CN110024114A - 设计有柔性封装基板的具有用于高频通信系统的分布式堆叠天线的微电子器件 - Google Patents

设计有柔性封装基板的具有用于高频通信系统的分布式堆叠天线的微电子器件 Download PDF

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Abstract

本发明的实施例包括微电子器件，该微电子器件包括第一基板，该第一基板具有有机介电材料、传导层和分布式天线单元的第一部分。第一基板支撑至少一个射频（RF）组件。第二基板耦合到第一基板。第二基板与微电子器件的壳体集成在一起，并且包括分布式天线单元的第二部分，以用于以近似4 GHz或更高的频率发射和接收通信。

Description

设计有柔性封装基板的具有用于高频通信系统的分布式堆叠 天线的微电子器件
技术领域
本发明的实施例总体上涉及半导体器件的制造。具体来说，本发明的实施例涉及微电子器件，其被设计有柔性毫米波封装基板，具有用于高频通信系统的分布式堆叠天线。
背景技术
未来的无线产品正着眼于比目前利用的较低GHz的范围高得多的操作频率。例如，5G（第5代移动网络或第5代无线系统）通信预期将以大于或等于15 GHz的频率操作。此外，当前的WiGig（无线吉比特联盟）产品在60 GHz左右操作（例如，在世界各地，57-66 GHz）。包括汽车雷达和医学成像的其他应用利用毫米波频率（例如，24 GHz-300 GHz）中的无线通信技术。
WiGig系统和下一代移动和无线通信标准（5G）要求相控阵天线补偿自由空间路径损耗和低晶体管输出功率。天线的一种可能的实施方式是堆叠贴片天线，其中与主贴片结合地使用寄生贴片以增加带宽，同时与其他天线相比维持高增益。射频芯片和天线在同一基板上的共同集成将导致器件壳体内部的损耗。
附图说明
图1例示了具有堆叠贴片天线的微电子器件。
图2例示了根据一个实施例的具有柔性基板和分布式天线单元的微电子器件。
图3例示了根据一个实施例的具有柔性基板和分布式堆叠贴片天线的微电子器件300的顶视图。
图4例示了根据一个实施例的具有柔性基板和分布式天线单元的微电子器件。
图5例示了根据一个实施例的计算设备900。
具体实施方式
本文描述的是微电子器件，其被设计有柔性封装基板（例如，柔性毫米波封装基板），具有用于高频通信系统的分布式天线单元。在以下描述中，将使用由本领域技术人员普遍采用的术语来描述例证性实施方式的各种方面，以将他们工作的实质内容传达给本领域其他技术人员。然而，对于本领域技术人员来说将会显而易见的是，可以利用所描述的方面中的仅某些来实践本发明的实施例。出于解释的目的，阐述了具体的数目、材料和配置以便提供对所述例证性实施方式的透彻理解。然而，对于本领域技术人员显而易见的是，可以在没有所述具体细节的情况下实践本发明的实施例。在其他情况下，省略或简化了公知特征以免模糊例证性实施方式。
各种操作将被描述为多个分立的操作，进而以最有助于理解本发明的实施例的方式来描述，然而，描述的次序不应解释为暗示这些操作必然是次序相关的。特别地，不需要按呈现的次序来执行这些操作。
对于毫米（例如，1-10mm、任何mm的波或更高）波通信系统的高频（例如，5G、WiGig）无线应用，本设计利用具有柔性基板和天线集成方案的新封装架构，其降低了壳内损耗，同时维持了堆叠贴片天线所提供的高增益。
本设计将毫米波天线实施方式分摊在柔性封装基板和诸如微电子器件的壳体之类的次基板之间。使用不同的耦合机制来耦合这两个天线部分之间的信号。另外，本设计可以集成单极、偶极、维瓦尔第辐射天线（radiator）和侧向辐射天线元件以及其他类型的天线。
在微电子器件壳体上实现天线的至少一部分降低了与通过传统壳体材料的信号衰减相关的损耗。柔性基板使得RF模块的工作段（active section）能够集成在超薄基板上，因此便于其在不同应用中的使用，包括当设备的形状因子是一种束缚的情况（例如，手机、PDA、平板电脑、可穿戴设备、超极本等）。在一些实施例中，在天线元件之间存在气隙，这导致更高的效率，因为在低电场中捕获的功率更少。基板的柔性使得天线能够定向于朝向最大信号强度的任何期望的方向上。
在一个示例中，本设计使得5G架构能够以高频率（例如至少20 GHz、至少25 GHz、至少28 GHz、至少30 GHz、39 GHz、60 GHz、73 GHz等）操作，并且还可以具有至端点的每秒近似1-50吉比特（Gbps）的连接。在另一示例中，本设计以较低频率（例如，至少4 GHz、近似4GHz）操作。
图1例示了根据一个实施例的具有堆叠贴片天线的微电子器件。微电子器件100包括可选的基板120和封装基板150，封装基板150具有至少一个天线单元192，其具有主贴片193（例如，具有第一谐振频率的主贴片）和寄生贴片194（例如，具有第二谐振频率的寄生贴片）。替换地，该至少一个天线单元192或另一天线单元可以集成单极、偶极和侧面辐射天线元件以及其他类型的天线。主贴片和寄生贴片之间的层间介电材料是封装基板150的有机介电材料102。主贴片或底部天线元件193可以直接连接到射频管芯180。封装基板150包括至少一个天线单元192、传导层（例如193-195）、介电材料102（例如，有机材料、低温共烧陶瓷材料、液晶聚合物等）以及不同级别的传导连接197-198。基板120和IPD（集成无源器件）140的组件122-123可以使用连接163-164和第二级互连（例如，焊球、铜柱、金凸块、焊剂、液态金属、电容或电磁耦合器）160-161来与基板150的组件或图1中未示出的其他组件通信。IPD 140可以包括任何类型的无源器件，包括电感器、转换器（transformer）、电容器和电阻器。在一个示例中，IPD管芯上的电容器可以用于功率输送。在另一示例中，相同或不同IPD上的电阻器可以用于数字信号均衡。在一个示例中，基板120是印刷电路板。可以在基板制造期间作为基板150的构建层或核心层的一部分制作主贴片和寄生贴片。
在该示例中，图1例示了毫米波无线器件100的截面视图。使用相对厚的封装基板150来实现平面相控阵列。堆叠贴片天线显著增大了封装厚度，并且使用大的第二级互连（SLI）160-161（例如，BGA），除非基板120（例如，母板）具有空腔或者管芯180极薄。器件100的厚度182小于1毫米。图2例示了根据一个实施例的具有柔性基板和分布式天线单元的微电子器件。微电子器件200包括柔性封装基板250，其具有至少一个分布式天线单元292的第一部分，即天线元件295-296（例如，如图2中例示的主贴片295-296）。所述至少一个分布式堆叠天线单元292的第二部分包括位于不同的基板270（例如，器件壳体）上的天线元件293-294（例如，如图2中例示的寄生贴片293-294）。天线元件（例如，主贴片和寄生贴片）电容耦合。替换地，所述至少一个分布式天线单元292或另一天线单元可以集成单极、偶极和侧面辐射天线元件以及其他类型的天线。基板250和270与支撑柱240-241（例如，介电支撑柱、非介电支撑柱）分离，支撑柱240-241可以基于无线应用而具有不同的高度或厚度。在一些实施例中，可以使用非介电柱240-241。这种柱可以由金属或材料复合物制成。所述柱可以被设计成充当反射器，以增强总的天线指向性和效率。
在一个示例中，对于近似30 GHz的频率，柱240-241可以具有200至300微米的高度或厚度。在另一示例中，对于近似90 GHz的频率，柱240-241可以具有近似80到100微米的高度或厚度。支撑柱240-241（例如，焊球、陶瓷或塑料柱）可以用于维持基板250和270之间的分离。可以改变柱的高度以适应于天线的操作频率（例如，可以取决于器件将要用于的目标国家来改变频带）。还可以用低损耗介电材料填充主贴片和寄生贴片之间的间隙。而且，可以在基板250和270之间使用不同的支撑柱（例如，间隔层材料）。间隔层可以附着到任一基板或仅插在所述基板之间。当间隔层材料不与天线元件重叠时，可以实现期望的性能。
主贴片或底部天线元件295-296可以直接连接到射频管芯280。柔性封装基板250可以在多个区域中弯曲、折叠或扭曲，以产生不同的区段250a-250c或这些区段的任何期望的定位。封装基板250包括分布式天线单元292的至少一个元件、传导层（例如，传输线298）、介电材料202（例如，有机材料、低温共烧陶瓷材料、液晶聚合物等）以及不同级别的传导连接。在一个示例中，对于超薄微电子器件，封装基板250具有50到100微米的厚度。区段250c包括超薄多层有机封装基板，在其上使用引线键合或倒装芯片组装来附接至少一个半导体管芯280。半导体管芯280至少包含射频电路，如在GHz频率范围内操作的收发器。微电子管芯280用模塑料（mold material）230包覆成型以提供机械稳定性。模塑料230和区段250c可以具有100至200微米的厚度232。封装基板250的区段250a包含一个或多个分布式天线单元292。天线可以是单独的或被布置在相控阵配置中。在该实施例中，天线单元是堆叠贴片微带贴片天线。主贴片295-296被实现在封装基板250上，并使用低损耗受控阻抗线298（例如，接地共面波导（GCPW）、CPW、微带或带状线传输线）直接连接到管芯280。贴片293-294被实现在低损耗的次基板270上。在典型的平台中，第二基板270将是器件壳体的一部分，以降低平台内损耗。基板270可以胶合或拧到支撑柱。器件200可以用次级互连（SLI）260耦合到可选基板（例如，基板120、母板、印刷电路板）。
图3例示了根据一个实施例的具有柔性基板和分布式堆叠贴片天线的微电子器件300的顶视图。微电子器件300包括与器件200的组件类似的组件。器件300例示了间隔层材料340（例如，介电柱240-241、非介电柱240-241）与至少一个天线单元的天线元件393-396的相对位置。间隔层材料340分离各基板（例如，基板250和270），并且不与天线元件重叠。在一些实施例中，间隔层材料可以由金属或材料复合物制成。间隔层材料可以被设计成充当反射器，以增强总的天线指向性和效率。图4例示了根据一个实施例的具有柔性基板和分布式天线单元的微电子器件。微电子器件400包括柔性封装基板450，其具有至少一个分布式天线单元492的第一部分，即天线元件495-496。所述至少一个分布式天线单元292的第二部分包括位于不同基板470（例如，器件壳体）上的天线元件493-494。天线元件（例如，如图4中例示的贴片天线元件）之间的耦合以天线元件493与495之间的直接接触以及天线元件494与496之间的直接接触来进行。在一个示例中，封装基板450上的天线元件495和496显著小于基板470的天线元件493和494。
在另一示例中，至少一个分布式天线单元492或另一天线单元可以集成单极、偶极、孔径、端射和侧向辐射天线元件以及其他类型的天线。在另一示例中，可以使用缝隙谐振天线。
主贴片或底部天线元件495-496可以直接连接到射频管芯480。柔性封装基板450可以在多个区域中弯曲、折叠或扭曲，以产生不同的区段450a-450c或这些区段的任何期望的定位。封装基板450包括至少一个分布式堆叠天线单元492、传导层（例如，传输线498）、介电材料402（例如，有机材料、低温共烧陶瓷材料、液晶聚合物等）以及不同级别的传导连接。在一个示例中，对于超薄微电子器件，封装基板450具有50到100微米的厚度。区段450c包括超薄多层有机封装基板，在其上使用引线键合或倒装芯片组装来附接至少一个半导体管芯480。半导体管芯480至少包含射频电路，如在GHz频率范围内操作的收发器。微电子管芯480用模塑料430包覆成型以提供机械稳定性。模塑料430和区段450c可以具有100至200微米的厚度432。封装基板450的区段450a包含一个或多个分布式天线单元492。天线可以是单独的或被布置在相控阵配置中。在该实施例中，天线单元是堆叠贴片微带贴片天线。主贴片495-496被实现在封装基板450上，并且可以使用低损耗受控阻抗线498（例如，接地共面波导（GCPW）、CPW、微带或带状线传输线）直接连接到管芯480。贴片493-494被实现在低损耗的次基板470上。在典型的平台中，第二基板470将是器件壳体的一部分，以降低平台内损耗。器件400可以用次级互连（SLI）460耦合到可选基板（例如，基板420、母板、印刷电路板）。
封装基板、天线元件和模塑料可以具有与本文公开和例示的那些不同的厚度、长度和宽度尺寸。模塑料可以是低损耗非传导介电材料。
在另一实施例中，器件或组件中的任何都可以彼此耦合。
将认识到，在片上系统实施例中，管芯可以包括处理器、存储器、通信电路等等。尽管例示了单个管芯，但是晶圆的同一区域中可以完全不包括、包括一个或包括若干个管芯。
在一个实施例中，微电子器件可以是使用体硅或绝缘体上硅下层结构形成的晶状基板。在其他实施方式中，可以使用替换材料（其可以与硅组合或者可以不与硅组合）来形成微电子器件，所述替换材料包括但不限于锗、锑化铟、碲化铅、砷化铟、磷化铟、砷化镓、砷化铟镓、锑化镓、或者III-V族或IV族材料的其他组合。尽管此处描述了可以由其来形成基板的材料的几个示例，但是可以用作可在其上构建半导体器件的基础的任何材料都落入本发明的实施例的范围内。
图5例示了根据一个实施例的计算设备900。计算设备900容纳板902。该板（例如，母板、印刷电路板等）可以包括多个组件，包括但不限于至少一个处理器904和至少一个通信模块或芯片906。至少一个处理器904物理且电耦合到板902。在一些实施方式中，至少一个通信模块或芯片906也物理且电耦合到板902。在另外的实施方式中，通信模块或芯片906是处理器904的一部分。在一个示例中，通信模块或芯片906（例如，微电子器件100、200、300、400等）包括分布式天线单元920（例如，分布式天线单元192、292、492等）。
取决于其应用，计算设备900可以包括其他组件，它们可以或者可以不物理且电耦合到板902。这些其他组件包括但不限于易失性存储器（例如，DRAM910、911）、非易失性存储器（例如，ROM 912）、闪存、图形处理器916、数字信号处理器、密码处理器、芯片组914、天线单元920、显示器、触摸屏显示器930、触摸屏控制器922、电池932、音频编解码器、视频编解码器、功率放大器915、全球定位系统（GPS）设备926、罗盘924、陀螺仪、扬声器、相机950以及大容量存储设备（诸如硬盘驱动器、紧凑盘（CD）、数字多功能盘（DVD）等等）。
通信模块或芯片906使得能够实现无线通信以用于向和从计算设备900传输数据。术语“无线”和其派生词可以用于描述电路、设备、系统、方法、技术、通信信道等，其可以通过使用调制电磁辐射通过非固体介质来传送数据。该术语并不意味着相关设备不包含任何线缆，尽管在一些实施例中它们可能不包含。通信模块或芯片906可以实现许多无线标准或协议中的任何，包括但不限于Wi-Fi（IEEE 802.11家族）、WiMAX （IEEE 802.16家族）、WiGig、IEEE 802.20、长期演进（LTE）、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、蓝牙、其派生物、以及称为3G、4G、5G及以上的任何其他无线协议。计算设备900可以包括多个通信模块或芯片906。例如，第一通信模块或芯片906可以专用于较短范围的无线通信（诸如WiFi、WiGig和蓝牙），并且第二通信模块或芯片906可以专用于较长范围的无线通信（诸如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO、5G以及其他）。
计算设备900的至少一个处理器904包括封装在所述至少一个处理器904内的集成电路管芯。在本发明的一些实施例中，处理器封装包括一个或多个器件，诸如根据本发明的实施例的实现的微电子器件（例如，微电子器件100、200、300、400等）。术语“处理器”可以指代处理来自寄存器和/或存储器的电子数据以将该电子数据变换成可以存储在寄存器和/或存储器中的其他电子数据的任何器件或器件部分。
通信模块或芯片906也包括被封装在通信模块或芯片906内的集成电路管芯。根据本发明的实施例的另一实现，通信模块或芯片封装包括一个或多个微电子器件（例如，微电子器件100、200、300、400等）。
以下示例涉及另外的实施例。示例1是一种微电子器件，其包括第一基板，所述第一基板具有有机介电材料、传导层和分布式天线单元的第一部分。所述第一基板支撑至少一个射频（RF）组件。第二基板耦合到所述第一基板。所述第二基板与所述微电子器件的壳体集成在一起，并且包括所述分布式天线单元的第二部分，以用于以近似4 GHz或更高的频率发射和接收通信。
在示例2中，示例1的主题可以可选地包括间隔层材料以形成支撑柱，以提供所述第一与第二基板之间的分离。
在示例3中，示例1-2中的任一项的主题可以可选地包括所述分布式天线单元的第一部分包括第一天线元件，所述第一天线元件电容耦合到所述分布式天线单元的第二部分的第二天线元件。
在示例4中，示例1-3中的任一项的主题可以可选地包括所述第一基板具有50至100微米的厚度，以用于形成所述微电子器件。
在示例5中，示例1-4中的任一项的主题可以可选地包括所述分布式天线单元包括堆叠贴片天线、单极天线、偶极天线、孔径天线、端射天线、维瓦尔第辐射天线和缝隙谐振天线中的至少一个。
在示例6中，示例1-5中的任一项的主题可以可选地包括所述分布式天线单元的第一部分包括第一天线元件，所述第一天线元件接触所述分布式天线单元的第二部分的第二天线元件，其中所述第二天线元件形成于所述第二基板内。
在示例7中，示例1-6中的任一项的主题可以可选地包括所述分布式天线单元连接到所述至少一个RF组件，所述至少一个RF组件包括至少一个收发器管芯，以形成用于5G通信的5G封装架构的相控阵天线模块。
示例8是一种微电子器件，其包括第一柔性基板，所述第一柔性基板具有有机介电材料、传导层和分布式天线单元的第一部分。所述第一柔性基板包括第一和第二区段，其中所述第一区段要支撑用模塑料包覆成型的至少一个射频（RF）组件。第二基板耦合到所述第一基板。所述第二基板包括所述分布式天线单元的第二部分，以用于以近似4 GHz或更高的频率发射和接收通信。
在示例9中，示例8的主题可以可选地包括间隔层材料以形成支撑柱，以提供所述第一与第二基板之间的分离。
在示例10中，示例8-9中的任一项的主题可以可选地包括所述分布式天线单元的第一部分包括第一天线元件，所述第一天线元件电容耦合到所述分布式天线单元的第二部分的第二天线元件。
在示例11中，示例8-10中的任一项的主题可以可选地包括所述第一基板具有50至100微米的厚度，以用于形成所述微电子器件。
在示例12中，示例8-11中的任一项的主题可以可选地包括所述分布式天线单元包括堆叠贴片天线、单极天线、偶极天线、孔径天线、端射天线、维瓦尔第辐射天线和缝隙谐振天线中的至少一个。
在示例13中，示例8-12中的任一项的主题可以可选地包括所述分布式天线单元的第一部分包括第一天线元件，所述第一天线元件接触所述分布式天线单元的第二部分的第二天线元件，其中所述第二天线元件形成于所述第二基板内，所述第二基板与所述微电子器件的壳体集成在一起。
在示例14中，示例8-13中的任一项的主题可以可选地包括所述柔性基板被弯曲以形成所述第一和第二区段，其中所述第二区段包括所述分布式天线单元的第一部分。
示例15是一种计算设备，包括要处理数据的至少一个处理器以及耦合到所述至少一个处理器的通信模块或芯片。所述通信模块或芯片包括第一基板，其具有有机介电材料、传导层和分布式天线单元的第一部分。所述第一基板支撑至少一个射频（RF）组件和附接到第二基板的壳体，所述第二基板耦合到所述第一基板。所述第二基板包括所述分布式天线单元的第二部分，以用于以近似4 GHz或更高的频率发射和接收通信。
在示例16中，示例15的主题可以可选地包括间隔层材料以形成支撑柱，以提供所述第一与第二基板之间的分离。
在示例17中，示例15-16中的任一项的主题可以可选地包括所述分布式天线单元的第一部分包括第一天线元件，所述第一天线元件电容耦合到所述分布式天线单元的第二部分的第二天线元件。
在示例18中，示例15-17中的任一项的主题可以可选地包括所述第一基板具有50至100微米的厚度，以用于形成微电子器件。
在示例19中，示例15-18中的任一项的主题可以可选地包括所述分布式天线单元包括堆叠贴片天线、单极天线、偶极天线、孔径天线、端射天线、维瓦尔第辐射天线和缝隙谐振天线中的至少一个。
在示例20中，示例15-19中的任一项的主题可以可选地包括所述分布式天线单元的第一部分包括第一天线元件，所述第一天线元件接触所述分布式天线单元的第二部分的第二天线元件，其中所述第二天线元件形成于所述第二基板内。

Claims (20)

1.一种微电子器件，包括：
第一基板，其具有有机介电材料、传导层和分布式天线单元的第一部分，所述第一基板支撑至少一个射频（RF）组件；以及
耦合到所述第一基板的第二基板，所述第二基板与所述微电子器件的壳体集成在一起，并且包括所述分布式天线单元的第二部分，以用于以近似4 GHz或更高的频率发射和接收通信。
2.根据权利要求1所述的微电子器件，还包括间隔层材料以形成支撑柱，以提供所述第一与第二基板之间的分离。
3.根据权利要求2所述的微电子器件，其中，所述分布式天线单元的第一部分包括第一天线元件，所述第一天线元件电容耦合到所述分布式天线单元的第二部分的第二天线元件。
4.根据权利要求1所述的微电子器件，其中，所述第一基板具有50至100微米的厚度，以用于形成所述微电子器件。
5.根据权利要求1所述的微电子器件，其中，所述分布式天线单元包括堆叠贴片天线、单极天线、偶极天线、孔径天线、端射天线、维瓦尔第辐射天线和缝隙谐振天线中的至少一个。
6.根据权利要求1所述的微电子器件，其中，所述分布式天线单元的第一部分包括第一天线元件，所述第一天线元件接触所述分布式天线单元的第二部分的第二天线元件，其中所述第二天线元件形成于所述第二基板内。
7.根据权利要求1所述的微电子器件，其中，所述分布式天线单元连接到所述至少一个RF组件，所述至少一个RF组件包括至少一个收发器管芯，以形成用于5G通信的5G封装架构的相控阵天线模块。
8.一种微电子器件，包括：
第一柔性基板，其具有有机介电材料、传导层和分布式天线单元的第一部分，所述第一柔性基板包括第一和第二区段，其中所述第一区段要支撑用模塑料包覆成型的至少一个射频（RF）组件；以及
耦合到所述第一基板的第二基板，所述第二基板包括所述分布式天线单元的第二部分，以用于以近似4 GHz或更高的频率发射和接收通信。
9.根据权利要求8所述的微电子器件，还包括间隔层材料以形成支撑柱，以提供所述第一与第二基板之间的分离。
10.根据权利要求9所述的微电子器件，其中，所述分布式天线单元的第一部分包括第一天线元件，所述第一天线元件电容耦合到所述分布式天线单元的第二部分的第二天线元件。
11.根据权利要求8所述的微电子器件，其中，所述第一基板具有50至100微米的厚度，以用于形成所述微电子器件。
12.根据权利要求8所述的微电子器件，其中，所述分布式天线单元包括堆叠贴片天线、单极天线、偶极天线、孔径天线、端射天线、维瓦尔第辐射天线和缝隙谐振天线中的至少一个。
13.根据权利要求8所述的微电子器件，其中，所述分布式天线单元的第一部分包括第一天线元件，所述第一天线元件接触所述分布式天线单元的第二部分的第二天线元件，其中所述第二天线元件形成于所述第二基板内，所述第二基板与所述微电子器件的壳体集成在一起。
14.根据权利要求8所述的微电子器件，其中，所述柔性基板被弯曲以形成所述第一和第二区段，其中所述第二区段包括所述分布式天线单元的第一部分。
15.一种计算设备，包括：
要处理数据的至少一个处理器；以及
通信模块或芯片，其耦合到所述至少一个处理器，所述通信模块或芯片包括，
第一基板，其具有有机介电材料、传导层和分布式天线单元的第一部分，所述第一基板支撑至少一个射频（RF）组件；以及
附接到第二基板的壳体，所述第二基板耦合到所述第一基板，所述第二基板包括所述分布式天线单元的第二部分，以用于以近似4 GHz或更高的频率发射和接收通信。
16.根据权利要求15所述的计算设备，还包括间隔层材料以形成支撑柱，以提供所述第一与第二基板之间的分离。
17.根据权利要求16所述的计算设备，其中，所述分布式天线单元的第一部分包括第一天线元件，所述第一天线元件电容耦合到所述分布式天线单元的第二部分的第二天线元件。
18.根据权利要求16所述的计算设备，其中，所述第一基板具有50至100微米的厚度，以用于形成微电子器件。
19.根据权利要求16所述的计算设备，其中，所述分布式天线单元包括堆叠贴片天线、单极天线、偶极天线、孔径天线、端射天线、维瓦尔第辐射天线和缝隙谐振天线中的至少一个。
20.根据权利要求15所述的计算设备，其中，所述分布式天线单元的第一部分包括第一天线元件，所述第一天线元件接触所述分布式天线单元的第二部分的第二天线元件，其中所述第二天线元件形成于所述第二基板内。
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