CN110034247B - 一种阴极隔离柱的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阴极隔离柱的制备方法，包括基板设置步骤、第一涂覆步骤、干燥步骤、第一曝光步骤、第一显影步骤、第二涂覆步骤、第二曝光步骤、第二显影步骤以及高温固化步骤。本发明采用正型光阻和负型光阻两种光阻制备L形的阴极隔离柱，制备工艺简单、工艺难度低、提高阴极隔离柱的附着力和提高开口率。

Description

一种阴极隔离柱的制备方法
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阴极隔离柱的制备方法。
背景技术
有机发光二极管（Organic Light Emitting Diode, OLED），可自发光采用OLED制成的显示器具有色彩逼真，超薄，节能，视角范围广等优点。
有机发光二极管分为有源矩阵有机发光二极管（Active Organic Matrix LightEmitting Diode, AMOLED）和无源矩阵有机发光二极管（Passive Matrix Organic MatrixLight Emitting Diode ,PMOLED）两种，其中PMOLED具有结构简单、成本低等优点。由于PMOLED采用的是二维矩阵寻址的驱动方式，需要实现阴极的图案化。
目前一般采用倒梯形或T形截面的隔离柱来实现图案化的阴极。倒梯形阴极隔离柱的一侧与阳极的夹角要为锐角，当该锐角的角度过大时，会导致相邻的两个阴极不能彻底隔断，当该锐角的角度过小时，阴极隔离柱容易断裂，工艺难度较大。
如图1所示，T形隔离柱包括第一部件101、第二部件102，第一部件101连接至基底200，第二部件102连接至第一部件101。T隔离柱虽然隔断阴极效果较好，但制备工艺复杂，需要精确控制曝光量和显影时间。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种阴极隔离柱的制备方法，采用正型和负型两种光阻制备L形的阴极隔离柱，以解决现有技术中存在的制备工艺复杂，工艺难度大的技术问题。
为了解决上述问题，本发明提供一种阴极隔离柱的制备方法，包括如下步骤：基板设置步骤，设置一基板；第一涂覆步骤，在所述基板的一侧涂覆一层正型光阻溶液形成正型光阻层；干燥步骤，对所述正型光阻层进行干燥处理；第一曝光步骤，对所述正型光阻层进行曝光处理；第一显影步骤，对曝光后的所述正型光阻层进行显影处理，得到一图案层；第二涂覆步骤，在所述基板及所述图案层表面涂覆一层负型光阻溶液形成负型光阻层；第二曝光步骤，对所述图案层以及所述负型光阻层同时进行曝光处理；第二显影步骤，对曝光后的所述图案层以及所述负型光阻层进行显影处理，得到一阴极隔离柱，所述阴极隔离柱的纵向截面为L形；高温固化步骤，对所述阴极隔离柱进行固化处理。
进一步地，所述阴极隔离柱包括第一柱体及第二柱体；所述第一柱体的一端连接至所述基板；所述第一柱体的另一端连接至所述第二柱体；所述第一柱体与所述第二柱体形成一体式结构。
进一步地，所述第二柱体的宽度大于第一柱体的宽度。
进一步地，所述第二柱体比所述第一柱体宽0.3um~2.5um。
进一步地，在所述干燥步骤中，采用真空装置对所述正型光阻层进行干燥处理。
进一步地，在所述第一曝光步骤中，采用第一掩模版对所述正型光阻层进行曝光处理；在所述第二曝光步骤中，采用第二掩模版对所述图案层以及所述负型光阻层同时进行曝光处理。
进一步地，在所述第一显影步骤及第二显影步骤中，采用有机显影液对所述正型光阻层或所述负型光阻层进行显影处理。
进一步地，所述负型光阻层的厚度大于所述正型光阻层的厚度。
进一步地，所述图案层被所述负型光阻层包覆。
进一步地，在高温固化步骤中，将所述阴极隔离柱置于180~250℃的环境下进行高温固化处理0.5h~1.5h。
本发明的技术效果在于，提供一种阴极隔离柱的制备方法，采用正型光阻和负型光阻两种光阻制备L形的阴极隔离柱，增大阴极的面积、制备工艺简单以及可以提高阴极隔离柱的黏附力，进而提高显示面板的良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术提供T形隔离柱的结构示意图；
图2是本发明实施例提供阴极隔离柱的制备方法的流程图；
图3是本发明实施例提供正型光阻层的结构示意图；
图4本发明实施例提供第一曝光和显影的结构示意图；
图5是本发明实施例提供图案层的结构示意图；
图6是本发明实施例提供负型光阻层的结构示意图；
图7是本发明实施例提供第二曝光和显影的结构示意图；
图8是本发明实施例提供阴极隔离柱的结构示意图。
附图中部分标识如下：
1基板； 2正型光阻层；
3图案层； 4负型光阻层；
5阴极隔离柱； 51第一柱体；
52第二柱体； 10第一掩模版；
20第二掩模版； 101第一部件；
第二部件102； 200基底。
具体实施方式
以下参考说明书附图介绍本发明的优选实施例，用以举例证明本发明可以实施，这些实施例可以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，使得本发明的技术内容更加清楚和便于理解。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。
本发明说明书中使用的术语仅用来描述特定实施方式，而并不意图显示本发明的概念。除非上下文中有明确不同的意义，否则，以单数形式使用的表达涵盖复数形式的表达。在本发明说明书中，应理解，诸如“包括”、“具有”以及“含有”等术语意图说明存在本发明说明书中揭示的特征、数字、步骤、动作或其组合的可能性，而并不意图排除可存在或可添加一个或多个其他特征、数字、步骤、动作或其组合的可能性。附图中的相同参考标号指代相同部分。
如图2所示，本实施例提供阴极隔离柱的制备方法包括步骤S1~S9。
如图3所示，S1基板设置步骤，设置一基板1，基板1的材质可以为硅片、普通的玻璃、ITO镀膜的玻璃等。
如图4所示，S2第一涂覆步骤，在基板1的一侧涂覆一层正型光阻溶液形成正型光阻层2，正型光阻层2的厚度优选为1.5um~5um。
S3干燥步骤，采用真空装置对正型光阻层2进行干燥处理，使光阻溶液进一步地挥发，防止后面的高温固化步骤中发生突沸进而导致光阻的色彩不均匀。
如图5所示，S4第一曝光步骤，采用第一掩模版10对正型光阻层2进行曝光处理，光线与第一掩模版10垂直的垂直曝光，正型光阻层2在受到紫外线的照射会发生化学反应，为后面的显影工序做准备。
S5第一显影步骤，采用有机显影液对曝光后的正型光阻层2进行显影处理得到一图案层3。有机显影液与正型光阻层2发生化学反应，在所述S4第一曝光步骤中，未被曝光的部分迅速发生反应而溶解，曝光的部分留了下来，即第一掩模版10上的透光区图形被转印到了正型光阻层2上，由此形成了图案层3。
如图6所示，S6第二涂覆步骤，在基板1及图案层3表面涂覆一层负型光阻溶液形成负型光阻层4，负型光阻层4的厚度优选为0.5-2.5 um，这样可以完全地将图案层3包覆，另外图案层3不溶于负型光阻溶液。
如图7所示，S7第二曝光步骤，采用第二掩模版20对图案层3以及负型光阻层4同时进行曝光处理，在曝光过程中，光线入射方向与第二掩模版20垂直，负型光阻溶液在受到紫外线的照射会发生化学反应，为后面的显影工序做准备。
如图8所示，S8第二显影步骤，采用有机显影液对曝光后的图案层3以及负型光阻层4进行显影处理，得到一阴极隔离柱5。有机显影液与负型光阻层4发生化学反应，在所述S7第二曝光步骤中，未被曝光的部分迅速发生反应而溶解，曝光的部分留了下来，即第二掩模版20上的透光区图形被转印到了负型光阻层4上，由此形成了阴极隔离柱5，阴极隔离柱5的纵向截面为L形，该制备工艺简单易操作，有利于提高效率。
S9高温固化步骤，在高温固化步骤中，将所述阴极隔离柱置于180~250℃的环境下进行高温固化处理0.5h~1.5h，进而提高阴极隔离柱5的附着力。
如图8所示，纵向截面为L形的阴极隔离柱5包括第一柱体51、第二柱体52；第一柱体51的一端连接至基板1；第一柱体51的另一端连接至第二柱体52；第一柱体51与第二柱体52形成一体式结构，第二柱体52的宽度大于第一柱体51的宽度，其中，第二柱体52比第一柱体51宽0.3um~2.5um，可以保证阴极被隔断，也可以提高所述阴极隔离柱与所述基板的接触面积，进而确保所述阴极隔离柱不被脱落和提高开口率。
本实施例中，所述正型光阻层的厚度优选为1.5um~5um，但不局限于本实施例的厚度，在其他实施例中，可根据实际需求进行设置。所述负型光阻层的厚度比所述正型光阻层的厚度厚1um~3um，优选1.5um、1.6um、2um、2.5um及2.8um。其中，所述正型光阻层的厚度为所述第一柱体的高度即为所述阴极隔离柱的高度，所述正型光阻层的宽度为所述第二柱体与所述第一柱体的宽度差值，所述第二柱体与所述第一柱体的宽度差值为0.5um、0.8um 、0.9um 、1.0um 、1.2um、1.5um 、1.8um 、1.9um、2.0um、2.3um、2.4um，可以提高所述阴极隔离柱附着力和提高开口率。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种阴极隔离柱的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
基板设置步骤，设置一基板；
第一涂覆步骤，在所述基板的一侧涂覆一层正型光阻溶液形成正型光阻层；
干燥步骤，对所述正型光阻层进行干燥处理；
第一曝光步骤，对所述正型光阻层进行曝光处理；
第一显影步骤，对曝光后的所述正型光阻层进行显影处理，得到一图案层；
第二涂覆步骤，在所述基板及所述图案层表面涂覆一层负型光阻溶液形成负型光阻层；
第二曝光步骤，对所述图案层以及所述负型光阻层同时进行曝光处理；
第二显影步骤，对曝光后的所述图案层以及所述负型光阻层进行显影处理，得到一阴极隔离柱，所述阴极隔离柱的纵向截面为L形；以及
高温固化步骤，对所述阴极隔离柱进行固化处理。
2.如权利要求1所述的阴极隔离柱的制备方法，其特征在于，所述阴极隔离柱包括
第一柱体，所述第一柱体的一端连接至所述基板；以及
第二柱体，所述第一柱体的另一端连接至所述第二柱体；
所述第一柱体与所述第二柱体为一体式结构。
3.如权利要求2所述的阴极隔离柱的制备方法，其特征在于，所述第二柱体的宽度大于第一柱体的宽度。
4.如权利要求3所述的阴极隔离柱的制备方法，其特征在于，所述第二柱体比所述第一柱体宽0.3um～2.5um。
5.如权利要求1所述的阴极隔离柱的制备方法，其特征在于，在所述干燥步骤中，采用真空装置对所述正型光阻层进行干燥处理。
6.如权利要求1所述的阴极隔离柱的制备方法，其特征在于，在所述第一曝光步骤中，采用第一掩模版对所述正型光阻层进行曝光处理；
在所述第二曝光步骤中，采用第二掩模版对所述图案层以及所述负型光阻层同时进行曝光处理。
7.如权利要求1所述的阴极隔离柱的制备方法，其特征在于，在所述第一显影步骤及第二显影步骤中，
采用有机显影液对所述正型光阻层或所述负型光阻层进行显影处理。
8.如权利要求1所述的阴极隔离柱的制备方法，其特征在于，所述负型光阻层的厚度大于所述正型光阻层的厚度。
9.如权利要求1所述的阴极隔离柱的制备方法，其特征在于，所述图案层被所述负型光阻层包覆。
10.如权利要求1所述的阴极隔离柱的制备方法，其特征在于，在高温固化步骤中，将所述阴极隔离柱置于180～250℃的环境下进行高温固化处理0.5h～1.5h。
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