚酰亚胺绝缘基底表面制备出曲面共形石墨烯天线。
上提供一种天线的制备方法及具有其的天线，该制备方法属于增材方式制备天线，适合在平面和曲面上制备天线，可制备得到平面结构和曲面结构的天线，也可制备具有高柔韧性的天线。通过激光直写可一步制成与预设图形相同的天线，相较于真空环境下在金属基底上生长石墨烯，然后从金属基底上将石墨烯转移到透明基底上，再使用激光切割减材方式获得石墨烯目标图形的工艺简单、成本低，节约资源。
还提供了一种天线，所述天线由上述的天线的制备方法制作而成。关于该天线的其它技术特征，请参见现有技术，在此不再赘述。
上述天线包括但不限于NFC(近距离无线通讯技术)天线、RFID(射频识别)天线及电子标签。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (11)
1.天线制备方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：
在绝缘基底表面制备氧化石墨烯薄膜；
对所述石墨烯薄膜远离所述绝缘基底的一侧进行激光直写以还原得到目标天线。
2.如权利要求1所述的天线制备方法，其特征在于：在绝缘基底表面制备氧化石墨烯薄膜之前还包括清洗所述绝缘基底。
3.如权利要求1或2所述的天线制备方法，其特征在于：所述在绝缘基底表面制备氧化石墨烯薄膜的步骤包括在所述绝缘基底表面涂布氧化石墨烯溶液。
4.如权利要求3所述的天线制备方法，其特征在于：还包括烘干所述氧化石墨烯溶液。
5.如权利要求4所述的天线制备方法，其特征在于：所述烘干的温度为90～150℃。
6.如权利要求4所述的天线制备方法，其特征在于：所述烘干后的氧化石墨烯膜的厚度为2μm～100μm。
7.如权利要求1所述的天线制备方法，其特征在于：还包括利用极性溶剂清洗除去未被所述激光直写还原的氧化石墨烯薄膜。
8.如权利要求7所述的天线制备方法，其特征在于：所述极性溶剂包括去离子水和/或异丙酮。
9.如权利要求1所述的天线制备方法，其特征在于：所述激光直写的激光波长为400nm。
10.如权利要求1所述的天线制备方法，其特征在于：所述激光直写的扫描速度为100mm/s～3000mm/s。
11.一种天线，所述天线由上述权1至10任意一项所述的天线制备方法制作而成。
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