CN110010655A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110010655A
CN110010655A CN201811557294.2A CN201811557294A CN110010655A CN 110010655 A CN110010655 A CN 110010655A CN 201811557294 A CN201811557294 A CN 201811557294A CN 110010655 A CN110010655 A CN 110010655A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
heat
display device
transistor base
sink shell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811557294.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110010655B (zh
Inventor
李孝刚
曺旻求
李相勋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN110010655A publication Critical patent/CN110010655A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110010655B publication Critical patent/CN110010655B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/87—Arrangements for heating or cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8723—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8794—Arrangements for heating and cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

公开了一种显示装置，其包括：晶体管基板，包括交叠多个有机发光器件的发射部分和围绕发射部分的外围部分；多个滤色器，布置成分别对应于发射部分处的多个有机发光器件；以及多个间隔体构件，彼此间隔开并布置成在外围部分处围绕多个有机发光器件。因此，显示装置被保护免受外部冲击，且传递到显示装置的内部的热容易散发到外部。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年12月26日提交的韩国专利申请号10-2017-0179419的利益，该专利申请特此通过引用被并入，好像它在本文被充分阐述一样。
技术领域
本公开涉及显示装置。
背景技术
除了电视机(TV)或监视器的显示屏以外，显示装置还广泛用作笔记本计算机、平板计算机、智能电话、便携式显示装置和便携式信息器件的显示屏。
液晶显示(LCD)装置和有机发光显示装置通过使用薄膜晶体管(TFT)作为开关元件来显示图像。因为LCD装置不自发射光，所以LCD装置通过使用从布置在液晶显示面板之下的背光单元发射的光来显示图像。因为LCD装置包括背光单元，所以存在设计方面的限制，且亮度和响应时间减小了。因为有机发光显示装置包括有机材料，所以有机发光显示装置易受水的影响，引起可靠性和寿命的减小。
最近，进行了关于包括微发光器件的发光二极管显示装置的研究和开发。发光二极管显示装置具有高图像质量和高可靠性，且因此作为下一代显示装置吸引了很多注意力。
在相关技术显示装置中，将分别堆叠在载体玻璃基板上的晶体管基板和滤色器基板结合到彼此，且然后通过激光释放过程来去除支撑晶体管基板的载体玻璃基板和支撑滤色器基板的载体玻璃基板。在这种情况下，通过激光释放过程而辐照的激光可将热传递到有机发光器件层。由于这个原因，辐照到载体玻璃基板上的激光损坏有机发光器件层，且由于此，有机发光器件层起皱或收缩。此外，因为有机发光器件层易受激光的热的影响，所以有机发光器件层剥落，且由于剥落，有机发光器件被损坏。
而且，当相关技术显示装置被实现为柔性显示装置或可拉伸的显示装置时，相关技术显示装置易受外部冲击的影响，引起薄膜晶体管的损坏。
发明内容
因此，本公开旨在提供实质上消除由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或多个问题的显示装置。
本公开的方面旨在提供显示装置，其中提供围绕薄膜晶体管和有机发光器件的间隔体构件，并且从而，施加到显示装置的外部冲击减小了，以便不传递到薄膜晶体管和有机发光器件，从而补充显示装置的耐久性以提高可靠性。
本公开的另一方面旨在提供显示装置，其包括布置在晶体管基板和滤色器基板之间的第一和第二热沉层以及布置在第一和第二热沉层之间的间隔体构件，从而容易在激光释放过程中将穿过基板的热散发到外部。
本公开的额外优点和特征将部分地在随后的描述中被阐述，且在审查下文时将部分地对本领域技术人员变得明显或可从本公开的实践中被获悉。可通过在书面描述及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得本公开的目的和其它优点。
为了实现这些和其它优点并根据本公开的目的，如在本文体现和广泛描述的，提供了显示装置，包括：晶体管基板，包括交叠多个有机发光器件的发射部分和围绕发射部分的外围部分；多个滤色器，布置成分别对应于发射部分处的多个有机发光器件；以及多个间隔体构件，彼此间隔开并布置成在外围部分处围绕多个有机发光器件。
其它实施方式的细节被包括在具体实施方式和附图中。
应理解，本公开的前述总体描述和下面的具体实施方式是示例性的和解释性的，且旨在提供对如所主张的本发明的进一步解释。
附图说明
被包括来提供对本公开的进一步理解且合并在本申请中并构成本申请的一部分的附图示出了本公开的实施方式，并连同本描述一起用来解释本公开的原理。在附图中：
图1是示出根据本公开的实施方式的显示装置的平面视图；
图2是在根据本公开的第一实施方式的显示装置中的沿图1的线I-I’截取的横截面视图；
图3A到图3D是示意性地示出制造图2的显示装置的方法的过程横截面视图；
图4是在根据本公开的第二实施方式的显示装置中的沿图1的线I-I’截取的横截面视图；以及
图5是示出图4的显示装置的冲击缓冲效果的图。
具体实施方式
现在将详细参考本公开的示例性实施方式，其例子在附图中示出。只要有可能，相同的参考数字就在全部附图中用于指相同或相似的部分。
将通过参考附图而描述的下列实施方式来阐明本公开的优点和特征及其实现方法。然而，本公开可体现在不同的形式中，且不应被解释为限于在本文阐述的实施方式。更确切地，提供这些实施方式，使得本公开将是彻底和完整的，并将本公开的范围充分传达给本领域技术人员。此外，本公开只由权利要求的范围限定。
在附图中公开的用于描述本公开的实施方式的形状、尺寸、比率、角度和数量仅仅是例子，且因此本公开不限于所示细节。相似的参考数字始终指相似的元件。在下面的描述中，当确定相关的已知功能或配置的详细描述不必要地使本公开的要点模糊时，将省略详细描述。在本说明书中所述的“包含(comprise)”、“具有”和“包括(include)”被使用的情况下，可添加另一部分，除非“仅～”被使用。单数形式的术语可包括复数形式，除非提到相反的情况。
在解释元件时，尽管没有明确的描述，但是元件被解释为包括误差范围。
在描述位置关系时，例如当在两个部分之间的位置关系被描述为“在～上”、“在～之上”、“在～之下”和“紧接着～”时，一个或多个其它部分可布置在这两个部分之间，除非使用了“仅仅”或“正好”。
在描述时间关系时，例如当时间顺序被描述为“在～之后”、“继～而起”、“紧接着～”和“在～之前”时，可以包括不连续的情况，除非使用了“仅仅”或“正好”。
将理解，虽然术语“第一”、“第二”等可在本文用于描述各种元件，但是这些元件不应限于这些术语。这些术语仅用于区分开一个元件与另一元件。例如，第一元件可被称为第二元件，且类似地，第二元件可被称为第一元件，而不脱离本公开的范围。
在描述本公开的元件时，可使用术语“第一”、“第二”等。术语仅用于区分开一个元件与另一元件，且对应元件的本质、次序、顺序或号码不应受该术语限制。将理解，当元件或层被描述为“连接”、“耦合”或“粘附”到另一元件或层时，元件或层可直接连接或粘附到另一元件或层，但另一元件或层可“布置”在元件或层之间，或者元件或层可通过另一元件或层“连接”、“耦合”或“粘附”到彼此。
因此，在本公开中，显示装置的例子可包括例如液晶模块(LCM)或有机发光显示(OLED)模块的狭义显示装置本身、以及为包括LCM或OLED模块的最终消费设备或应用产品的成套设备(set device)。
例如，当显示面板是有机发光显示面板时，显示面板可包括多个栅极线、多个数据线和分别设置在由栅极线和数据线的交叉部分界定的多个像素区域中的多个像素。此外，显示面板可包括：阵列基板，其包括TFT，TFT为用于选择性地将电压施加到每个像素的元件；在阵列基板上的有机发光器件层；以及布置在阵列基板上以覆盖有机发光器件层的封装基板。封装基板可保护TFT和有机发光器件层免受外部冲击，并可防止水或氧渗透到有机发光器件层内。此外，设置在阵列基板上的层可包括无机发光层(例如纳米尺寸的材料层、量子点等)。
而且，显示面板还可包括衬背，例如附着在显示面板上的金属板。然而，本实施方式不限于金属板，且显示面板可包括另一结构。
本公开的各种实施方式的特征可部分地或整个与彼此耦合或组合，并可与彼此不同地交互操作并在技术上被驱动，如本领域中的技术人员可充分理解的。本公开的实施方式可以彼此独立地实现，或可以一起以相互依赖的关系实现。
在下文中，将参考附图详细描述本公开的实施方式。
图1是示出根据本公开的实施方式的显示装置100的平面视图。
参考图1，显示装置100可包括晶体管基板110、像素阵列层130、显示驱动电路单元210、扫描驱动电路单元220和多个间隔体构件300。
根据实施方式，显示装置100可基于包括阳极电极、阴极电极和有机化合物层的像素阵列层130的结构以例如顶部发射类型、底部发射类型或双重发射类型的类型来显示图像。在顶部发射类型中，显示装置100可通过将从像素阵列层130发射的可见光辐照到滤色器基板上来显示图像。在底部发射类型中，显示装置100可通过将从像素阵列层130发射的可见光辐照到晶体管基板110上来显示图像。
晶体管基板110，基底基板，可以是柔性基板。例如，晶体管基板110可包括透明聚酰亚胺。考虑到高温沉积过程，包括聚酰亚胺的晶体管基板110可使用忍耐高温且在耐热性(heat resistance)方面良好的聚酰亚胺。可通过使聚酰亚胺树脂变硬来形成包括聚酰亚胺的晶体管基板110，聚酰亚胺树脂被涂覆以在设置在载体玻璃基板上的牺牲层的前表面上具有某个厚度。在这里，可通过借助于激光释放过程释放牺牲层来使载体玻璃基板与晶体管基板110分离。此外，牺牲层可由非晶硅(a-Si)、氮化硅(SiNx)和/或类似物形成。
根据实施方式，晶体管基板110可以是玻璃基板。例如，晶体管基板110包括二氧化硅(SiO2)或氧化铝(Al2O3)作为主要成分。
晶体管基板110可包括显示区域AA和非显示区域NA。显示区域AA可以是显示图像的区域，且可被界定在晶体管基板110的中心部分中。在这里，显示区域AA可对应于像素阵列层130的有源区域。例如，显示区域AA可包括多个像素(未示出)，其分别设置在由多个栅极线(未示出)和多个数据线(未示出)的交叉部分界定的多个像素区域中。在这里，多个像素中的每个可被定义为发射光的最小单元区域。
非显示区域NA可以是其上显示图像的区域，且可被界定在晶体管基板110的围绕显示区域AA的边缘中。
晶体管基板110的显示区域AA可包括发射部分EL和外围部分FA。详细地，发射部分EL可包括发射光的多个有机发光器件。外围部分FA可围绕发射部分EL。例如，发射部分EL可对应于包括多个子像素的单元像素区域，且外围部分FA可围绕多个单元像素中的每个。在这里，多个子像素中的每个可被定义为发射光的最小单元区域。多个单元像素中的每个可包括相邻于彼此的至少三个子像素。例如，多个子像素可包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。此外，多个子像素还可包括白色子像素。
根据实施方式，布置在外围部分FA中的多个间隔体构件300和布置在发射部分EL中的多个有机发光器件可以交替地布置在第一水平方向X上。例如，多个有机发光器件可在第一水平方向X上通过多个间隔体构件300彼此间隔开。此外，多个有机发光器件和多个间隔体构件300可并联地布置在第二水平方向Y上。
根据另一实施方式，布置在外围部分FA中的多个间隔体构件300可围绕布置在发射部分EL中的多个有机发光器件。
像素阵列层130可包括薄膜晶体管(TFT)层和发光器件层。TFT层可包括TFT、栅极绝缘层、层间绝缘层、钝化层和平面化层。发光器件层可包括有机发光器件和堤(bank)。
显示驱动电路单元210可连接到设置在晶体管基板110的非显示区域NA中的焊盘部分，并可允许多个像素中的每个显示对应于从显示驱动系统供应的视频数据的图像。根据实施方式，显示驱动电路单元210可包括多个电路膜211、多个数据驱动集成电路(IC)213、印刷电路板(PCB)215和定时控制器217。
设置在多个电路膜211中的每个的一侧上的输入端子可通过膜附着过程附着在PCB 215上，并且设置在多个电路膜211中的每个的另一侧上的输出端子可通过膜附着过程附着在焊盘部分上。根据实施方式，多个电路膜211中的每个可使用柔性电路膜来实现，用于减小显示装置100的边框区域，并可弯曲以围绕窗口盖的侧表面。
多个数据驱动IC 213中的每个可单独地安装在多个电路膜211的对应电路膜上。多个数据驱动IC 213中的每个可接收像素数据和从定时控制器217供应的数据控制信号，根据数据控制信号将像素数据转换成基于像素的模拟数据信号，并将模拟数据信号供应到对应的数据线。根据实施方式，多个数据驱动IC 213中的每个可基于多个电路膜211的对应电路膜的弯曲而布置在窗口盖的侧表面上。
PCB 215可支撑定时控制器217，并可在显示驱动电路单元210的元件之间传送功率和信号。根据实施方式，PCB 215可基于多个电路膜211的弯曲而布置在窗口盖的前表面上。
定时控制器217可安装在PCB 215上，并可通过设置在PCB 215上的用户连接器来接收视频数据和从显示驱动系统供应的定时同步信号。定时控制器217可基于定时同步信号来使视频数据重新对准(realign)以产生匹配像素布置结构的像素数据，并可将所产生的像素数据供应到数据驱动IC 213。此外，定时控制器217可基于定时同步信号来产生数据控制信号和扫描控制信号。此外，定时控制器217可通过使用数据控制信号来控制多个数据驱动IC 213中的每个的驱动定时，并可通过使用扫描控制信号来控制扫描驱动电路单元220的驱动定时。在这里，可通过晶体管基板110的非显示区域NA来将扫描控制信号供应到多个电路膜211的第一和/或最后一个柔性电路膜和扫描驱动电路220。
扫描驱动电路单元220可设置在晶体管基板110的非显示区域NA中。扫描驱动电路单元220可根据从显示驱动电路单元210供应的扫描控制信号来产生扫描信号，并可将扫描信号供应到对应于预定顺序的扫描线。根据实施方式，扫描驱动电路单元220连同TFT一起可在晶体管基板110的非显示区域NA中形成。
多个间隔体构件30可彼此间隔开以围绕晶体管基板110的外围部分FA中的多个有机发光器件。下面将参考图2和图4详细描述多个间隔体构件300。
图2是在根据本公开的第一实施方式的显示装置100中的沿图1的线I-I’截取的横截面视图。
参考图2，显示装置100可被实现为顶部发射类型，并可包括晶体管基板110、第一缓冲层120、像素阵列层130、封装层140、填充层150、多个滤色器162、黑矩阵164、第二缓冲层170、滤色器基板180、多个间隔体构件300、第一热沉层410和第二热沉层420。
晶体管基板110，基底基板，可以是柔性基板。例如，晶体管基板110可包括透明聚酰亚胺。
第一缓冲层120可设置在晶体管基板110上。第一缓冲层120可设置在晶体管基板110的整个前表面上，用于防止水经由晶体管基板110渗透到像素阵列层130内。可通过堆叠多个无机层来形成第一缓冲层120。例如，第一缓冲层120可由多层形成，其中堆叠了氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)的一个或多个无机层。第一缓冲层120可包括多个无机层，从而提高面板的水蒸气透过率(WVTR)。
像素阵列层130可包括TFT层TFTL和发光器件层EDL。TFT层TFTL可包括TFT 131、栅极绝缘层132、层间绝缘层133、钝化层134和平面化层135。
TFT 131可设置在晶体管基板110上的显示区域AA中。TFT 131可包括有源层ACL、栅极电极GE、漏极电极DE和源极电极SE。
有源层ACL可设置在晶体管基板110上的显示区域AA中。有源层ACL可布置成交叠栅极电极GE、漏极电极DE和源极电极SE。有源层ACL可直接接触漏极电极DE和源极电极SE，并可面对栅极电极GE，其间有栅极绝缘层132。根据实施方式，有源层ACL的一部分可由未掺杂有掺杂剂的半导体材料形成，而有源层ACL的另一部分可由掺杂有掺杂剂的半导体材料形成。
栅极电极GE可设置在栅极绝缘层132上。栅极电极GE可交叠有源层ACL的中心区。例如，栅极电极GE可由单层或多层形成，其包括钼(Mo)、铝(Al、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、和铜(Cu)、或其合金。
漏极电极DE和源极电极SE可设置在层间绝缘层133上并可彼此间隔开。漏极电极DE可通过设置在栅极绝缘层132和层间绝缘层133中的第一接触孔来接触有源层ACL的一端，以及源极电极SE可以是通过设置在栅极绝缘层132和层间绝缘层133中的第二接触孔的有源层ACL的另一端。源极电极SE可通过平面化层135的第三接触孔来直接接触有机发光器件E的第一电极136。
栅极绝缘层132可设置在有源层ACL上。详细地，栅极绝缘层132可布置在有源层ACL和晶体管基板110上，并可使有源层ACL与栅极电极GE绝缘。此外，栅极绝缘层132可设置在晶体管基板110的显示区域AA的前表面上，且为了使有源层ACL接触漏极电极DE或源极电极SE，可去除栅极绝缘层132的对应区。例如，栅极绝缘层132可包括第一接触孔和第二接触孔，漏极电极DE穿过第一接触孔，以及源极电极SE穿过第二接触孔。栅极绝缘层132可由无机绝缘材料形成，且例如可由SiO2、SiNx、SiON或其多层形成，但不限于此。
层间绝缘层133可设置在栅极电极GE上。例如，层间绝缘层133可由无机绝缘材料形成，且例如可由SiO2、SiNx、SiON或其多层形成，但不限于此。为了使有源层ACL接触漏极电极DE或源极电极SE，可去除层间绝缘层133的对应区。例如，层间绝缘层133可包括第一接触孔和第二接触孔，漏极电极DE穿过第一接触孔，以及源极电极SE穿过第二接触孔。在这里，第一接触孔和第二接触孔中的每个可连接到栅极绝缘层132的第一接触孔或第二接触孔。
钝化层134可设置在TFT 131上。详细地，钝化层134可设置成覆盖源极电极SE、漏极电极DE和数据线，并可保护TFT 131。例如，钝化层134可由无机绝缘材料形成，且例如可由SiO2、SiNx、SiON或其多层形成，但不限于此。
平面化层135可设置在钝化层134上，并可平面化TFT 131的上端。为了使第一电极136接触源极电极SE，可去除平面化层135的对应区。例如，平面化层135可包括第三接触孔，第三电极136穿过第三接触孔。根据实施方式，平面化层135可由有机绝缘材料例如亚克力树脂、环氧树脂、苯酚树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂形成，但不限于此。
发光器件层EDL可包括多个有机发光器件E和堤139。
多个有机发光器件E可设置在平面化层135上，并可以电连接到多个TFT 131。多个有机发光器件E均可以包括第一电极136、有机发光层137和第二电极138。
第一电极136可设置在平面化层135上。详细地，第一电极136可布置成交叠由堤139界定的有机发光器件E的开口区域。此外，第一电极136可通过设置在平面化层135中的第三接触孔来接触TFT 131的源极电极SE。根据实施方式，第一电极136可由具有高功函数值的高透明导电材料例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)形成，并可充当阳极。
有机发光层137可设置在第一电极136上。根据实施方式，有机发光层137可被设置为有机层，该有机层共有地设置在多个像素的全部中而不是单独地设置在多个像素区域的每个中。例如，有机发光层137可设置在堤139以及第一电极136上。在这里，有机发光层137可包括空穴传输层、有机发光层和电子传输层。此外，有机发光层137还可包括用于提高发光层的发射效率和寿命的至少一个功能层。
第二电极138可设置在有机发光层137上。例如，第二电极138可被实现为共有地设置在全部像素中而不是单独地设置在多个像素区域的每个中的电极。当电压施加到第一电极136和第二电极138时，空穴和电子可通过空穴传输层和电子传输层移动到发光层，并可在发光层中组合以发射光。第二电极138可充当有机发光器件E的阴极，并可由不透明金属材料形成，且例如可由锂(Li)、钙(Ca)、LiF/Ca、LiF/Al、Al或Mg或其化合物形成。
堤139可设置在平面化层135上。详细地，堤139可设置在相邻第一电极E1之间并可划分多个第一电极136。因此，堤139可以使相邻第一电极E1电绝缘以界定有机发光器件E的开口区域。例如，堤139可由有机绝缘材料例如聚酰亚胺树脂、亚克力树脂或苯并环丁烯(benzocyclobutene，BCB)形成，但不限于此。
封装层140可覆盖像素阵列层130。封装层140可设置在第二电极138的整个上端上。封装层140可防止外部水等渗透到内部内，从而防止有机发光层137的退化。根据实施方式，封装层140可由金属例如铜(Cu)或铝(Al)或其合金形成，但不限于此，封装层140可由本领域技术人员公知的各种材料形成。
填充层150可被填充到在晶体管基板110和滤色器基板180之间的空间内，且可以通过坝(dam)(未示出)不扩展到显示装置100的外部。填充层150可布置在晶体管基板110和滤色器基板180之间以防止光的损失并增加晶体管基板110和滤色器基板180之间的粘附力。
多个滤色器162可布置成分别对应于在发射部分EL处的多个有机发光器件E。详细地，多个滤色器162可设置在第二热沉层420上，且晶体管基板110和滤色器基板180可结合到彼此以对应于多个有机发光器件E。根据实施方式，多个滤色器162可布置在填充层150和第二热沉层420之间，且可由图案化于第二热沉层420上的黑矩阵164围绕。此外，多个滤色器162中的每个可面对第一热沉层410，其间有填充层150。例如，多个滤色器162可布置成分别对应于多个有机发光器件E并可彼此间隔开。作为另一例子，相邻滤色器162可分别对应于多个有机发光器件E并可接触彼此。多个滤色器162中的每个可布置成对应于对应的有机发光器件E，并可转换从对应的有机发光器件E发射的白光的颜色。例如，多个滤色器162可包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。因此，多个子像素SP的红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的每个可包括滤色器162中的对应滤色器，且可在没有滤色器的情况下实现白色子像素。
可在第二热沉层420上图案化黑矩阵164。详细地，黑矩阵164可交叠界定每个有机发光器件E的开口区域的堤139。例如，可在第二热沉层420上图案化黑矩阵164以不交叠每个有机发光器件E的开口区域，且然后当晶体管基板110结合到滤色器基板180时，黑矩阵164可布置在填充层150和第二热沉层420之间。在这种情况下，黑矩阵164可布置成交叠晶体管基板110的发射部分EL。此外，黑矩阵可布置在两个相邻滤色器162之间，并可划分多个滤色器162。以这种方式，黑矩阵164可围绕每个有机发光器件E的开口区域并可阻挡入射在TFT 131上的光。此外，黑矩阵164防止从有机发光器件E发射的光泄漏到非显示区域NA以防止对比度的减小。因此，黑矩阵164提高像素阵列层130的孔径比和透光率，从而减小功率消耗并增加亮度。此外，黑矩阵164防止从有机发光器件E发射的光混合，从而防止光泄漏并防止可见度减小。
第二缓冲层170可设置在滤色器基板180上。第二缓冲层170可布置在第二热沉层420和滤色器基板180之间。第二缓冲层170可设置在滤色器基板180的整个前表面上，用于防止水经由滤色器基板180渗透到像素阵列层130内。可通过堆叠多个无机层来形成第二缓冲层170。例如，第二缓冲层170可由多层形成，其中堆叠SiOx、SiNx和SiON的一个或多个无机层。第二缓冲层180可包括多个无机层，从而提高面板的WVTR。
滤色器基板180可面对晶体管基板110，其间有封装层140。详细地，滤色器基板180可设置在填充层150的整个上端上。例如，在多个滤色器162和黑矩阵164在滤色器基板180的上端上形成之后，滤色器基板180可结合到晶体管基板110。在这里，滤色器基板180可布置在晶体管基板110上，以便防止外部水和空气渗透到TFT 131和设置在晶体管基板110上的有机发光器件E内。根据实施方式，滤色器基板180可布置成面对晶体管基板110，且晶体管基板110和滤色器基板180可通过沿着其边缘布置的密封构件(未示出)结合到彼此。例如，滤色器基板180可以是玻璃基板、塑料基板等。
多个间隔体构件300可布置成围绕晶体管基板110的外围部分FA中的多个有机发光器件E，并可彼此间隔开。详细地，多个间隔体构件300可布置在第一和第二热沉层410和420之间以减小晶体管基板110和滤色器基板180之间的冲击传递。也就是说，多个间隔体构件300可与填充层150布置在同一层上。根据实施方式，多个滤色器162和黑矩阵164可布置在第一和第二热沉层410和420之间以交叠晶体管基板110的发射部分EL，且多个间隔体构件300可布置在第一和第二热沉层410和420之间以交叠晶体管基板110的外围部分FA。此外，填充层150可布置于在多个滤色器162、黑矩阵164和多个间隔体构件300布置在第一和第二热沉层410和420之间之后剩余的空间中。
根据实施方式，多个间隔体构件300可包括在冲击吸收和柔韧性方面良好的材料，并可补充显示装置100的耐久性。详细地，多个间隔体构件300可布置在第一和第二热沉层410和420之间以交叠晶体管基板110的外围部分FA。也就是说，多个间隔体构件300可与填充层150布置在同一层上以交叠晶体管基板110的外围部分FA。在这种情况下，当外部冲击施加到显示装置100时，多个间隔体构件300可防止填充层150的运动，并可维持晶体管基板110和滤色器基板180之间的间隔，从而防止发光器件层EDL剥落。此外，即使实现为柔性或可拉伸的显示装置的显示装置100弯曲或折叠，多个间隔体构件300也可防止填充层150的运动，并可维持晶体管基板110和滤色器基板180之间的间隔，从而减小外部冲击。因此，多个间隔体构件300可减小施加到显示装置100的外部冲击，以便使外部冲击不传递到TFT131和有机发光器件E，从而补充显示装置100的耐久性以提高可靠性。
根据实施方式，多个间隔体构件300可包括在传热特性方面良好的材料，且均可以充当第一和第二热沉层410和420之间的传热路径。详细地，多个间隔体构件300可将穿过滤色器基板180并到达第二热沉层420的热传递到第一热沉层410。在这里，通过滤色器基板180入射的热可对应于在滤色器基板180上执行的激光释放过程中辐照的激光，但不限于此。也就是说，从外部入射的所有热可通过多个间隔体构件300和第一和第二热沉层410和420散发到外部。因此，通过滤色器基板180入射的热可分散到第二热沉层420的前表面并可散发到外部，以及此外可通过多个间隔体构件300分散到第一热沉层410的前表面并可散发到外部，由此，热不传递到多个有机发光器件E。因此，因为显示装置100包括多个间隔体构件300和第一和第二热沉层410和420，所以穿过滤色器基板180的热容易散发到外部。
例如，可通过将金属氧化物、碳或石墨聚合在丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(acrylonitrile-butadiene-styrene，ABS)、聚丙烯(PP)或聚酰胺(PA)树脂上来形成多个间隔体构件300。多个间隔体构件300在冲击吸收和柔韧性方面是好的，以及此外在传热特性方面是好的。因此，多个间隔体构件300可减小施加到显示装置100的外部冲击，以便使外部冲击不传递到TFT 131和有机发光器件E，以及此外可容易将传递到显示装置100的内部的热散发到外部。
第一热沉层410可布置在多个有机发光器件E上。详细地，第一热沉层410可覆盖封装层140的前表面，封装层140覆盖多个有机发光器件E。例如，第一热沉层410可在晶体管基板110的发射部分EL处面对多个滤色器162，其间有填充层150，并可在晶体管基板110的外围部分FA处支撑多个间隔体构件300。此外，第一热沉层410和第二热沉层420可平行布置，并可彼此间隔开。在这里，第一热沉层410和第二热沉层420可彼此间隔开晶体管基板110的高度。第一热沉层410可将穿过晶体管基板110的热分散到第一热沉层410的整个部分，或可通过多个间隔体构件300将热传递到第二热沉层420。此外，第一热沉层410可将穿过滤色器基板180并通过多个间隔体构件300从第二热沉层420传递的热分散到第一热沉层410的整个部分。因此，第一热沉层410防止传递到显示装置100的内部的热传递到多个有机发光器件E。
第二热沉层420可布置在多个滤色器162上。详细地，第二热沉层420可布置在多个滤色器162的每个的上端和在晶体管衬底110的发射部分EL处的黑色基质164上，并可布置在多个间隔体构件300的每个的上端和在晶体管基板110的外围部分FA处的填充层150上。也就是说，第二热沉层420可在晶体管基板110的发射部分EL处布置在黑矩阵164和第二缓冲层170之间，并可在晶体管基板110的外围部分FA处布置在多个间隔体构件300和第二缓冲层170之间。此外，第一热沉层410和第二热沉层420可平行布置并可彼此间隔开。在这里，第一热沉层410和第二热沉层420可彼此间隔开多个间隔体构件300的高度。第二热沉层420可将穿过滤色器基板180的热分散到第二热沉层420的整个部分，或可通过多个间隔体构件300将热传递到第一热沉层410。此外，第二热沉层420可将穿过晶体管基板110并通过多个间隔体构件300从第一热沉层410传递的热分散到第二热沉层420的整个部分。因此，第二热沉层420防止传递到显示装置100的内部的热传递到多个有机发光器件E。
根据实施方式，第一和第二热沉层410和420中的每个可包括SiNx。此外，可通过将金属氧化物、碳或石墨聚合在丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)、聚丙烯(PP)或聚酰胺(PA)树脂上来形成多个间隔体构件300。下面的表1示出在300K的温度下每个一般无机层和多个间隔体构件300的导热率。
表1
因此，因为通过将金属氧化物、碳或石墨聚合在丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)、聚丙烯(PP)或聚酰胺(PA)树脂上来形成多个间隔体构件300，多个间隔体构件300在冲击吸收和柔韧性方面是好的，以及此外在传热特性方面是好的。此外，因为第一和第二热沉层410和420中的每个包括SiNx，所以第一和第二热沉层410和420中的每个在传热特性方面是好的。作为结果，因为显示装置100包括多个间隔体构件300和第一和第二热沉层410和420，所以传递到显示装置100的内部的热容易散发到外部。
图3A到3D是示意性示出制造图2的显示装置100的方法的过程横截面视图。
参考图3A，为了制造根据本公开的显示装置100，可提供第一载体玻璃基板10，且可在第一载体玻璃基板10的上端上提供第一牺牲层20。此外，晶体管基板110、第一缓冲层120、像素阵列层130、封装层140和第一热沉层410可顺序地堆叠在第一载体玻璃基板10上。此外，多个间隔体构件300形成于第一热沉层410上以交叠晶体管基板110的外围部分FA。在这里，形成多个间隔体构件300的过程不限于多个间隔体构件300首先在第一热沉层410上形成且接着将晶体管基板110结合到滤色器基板180的过程。在其它实施方式中，多个间隔体构件300可首先形成于第二热沉层420上，或可在将晶体管基板110结合到滤色器基板180的过程中被插入。因此，第一载体玻璃基板10可支撑元件，而晶体管基板110、第一缓冲层120、像素阵列层130、封装层140和第一热沉层410被堆叠。因此，第一载体玻璃基板10可临时充当支撑基板。
参考图3B，可提供第二载体玻璃基板30，且可在第二载体玻璃基板30的上端上提供第二牺牲层40。此外，滤色器基板180、第二缓冲层170和第二热沉层420可顺序地堆叠在第二载体玻璃基板30上。此外，多个滤色器162和黑矩阵164可形成于第二热沉层420上以交叠晶体管基板110的发射部分EL。因此，第二载体玻璃基板30可支撑元件，而滤色器基板180、第二缓冲层170和第二热沉层420被堆叠，且形成多个滤色器162和黑矩阵164。因此，第二载体玻璃基板30可临时充当支撑基板。
参考图3C，晶体管基板110可结合到滤色器基板180。在这里，填料可填充在晶体管基板110和滤色器基板180之间以形成填充层150。也就是说，填充层150可形成于第一和第二热沉层410和420之间。例如，填充层150可在晶体管基板110的发射部分EL处布置在多个滤色器162、黑矩阵164和第一热沉层410之间，并可在晶体管基板110的外围部分FA处布置在第一和第二热沉层410和420之间以围绕多个间隔体构件300。此外，晶体管基板110和滤色器基板180可结合到彼此以面对分别对应于多个滤色器162的多个有机发光器件E。此外，晶体管基板110和滤色器基板180可结合到彼此以面对黑矩阵164和堤139。
可通过经由激光释放过程释放第二牺牲层40来使第二载体玻璃基板30与滤色器基板180分离。详细地，当激光辐照到在第二载体玻璃基板30前面的第二牺牲层40上时，由激光引起的热可穿过滤色器基板180并可传递到第二热沉层420。此时，当由激光引起的热分散到第二热沉层420的整个部分时，第二热沉层420可通过多个间隔体构件300将热传递到第一热沉层410的整个部分。因此，多个间隔体构件300和第一和第二热沉层410和420防止传递到显示装置100的内部的热传递到多个有机发光器件E，从而提高显示装置100的可靠性。
参考图3D，可通过经由激光释放过程释放第一牺牲层20来使第一载体玻璃基板10与晶体管基板110分离。详细地，当激光辐照到在第一载体玻璃基板10前面的第一牺牲层20上时，由激光引起的热可穿过晶体管基板110并可传递到第一热沉层410。此时，当由激光引起的热分散到第一热沉层410的整个部分时，第一热沉层410可通过多个间隔体构件300将热传递到第二热沉层420的整个部分。因此，多个间隔体构件300和第一和第二热沉层410和420防止传递到显示装置100的内部的热传递到多个有机发光器件E，从而提高显示装置100的可靠性。
图4是在根据本公开的第二实施方式的显示装置100中的沿图1的线I-I’截取的横截面视图；以及图5是示出图4的显示装置100的冲击缓冲效应的图。在下文中，将简要给出或省略与上面所述的元件相同的元件的描述。
参考图4和5，显示装置100可被实现为底部发射类型，并可包括晶体管基板110、第一缓冲层120、像素阵列层130、封装层140、多个滤色器162、封装基板190和多个间隔体构件300。
晶体管基板110，基底基板，可以是柔性基板。例如，晶体管基板110可包括透明聚酰亚胺。
第一缓冲层120可设置在晶体管基板110上。第一缓冲层120可设置在晶体管基板110的整个前表面上，用于防止水经由晶体管基板110渗透到像素阵列层130内。
像素阵列层130可包括TFT层TFTL和发光器件层EDL。TFT层TFTL可包括多个TFT131、栅极绝缘层132、层间绝缘层133、钝化层134和平面化层135。此外，发光器件层EDL可包括多个有机发光器件E和堤139。
多个TFT 131可分别对应于在晶体管基板110的发射部分EL处的多个有机发光器件E。多个TFT 131均可以包括有源层ACL、栅极电极GE、漏极电极DE和源极电极SE。多个有机发光器件E均可以包括第一电极136、有机发光层137和第二电极138。
封装层140可覆盖像素阵列层130。详细地，封装层140可设置在第二电极138的整个上端上。封装层140可防止外部水等渗透到内部内，从而防止有机发光层137的退化。
多个滤色器162可布置成分别对应于在发射部分EL处的多个有机发光器件E。详细地，多个滤色器162可设置在钝化层134上，且平面化层135可覆盖多个滤色器162。此外，多个滤色器162中的每个可面对多个有机发光器件E的对应有机发光器件E，其间有平面化层135。多个滤色器162中的每个可布置成对应于对应的有机发光器件E，并可转换从对应的有机发光器件E发射的白光的颜色。例如，多个滤色器162可包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。因此，多个子像素SP的红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的每个可包括滤色器162的对应滤色器，且可在没有滤色器的情况下实现白色子像素。
封装基板190可通过粘性构件192附着在封装层140的上端上。详细地，封装基板190可充当覆盖基板或覆盖窗口，其覆盖晶体管基板110和像素阵列层130。封装基板190防止氧或水渗透到像素阵列层130内。
多个间隔体构件300可布置成围绕晶体管基板110的外围部分FA处的多个有机发光器件E，并可彼此间隔开。详细地，多个间隔体构件300可布置在晶体管基板110和TFT层TFTL之间以交叠晶体管基板110的外围部分FA，并可减小在晶体管基板110和封装基板190之间的冲击传递。也就是说，多个间隔体构件300可与第一缓冲层120布置在同一层上。
根据实施方式，多个间隔体构件300可包括在冲击吸收和柔韧性方面好的材料，并可补充显示装置100的耐久性。详细地，多个间隔体构件300可布置在晶体管基板110和TFT层TFTL之间以交叠晶体管基板110的外围部分FA。在这种情况下，当外部冲击施加到显示装置100时，多个间隔体构件300可维持晶体管基板110和TFT层TFTL之间的间隔，从而防止发光器件层EDL剥落。此外，即使被实现为柔性或可拉伸的显示装置的显示装置100弯曲或折叠，多个间隔体构件300也可维持晶体管基板110和TFT层TFTL之间的间隔，从而减小外部冲击。因此，多个间隔体构件300可减小施加到显示装置100的外部冲击，以便使外部冲击不传递到TFT 131和有机发光器件E，从而补充显示装置100的耐久性以提高可靠性。
如上所述，因为根据本公开的实施方式的显示装置包括围绕薄膜晶体管和有机发光器件的间隔体构件，所以施加到显示装置的外部冲击减小了，以便不传递到薄膜晶体管和有机发光器件，从而补充显示装置的耐久性以提高可靠性。
而且，因为根据本公开的实施方式的显示装置包括布置在晶体管基板和滤色器基板之间的第一和第二热沉层以及布置在第一和第二热沉层之间的间隔体构件，所以穿过基板的热容易在激光释放过程中散发到外部。
对本领域技术人员明显的是，可在本公开中做出各种修改和变化而不脱离本公开的精神或范围。因此，意图是本公开涵盖本公开的修改和变化，只要它们落入所附权利要求及其等效形式的范围内即可。

Claims (15)

1.一种显示装置，包含：
晶体管基板，包括交叠多个有机发光器件的发射部分和围绕所述发射部分的外围部分；
多个滤色器，布置成分别对应于所述发射部分处的所述多个有机发光器件；以及
多个间隔体构件，彼此间隔开并布置成在所述外围部分处围绕所述多个有机发光器件。
2.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
第一热沉层，布置在所述多个有机发光器件上；以及
第二热沉层，布置在所述多个滤色器上。
3.如权利要求2所述的显示装置，还包括：
滤色器基板，结合到所述晶体管基板；以及
填充层，填充于所述晶体管基板和所述滤色器基板之间，
其中，所述多个滤色器中的每个面对所述第一热沉层，所述填充层处于所述多个滤色器中的每个与所述第一热沉层之间。
4.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述多个间隔体构件布置在所述第一热沉层和第二热沉层之间以减小所述晶体管基板和所述滤色器基板之间的冲击传递。
5.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述多个间隔体构件与所述填充层布置在同一层上以减小所述晶体管基板和所述滤色器基板之间的冲击传递。
6.如权利要求3所述的显示装置，还包括：
黑矩阵，布置在所述多个滤色器的两个相邻滤色器之间；以及
第一缓冲层，布置在所述第二热沉层和所述滤色器基板之间。
7.如权利要求6所述的显示装置，其中，所述第二热沉层在所述发射部分处布置在所述黑矩阵和所述第一缓冲层之间。
8.如权利要求6所述的显示装置，其中，所述第二热沉层在所述外围部分处布置在所述多个间隔体构件和所述第一缓冲层之间。
9.如权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二热沉层通过所述多个间隔体构件将穿过所述滤色器基板的热传递到所述第一热沉层。
10.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
第二缓冲层，布置在所述晶体管基板上；
薄膜晶体管(TFT)层，布置在所述第二缓冲层和所述多个有机发光器件之间，所述TFT层包括分别对应于所述发射部分处的所述多个有机发光器件的多个薄膜晶体管(TFT)；以及
钝化层，覆盖所述多个TFT。
11.如权利要求10所述的显示装置，其中，所述多个间隔体构件在所述外围部分处布置在所述晶体管基板和所述TFT层之间。
12.如权利要求10所述的显示装置，还包括：
封装层，覆盖所述多个有机发光器件；以及
封装基板，通过粘性构件附着在所述封装层的上端上。
13.如权利要求12所述的显示装置，其中，所述多个间隔体构件与所述第二缓冲层布置在同一层上以减小所述晶体管基板和所述封装基板之间的冲击传递。
14.如权利要求1到13中的任一项所述的显示装置，其中，通过将金属氧化物、碳或石墨聚合在丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)、聚丙烯(PP)或聚酰胺(PA)树脂上来形成所述多个间隔体构件。
15.如权利要求2到9中的任一项所述的显示装置，其中，所述第一热沉层和所述第二热沉层中的每个包括氮化硅(SiNx)。
CN201811557294.2A 2017-12-26 2018-12-19 显示装置 Active CN110010655B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0179419 2017-12-26
KR1020170179419A KR102505255B1 (ko) 2017-12-26 2017-12-26 디스플레이 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110010655A true CN110010655A (zh) 2019-07-12
CN110010655B CN110010655B (zh) 2023-09-01

Family

ID=66950692

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811557294.2A Active CN110010655B (zh) 2017-12-26 2018-12-19 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11283042B2 (zh)
KR (1) KR102505255B1 (zh)
CN (1) CN110010655B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190393278A1 (en) * 2018-06-26 2019-12-26 Innolux Corporation Display device
CN109037298B (zh) * 2018-08-15 2021-06-29 武汉天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板及有机发光显示装置
CN109148721B (zh) * 2018-08-28 2021-05-04 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法和显示装置
CN109216427B (zh) * 2018-10-25 2021-03-30 上海天马微电子有限公司 一种显示面板、显示面板的制作方法及显示装置
KR102671368B1 (ko) * 2018-12-12 2024-06-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
CN110299469B (zh) * 2019-06-28 2022-04-05 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、电致发光显示面板及电致发光显示装置
KR20210090337A (ko) 2020-01-09 2021-07-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111370594B (zh) * 2020-03-19 2023-04-07 重庆京东方显示技术有限公司 显示面板和显示装置
KR20210129790A (ko) * 2020-04-20 2021-10-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20210144974A (ko) * 2020-05-21 2021-12-01 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 커버 윈도우 및 폴더블 디스플레이 장치
KR20220029012A (ko) 2020-09-01 2022-03-08 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112635692B (zh) * 2021-01-05 2022-07-12 Tcl华星光电技术有限公司 一种显示面板及其制备方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101635306A (zh) * 2008-07-24 2010-01-27 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置及其制造方法、电子设备
JP2010186581A (ja) * 2009-02-10 2010-08-26 Canon Inc 有機発光装置及びその製造方法
KR20110004374A (ko) * 2008-03-31 2011-01-13 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 유기 전계발광 소자
JP2011171288A (ja) * 2010-01-20 2011-09-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置、電子機器、照明装置、及びフレキシブル発光装置の作製方法
KR20120127236A (ko) * 2011-05-12 2012-11-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 이용한 전자 기기
US20150042913A1 (en) * 2013-08-08 2015-02-12 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display having damage impeding layer and method for manufacturing the same
US20150325809A1 (en) * 2012-06-28 2015-11-12 Pioneer Corporation Organic electroluminescent panel
CN105575979A (zh) * 2016-03-07 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
KR20160090939A (ko) * 2015-01-22 2016-08-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US20160358997A1 (en) * 2015-06-02 2016-12-08 Samsung Display Co., Ltd. Display module, display apparatus for vehicle, and method of manufacturing the same
CN106384743A (zh) * 2016-10-20 2017-02-08 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示器及其制作方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101079820B1 (ko) * 2003-09-19 2011-11-04 소니 가부시키가이샤 유기 발광 장치 및 그 제조 방법과 표시 장치
KR102108362B1 (ko) * 2013-10-25 2020-05-11 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110004374A (ko) * 2008-03-31 2011-01-13 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 유기 전계발광 소자
CN101635306A (zh) * 2008-07-24 2010-01-27 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置及其制造方法、电子设备
JP2010186581A (ja) * 2009-02-10 2010-08-26 Canon Inc 有機発光装置及びその製造方法
JP2011171288A (ja) * 2010-01-20 2011-09-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置、電子機器、照明装置、及びフレキシブル発光装置の作製方法
KR20120127236A (ko) * 2011-05-12 2012-11-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 이용한 전자 기기
US20150325809A1 (en) * 2012-06-28 2015-11-12 Pioneer Corporation Organic electroluminescent panel
US20150042913A1 (en) * 2013-08-08 2015-02-12 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display having damage impeding layer and method for manufacturing the same
KR20160090939A (ko) * 2015-01-22 2016-08-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US20160358997A1 (en) * 2015-06-02 2016-12-08 Samsung Display Co., Ltd. Display module, display apparatus for vehicle, and method of manufacturing the same
CN105575979A (zh) * 2016-03-07 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
CN106384743A (zh) * 2016-10-20 2017-02-08 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示器及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11283042B2 (en) 2022-03-22
CN110010655B (zh) 2023-09-01
US20190198802A1 (en) 2019-06-27
KR102505255B1 (ko) 2023-02-28
KR20190077878A (ko) 2019-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110010655A (zh) 显示装置
CN111383531B (zh) 可拉伸显示面板和包括其的可拉伸显示装置
US10468396B2 (en) Display device and multi-screen display device using the same
EP2866261B1 (en) Organic light emitting display device
CN103824965B (zh) 有机发光二极管显示面板及其制造方法
CN107799555A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
CN109728182A (zh) 透明显示设备
US10775665B2 (en) Display apparatus
KR20190048642A (ko) 디스플레이 장치
CN110034125A (zh) 柔性显示设备
CN109427853A (zh) 包括指纹扫描器的显示装置
CN108010938A (zh) 触摸有机发光显示装置
KR102626690B1 (ko) 표시장치, 그의 제조방법, 및 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이
CN109216417A (zh) 显示装置
CN108258014A (zh) 有机发光显示装置以及形成发光显示装置的方法
CN110034158B (zh) 显示装置
JP2017103227A (ja) 有機発光表示装置及びその製造方法
US20190035872A1 (en) Display device
CN107785392A (zh) 显示装置
CN108122625A (zh) 各向异性导电膜和包括各向异性导电膜的显示装置
CN106990590A (zh) 液晶显示装置
CN103681694A (zh) 一种柔性显示基板及柔性显示器
KR20170029682A (ko) 다중 영상 표시 장치
TW201124972A (en) Organic light emitting diode dispaly
KR102605133B1 (ko) 디스플레이 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant