DE102018219497A1 - Schaltungsanordnung für eine Hochfrequenzantenne, Verfahren zur Ausbildung einer Schaltungsanordnung, Substratträger und Verwendung einer Schaltungsanordnung - Google Patents

Schaltungsanordnung für eine Hochfrequenzantenne, Verfahren zur Ausbildung einer Schaltungsanordnung, Substratträger und Verwendung einer Schaltungsanordnung Download PDF

Info

Publication number
DE102018219497A1
DE102018219497A1 DE102018219497.1A DE102018219497A DE102018219497A1 DE 102018219497 A1 DE102018219497 A1 DE 102018219497A1 DE 102018219497 A DE102018219497 A DE 102018219497A DE 102018219497 A1 DE102018219497 A1 DE 102018219497A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
circuit arrangement
antenna
carrier
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102018219497.1A
Other languages
English (en)
Inventor
Andreas Kugler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE102018219497.1A priority Critical patent/DE102018219497A1/de
Priority to PCT/EP2019/081263 priority patent/WO2020099531A1/de
Publication of DE102018219497A1 publication Critical patent/DE102018219497A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12—Supports; Mounting means
    • H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/2283—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles mounted in or on the surface of a semiconductor substrate as a chip-type antenna or integrated with other components into an IC package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/40—Radiating elements coated with or embedded in protective material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/165—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed inductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H01L2924/15321—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10098—Components for radio transmission, e.g. radio frequency identification [RFID] tag, printed or non-printed antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10378—Interposers

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung (10; 10a bis 10c) für eine Hochfrequenzantenne (1), mit einem Substratelement (20), auf dem eine wenigstens ein Antennenelement (22) ausbildende metallische Leitungsstruktur angeordnet ist, wobei das Substratelement (20) als Träger für wenigstens ein elektronisches Bauelement (30) dient, das in Wirkverbindung mit dem wenigstens einen Antennenelement (22) angeordnet ist, und wobei zumindest das wenigstens eine elektronische Bauelement (30) durch eine Kapselung hermetisch dicht umschlossen ist.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung für eine Hochfrequenzantenne. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Ausbildung einer Schaltungsanordnung, einen Substratträger mit einer Vielzahl von Schaltungsanordnungen sowie die Verwendung einer erfindungsgemäß ausgebildeten Schaltungsanordnung.
  • Stand der Technik
  • Eine Schaltungsanordnung für eine Hochfrequenzantenne mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Anspruchs 1 ist aus der DE 197 10 811 B4 bekannt. Die bekannte Schaltungsanordnung weist eine metallische Grundplatte auf, auf der ein aus dielektrischem Material in Form eines Quarzes bestehendes Substratelement angeordnet ist. Auf der der Grundplatte abgewandten Seite des Substratelements ist mit dessen Oberseite ein elektronisches Bauelement verbunden, neben dem ebenfalls auf der Oberfläche des Substratelements Antennenelemente angeordnet sind. Die Oberseite der Grundplatte ist im Bereich des elektronischen Bauelements und der Antennenelemente mittels eines aus dielektrischem Material bestehenden Deckels überdeckt. Der Deckel stellt eine Kapselung dar, die das Substratelement bzw. die auf dem Substratelement befindlichen Bauelemente beispielsweise vor Oxidation schützt. Als nachteilig wird bei einer derartigen Kapselung angesehen, dass die Montage und beispielsweise das Evakuieren oder aber Fluten des Innenraums des Deckelelements mit einem inerten Gas sowie das anschließende hermetische Verschließen des Innenraums des Deckels einen relativ großen Montageaufwand darstellt, der darüber hinaus zur Sicherstellung der Funktionalität der Schaltungsanordnung prozesstechnisch aufwendig überwacht werden muss.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung für eine Hochfrequenzantenne mit den Merkmalen des Anspruchs 1 hat den Vorteil, dass sie sich in fertigungstechnischer Sicht besonders einfach, kostengünstig und prozesssicher herstellen lässt. Hierzu ist es erfindungsgemäß vorgesehen, dass zumindest das wenigstens eine elektronische Bauelement zu dessen Schutz von einer Moldmasse als Kapselung umgeben ist. Derartige Moldmassen haben insbesondere den Vorteil, dass sie sich relativ einfach prozesstechnisch verarbeiten lassen und einen sicheren Schutz des elektronischen Bauelements gegenüber äußeren, die Funktionalität des Bauelements beeinflussenden Faktoren ermöglichen. Weiterhin ermöglicht es die Verwendung einer Moldmasse, Substrate mit darauf angeordneten Bauelementen besonders einfach aus einem eine Vielzahl von Bauelementen aufweisenden Substratträger herzustellen, wobei die Substratelemente nach dem (vollflächigen) Umschließen der Bauelemente auf der Oberseite des Substratträgers aus diesem vereinzelt bzw. ausgetrennt werden. Somit ermöglicht es die Verwendung einer Moldmasse zum Schutz des wenigstens einen elektronischen Bauelements in besonders vorteilhafter Art und Weise, derartige Schaltungsanordnungen mit Substratelementen in großtechnischer Fertigung herstellen zu können. Derartige Schaltungsanordnungen können darüber hinaus besonders einfach mit einer größeren elektronischen Schaltung bzw. einem Schaltungsträger verbunden werden, um Teil einer elektronischen Baugruppe oder ähnliches zu sein.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung für eine Hochfrequenzantenne sind in den Unteransprüchen aufgeführt.
  • Zur Erzielung optimaler Strahlungseigenschaften der Hochfrequenzantenne ist es besonders bevorzugt vorgesehen, dass das Substratelement aus Glas oder Keramik ausgebildet ist.
  • Wie bereits erläutert, sieht es ein bevorzugter Anwendungsfall der Schaltungsanordnung vor, dass diese zusätzlich zumindest mittelbar mit einem Schaltungsträger elektrisch verbunden ist. Ein derartiger Schaltungsträger kann beispielsweise eine elektronische Baugruppe oder ein Teil eines Steuergeräts sein, das als Bestandsteil eines Fahrerassistenzsystems zur Abstandswarnung oder ähnlichem in einem Fahrzeug dient.
  • Insbesondere in Verbindung mit dem angesprochenen Schaltungsträger ist es zur Erzielung optimaler Sende- bzw. Empfangseigenschaften der Antennenelemente von Vorteil, wenn das wenigstens eine Antennenelement auf der dem Schaltungsträger abgewandten Seite auf dem Substratelement angeordnet ist, sodass der Schaltungsträger keine Abschirmung für die Antennenelemente ausbildet.
  • Bei dem zuletzt angesprochenen Anwendungsfall kann es zur Minimierung der erforderlichen Baugröße des Substratelements vorgesehen sein, dass das wenigstens eine elektronische Bauelement auf der dem wenigstens einen Antennenelement gegenüberliegenden Seite auf dem Substratelement, d.h. auf der dem Schaltungsträger zugewandten Seite angeordnet ist. Zur elektrischen Kontaktierung zwischen dem wenigstens einen Antennenelement und dem elektronischen Bauelement auf dem Substratelement können beispielsweise Durchkontaktierungen oder elektrisch leitende Beschichtungen an dem Substrat vorgesehen sein.
  • In Weiterbildung des zuletzt gemachten Vorschlags kann es vorgesehen sein, dass das wenigstens eine elektronische Bauelement unter Zwischenlage zumindest eines HF-Prepregelements mit dem Substratelement verbunden ist. Dieses HF-Prepregelement ist typischerweise über eine metallische Beschichtung, die auf der dem elektronischen Bauelement abgewandten Seite des HF-Prepregelements angeordnet ist und mit dem Substrat wiederum elektrisch kontaktiert ist, mit dem wenigstens einen Antennenelement verbunden. Ein Prepregelement hat den Vorteil, dass auf dem Substratelement eine oder mehrere zusätzliche Umverdrahtungslage eingefügt werden kann/können, was einen Anschluss eines komplexen HF ICs beispielsweise als Flip Chip Element ermöglicht.
  • Unter einem Prepregelement (pregrep: englische Kurzform für preimpregnated fibres) kann ein vorimprägniertes Faserelement verstanden werden. Hierunter fallen beispielsweise mit Reaktionsharzen vorimprägnierte textile Faser-Matrix-Halbzeuge, die zur Herstellung von Bauteilen unter Temperatur und Druck ausgehärtet werden.
  • Um auf möglichst einfache Art und Weise die elektrische Kontaktierung des Substrats mit einem Schaltungsträger zu ermöglichen, wenn sich das mit der Moldmasse umgebene elektronische Bauelement auf der dem Schaltungsträger zugewandten Seite befindet, ist es vorgesehen, dass das Substratelement oder das HF-Prepregelement über Lötverbindungen mit dem Schaltungsträger verbunden ist, und dass das Substratelement im Bereich der Lötverbindungen moldmassenfrei ausgebildet ist, um die Kontaktierung möglichst einfach und sicher auszubilden. Dadurch wird eine unmittelbare Verbindung zwischen dem Schaltungsträger und dem Substratelement ermöglicht.
  • Alternativ bzw. im Gegensatz zu einer Anordnung des wenigstens einen elektronischen Bauelements und des wenigstens einen Antennenelements auf unterschiedlichen Seiten des Substratelements kann es vorgesehen sein, dass das wenigstens eine elektronische Bauelement und das wenigstens eine Antennenelement auf der gleichen Seite auf dem Substratelement angeordnet sind. Eine derartige Ausbildung ermöglicht es insbesondere, die elektrische Verbindung zwischen dem wenigstens einen Antennenelement und dem wenigstens einen elektronischen Bauelement einfacher auszubilden oder aber die Fertigung rationeller zu gestalten. Weiterhin wird dadurch die Bauhöhe der Schaltungsanordnung verringert, was insbesondere in Verbindung mit einer mit dem Schaltungsträger verbundenen Schaltungsanordnung von Vorteil sein kann, da dann der Abstand zwischen dem Schaltungsträger und dem Substratelement relativ gering ist, was die Ausbildung der elektrischen Verbindung bzw. Kontaktierung vereinfacht.
  • Eine Weiterbildung des zuletzt gemachten Erfindungsgedankens, bei dem sowohl das wenigstens eine elektronische Bauelement als auch das wenigstens eine Antennenelement einerseits besonders gut gegenüber Umwelteinflüssen geschützt sind, und andererseits nichtsdestotrotz relativ gute Sende- bzw. Empfangseigenschaften des wenigstens einen Antennenelements ermöglicht werden, sieht vor, dass das wenigstens eine Antennenelement mit Moldmasse überdeckt ist, und dass auf der Moldmasse auf der dem Substratelement abgewandten Seite wenigstens ein Strahlformungselement, vorzugsweise in Form einer metallischen Schicht, für das wenigstens eine Antennenelement angeordnet ist. Eine derartige Ausbildung hat insbesondere auch den Vorteil, dass die ansonsten durch die Moldmasse verschlechterten Sende- bzw. Empfangseigenschaften des wenigstens einen Antennenelements nicht bzw. nur in geringem Ausmaß beeinflusst oder sogar verbessert werden können.
  • In alternativer Anordnung zum zuletzt gemachten Vorschlag kann es jedoch auch vorgesehen sein, dass zumindest der Bereich, in dem das wenigstens eine Antennenelement auf dem Substratelement angeordnet ist, moldmassenfrei ausgebildet ist. Dadurch werden optimale Sende- und Empfangseigenschaften auch ohne zusätzliche Strahlformungselemente ermöglicht.
  • Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Ausbildung einer Schaltungsanordnung, die vorzugsweise auf die oben beschriebene Art und Weise ausgebildet ist. Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst dabei zumindest folgende Schritte: Zunächst werden eine Vielzahl von Antennenelementen auf der Oberfläche eines in einzelne Substratelemente vereinzelbaren Substratträgers ausgebildet. Danach erfolgen ein zumindest mittelbares Anordnen einer Vielzahl von jeweils identisch ausgebildeten elektronischen Bauelementen auf dem Substratträger und ein elektrisches Kontaktieren der Bauelemente mit den Antennenelementen. Anschließend erfolgt ein Ummolden der Seite des Substratträgers, auf dem sich die elektronischen Bauelemente befinden. Zuletzt findet ein Vereinzeln der Substratelemente aus dem Substratträger statt. Das zuletzt erwähnte Vereinzeln der Substratelemente aus dem Substratträger wird üblicherweise mittels Sägetechniken, wie diese aus dem Stand der Technik bekannt sind, vorgenommen.
  • Eine Weiterbildung des zuletzt beschriebenen Verfahrens sieht vor, dass die vereinzelten Substratelemente anschließend mit jeweils einem Schaltungsträger verbunden werden.
  • Zur Optimierung der Sende- bzw. Empfangseigenschaften der Antennenelemente ist es darüber hinaus vorgesehen, dass der Bereich der Antennenelemente vor dem Vereinzeln der Substratelemente durch Freistellen oder Schützen ohne Moldmasse ausgebildet wird, oder dass auf der Moldmasse im Bereich der von Moldmasse überdeckten Antennenelemente Strahlformungselemente für die Antennenelemente angeordnet werden.
  • Weiterhin umfasst die Erfindung auch einen Substratträger mit einer Vielzahl von auf die oben beschriebene Art und Weise hergestellten Schaltungsanordnungen.
  • Eine bevorzugte Verwendung erfindungsgemäßer Schaltungsanordnungen besteht darin, diese als Bestandteil eines Fahrassistenzsystems in einem Fahrzeug zu verwenden.
  • Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele sowie anhand der Zeichnungen.
  • Figurenliste
    • 1 bis 4 zeigt in jeweils vereinfachten Längsschnitten mit einem Schaltungsträger verbundene, unterschiedlich ausgebildete Schaltungsanordn ungen,
    • 5 zeigt einen Substratträger, der zur Ausbildung von Substratelementen dient, wie diese in der 1 bis 4 dargestellt sind, in Draufsicht und
    • 6 zeigt ein Flussdiagramm zur Erläuterung der wesentlichen Verfahrensschritte zur Ausbildung einer Schaltungsanordnung.
  • Beschreibung der Ausführungsbeispiele
  • Gleiche Elemente bzw. Elemente mit gleicher Funktion sind in den Figuren mit den gleichen Bezugsziffern versehen.
  • In der 1 ist eine erste Schaltungsanordnung 10 zur Ausbildung einer Hochfrequenzantenne 1 dargestellt, die mit einem Schaltungsträger 12, zum Beispiel in Form einer eine (nicht gezeigte) elektronische Schaltung aufweisenden Leiterplatte 14 oder ähnlichem über Lötverbindungen 16 verbunden ist. Die Lötverbindungen 16 in Form von sogenannten Lötbumps sind im Bereich von Metallisierungen 18 oder Lands auf der Oberseite des Schaltungsträgers 12 angeordnet und verbinden die Schaltungsanordnung 10 mit der erwähnten elektronischen Schaltung des Schaltungsträgers 12. Der Schaltungsträger 12 bzw. die Schaltungsanordnung 10 sind beispielsweise Bestandteil eines im Einzelnen nicht dargestellten Steuergeräts, das als Fahrerassistenzsystem in einem Fahrzeug beispielsweise zur Abstandsmessung dient.
  • Die Schaltungsanordnung 10 umfasst ein im Ausführungsbeispiel Glaswerkstoff aufweisendes Substratelement 20, auf dessen dem Schaltungsträger 12 abgewandten Oberseite wenigstens ein (HF-) Antennenelement 22 in Form einer metallischen Leitungsstruktur durch Beschichten oder Bedrucken ausgebildet ist. Das wenigstens eine Antennenelement 22 ist elektrisch auf der dem wenigstens einen Antennenelement 22 abgewandten Seite des Substratelements 20 mit einer metallischen Beschichtung 24 (die eine elektrische Masse ausbildet) elektrisch kontaktiert. Die Beschichtung 24 ist wiederum mit einem HF-Prepregelement 26 verbunden, das beispielsweise aus einem PCB oder einem Laminat, wie Tachyon besteht. Auf der der Beschichtung 24 abgewandten Seite des HF-Prepregelements 26 ist wenigstens ein elektronisches Bauelement 30 in Form eines ICs o.ä. angeordnet und mittels Verbindungen 32 elektrisch zumindest mittelbar mit dem wenigstens einen Antennenelement 22 verbunden.
  • Das elektronische Bauelement 30 ist zumindest in seinem unmittelbaren Bereich an seiner Oberseite sowie den Seitenflächen von einer Moldmasse 34 umgeben bzw. geschützt angeordnet. Seitlich neben der Moldmasse 34 sind die Lötverbindungen 16 angeordnet, welche die elektrische Verbindung zwischen dem Schaltungsträger 12 und dem HF-Prepregelement 26 ausbilden, wozu das HF-Prepregelement 26 entsprechend ausgebildete, nicht dargestellte metallische Beschichtungen oder ähnliches aufweist.
  • Die in der 2 dargestellte Schaltungsanordnung 10a unterscheidet sich von der Schaltungsanordnung 10 gemäß der 1 dadurch, dass die Schaltungsanordnung 10a weder eine metallische Beschichtung 24 noch ein HF-Prepregelement 26 aufweist. Vielmehr ist das elektronische Bauelement 30 unmittelbar mit dem Substratelement 20 elektrisch leitend verbunden.
  • Während bei den 1 und 2 sich das wenigstens eine elektronische Bauelement 30 und das wenigstens eine Antennenelement 22 auf gegenüberliegenden Seiten des Substratelements 20 befinden, sind bei der Schaltungsanordnung 10b gemäß der 3 sowohl das wenigstens eine Antennenelement 22 als auch das wenigstens eine elektronische Bauelement 30 auf der dem Schaltungsträger 12 abgewandten Oberseite des Substratelements 20 angeordnet. Beispielhaft befindet sich das wenigstens eine Antennenelement 22 seitlich neben dem elektronischen Bauelement 30, wobei das elektronische Bauelement 30 über elektrische Verbindungen 36 mit dem Antennenelement 22 bzw. dem Substratelement 20 elektrisch leitend verbunden ist. Weiterhin ist es vorgesehen, dass die gesamte Oberseite bzw. der gesamte Bereich des Substratelements 20 von der Moldmasse 34 überdeckt ist. Zur Verbesserung der Sende- bzw. Empfangseigenschaften des Antennenelements 22 sind auf der Moldmasse 34 in Wirkverbindung mit dem Antennenelement 22 angeordnete Strahlformungselemente 38 vorgesehen, die beispielsweise in Form einer metallischen Beschichtung oder ähnlichem ausgebildet sind.
  • Zuletzt ist in der 4 ein gegenüber 3 modifiziertes Ausführungsbeispiel mit einer Schaltungsanordnung 10c dargestellt. Die Schaltungsanordnung 10c unterscheidet sich von der Schaltungsanordnung 10b gemäß der 3 dadurch, dass der Bereich um das Antennenelement 22 von Moldmasse 34 befreit ist, indem dort keine Moldmasse 34 aufgebracht wurde. Somit ist lediglich der Bereich des elektronischen Bauelements 30 auf dem Substratelement 20 von Moldmasse 34 umgeben. Dadurch, dass das Antennenelement 22 nicht von Moldmasse 34 umgeben ist, kann auf die in der 3 dargestellten Strahlformungselemente 38 verzichtet werden.
  • In der 5 ist ein Ausschnitt eines Substratträgers 50 dargestellt, der zur Herstellung jeweils einer Vielzahl von Schaltungsanordnungen 10a bis 10c auf rechteckförmigen Substratelementen 20 dient. Die Substratelemente 20 bzw. Schaltungsanordnungen 10a bis 10c werden nach deren Ausbildung beispielsweise durch Aussägen oder ähnliche, an sich aus dem Stand der Technik bekannte Trenntechnologien, aus dem Substratträger 50 abgetrennt bzw. vereinzelt.
  • Zur Erläuterung der wesentlichen Verfahrensschritte bei der Ausbildung der Schaltungsanordnungen 10, 10a bis 10c an dem Substratträger 50 wird nunmehr auf die 6 verwiesen: Darin ist erkennbar, dass zunächst in einem ersten Fertigungsschritt 101 eine Vielzahl von Antennenelementen 22 auf der Oberfläche des in einzelne Substratelemente 20 vereinzelbaren Substratträgers 50 ausgebildet werden. Anschließend erfolgt in einem Fertigungsschritt 102 ein zumindest mittelbares Anordnen einer Vielzahl von jeweils identisch ausgebildeten elektronischen Bauelementen 30 auf dem Substratträger 50 und ein elektrisches Kontaktieren der elektronischen Bauelemente 30 mit den Antennenelementen 22. Danach erfolgt in einem Fertigungsschritt 103 ggf. ein Freistellen bzw. Schützen von Bereichen, in denen keine Moldmasse 34 aufgebracht werden soll. Anschließend erfolgt in einem Schritt 104 ein Ummolden mit Moldmasse 34 der Seite des Substratträgers 50, auf dem sich die elektronischen Bauelemente 30 befinden mit Ausnahme ggf. der Bereiche, die im Schritt 103 freigestellt worden sind. Die freigestellten Bereiche sind die Bereiche, in denen wenigstens eine elektrische Verbindung mit dem Schaltungsträger 12 oder die Anordnung der Antennenelemente 22 erfolgt ist. Anschließend erfolgt in einem Fertigungsschritt 105 ein Vereinzeln von Substratelementen 20 aus dem Substratträger 50. Ggf. kann vor dem Vereinzeln der Substratelemente 20 noch das Anordnen der Strahlformungselemente 38 erfolgen.
  • Nach dem Fertigungsschritt 105 erfolgt zum Beispiel das elektrische Verbinden der Substratelemente 20 mit jeweils einem Schaltungsträger 12 entsprechend der in den 1 bis 4 dargestellten Anordnungen.
  • Die soweit beschriebenen Ausführungsbeispiele können in vielfältiger Art und Weise abgewandelt bzw. modifiziert werden, ohne vom Erfindungsgedanken abzuweichen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 19710811 B4 [0002]

Claims (15)

  1. Schaltungsanordnung (10; 10a bis 10c) für eine Hochfrequenzantenne (1), mit einem Substratelement (20), auf dem eine wenigstens ein Antennenelement (22) ausbildende metallische Leitungsstruktur angeordnet ist, wobei das Substratelement (20) als Träger für wenigstens ein elektronisches Bauelement (30) dient, das in Wirkverbindung mit dem wenigstens einen Antennenelement (22) angeordnet ist, und wobei zumindest das wenigstens eine elektronische Bauelement (30) durch eine Kapselung hermetisch dicht umschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Kapselung in Form einer Moldmasse (34) ausgebildet ist.
  2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Substratelement (20) zumindest im Wesentlichen aus Glaswerkstoff oder Keramikwerkstoff ausgebildet ist.
  3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Substratelement (20) zumindest mittelbar mit einem Schaltungsträger (12) elektrisch verbunden ist.
  4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das wenigstens eine Antennenelement (22) auf der dem Schaltungsträger (12) abgewandten Seite auf dem Substratelement (20) angeordnet ist.
  5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das wenigstens eine elektronische Bauelement (30) auf der dem wenigstens einen Antennenelement (22) gegenüberliegenden Seite auf dem Substratelement (20) angeordnet ist.
  6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das wenigstens eine elektronische Bauelement (30) unter Zwischenlage zumindest eines HF-Prepregelements (26) mit dem Substratelement (20) verbunden ist.
  7. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Substratelement (20) oder das HF-Prepregelement (26) über Lötverbindungen (16) mit dem Schaltungsträger (12) verbunden ist, und dass das Substratelement (20) im Bereich der Lötverbindungen (16) moldmassenfrei ausgebildet ist.
  8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das wenigstens eine elektronische Bauelement (30) und das wenigstens eine Antennenelement (22) auf der gleichen Seite auf dem Substratelement (20) angeordnet sind.
  9. Schaltungsanordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das wenigstens eine Antennenelement (22) mit Moldmasse (34) überdeckt ist, und dass auf der Moldmasse (34) auf der dem Substratelement (20) abgewandten Seite wenigstens ein Strahlformungselement (38), vorzugsweise in Form einer metallischen Schicht, für das wenigstens eine Antennenelement (22) angeordnet ist.
  10. Schaltungsanordnung Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest der Bereich, in dem das wenigstens eine Antennenelement (22) auf dem Substratelement (20) angeordnet ist, moldmassenfrei ausgebildet ist.
  11. Verfahren zur Ausbildung einer Schaltungsanordnung (10; 10a bis 10c), die vorzugsweise nach einem der Ansprüche 1 bis 10 ausgebildet ist, umfassend zumindest folgende Schritte: - Ausbilden einer Vielzahl von Antennenelementen (22) auf der Oberfläche eines in einzelne Substratelemente (20) vereinzelbaren Substratträgers (50) - Zumindest mittelbares Anordnen einer Vielzahl von jeweils identisch ausgebildeten elektronischen Bauelementen (30) auf dem Substratträger (50) und elektrisches Kontaktieren der Bauelemente (30) mit den Antennenelementen (22) - Überdecken mit einer Moldmasse (34) der Seite des Substratträgers (50), auf dem sich die elektronischen Bauelemente (30) befinden - Vereinzeln von Substratelementen (20) aus dem Substratträger (50)
  12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die vereinzelten Substratelemente (20) mit jeweils einem Schaltungsträger (12) verbunden werden.
  13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass im Bereich der Antennenelemente (22) keine Moldmasse (34) aufgebracht wird, oder dass auf der Moldmasse (34) im Bereich der von Moldmasse (34) überdeckten Antennenelemente (22) Strahlformungselemente (38) für die Antennenelemente (22) angeordnet werden.
  14. Substratträger (50) mit einer Vielzahl von Schaltungsanordnungen (10; 10a bis 10c), die nach einem Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13 hergestellt sind.
  15. Verwendung von Schaltungsanordnungen (10; 10a bis 10c), die nach einem der Ansprüche 1 bis 10 ausgebildet sind, als Bestandteil eines Fahrassistenzsystems in einem Fahrzeug.
DE102018219497.1A 2018-11-15 2018-11-15 Schaltungsanordnung für eine Hochfrequenzantenne, Verfahren zur Ausbildung einer Schaltungsanordnung, Substratträger und Verwendung einer Schaltungsanordnung Pending DE102018219497A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102018219497.1A DE102018219497A1 (de) 2018-11-15 2018-11-15 Schaltungsanordnung für eine Hochfrequenzantenne, Verfahren zur Ausbildung einer Schaltungsanordnung, Substratträger und Verwendung einer Schaltungsanordnung
PCT/EP2019/081263 WO2020099531A1 (de) 2018-11-15 2019-11-14 Schaltungsanordnung für eine hochfrequenzantenne, verfahren zur ausbildung einer schaltungsanordnung, substratträger und verwendung einer schaltungsanordnung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102018219497.1A DE102018219497A1 (de) 2018-11-15 2018-11-15 Schaltungsanordnung für eine Hochfrequenzantenne, Verfahren zur Ausbildung einer Schaltungsanordnung, Substratträger und Verwendung einer Schaltungsanordnung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102018219497A1 true DE102018219497A1 (de) 2020-05-20

Family

ID=68610212

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102018219497.1A Pending DE102018219497A1 (de) 2018-11-15 2018-11-15 Schaltungsanordnung für eine Hochfrequenzantenne, Verfahren zur Ausbildung einer Schaltungsanordnung, Substratträger und Verwendung einer Schaltungsanordnung

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102018219497A1 (de)
WO (1) WO2020099531A1 (de)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19710811B4 (de) 1997-03-15 2006-06-01 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zum gerichteten Abstrahlen und/oder Aufnehmen elektromagnetischer Wellen

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11050155B2 (en) * 2016-12-14 2021-06-29 Intel Corporation Microelectronic devices designed with mold patterning to create package-level components for high frequency communication systems
DE102016224936A1 (de) * 2016-12-14 2018-06-14 Robert Bosch Gmbh Radarmodul
DE112016007571T5 (de) * 2016-12-30 2019-10-24 Intel Corporation Mikroelektronische bauelemente entworfen mit flexiblengehäusesubstraten mit verteilten gestapelten antennen fürhochfrequenz-kommunikationssysteme
EP3364457A1 (de) * 2017-02-15 2018-08-22 Nxp B.V. Integriertes schaltungsgehäuse mit antenne

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19710811B4 (de) 1997-03-15 2006-06-01 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zum gerichteten Abstrahlen und/oder Aufnehmen elektromagnetischer Wellen

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020099531A1 (de) 2020-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102016110862B4 (de) Modul und Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Modulen
EP1186035A1 (de) Elektronisches bauelement mit flexiblen kontaktierungsstellen und verfahren zum herstellen eines derartigen bauelements
EP2526545B1 (de) Sensor mit dämpfung
DE102008005520A1 (de) Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung
DE102015202801A1 (de) Antennenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Antennenanordnung
DE102013202910A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102011083627A1 (de) Verfahren zur Kontaktierung eines elektronischen Bauteils und Baugruppe mit einem elektronischen Bauteil auf einem Substrat
DE102019219887A1 (de) Sensorgehäuse mit geformtem Leitungsrahmen
WO2012016898A2 (de) Verfahren zur herstellung einer mehrzahl von elektronischen bauelementen mit elektromagnetischer schirmung und insbesondere mit wärmeabführung und elektronisches bauelement mit elektromagnetischer schirmung und insbesondere mit wärmeabführung
DE102017210901B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren einer Fertigung derselben
DE102009001932A1 (de) Chipmodul und Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls
DE102013203350A1 (de) Elektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102018219497A1 (de) Schaltungsanordnung für eine Hochfrequenzantenne, Verfahren zur Ausbildung einer Schaltungsanordnung, Substratträger und Verwendung einer Schaltungsanordnung
WO2015078959A1 (de) Verfahren zum herstellen einer elektronischen baugruppe
WO1999053508A1 (de) Trägerkörper für elektronische bauelemente
DE4223371A1 (de) Verfahren und Platine zur Montage von Bauelementen
DE102010013899A1 (de) Duplexervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102015226137A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Schaltungsbauteils und Schaltungsbauteil
EP2778119B1 (de) Sensor und Verfahren zum Herstellen einer flexiblen Lötverbindung zwischen einem Sensor und einer Leiterplatte
DE102018203101A1 (de) Gehäuste halbleitervorrichtungen und verfahren zur herstellung gehäuster halbleitervorrichtungen
DE19841996B4 (de) Halbleiterbauelement im Chip-Format und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19609134A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Datenträgers mit einem elektronischen Modul
DE102020108775B4 (de) Sensorpackages und verfahren zur herstellung von sensorpackages
DE102015107660A1 (de) Elektronisches Bauteil sowie Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils
DE102007036046A1 (de) Planares elektronisches Modul