CN110023724A - 光检测器 - Google Patents

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Abstract

本发明的光检测器包括基板和膜体，该膜体以与基板的表面之间形成空隙的方式被支承于基板的表面上，膜体包括：隔着沿着线延伸的间隙彼此相对的第1配线层和第2配线层；具有依赖于温度的电阻的电阻层，电阻层分别与第1配线层和第2配线层电连接；与基板的表面相对的光吸收层；和配置于第1配线层和第2配线层各自与光吸收层之间的隔离层，光吸收层包括：第1区域，其在从基板的厚度方向观察时，在第1配线层的与第2配线层相反的一侧扩展；和第2区域，其在从基板的厚度方向观察时，在第2配线层的与第1配线层相反的一侧扩展。

Description

光检测器
技术领域
本发明的一个方式涉及一种光检测器。
背景技术
作为光检测器，已知有如下所记载的光检测器：其具有基板、和以与基板的表面之间形成空隙的方式支承于基板的表面上的膜体，膜体包括隔着间隙而彼此相对的一对配线层、和具有依存于温度的电阻的电阻层(例如参照专利文献1)。在专利文献1记载的装置中，相当于一对配线层的一对电极在除间隙外的膜体的整个区域扩展，利用该一对电极进行光吸收。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利第6426539号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，如专利文献1所记载的装置，当一对配线层在除间隙外的膜体的整个区域扩展，则由于光吸收所产生的热容易在配线层传递而散逸至基板侧，因此灵敏度的提高有限。
因此，本发明的一个方式的目的在于，提供一种能够谋求灵敏度的提高的光检测器。
解决课题的技术手段
本发明的一个方式的光检测器，其包括基板和膜体，该膜体以与基板的表面之间形成空隙的方式被支承于基板的表面上，膜体包括：隔着沿着线延伸的间隙彼此相对的第1配线层和第2配线层；具有依赖于温度的电阻的电阻层，电阻层分别与第1配线层和第2配线层电连接；与基板的表面相对的光吸收层；和配置于第1配线层和第2配线层各自与光吸收层之间的隔离层，光吸收层包括：第1区域，其在从基板的厚度方向观察时，在第1配线层的与第2配线层相反的一侧扩展；和第2区域，其在从基板的厚度方向观察时，在第2配线层的与第1配线层相反的一侧扩展。
在该光检测器中，在从基板的厚度方向观察时，光吸收层的第1区域在第1配线层的与第2配线层相反的一侧扩展，光吸收层的第2区域在第2配线层的与第1配线层相反的一侧扩展。即，在从基板的厚度方向观察时，光吸收层的第1区域不与第1配线层重叠，光吸收层的第2区域不与第2配线层重叠。由此，实现在光吸收层的第1区域和第2区域的充分的光吸收。并且，在第1配线层和第2配线层各自与光吸收层之间配置有隔离层。由此，抑制在光吸收层中产生的热在第1配线层和第2配线层传递而散逸至基板侧这样的情形，该热借助隔离层充分传递至电阻层。由此，根据该光检测器，可谋求灵敏度的提高。
本发明的一方式的光检测器中，也能够还包括配置于基板的表面且与光吸收层构成光谐振构造的光反射层。根据该构成，能够实现对应于光吸收层与光反射层的距离的波长带中的光吸收。
在本发明的一方式的光检测器中，在从基板的厚度方向观察时，第1配线层和第2配线层的面积之和也能够小于第1区域和第2区域的面积之和。根据该构成，在光吸收层的第1区域和第2区域中能够进一步实现充分的光吸收，且进一步抑制在光吸收层中产生的热在第1配线层和第2配线层传递而散逸至基板侧这样的情形，因此能够谋求灵敏度的进一步提高。
在本发明的一方式的光检测器中，在从基板的厚度方向观察时，第1配线层和第2配线层的面积之和也能够小于第1区域和第2区域各自的面积。根据该构成，在光吸收层的第1区域和第2区域中能够实现充分的光吸收，并且进一步抑制在光吸收层中产生的热在第1配线层和第2配线层传递而散逸至基板侧这样的情形，因此能够谋灵敏度的进一步提高。
在本发明的一方式的光检测器中，在从基板的厚度方向观察时，沿线的方向上的第1配线层和第2配线层各自的长度，也能够大于与线垂直的方向上的第1配线层和第2配线层各自的宽度。根据该构成，能够增长间隙的长度，谋求灵敏度的进一步提高。
在本发明的一方式的光检测器中，隔离层的厚度也能够大于第1配线层、第2配线层、电阻层和光吸收层各自的厚度。根据该构成，由于进一步抑制在光吸收层中产生的热在第1配线层和第2配线层传递而散逸至基板侧这样的情形，因此能够谋求灵敏度的进一步提高。
发明效果
根据本发明的一方式，能够提供一种能够谋求灵敏度的提高的光检测器。
附图说明
图1是一个实施方式的光检测器的俯视图。
图2是图1的光检测器的像素部的俯视图。
图3是图2的像素部的光检测元件的立体图。
图4是图3的光检测元件的俯视图。
图5是图3的光检测元件的截面图。
图6是表示光谐振构造的原理的图。
图7是变化例的光检测元件的俯视图。
图8是变化例的光检测元件的截面图。
图9是变化例的光检测元件的截面图。
图10是变化例的光检测元件的截面图。
图11是变化例的光检测元件的截面图。
图12是变化例的光检测元件的截面图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的优选实施方式进行详细说明。此外，对各图中相同或对应的部分标注相同的符号，省略重复说明。
图1所示的光检测器1通过利用作为辐射热测量计的功能来检测光。该光例如为红外线。该光为红外线时，光检测器1用于红外成像器或热成像等。如图1所示，光检测器1包括基板2、像素部3和信号处理电路部4。基板2例如为Si基板。基板2的厚度例如为数百μm左右。像素部3和信号处理电路部4形成于基板2上，并彼此电连接。此外，信号处理电路部4也可以形成于基板2内。
如图2所示，像素部3是由多个光检测元件10构成。多个光检测元件10配置为二维矩阵状。如图3所示，光检测元件10包括基板2(准确而言是基板2的一部分)、光反射层5、一对电极插头11、12和膜体20。
光反射层5形成于基板2的表面2a。光反射层5与后述的光吸收层34相对，且与光吸收层34一起构成光谐振构造。光反射层5的厚度例如为数百nm左右。光反射层5的材料例如为相对于光(例如红外线)的反射率较大的金属材料(例如Al等)。
一对电极插头11、12形成于基板2的表面2a上。各电极插头11、12形成为例如圆柱状。各电极插头11、12的高度例如为数μm左右。各电极插头11、12的材料例如为Ti等金属材料。一对电极插头11、12以在基板2的表面2a与膜体20之间形成空隙S的方式在基板2的表面2a上支承膜体20。膜体20与基板2的表面2a大致平行地配置。膜体20与基板2的表面2a的距离例如为数μm左右。
如图3～图4所示，膜体20具有受光部21、一对电极部22、23、和一对梁部24、25。受光部21在从基板2的厚度方向(即，与基板2的表面2a垂直的方向)观察时，以避开各电极插头11、12的方式扩展。电极部22配置于电极插头11上。电极部23配置于电极插头12上。梁部24在受光部21的一侧沿着受光部21的外缘延伸。梁部25在受光部21的另一侧沿着受光部21的外缘延伸。梁部24的一端与电极部22连接，梁部24的另一端在电极部23附近的位置与受光部21连接。梁部25的一端与电极部23连接，梁部25的另一端在电极部22附近的位置与受光部21连接。膜体20在从基板2的厚度方向观察时例如呈矩形形状。一对电极部22、23分别设置于膜体20的对角。
受光部21、一对电极部22、23和一对梁部24、25一体地形成。在受光部21与电极部22之间、以及受光部21与梁部24之间，连续地形成有缝隙20a。在受光部21与电极部23之间、以及受光部21与梁部25之间，连续地形成有缝隙20b。各梁部24、25的宽度例如为数μm左右，各梁部24、25的长度例如为数十μm左右。各缝隙20a、20b的宽度例如为数μm左右。
图5是光检测元件10的截面图。图5的Ⅰ-Ⅰ、Ⅱ-Ⅱ、Ⅲ-Ⅲ、Ⅳ-Ⅳ、Ⅴ-Ⅴ分别为沿图4的Ⅰ-Ⅰ线、Ⅱ-Ⅱ线、Ⅲ-Ⅲ线、Ⅳ-Ⅳ线、Ⅴ-Ⅴ线的截面图。如图5所示，膜体20具有第1配线层31和第2配线层32、电阻层33、光吸收层34和隔离层35。
如图4和图5所示，在从基板2的厚度方向观察时，第1配线层31和第2配线层32在受光部21中隔着间隙G彼此相对。间隙G沿着线L延伸。线L在从基板2的厚度方向观察时，例如以连结电极部22与电极部23的方式直线状地延伸。第1配线层31和第2配线层32在受光部21中，在沿着线L的方向上细长地形成。即，在从基板2的厚度方向观察时，在受光部21中，沿着线L的方向上的第1配线层31和第2配线层32各自的长度，大于在与线L垂直的方向上的第1配线层31和第2配线层32各自的宽度。
具体而言，第1配线层31在受光部21中具有第1边缘部31a与第2边缘部31b。在从基板2的厚度方向观察时，第1边缘部31a和第2边缘部31b各自沿着线L延伸。第2配线层32在受光部21中具有第3边缘部32a和第4边缘部32b。在从基板2的厚度方向观察时，第3边缘部32a和第4边缘部32b各自沿着线L延伸。在从基板2的厚度方向观察时，第1边缘部31a与第3边缘部32a隔着线L彼此相对。即，在从基板2的厚度方向观察时，间隙G由第1边缘部31a和第3边缘部32a来区划。
在从基板2的厚度方向观察时，在受光部21中，沿着线L的方向上的第1配线层31和第2配线层32各自的长度例如为数十～数百μm左右。在从基板2的厚度方向观察时，与线L垂直的方向上的第1配线层31和第2配线层32各自的宽度例如为数μm左右。在从基板2的厚度方向观察时，与线L垂直的方向上的间隙G的宽度例如为数μm左右。第1配线层31和第2配线层32的厚度例如为数十～数百nm左右。
第1配线层31从受光部21经由梁部24延伸到电极部22。第1配线层31在电极部22中形成于电极插头11上。第1配线层31与电极插头11电连接。第2配线层32从受光部21经由梁部25延伸到电极部23。第2配线层32在电极部23中形成于电极插头12上。第2配线层32与电极插头12电连接。第1配线层31和第2配线层32的材料例如为Ti等金属材料。
电阻层33在受光部21中，以从与基板2相反一侧覆盖第1配线层31和第2配线层32的方式形成。电阻层33在受光部21中，覆盖第1配线层31和第2配线层32各自的与基板2相反一侧的表面，以及第1配线层31和第2配线层32各自的侧面。即，在间隙G配置有电阻层33。电阻层33在电极部22、23和梁部24、25中，形成于第1配线层31和第2配线层32的与基板2相反一侧的表面上。电阻层33与第1配线层31和第2配线层32分别电连接。电阻层33的厚度例如为数十～数百nm左右。电阻层33具有依存于温度的电阻。电阻层33的材料为例如非晶硅(a-Si)等的基于温度变化而电阻率的变化较大的材料。
光吸收层34在受光部21中与基板2的表面2a相对。光吸收层34相对于电阻层33配置于与基板2相反一侧。光吸收层34在从基板2的厚度方向观察时，在受光部21的大致整个区域中扩展。光吸收层34的厚度例如为数十nm左右。光吸收层34的材料例如为WSi2或Ti等。
隔离层35配置于第1配线层31和第2配线层32各自与光吸收层34之间。具体而言，隔离层35在受光部21、梁部24、25和电极部22、23中，形成于电阻层33的与基板2相反一侧的表面上。并且，光吸收层34在受光部21中形成于隔离层35的与基板2相反一侧的表面上。隔离层35的厚度例如为数百nm左右。隔离层35的厚度大于第1配线层31、第2配线层32、电阻层33和光吸收层34各自的厚度。隔离层35的材料例如为氮化硅膜(SiN)等。
在从基板2的厚度方向观察时，光吸收层34包含第1区域34a和第2区域34b。第1区域34a在从基板2的厚度方向观察时，相对于第1配线层31向与第2配线层32相反一侧扩展。第2区域34b在从基板2的厚度方向观察时，相对于第2配线层32向与第1配线层31相反一侧扩展。在从基板2的厚度方向观察时，第1配线层31和第2配线层32的合计面积小于第1区域34a和第2区域34b各自的面积。
此外，光吸收层34的第1区域34a和第2区域34b隔着隔离层35形成于电阻层33上。另外，电阻层33和隔离层35各自遍及第1区域34a和第2区域34b连续地形成。
在如上所述构成的光检测器1中，按如下方式检测光。首先，当光入射至受光部21时，在后述的构成光谐振构造体的光吸收层34中产生热。此时，受光部21与基板2通过空隙S被热隔离。另外，受光部21与电极部22和梁部24通过缝隙20a被热隔离。另外，受光部21与电极部23和梁部25通过缝隙20b被热隔离。因此，能够抑制在光吸收层34产生的热经由梁部24、25和电极部22、23散逸至基板2一侧这样的情形。
在光吸收层34产生的热借助隔离层35传递至电阻层33。并且，电阻层33因该热而温度上升且电阻上升。这样的电阻的变化作为信号经由与电阻层33电连接的第1配线层31和第2配线层32、以及电极插头11、12发送至信号处理电路部4。并且，在信号处理电路部4，电阻层33的电阻变化转换成电压或电流的变化，基于该电压或电流的变化来检测光。
接着，针对光谐振构造详细说明。如图6所示，入射至光吸收层34的入射光A(波长为λ)的一部分由于光吸收层34作为反射光B1被反射，另一部分透过光吸收层34。透过了光吸收层34的入射光A的另一部分由于光反射层5作为反射光B2被反射。然后，反射光B1与反射光B2在光吸收层34的反射面彼此干涉而抵消。由此，在光吸收层34的该光反射面入射光A被吸收。并且，被吸收的入射光A的能量在光吸收层34产生热。
入射光A的吸收率是由光吸收层34的薄层电阻(Sheet resistance)、和光吸收层34与光反射层5之间的光学距离t决定。光吸收层34的厚度以薄层电阻成为真空阻抗(377Ω/sq)的方式设定为大致16nm(光吸收层34的材料为WSi2的情形)。由此，由光吸收层34所反射的反射光B1的振幅与由光反射层5所反射的反射光B2的振幅一致。因此，在光吸收层34的反射面，反射光B1与反射光B2有效率地干涉而抵消。因此，入射光A的吸收率能够提高。
另外，光学距离t是以t＝(2m-1)λ/4(m＝1、2、3、…)的方式设定的。由此，反射光B1与反射光B2的相位偏差180°。因此，在光吸收层34的反射面，反射光B1与反射光B2有效率地干涉而抵消。因此，入射光A的吸收率能够提高。如此，光反射层5与光吸收层34构成光谐振构造。在从基板2的厚度方向观察时，光反射层5和光吸收层34重叠部分的面积越大，越能够效率良好地吸收入射光A。
如以上所说明，在一个实施方式的光检测器1中，在从基板2的厚度方向观察时，光吸收层34的第1区域34a相对于第1配线层31向与第2配线层32相反一侧扩展，光吸收层34的第2区域34b相对于第2配线层32向与第1配线层31相反一侧扩展。即，在从基板2的厚度方向观察时，光吸收层34的第1区域34a不与第1配线层31重叠，光吸收层34的第2区域34b不与第2配线层32重叠。由此，能够实现在光吸收层34的第1区域34a和第2区域34b中充分的光吸收。而且，在第1配线层31和第2配线层32的各自与光吸收层34之间配置有隔离层35。由此，能够抑制如在光吸收层34中产生的热在第1配线层31和第2配线层32传递而散逸至基板2一侧的情形，且该热借助隔离层35充分地传递至电阻层33。如以上，根据该光检测器1，能够谋求灵敏度的提高。灵敏度是指光检测器1检测光的能力。例如，当光检测器1连较弱的光都能够检测时，可以说光检测器1的灵敏度较高，当光检测器1连强光都不能检测时，可以说光检测器1的灵敏度较低。
另外，在第1配线层31和第2配线层32的各自与光吸收层34之间配置有隔离层35，因此膜体20不易翘曲。另外，第1配线层31和第2配线层32的各自在受光部21中以横穿受光部21的方式形成。由此，膜体20可靠地由第1配线层31和第2配线层32支承，因此能够抑制第1配线层31和第2配线层32间的电阻层33的歪曲和变形。
另外，在光检测器1中，光反射层5配置于基板2的表面2a，与光吸收层34构成光谐振构造。根据该构成，能够在对应于光吸收层34与光反射层5的距离的波长域中实现光吸收。
另外，在光检测器1中，在从基板2的厚度方向观察时，第1配线层31和第2配线层32的合计面积小于第1区域34a和第2区域34b各自的面积。根据该构成，在光吸收层34的第1区域34a和第2区域34b中能够实现充分的光吸收，并且能够进一步抑制在光吸收层34中产生的热在第1配线层31和第2配线层32传递而散逸至基板2侧这样的情形，因此能够谋求灵敏度的进一步提高。
另外，在光检测器1中，在从基板2的厚度方向观察时，沿着线L的方向上的第1配线层31和第2配线层32各自的长度，大于与线L垂直的方向上的第1配线层31和第2配线层32各自的宽度。根据该构成，可增长间隙G的长度，能够谋求灵敏度的进一步提高。
另外，在光检测器1中，隔离层35的厚度大于第1配线层31、第2配线层32、电阻层33和光吸收层34各自的厚度。根据该构成，由于能够进一步抑制在光吸收层34中所产生的热在第1配线层31和第2配线层32传递而散逸至基板2一侧这样的情形，因此能够谋求灵敏度的进一步提高。另外，根据该构成，能够谋求膜体20的强度的提高并且抑制膜体20的变形。
另外，在光检测器1中，光吸收层34的第1区域34a和第2区域34b隔着隔离层35形成在电阻层33上。另外，电阻层33和隔离层35的各自遍及第1区域34a和第2区域34b连续地形成。根据该构成，能够抑制膜体20的变形和翘曲，并且简化光检测器1的制造工艺。
以上，对于本发明的一个实施方式进行了说明，但本发明的一个方面并不限定于上述实施方式。
在上述实施方式中，表示了膜体20在从基板2的厚度方向观察时，例如呈矩形形状的例，但并非限定于此。膜体20在从基板2的厚度方向观察时，也可以例如呈圆形形状等各种形状。
另外，虽然表示了基板2的厚度方向上的第1配线层31和第2配线层32的位置一致的例，但基板2的厚度方向上的第1配线层31和第2配线层32的位置也可以不一致。
另外，虽表示了线L在从基板2的厚度方向观察时，例如以连结电极部22与电极部23的方式直线状地延伸的例，但并非限定于此。如图7所示，线L也可以在从基板2的厚度方向观察时，以包括例如曲线部的蜿蜒状延伸。由此，与线L为直线的情形相比，通过增长间隙G的长度，能够提高灵敏度。另外，线L包括曲线部时，所谓与线L垂直的方向是指与线L的各位置的切线垂直的方向。在曲线部的各位置，与线L垂直的方向各不相同。
另外，电阻层33例如也可以不形成于电极部22、23、梁部24、25、对应于第1区域34a的区域和对应于第2区域34b的区域。
另外，隔离层35例如也可以不配置于电极部22、23、梁部24、25、对应于第1区域34a的区域和对应于第2区域34b的区域。另外，隔离层35的厚度也可以为第1配线层31、第2配线层32、电阻层33和光吸收层34各自的厚度以下。另外，隔离层35的材料也可以与电阻层33相同(参照图9)。
另外，在从基板2的厚度方向观察时，第1配线层31和第2配线层32的面积之和也能够小于第1区域34a和第2区域34b的面积之和。根据该构成，如上所述，在光吸收层34的第1区域34a和第2区域34b中能够实现更充分的光吸收，并且进一步抑制在光吸收层34产生的热在第1配线层31和第2配线层32传递而散逸至基板2侧这样情形，因此能够谋求灵敏度的进一步提高。
另外，如图8所示，隔离层35和光吸收层34也能够形成于第1配线层31和第2配线层32的基板2侧。具体而言，隔离层35形成于电极插头11、12上。第1配线层31和第2配线层32、以及电阻层33形成于隔离层35的与基板2相反侧的表面上。光吸收层34形成于隔离层35的基板2侧的表面上。由此，光吸收层34与光反射层5隔着空隙S直接相对。因此，能够容易调整光学距离t，更可靠地利用光谐振构造来吸收光。另外，在该情况下，第1配线层31与电极插头11电连接。第2配线层32与电极插头12电连接。
另外，如图9所示，只要在第1配线层31和第2配线层32与光吸收层34之间形成有电阻层33，膜体20也能够不具有隔离层35。此时，电阻层33兼具电阻层33和隔离层35两者的功能。由此，膜体20的导热系数变低，因此能够谋求应答速度的提高。应答速度是指入射至受光部21的光(例如光量)变化时，膜体20的温度相对于时间的变化率。例如，入射至受光部21的光的光量增加时，膜体20的温度上升至规定的稳定温度为止花费的时间越短，则应答速度越快，花费的时间越长，则应答速度越低。另外，由此，膜体20的元件电阻变低，因此能够谋求噪声的降低。
另外，如图10所示，电阻层33也能够形成于第1配线层31和第2配线层32的基板2侧。此时，电阻层33没有配置于间隙G。另外，在该情况下也可以第1配线层31与电极插头11电连接。第2配线层32与电极插头12电连接。
另外，如图11所示，电阻层33、隔离层35和光吸收层34也能够形成于第1配线层31和第2配线层32的基板2侧。具体而言，隔离层35形成于电极插头11、12上。电阻层33形成于隔离层35的与基板2相反侧的表面上。第1配线层31和第2配线层32形成于电阻层33的与基板2相反侧的表面上。光吸收层34形成于隔离层35的基板2侧的表面上。另外，在该情况下也可以第1配线层31与电极插头11电连接。第2配线层32与电极插头12电连接。
另外，如图12所示，即使电阻层33和光吸收层34形成于第1配线层31和第2配线层32的基板2侧时，只要在第1配线层31和第2配线层32与光吸收层34之间形成有电阻层33，膜体20也能够不具有隔离层35。即，在该情况下也可以电阻层33兼具电阻层33和隔离层35两者的功能。另外，在该情况下也可以第1配线层31与电极插头11电连接。第2配线层32与电极插头12电连接。
另外，在上述各构成中，光吸收层34的材料例如也能够为相对于黑树脂等的光的吸收率较大的材料。另外，在该情况下，不构成光谐振构造，直接由光吸收层34吸收光。由此，如上所述，无须高精度地调整光学距离t。另外，没有构成光谐振构造的情况下，光检测元件10也优选包括光反射层5。其理由如下。入射至光吸收层34的入射光A的一部分没有被光吸收层34吸收而透过了膜体20时，透过了膜体20的入射光A由光反射层5反射，再次入射至光吸收层34。再次入射至光吸收层34的入射光A由光吸收层34吸收而成为热。由此，光的吸收率提高。另外，光吸收层34的材料为黑树脂时，通过在光吸收层34与电阻层33之间配置隔离层35，光吸收层34与电阻层33接触，从而能够抑制对电阻层33的特性造成影响。
另外，在上述各构成中，也能够在膜体20的基板2侧的表面上进一步形成隔离层35。由此，能够谋求电阻层33的稳定化，且使膜体20更不易翘曲。
另外，能够对第1配线层31和第2配线层32、电阻层33、光吸收层34和隔离层35分别应用各种材料和厚度。通过对第1配线层31和第2配线层32、电阻层33和隔离层35各自选择最佳材料和厚度，而能够容易地谋求灵敏度的提高，且提高膜体20的强度。另外，与将配线层作为光吸收层使用的先前的构造(例如参照专利文献1)相比，通过对第1配线层31和第2配线层32、以及光吸收层34各自选择最佳材料，能够使灵敏度和应答速度两者提高。
另外，像素部3也能够由1个光检测元件10构成。
附图标记说明
1 光检测器
2 基板
2a 表面
20 膜体
31 第1配线层
32 第2配线层
33 电阻层
34 光吸收层
34a 第1区域
34b 第2区域
35 隔离层
5 光反射层
L 线
S 空隙
G 间隙。

Claims (6)

1.一种光检测器，其特征在于，包括：
基板；和
膜体，其以与所述基板的表面之间形成空隙的方式被支承于所述基板的所述表面上，
所述膜体包括：
隔着沿着线延伸的间隙彼此相对的第1配线层和第2配线层；
具有依赖于温度的电阻的电阻层，所述电阻层分别与所述第1配线层和所述第2配线层电连接；
与所述基板的表面相对的光吸收层；和
配置于所述第1配线层和所述第2配线层各自与所述光吸收层之间的隔离层，
所述光吸收层包括：
第1区域，其在从所述基板的厚度方向观察时，在所述第1配线层的与所述第2配线层相反的一侧扩展；和
第2区域，其在从所述基板的厚度方向观察时，在所述第2配线层的与所述第1配线层相反的一侧扩展。
2.如权利要求1所述的光检测器，其特征在于：
还包括配置于所述基板的所述表面的光反射层，所述光反射层与所述光吸收层构成光谐振构造。
3.如权利要求1或2所述的光检测器，其特征在于：
在从所述基板的厚度方向观察时，所述第1配线层与所述第2配线层的面积之和小于所述第1区域与所述第2区域的面积之和。
4.如权利要求1～3中任一项所述的光检测器，其特征在于：
在从所述基板的厚度方向观察时，所述第1配线层与所述第2配线层的面积之和小于所述第1区域和所述第2区域各自的面积。
5.如权利要求1～4中任一项所述的光检测器，其特征在于：
在从所述基板的厚度方向观察时，沿着所述线的方向上的所述第1配线层和所述第2配线层各自的长度，大于在与所述线垂直的方向上的所述第1配线层和所述第2配线层各自的宽度。
6.如权利要求1～5中任一项所述的光检测器，其特征在于：
所述隔离层的厚度大于所述第1配线层、所述第2配线层、所述电阻层和所述光吸收层各自的厚度。
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