CN110028318A - 一种高品质因子SrTiO3基介质陶瓷及其制备方法 - Google Patents

一种高品质因子SrTiO3基介质陶瓷及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110028318A
CN110028318A CN201811209752.3A CN201811209752A CN110028318A CN 110028318 A CN110028318 A CN 110028318A CN 201811209752 A CN201811209752 A CN 201811209752A CN 110028318 A CN110028318 A CN 110028318A
Authority
CN
China
Prior art keywords
factor
quality
srtio
media ceramic
base media
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811209752.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110028318B (zh
Inventor
龚毅辉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Boom High Purity Materials Technology Co ltd
Original Assignee
Nanjing Microceramic New Material Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanjing Microceramic New Material Technology Co Ltd filed Critical Nanjing Microceramic New Material Technology Co Ltd
Priority to CN201811209752.3A priority Critical patent/CN110028318B/zh
Publication of CN110028318A publication Critical patent/CN110028318A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110028318B publication Critical patent/CN110028318B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
    • C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
    • C04B35/47—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on strontium titanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3284—Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids, or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/44—Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
    • C04B2235/442—Carbonates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

本发明涉及一种高品质因子SrTiO3基介质陶瓷，包括99wt％的Sr1‑xSm2x/3Ti1‑y(Zn1/3Nb2/3)yO3(0.2≤x≤0.3，0.05≤y≤0.1)、0.2‑0.5wt％的MnCO3和0.5‑0.8wt％的SiO2。本发明还涉及一种高品质因子SrTiO3基介质陶瓷的制备方法，所述方法包括以下步骤：将原料SrCO3、Sm2O3、TiO2、ZnO和Nb2O5研磨混合，煅烧后得到预烧料；将改性剂MnCO3和SiO2加入到所述预烧料中，研磨混合后得到粉体；将所述粉体造粒，干压成型，得到压片；将所述压片烧结，得到所述高品质因子SrTiO3基介质陶瓷。实施本发明的高品质因子SrTiO3基介质陶瓷及其制备方法，可解决目前微波介质陶瓷品质因子较低的问题。

Description

一种高品质因子SrTiO3基介质陶瓷及其制备方法
技术领域
本发明涉及功能陶瓷领域，特别涉及一种高品质因子SrTiO3基介质陶 瓷及其制备方法。
背景技术
微波介质陶瓷应用于微波频段(300MHz-300GHz)电路中作为介质材 料并完成一种或多种功能的陶瓷，在现代通讯中被广泛用作谐振器、滤波 器、介质天线和介质导波回路等元器件，是现代通信技术的关键基础材料， 已在便携式移动电话、汽车电话、无绳电话、电视卫星接收器和军事雷达 等方面有着广泛的应用，在现代通讯工具的小型化、集成化过程中正发挥 着越来越大的作用。
应用于微波频段的介质陶瓷通常需要满足如下三个条件：(1)适宜的 介电常数以利于器件的小型化(介质元器件的尺寸与介电常数平方根成反 比)；(2)高的品质因数Q以降低损耗，一般要求Q×f≥5000GHz(其中f 为谐振频率)；(3)稳定的谐振频率温度系数，以保证器件的温度稳定性。
目前对于微型化智能设备的追求，导致了微波器件的微型化，则需要 更高介电常数(>90)的微波介质陶瓷。现有的高介电常数(>90)微波介质陶瓷 主要由两大类所组成：铅基钙钛矿体系和Ca-Li-Ln-Ti-O(其中Ln为稀土元 素)体系，前者由于含有有毒的铅，而逐渐被无铅体系所取代，而后者虽然 具有高达120的介电常数，但是其品质因子较低(通常在3000～4000之间)， 从而造成微波器件的选频特性较差，噪音较大。
综上所述，为了提高微波通信元器件的性能，目前市场上高介电常数 (>90)的微波介质陶瓷的品质因子有待进一步提高，频率温度系数有待进一 步稳定。
发明内容
针对现有技术的上述问题，本发明的目的在于提供一种高品质因子 SrTiO3基介质陶瓷及其制备方法，以解决目前市场上微波介质陶瓷品质因 子较低的问题。
本发明第一方面提供一种高品质因子SrTiO3基介质陶瓷，包括99wt％ 的Sr1- xSm2x/3Ti1-y(Zn1/3Nb2/3)yO3(0.2≤x≤0.3，0.05≤y≤0.1)、0.2-0.5wt％ 的MnCO3和0.5-0.8wt％的SiO2。
本发明第二方面提供一种高品质因子SrTiO3基介质陶瓷的制备方法， 所述方法包括以下步骤：
将原料SrCO3、Sm2O3、TiO2、ZnO和Nb2O5研磨混合，煅烧后得到预 烧料；
将改性剂MnCO3和SiO2加入到所述预烧料中，研磨混合后得到粉体；
将所述粉体造粒，干压成型，得到压片；
将所述压片烧结，得到所述高品质因子SrTiO3基介质陶瓷。
进一步地，将原料SrCO3、Sm2O3、TiO2、ZnO和Nb2O5研磨混合后， 在1050-1100℃保温煅烧3-5h得到所述预烧料。
进一步地，所述改性剂和所述预烧料研磨混合后的粉体的中位粒径D50 为0.7-0.9μm。
进一步地，所述改性剂和所述预烧料以蒸馏水或去离子水以及氧化锆 球为研磨介质，在球磨机中研磨混合后得到所述粉体。
进一步地，所述混合粉体中加入粘接剂进行造粒。
进一步地，所述混合粉体造粒后，在160-180MPa压强下干压成型。
进一步地，得到所述压片后，将所述压片排胶。
进一步地，所述压片排胶后，在1240-1260℃烧结3-5h。
由于上述技术方案，本发明实施例的具有如下有益效果：
所述高品质因子SrTiO3基介质陶瓷的烧结温度从1400℃降低到 1240-1260℃；
所述高品质因子SrTiO3基介质陶瓷的品质因子从3600提升到8000以 上，同时保持了200左右的高介电常数，可以应用于高增益微型化北斗或 GPS导航定位天线的制作。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将对本发明实 施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是 本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例， 本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施 例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二” 等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该 理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实 施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包 括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
下面将对本发明实施例和对比例中的技术方案进行清楚、完整地描述。 以下实施例和对比例中所采用的材料和仪器设备,均为可以通过市售购买获 得的常规产品。
实施例一
本发明实施例一提供了一种高品质因子SrTiO3基介质陶瓷的制备方 法，该方法包括以下步骤：
1)将原料SrCO3、Sm2O3、TiO2、ZnO和Nb2O5以一定比例研磨混合， 在1050-1100℃保温煅烧3-5h得到预烧料；
2)将改性剂MnCO3和SiO2加入到所述预烧料中，以蒸馏水或去离子 水以及氧化锆球为研磨介质，在球磨机中研磨混合后得到粉体，所述粉体 的中位粒径D50为0.7-0.9μm；
3)在所述粉体中加入聚乙烯醇溶液作为粘接剂进行造粒，然后在 160-180MPa压强下干压成型，得到压片；
4)将所述压片采用传统电子陶瓷排胶工艺进行排胶，并在1240-1260℃ 烧结3-5h，得到包括99wt％Sr1-xSm2x/3Ti1-y(Zn1/3Nb2/3)yO3(x＝0.2，y＝0.05)、 0.2wt％MnCO3和0.8wt％SiO2的高品质因子SrTiO3基介质陶瓷。
采用矢量网络分析仪结合谐振腔分析所述高品质因子SrTiO3基介质陶 瓷的高品质因子、微波介电性能和谐振频率温度系数，结果表明，本实施 例制备的高品质因子SrTiO3基介质陶瓷具有以下性能：品质因子8000以上， 同时保持了200左右的高介电常数，可以应用于高增益微型化北斗或GPS 导航定位天线的制作。
实施例二
本发明实施例二提供了一种高品质因子SrTiO3基介质陶瓷的制备方 法，该方法包括以下步骤：
1)将原料SrCO3、Sm2O3、TiO2、ZnO和Nb2O5以一定比例研磨混合， 在1050-1100℃保温煅烧3-5h得到预烧料；
2)将改性剂MnCO3和SiO2加入到所述预烧料中，以蒸馏水或去离子 水以及氧化锆球为研磨介质，在球磨机中研磨混合后得到粉体，所述粉体 的中位粒径D50为0.7-0.9μm；
3)在所述粉体中加入聚乙烯醇溶液作为粘接剂进行造粒，然后在 160-180MPa压强下干压成型，得到压片；
4)将所述压片采用传统电子陶瓷排胶工艺进行排胶，并在1240-1260℃ 烧结3-5h，得到包括99wt％Sr1-xSm2x/3Ti1-y(Zn1/3Nb2/3)yO3(x＝0.3，y＝0.1)、 0.5wt％MnCO3和0.5wt％SiO2的高品质因子SrTiO3基介质陶瓷。
采用矢量网络分析仪结合谐振腔分析所述高品质因子SrTiO3基介质陶 瓷的高品质因子、微波介电性能和谐振频率温度系数，结果表明，本实施 例制备的高品质因子SrTiO3基介质陶瓷具有以下性能：品质因子8000以上， 同时保持了200左右的高介电常数，可以应用于高增益微型化北斗或GPS 导航定位天线的制作。
对比例
本发明对比例提供了一种SrTiO3基介质陶瓷的制备方法，该方法包括 以下步骤：
1)将原料SrCO3、Sm2O3、TiO2、ZnO和Nb2O5研磨混合，在1050-1100℃ 保温煅烧3-5h得到预烧料；
2)将改性剂MnCO3和SiO2加入到所述预烧料中，以蒸馏水或去离子 水以及氧化锆球为研磨介质，在球磨机中研磨混合后得到粉体，所述粉体 的中位粒径D50为0.7-0.9μm；
3)在所述粉体中加入聚乙烯醇溶液作为粘接剂进行造粒，然后在 160-180MPa压强下干压成型，得到压片；
4)将所述压片采用传统电子陶瓷排胶工艺进行排胶，并在1240-1260℃ 烧结3-5h，得到包括99wt％Sr1-xSm2x/3Ti1-y(Zn1/3Nb2/3)yO3(x＝0.5，y＝0)、 0.1wt％MnCO3和0.9wt％SiO2的SrTiO3基介质陶瓷。
采用矢量网络分析仪结合谐振腔分析所述高品质因子SrTiO3基介质陶 瓷的高品质因子、微波介电性能和谐振频率温度系数，结果表明，本对比 例制备的SrTiO3基介质陶瓷的品质因子为3600，介电常数为120。
表1分别列出了上述实施例和对比例中的x值、y值、MnCO3的质量 分数、SiO2的质量分数、SrTiO3基介质陶瓷的品质因子、介电常数和谐振 频率温度系数。
表1
上述表1中实施例和对比例的品质因子和介电常数的测试数据说明， 实施例一和实施例二的SrTiO3基介质陶瓷与对比例的SrTiO3基介质陶瓷相 比具有突出的高品质因子，同时保持了200左右的高介电常数，可以应用 于高增益型微型化北斗或GPS导航定位天线的制作。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对 上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这 些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细， 但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领 域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干 变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范 围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种高品质因子SrTiO3基介质陶瓷，其特征在于，包括99wt％的Sr1-xSm2x/3Ti1-y(Zn1/ 3Nb2/3)yO3(0.2≤x≤0.3，0.05≤y≤0.1)、0.2-0.5wt％的MnCO3和0.5-0.8wt％的SiO2。
2.一种如权利要求1所述的高品质因子SrTiO3基介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将原料SrCO3、Sm2O3、TiO2、ZnO和Nb2O5研磨混合，煅烧后得到预烧料；
将改性剂MnCO3和SiO2加入到所述预烧料中，研磨混合后得到粉体；
将所述粉体造粒，干压成型，得到压片；
将所述压片烧结，得到所述高品质因子SrTiO3基介质陶瓷。
3.根据权利要求2所述的一种高品质因子SrTiO3基介质陶瓷的制备方法，其特征在于，将原料SrCO3、Sm2O3、TiO2、ZnO和Nb2O5研磨混合后，在1050-1100℃保温煅烧3-5h得到所述预烧料。
4.根据权利要求2所述的一种高品质因子SrTiO3基介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述改性剂和所述预烧料研磨混合后的粉体的中位粒径D50为0.7-0.9μm。
5.根据权利要求4所述的一种高品质因子SrTiO3基介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述改性剂和所述预烧料以蒸馏水或去离子水以及氧化锆球为研磨介质，在球磨机中研磨混合后得到所述粉体。
6.根据权利要求2所述的一种高品质因子SrTiO3基介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述混合粉体中加入粘接剂进行造粒。
7.根据权利要求2所述的一种高品质因子SrTiO3基介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述混合粉体造粒后，在160-180MPa压强下干压成型。
8.根据权利要求2所述的一种高品质因子SrTiO3基介质陶瓷的制备方法，其特征在于，得到所述压片后，将所述压片排胶。
9.根据权利要求8所述的一种高品质因子SrTiO3基介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述压片排胶后，在1240-1260℃烧结3-5h。
CN201811209752.3A 2018-10-17 2018-10-17 一种高品质因子SrTiO3基介质陶瓷及其制备方法 Active CN110028318B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811209752.3A CN110028318B (zh) 2018-10-17 2018-10-17 一种高品质因子SrTiO3基介质陶瓷及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811209752.3A CN110028318B (zh) 2018-10-17 2018-10-17 一种高品质因子SrTiO3基介质陶瓷及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110028318A true CN110028318A (zh) 2019-07-19
CN110028318B CN110028318B (zh) 2021-11-12

Family

ID=67234946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811209752.3A Active CN110028318B (zh) 2018-10-17 2018-10-17 一种高品质因子SrTiO3基介质陶瓷及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110028318B (zh)

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5034759B1 (zh) * 1970-09-08 1975-11-11
US4621067A (en) * 1983-12-26 1986-11-04 Ube Industries, Ltd. Dielectric ceramic composition
JPS63215001A (ja) * 1987-03-04 1988-09-07 松下電器産業株式会社 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物
CN1397959A (zh) * 2002-07-25 2003-02-19 华南理工大学 钛酸钡基电压非线性电阻及其制备方法
CN1686936A (zh) * 2005-03-30 2005-10-26 天津大学 一种用于制备SrTiO3基压敏电容双功能陶瓷的方法
CN101107204A (zh) * 2005-01-26 2008-01-16 株式会社村田制作所 透明陶瓷及其制造方法、和光学元件与光学装置
US20100029464A1 (en) * 2008-07-31 2010-02-04 Tdk Corporation Dielectric ceramic composition and electronic device
US7960302B2 (en) * 2004-09-20 2011-06-14 Paratek Microwave, Inc. Tunable low loss ceramic composite compounds based on a barium strontium titanate/barium magnesium tantalate/niobate
CN102219506A (zh) * 2011-04-13 2011-10-19 武汉理工大学 稀土Nd和SiO2掺杂SrTiO3基介质陶瓷及其制备方法
CN104926297A (zh) * 2015-06-09 2015-09-23 苏州博恩希普新材料科技有限公司 一种温度稳定、介电常数可调的微波介质陶瓷及制备方法
CN104926300A (zh) * 2015-04-20 2015-09-23 桂林理工大学 温度稳定型电容器Sr4SmTiNb9O30陶瓷及其制备方法
CN105174943A (zh) * 2015-09-22 2015-12-23 桂林电子科技大学 一种介电储能陶瓷及其制备方法
CN106316395A (zh) * 2016-08-08 2017-01-11 苏州博恩希普新材料科技有限公司 一种高介电常数、高品质因子的微波介质陶瓷及制备方法
CN107500756A (zh) * 2017-09-13 2017-12-22 武汉理工大学 一种高介电常数低损耗SrTiO3基介质材料及其制备方法
CN108129145A (zh) * 2018-02-05 2018-06-08 厦门三行电子有限公司 一种x7r陶瓷电容器介质材料及其制备方法
CN108439973A (zh) * 2018-01-17 2018-08-24 天津大学 一种高q值高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5034759B1 (zh) * 1970-09-08 1975-11-11
US4621067A (en) * 1983-12-26 1986-11-04 Ube Industries, Ltd. Dielectric ceramic composition
JPS63215001A (ja) * 1987-03-04 1988-09-07 松下電器産業株式会社 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物
CN1397959A (zh) * 2002-07-25 2003-02-19 华南理工大学 钛酸钡基电压非线性电阻及其制备方法
US7960302B2 (en) * 2004-09-20 2011-06-14 Paratek Microwave, Inc. Tunable low loss ceramic composite compounds based on a barium strontium titanate/barium magnesium tantalate/niobate
CN101107204A (zh) * 2005-01-26 2008-01-16 株式会社村田制作所 透明陶瓷及其制造方法、和光学元件与光学装置
CN1686936A (zh) * 2005-03-30 2005-10-26 天津大学 一种用于制备SrTiO3基压敏电容双功能陶瓷的方法
US20100029464A1 (en) * 2008-07-31 2010-02-04 Tdk Corporation Dielectric ceramic composition and electronic device
CN102219506A (zh) * 2011-04-13 2011-10-19 武汉理工大学 稀土Nd和SiO2掺杂SrTiO3基介质陶瓷及其制备方法
CN104926300A (zh) * 2015-04-20 2015-09-23 桂林理工大学 温度稳定型电容器Sr4SmTiNb9O30陶瓷及其制备方法
CN104926297A (zh) * 2015-06-09 2015-09-23 苏州博恩希普新材料科技有限公司 一种温度稳定、介电常数可调的微波介质陶瓷及制备方法
CN105174943A (zh) * 2015-09-22 2015-12-23 桂林电子科技大学 一种介电储能陶瓷及其制备方法
CN106316395A (zh) * 2016-08-08 2017-01-11 苏州博恩希普新材料科技有限公司 一种高介电常数、高品质因子的微波介质陶瓷及制备方法
CN107500756A (zh) * 2017-09-13 2017-12-22 武汉理工大学 一种高介电常数低损耗SrTiO3基介质材料及其制备方法
CN108439973A (zh) * 2018-01-17 2018-08-24 天津大学 一种高q值高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN108129145A (zh) * 2018-02-05 2018-06-08 厦门三行电子有限公司 一种x7r陶瓷电容器介质材料及其制备方法

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
LUO T 等: "Improvement of quality factor of SrTiO3 dielectric ceramics with high dielectric constant using Sm2O3", 《JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY》 *
ZHANG LIHUA, ET AL.: "Thermoelectric Properties of Combustion Synthesized and Spark Plasma Sintered Sr1−xRxTiO3 (R = Y, La, Sm, Gd, Dy, 0<x≤0.1)", 《MATERIALS TRANSACTIONS》 *
张旭 等: "La2O3和Sm2O3掺杂对SrTiO3陶瓷结构与性能的影响", 《电子元件与材料》 *
徐筱璐: "Sm掺杂SrTiO3介质陶瓷的介电性能研究", 《中国优秀博硕士学位论文全文数据库(硕士)工程科技Ⅰ辑》 *
贾惠良 等: "Mn,Si等添加剂对GBBL电容器用材料SrTiO3性能的影响", 《功能材料》 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN110028318B (zh) 2021-11-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103130496B (zh) 低介电常数微波介电陶瓷LiAlSi2O6及其制备方法
CN103113104B (zh) 复合氧化物Li2W4O13作为可低温烧结微波介电陶瓷的应用
CN104003720B (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷Li2Zn2W2O9及其制备方法
CN103204680B (zh) 铌酸盐微波介电陶瓷LiMNb3O9及其制备方法
CN110066169B (zh) 一种氧化硅基低介电常数微波介质陶瓷及制备方法
CN103880422B (zh) 超低温烧结的微波介电陶瓷Li3Nb3B2O12及其制备方法
CN104058748A (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷LiMg2V3O10及其制备方法
CN103232243A (zh) 钒酸盐微波介电陶瓷Ca1.5M3V3O12及其制备方法
CN104003722A (zh) 可低温烧结的超低介电常数微波介电陶瓷Li3AlV2O8及其制备方法
CN104058746B (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷LiNd2V3O11及其制备方法
CN103922723B (zh) 超低温烧结的微波介电陶瓷Li3V3Bi2O12及其制备方法
CN110092655A (zh) 一种钡钐钛系低损耗微波介质陶瓷及其制备方法
CN104003723A (zh) 可低温烧结的微波介电陶瓷Li3Zn4NbO8及其制备方法
CN104058745A (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷Li2MgNb2O7及其制备方法
CN103922737A (zh) 可低温烧结的微波介电陶瓷Li3Nb3Si2O13及其制备方法
CN103539452A (zh) 可低温烧结的微波介电陶瓷Li2BiNb3O10及其制备方法
CN103193483B (zh) 可低温烧结钨酸盐微波介电陶瓷Li3R3W2O12及其制备方法
CN104058747A (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷LiMgV3O9及其制备方法
CN103435342A (zh) 钛酸盐微波介电陶瓷Ba2Ti5Zn1-xMgxO13及其制备方法
CN103922719B (zh) 可低温烧结的超低介电常数微波介电陶瓷TiP2O7及其制备方法
CN110028318A (zh) 一种高品质因子SrTiO3基介质陶瓷及其制备方法
JP4006755B2 (ja) マイクロ波用誘電体磁器組成物
CN103408298B (zh) 一种适用于低温烧结的微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN103922717B (zh) 可低温烧结的微波介电陶瓷Li2Nb5P3O21及其制备方法
CN109650886B (zh) 一种Ba-Mg-Ta系LTCC材料及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220720

Address after: Room 101 and 201, No. 4 workshop, Zhengfeng Industrial Park, No. 9, Chunxing Road, Caohu street, Xiangcheng national economic and Technological Development Zone, Suzhou, Jiangsu 215000

Patentee after: SUZHOU BOOM HIGH PURITY MATERIALS TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: Room 655, building a, No. 606, ningliu Road, Changlu street, Jiangbei new area, Nanjing, Jiangsu 210048

Patentee before: Nanjing Microceramic New Material Technology Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right