CN108183070B - 光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法 - Google Patents

光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法 Download PDF

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Abstract

一种光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法，包括如下步骤：在基板上形成负性光刻胶层；采用掩膜板在第一预设光积量下对负性光刻胶层的第一次曝光位置进行第一次曝光；采用掩膜板在第二预设光积量下对负性光刻胶层的第二次曝光位置进行第二次曝光，其中，第二次曝光位置与第一次曝光位置具有部分重叠的重合区域；将第二次曝光后的负性光刻胶层进行烘烤操作；将烘烤操作后的负性光刻胶层进行显影操作，以使负性光刻胶层在基板上形成光刻胶倒梯形结构的隔离柱。上述光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法形成的隔离柱，倾斜坡度较大，从而能够较好地将蒸镀材料隔开，使得蒸镀材料蒸镀时不容易发生交连，能够使得隔离柱满足隔离蒸镀材料的要求。

Description

光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法
技术领域
本发明涉及光刻技术领域，特别是涉及一种光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法。
背景技术
PMOLED(Passive matrix Organic Light-Emitting Diode，被动矩阵有机电激发光二极管)显示产品，为了将蒸镀材料隔开，基板上方通常需要做一层倒梯形结构的RIB(隔离柱)层。RIB层对于后续镀膜的质量具有重要影响。
目前为了制作光刻胶倒梯形结构，一般要采用负性光刻胶进行曝光处理，经过曝光的负性光刻胶，显影后留下来，未曝光区域的负性光刻胶被显影液显影掉。一般传统正常工艺，一次曝光，利用光的衍射效应，就能够制作出光刻胶倒梯形结构。如图1所示，理想情况下，光线21从掩膜板22上开设的透光孔22a通过之后会出现部分衍射，从而使得负性光刻胶23形成倒梯形结构的曝光部分23a，从而能够在显影后形成倒梯形结构的隔离柱，其中23b为未被曝光的负性光刻胶，24为基板。
但是，实际应用中，由于曝光设备以及光刻胶的局限性，曝光机光线衍射区域较小，使得做出来的隔离柱的倾斜角度较陡，如图2所示，隔离柱的倾斜角度分别为79.6度和79.9度，接近于80度，几乎接近于直角，使得倾斜坡度较小，无法较好地将蒸镀材料隔开，无法满足隔离蒸镀材料的要求。
发明内容
基于此，有必要提供一种能够提高隔离柱的倾斜坡度以及能够较好地将蒸镀材料隔开的光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法。
一种光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法，包括如下步骤：
在基板上形成负性光刻胶层；
采用掩膜板在第一预设光积量下对所述负性光刻胶层的第一次曝光位置进行第一次曝光；
采用所述掩膜板在第二预设光积量下对所述负性光刻胶层的第二次曝光位置进行第二次曝光，其中，所述第二次曝光位置与所述第一次曝光位置具有部分重叠的重合区域；所述第一预设光积量和所述第二预设光积量的光积量总和，为使所述重合区域曝光后透射率为100％并发生交联反应的光积量；
将第二次曝光后的所述负性光刻胶层进行烘烤操作；
将烘烤操作后的所述负性光刻胶层进行显影操作，以使所述负性光刻胶层在所述基板上形成光刻胶倒梯形结构的隔离柱。
在其中一个实施例中，在所述将经过烘烤操作后的所述负性光刻胶层进行显影操作，以使所述负性光刻胶层在所述基板上形成所述光刻胶倒梯形结构的隔离柱之后，所述光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法还包括如下步骤：
将所述光刻胶倒梯形结构的隔离柱进行热烘操作。
在其中一个实施例中，所述热烘操作的温度为210摄氏度～260摄氏度，所述热烘操作的时间为800秒～1000秒。
在其中一个实施例中，所述热烘操作的温度为230摄氏度，所述热烘操作的时间为900秒。
在其中一个实施例中，所述第一预设光积量等于所述第二预设光积量。
在其中一个实施例中，所述重合区域占所述第二次曝光位置的面积的50％。
在其中一个实施例中，所述显影操作的时间为120秒。
在其中一个实施例中，所述烘烤操作的温度为115摄氏度～125摄氏度，所述烘烤操作的时间为140秒～160秒。
在其中一个实施例中，所述烘烤操作的温度为118摄氏度～121摄氏度，所述烘烤操作的时间为145秒～155秒。
在其中一个实施例中，所述烘烤操作的温度为120摄氏度，所述烘烤操作的时间为140秒。
上述光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法，通过第一次曝光和第二次曝光，且所述第二次曝光位置与所述第一次曝光位置具有部分重叠的重合区域，使所述负性光刻胶层上重叠的重合区域经过两次的曝光后被完全曝光，重合区域两侧被曝光的区域的光刻胶只有上部被曝光，因此，被曝光区域的负极光刻胶呈现“T”字形结构。通过将第二次曝光后的所述负性光刻胶层进行烘烤操作，使所述“T”字形结构区域的负性光刻胶进一步发生交联反应并扩散，逐渐形成一个倒梯形结构区域，且该倒梯形结构区域倾斜坡度较大；通过将经过烘烤操作后的所述负性光刻胶层进行显影操作，所述负性光刻胶层在所述基板上形成所述光刻胶倒梯形结构的隔离柱，相对于传统一次曝光形成隔离柱的曝光方法，上述光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法形成的隔离柱，倾斜坡度较大，从而能够较好地将蒸镀材料隔开，使得蒸镀材料蒸镀时不容易发生交连，能够使得隔离柱满足隔离蒸镀材料的要求。尤其需要说明的是，本发明提供的光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法能够通过错位重叠两次曝光工艺调整，从而得到满足工艺需求的倒梯形光刻胶结构，无需对现有设备进行改造，也无需对现有的光刻胶物料的配方进行调整，能够解决因设备和物料的局限性问题无法做成满足隔离蒸镀材料要求的光刻胶倒梯形结构的难题。
附图说明
图1为传统的一次曝光制备隔离柱的理论设计图；
图2为传统的一次曝光实际制备得到隔离柱在电镜下的示意图；
图3为本发明一实施方式的光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法的步骤示意图；
图4为本发明的实施例1制备得到的光刻胶倒梯形结构的隔离柱在电镜下的示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
例如，一种光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法，包括如下步骤：在基板上形成负性光刻胶层；采用掩膜板在第一预设光积量下对所述负性光刻胶层的第一次曝光位置进行第一次曝光；采用所述掩膜板在第二预设光积量下对所述负性光刻胶层的第二次曝光位置进行第二次曝光，其中，所述第二次曝光位置与所述第一次曝光位置具有部分重叠的重合区域；所述第一预设光积量和所述第二预设光积量的光积量总和，为使所述重合区域曝光后透射率为100％并发生交联反应的光积量；将第二次曝光后的所述负性光刻胶层进行烘烤操作；将烘烤操作后的所述负性光刻胶层进行显影操作，以使所述负性光刻胶层在所述基板上形成光刻胶倒梯形结构的隔离柱。又如，所述隔离柱亦为阴极隔离柱。又如，光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法为倒梯形结构的隔离柱的形成方法。又如，光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法为隔离柱的形成方法。
为了进一步说明上述光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法，又一个例子是，请参阅图1，光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法，包括如下步骤：
S110：在基板上形成负性光刻胶层；
例如，所述基板也可理解为衬底。需要说明的是，如何在基板上形成负性光刻胶层，请参考现有技术。又如，所述负性光刻胶层为采用负性光刻胶制备而成。又如，所述负性光刻胶层为采用负性光刻胶旋涂制备而成。又如，所述负性光刻胶的型号为ENPI322。
一实施例中，所述在基板上形成负性光刻胶层，具体为：在基板上依次形成钼膜层、ITO膜层、PI层和负性光刻胶层，又如，所述钼膜层设置于所述基板上，所述ITO膜层连接所述钼膜层远离所述基板的侧面，所述PI层连接所述ITO膜层远离所述钼膜层的侧面，所述负性光刻胶层连接所述PI层远离所述ITO膜层的侧面。或者说，基板与负性光刻胶层之间设置有钼膜层、ITO膜层、PI层，负性光刻胶层、PI层、ITO膜层、钼膜层和所述基板依次叠加设置。需要说明的是，ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡)薄膜，是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜。PI膜(PolyimideFilm，聚酰亚胺薄膜)，为光敏聚酰亚胺光刻胶，行业通常简称为PI膜，又如，所述PI膜层为光敏聚酰亚胺光刻胶层。需要说明的是，如何依次在基板上形成钼膜层、ITO膜层、PI层和负性光刻胶层，请参考现有技术，本申请在此不再赘述。
需要说明的是，负性光刻胶为一种感光性材料，其经过曝光后发生交联反应形成稳定结构，后续不会被显影液去除。
S120：采用掩膜板在第一预设光积量下对所述负性光刻胶层的第一次曝光位置进行第一次曝光。
例如，所述第一预设光积量小于，使所述负性光刻胶层曝光后透射率为100％并发生交联反应的光积量。如此，能够使得经过第一次曝光区域的光刻胶只有上部被曝光。
需要说明的是，采用掩膜板对所述负性光刻胶层进行曝光已经属于现有技术。本申请在现有技术上对传统的曝光方法进行改进。也就是说，制备本实施例的隔离柱使用的掩膜板与传统中的掩膜板一致。需要说明的是，所述负性光刻胶层的第一次曝光位置由掩膜板决定。又如，所述第一曝光位置由所述掩膜板的透光孔投射下的曝光位置。
S130：采用所述掩膜板在第二预设光积量下对所述负性光刻胶层的第二次曝光位置进行第二次曝光，其中，所述第二次曝光位置与所述第一次曝光位置具有部分重叠的重合区域；所述第一预设光积量和所述第二预设光积量的光积量总和，为使所述重合区域曝光后透射率为100％并发生交联反应的光积量。
实际应用中，在第一次曝光位置基础上，通过将基本平移预设距离，从而在掩膜板的作用下产生第二曝光位置，所述第二次曝光位置与所述第一次曝光位置具有部分重叠的重合区域。又如，所述第二曝光位置为将基板平移预设距离后由掩膜板的透光孔投射下的曝光位置。为了使所述负性光刻胶上所述第二次曝光位置与所述第一次曝光位置有部分重叠的重合区域，例如，在第一次曝光和第二次曝光之间，将所述基板平移预设距离，以使所述负性光刻胶上所述第二次曝光位置与所述第一次曝光位置有部分重叠的重合区域。又如，所述基板平移的方向为所述隔离柱的宽度方向。又如，所述基板平移的方向为所述倒梯形结构的隔离柱的两个底边的方向。又如，所述第一次曝光位置和所述第二次曝光位置形状相同且面积相等。
例如，所述第一预设光积量和所述第二预设光积量的光积量总和，为使所述负性光刻胶层的重叠的重合区域曝光后透射率为100％并发生交联反应的光积量。也可理解为，所述第一预设光积量和所述第二预设光积量的光积量总和，为使重叠区域的光刻胶曝光后透射率为100％并发生交联反应的光积量。或者说，所述第一预设光积量和所述第二预设光积量的光积量总和，为使所述负性光刻胶层完全被曝光并充分发生交联反应的光积量。或者说，所述第一预设光积量和所述第二预设光积量的光积量总和，为使重叠区域的所述负性光刻胶层完全被曝光并充分发生交联反应的光积量。又如，部分重叠的重合区域为所述第二次曝光位置与所述第一次曝光位置部分重叠的区域。
需要说明的是，通过第一次曝光和第二次曝光，且所述第二次曝光位置与所述第一次曝光位置具有部分重叠的重合区域，使所述负性光刻胶层上重叠的重合区域经过两次的曝光后被完全曝光，重合区域两侧被曝光的区域的光刻胶只有上部被曝光，从而导致重叠区域的曝光量与非重叠区域曝光量不一样，这样使得光刻胶感光区域截面成“T”字型结构，因此，被曝光区域的负极光刻胶呈现“T”字形结构。
一实施例中，所述第一预设光积量等于所述第二预设光积量。如此，能够使每次曝光透射率均为50％，从而能够使得后续制备得到的隔离柱倾斜坡度更大，能够隔离柱更好地将蒸镀材料隔开，使得蒸镀材料蒸镀时不容易发生交连。
一实施例中，所述重合区域占所述第二次曝光位置的面积的50％。或者说，所述负性光刻胶上所述第二次曝光位置与第一次曝光位置有50％重叠的重合区域。如此，能够使得后续制备得到的隔离柱倾斜坡度更大，能够使隔离柱更好地将蒸镀材料隔开，使得蒸镀材料蒸镀时不容易发生交连。
需要说明的是，基板的平移预设距离，和所述第二次曝光位置与所述第一次曝光位置具有部分重叠的重合区域呈现对应的关系。具体一实施例中，隔离柱的设计尺寸为10微米时，即隔离柱远离基板的最大宽度为10微米，要使所述重合区域占所述第二次曝光位置的面积的50％，则掩膜板的平移预设距离为5微米。
一实施例中，所述第一次曝光操作和所述第二次曝光操作中，均采用曝光机进行曝光操作，又如，所述曝光机的波长选用G Line和H Line，简称为g/hline，即结合g-line与h-line。如此，能够较好地进行所述曝光操作。
S140：将第二次曝光后的所述负性光刻胶层进行烘烤操作；
需要说明的是，通过将第二次曝光后的所述负性光刻胶层进行烘烤操作，使所述“T”字形结构区域的负性光刻胶进一步发生交联反应并扩散，逐渐形成一个倒梯形结构区域，且该倒梯形结构区域倾斜角度较小。
尤其需要说明的是，烘烤操作，也叫Post Exposure Bake，简称PEB，PEB的温度和时间要控制好，烘烤不足会导致后续制备得到的隔离柱容易脱落，烘烤过度则会导致隔离柱坡度角较小，无法提高隔离柱的倾斜坡度。一实施例中，所述烘烤操作的温度为115摄氏度～125摄氏度，所述烘烤操作的时间为140秒～160秒。如此，能够较好地进行所述烘烤操作，使所述“T”字形结构区域的负性光刻胶进一步发生交联反应并扩散，逐渐形成一个倒梯形结构区域，且该倒梯形结构区域倾斜坡度较大且不易脱落，使得后续制备得到的隔离柱能够较好地将蒸镀材料隔开，使得蒸镀材料蒸镀时不容易发生交连，能够使得隔离柱满足隔离蒸镀材料的要求。优选的，所述烘烤操作的温度为118摄氏度～121摄氏度，所述烘烤操作的时间为145秒～155秒。更优选的，所述烘烤操作的温度为120摄氏度，所述烘烤操作的时间为140秒。如此，能够使得所述“T”字形结构区域的负性光刻胶进一步发生交联反应并扩散，逐渐形成一个倒梯形结构区域，且该倒梯形结构区域倾斜坡度更大且不易脱落，使得后续制备得到的隔离柱能够更好地将蒸镀材料隔开，进一步使得蒸镀材料蒸镀时不容易发生交连，能够使得隔离柱满足隔离蒸镀材料的要求。
S150：将烘烤操作后的所述负性光刻胶层进行显影操作，所述负性光刻胶层在所述基板上形成所述光刻胶倒梯形结构的隔离柱。
通过将经过烘烤操作后的所述负性光刻胶层进行显影操作，使得所述负性光刻胶层在所述基板上形成所述光刻胶倒梯形结构的隔离柱。
例如，采用浓度为2.38％TMAH(etramethylammonium hydroxide，四甲基氢氧化铵)的显影液进行所述显影操作。又如，所述显影操作的时间为120秒。如此，能够较好地进行所述显影操作。需要说明的是，如何对负性光刻胶层进行显影操作的具体操作细节，请参照现有技术，本发明在此不再赘述。
上述光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法，通过第一次曝光和第二次曝光，且所述第二次曝光位置与所述第一次曝光位置具有部分重叠的重合区域，使所述负性光刻胶层上重叠的重合区域经过两次的曝光后被完全曝光，重合区域两侧被曝光的区域的光刻胶只有上部被曝光，因此，被曝光区域的负极光刻胶呈现“T”字形结构。通过将第二次曝光后的所述负性光刻胶层进行烘烤操作，使所述“T”字形结构区域的负性光刻胶进一步发生交联反应并扩散，逐渐形成一个倒梯形结构区域，且该倒梯形结构区域倾斜坡度较大；通过将经过烘烤操作后的所述负性光刻胶层进行显影操作，所述负性光刻胶层在所述基板上形成所述光刻胶倒梯形结构的隔离柱，相对于传统一次曝光形成隔离柱的曝光方法，上述光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法形成的隔离柱，倾斜坡度较大，从而能够较好地将蒸镀材料隔开，使得蒸镀材料蒸镀时不容易发生交连，能够使得隔离柱满足隔离蒸镀材料的要求。尤其需要说明的是，本发明提供的光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法能够通过错位重叠两次曝光工艺调整，从而得到满足工艺需求的倒梯形光刻胶结构，无需对现有设备进行改造，也无需对现有的光刻胶物料的配方进行调整，能够解决因设备和物料的局限性问题无法做成满足隔离蒸镀材料要求的光刻胶倒梯形结构的难题。
为了使显影操作后形成的光刻胶倒梯形结构的隔离柱不易脱落，一实施例中，在所述将经过烘烤操作后的所述负性光刻胶层进行显影操作，所述负性光刻胶层在所述基板上形成所述光刻胶倒梯形结构的隔离柱之后，所述光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法还包括如下步骤：
将所述光刻胶倒梯形结构的隔离柱进行热烘操作。
如此，将所述光刻胶倒梯形结构的隔离柱进行热烘操作，能够使得光刻胶倒梯形结构的隔离柱不易脱落。又如，所述热烘操作亦为OVEN。
一实施例中，所述热烘操作的温度为210摄氏度～260摄氏度，所述热烘操作的时间为800秒～1000秒。优选的，所述热烘操作的温度为230摄氏度，所述热烘操作的时间为900秒。如此，能够较好地进行所述热烘操作，热烘效果较好，能够进一步使得光刻胶倒梯形结构的隔离柱不易脱落。
上述光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法，通过第一次曝光和第二次曝光，且所述第二次曝光位置与所述第一次曝光位置具有部分重叠的重合区域，使所述负性光刻胶层上重叠的重合区域经过两次的曝光后被完全曝光，重合区域两侧被曝光的区域的光刻胶只有上部被曝光，因此，被曝光区域的负极光刻胶呈现“T”字形结构。通过将第二次曝光后的所述负性光刻胶层进行烘烤操作，使所述“T”字形结构区域的负性光刻胶进一步发生交联反应并扩散，逐渐形成一个倒梯形结构区域，且该倒梯形结构区域倾斜坡度较大；通过将经过烘烤操作后的所述负性光刻胶层进行显影操作，所述负性光刻胶层在所述基板上形成所述光刻胶倒梯形结构的隔离柱，相对于传统一次曝光形成隔离柱的曝光方法，上述光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法形成的隔离柱，倾斜坡度较大，从而能够较好地将蒸镀材料隔开，使得蒸镀材料蒸镀时不容易发生交连，能够使得隔离柱满足隔离蒸镀材料的要求。
下面结合具体实施例继续对本发明予以说明。
实施例1
隔离柱设计尺寸为10微米，或者说，掩膜板上透光孔的宽度为10微米。隔离柱的制备工艺如下：
一种光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法，包括如下步骤：
在基板上形成负性光刻胶层；其中，负性光刻胶层的厚度为4.2微米。
采用掩膜板在第一预设光积量下对所述负性光刻胶层的第一次曝光位置进行第一次曝光；其中，第一预设光积量为105mj/cm2(毫焦/平方厘米)；采用曝光机进行所述第一次曝光操作，曝光机波长选用G Line结合H Line。
在第一次曝光位置的基础上，将基板沿掩膜板上透光孔的宽度方向平移5微米，采用所述掩膜板在第二预设光积量下对所述负性光刻胶层的第二次曝光位置进行第二次曝光，其中，所述第二次曝光位置与所述第一次曝光位置具有部分重叠的重合区域，所述第二次曝光位置与所述第一次曝光位置面积形状相等。所述重合区域占所述第二次曝光位置的面积的50％。所述第一预设光积量和所述第二预设光积量的光积量总和，为使所述负性光刻胶层的重叠的重合区域曝光后透射率为100％并发生交联反应的光积量；所述第二次曝光为105mj/cm2；采用曝光机进行所述第二次曝光操作，曝光机波长选用G Line结合HLine。
将经过第二次曝光后的所述负性光刻胶层进行烘烤操作；其中，所述烘烤操作的温度为120摄氏度，所述烘烤操作的时间为140秒。
将经过烘烤操作后的所述负性光刻胶层进行显影操作，所述负性光刻胶层在所述基板上形成所述光刻胶倒梯形结构的隔离柱。其中，采用2.38％TMAH的显影液进行所述显影操作，所述显影操作的时间为120秒。
将所述光刻胶倒梯形结构的隔离柱进行热烘操作。其中，所述热烘操作的温度为230摄氏度，所述热烘操作的时间为900秒。
之后，将带有所述光刻胶倒梯形结构的隔离柱在电镜下观察。电镜观察结果如图4所示。由图4可以看出，本实施例的光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法形成的光刻胶倒梯形结构的隔离柱的倾斜角度分别为41.2度和43.6度，其倾斜坡度较大。由图4可以看出，实施例1制备得到的隔离柱顶宽为12.48微米，底宽为23.24微米，中间最窄处的宽度为9.407微米。顶部倒梯形结构的高度为3.166微米，底部梯形结构的高度为1.13微米。相对于传统形成的图2所示的隔离柱的倾斜角度79.6和79.9，本实施例1的隔离柱的倾斜坡度较大，后续进行蒸镀时，能够较好地将蒸镀材料隔开，使得蒸镀材料蒸镀时不容易发生交连，能够使得隔离柱满足隔离蒸镀材料的要求。经工艺测试，本实施例的隔离柱的产品的蒸镀材料交连次品率为0，如此，也证实本实施例的隔离柱能够较好地将蒸镀材料隔开，使得蒸镀材料蒸镀时不容易发生交连，能够使得隔离柱满足隔离蒸镀材料的要求。
上述光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法，通过第一次曝光和第二次曝光，且所述第二次曝光位置与所述第一次曝光位置具有部分重叠的重合区域，使所述负性光刻胶层上重叠的重合区域经过两次的曝光后被完全曝光，重叠的重合区域两侧被曝光的区域的光刻胶只有上部被曝光，因此，被曝光区域的负极光刻胶呈现“T”字形结构。通过将第二次曝光后的所述负性光刻胶层进行烘烤操作，使所述“T”字形结构区域的负性光刻胶进一步发生交联反应并扩散，逐渐形成一个倒梯形结构区域，且该倒梯形结构区域倾斜坡度较大；通过将经过烘烤操作后的所述负性光刻胶层进行显影操作，所述负性光刻胶层在所述基板上形成所述光刻胶倒梯形结构的隔离柱，相对于传统一次曝光形成隔离柱的曝光方法，上述形成方法所形成的隔离柱，倾斜坡度较大，从而能够较好地将蒸镀材料隔开，使得蒸镀材料蒸镀时不容易发生交连，能够使得隔离柱满足隔离蒸镀材料的要求。
本发明一具体实施例中，阴极隔离柱的图形设计尺寸为10微米，光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法，通过两次错位曝光，其中，光刻胶型号为ENPI322负性胶，采用的曝光机的波长：G+H Line。首先选取第一次预设光积量为105mj/cm2，正常进行第一次曝光，使得曝光区域的光刻胶只有上半部分被曝光并发生交联反应。然后将基板平移5微米，采用第二次预设光积量为105mj/cm2进行第二次曝光，曝光位置与第一次曝光位置错开5微米固定距离，同时中间部分重叠区域也为5微米，使得所述负性光刻胶上所述第二次曝光位置与第一次曝光位置有50％重叠的重合区域。中间重叠区域的光刻胶经过两次曝光，光积量为210mj/cm2，光刻胶完全被曝光并充分发生交联反应，两边错开区域光积量只有105mj/cm2，只有上半部分被曝光并发生交联反应。经过两次曝光后，只有中间经过两次的曝光的光刻胶被完全曝光，两侧区域的光刻胶只有上半部分被曝光，因此，被曝光区域的光刻胶呈现一个“T”形结构。接着在第二次曝光后进行烘烤，简称PEB，PEB的温度和时间要加以控制，烘烤不足会导致阴极隔离柱脱落，烘烤过度则会导致阴极隔离柱坡度角较陡，PEB工艺为：温度120℃，时间为150s，PEB后，原本曝光区域呈“T”形的光刻胶进一步发生交联反应并扩散，逐渐形成一个倒梯形结构区域。烘烤操作后，将所述负性光刻胶层进行显影操作，经过2.38％TMAH浓度的显影液120秒显影，倒梯形区域的光刻胶被保留下来，其他部分光刻胶被显影液去除，从而得到光刻胶倒梯形结构的阴极隔离柱。显影后，阴极隔离柱与下膜层粘附力不好，后续制程容易发生脱落，因此还需要进行热烘(oven)处理，热烘的工艺条件为：温度230℃，时间为900秒。
上述光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法，通过第一次曝光和第二次曝光，且所述第二次曝光位置与所述第一次曝光位置具有部分重叠的重合区域，使所述负性光刻胶层上重叠的重合区域经过两次的曝光后被完全曝光，重合区域两侧被曝光的区域的光刻胶只有上部被曝光，因此，被曝光区域的负极光刻胶呈现“T”字形结构。通过将第二次曝光后的所述负性光刻胶层进行烘烤操作，使所述“T”字形结构区域的负性光刻胶进一步发生交联反应并扩散，逐渐形成一个倒梯形结构区域，且该倒梯形结构区域倾斜坡度较大；通过将经过烘烤操作后的所述负性光刻胶层进行显影操作，所述负性光刻胶层在所述基板上形成所述光刻胶倒梯形结构的隔离柱，相对于传统一次曝光形成隔离柱的曝光方法，上述光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法形成的隔离柱，倾斜坡度较大，从而能够较好地将蒸镀材料隔开，使得蒸镀材料蒸镀时不容易发生交连，能够使得隔离柱满足隔离蒸镀材料的要求。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。需要说明的是，本申请的“一实施例中”、“例如”、“又如”等，旨在对本申请进行举例说明，而不是用于限制本申请。以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
在基板上形成负性光刻胶层；
采用掩膜板在第一预设光积量下对所述负性光刻胶层的第一次曝光位置进行第一次曝光；
将所述基板平移预设距离，采用所述掩膜板在第二预设光积量下对所述负性光刻胶层的第二次曝光位置进行第二次曝光，其中，所述第二次曝光位置与所述第一次曝光位置具有部分重叠的重合区域，以使得光刻胶感光区域截面成“T”字型结构；所述第一预设光积量和所述第二预设光积量的光积量总和，为使所述重合区域曝光后透射率为100％并发生交联反应的光积量；所述第一预设光积量等于所述第二预设光积量；
将第二次曝光后的所述负性光刻胶层进行烘烤操作，以使所述“T”字形结构区域的负性光刻胶发生交联反应并扩散，逐渐形成一个倒梯形结构区域；
将烘烤操作后的所述负性光刻胶层进行显影操作，以使所述负性光刻胶层在所述基板上形成光刻胶倒梯形结构的隔离柱。
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述将烘烤操作后的所述负性光刻胶层进行显影操作，以使所述负性光刻胶层在所述基板上形成所述光刻胶倒梯形结构的隔离柱之后，所述形成方法还包括如下步骤：
将所述光刻胶倒梯形结构的隔离柱进行热烘操作。
3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述热烘操作的温度为210摄氏度～260摄氏度，所述热烘操作的时间为800秒～1000秒。
4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述热烘操作的温度为230摄氏度，所述热烘操作的时间为900秒。
5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述负性光刻胶层为采用负性光刻胶旋涂制备而成。
6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述重合区域占所述第二次曝光位置的面积的50％。
7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述显影操作的时间为120秒。
8.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述烘烤操作的温度为115摄氏度～125摄氏度，所述烘烤操作的时间为140秒～160秒。
9.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述烘烤操作的温度为118摄氏度～121摄氏度，所述烘烤操作的时间为145秒～155秒。
10.根据权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述烘烤操作的温度为120摄氏度，所述烘烤操作的时间为140秒。
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