CN110010646A - 曲面显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种曲面显示装置及其制造方法,其改善了平坦部分和弯曲部分之间的亮度差。所述曲面显示装置具有平坦部分和从所述平坦部分的一侧延伸的弯曲部分,所述平坦部分和所述弯曲部分中的任何一个在其中限定多个发光区域,其中,所述曲面显示装置包括:包括多个发光装置以形成所述发光区域的发光装置层,其中,在所述弯曲部分中设置有斜面膜,以使得所述弯曲部分中的所述发光区域的发光表面几乎平行于所述平坦部分中的所述发光区域的发光表面。

Description

曲面显示装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2017年12月13日提交的第10-2017-0170909号韩国专利申请的优先权,该申请通过如在这里完全阐述那样的引用而被结合在此。
技术领域
本公开涉及曲面显示装置及其制造方法。
背景技术
随着面向信息的社会的发展,对用于显示图像的显示设备的各种要求正在增加。诸如液晶显示(LCD)设备和发光显示装置的各种显示设备正被实际使用。发光显示装置可以分类为使用有机发光层作为发光元件的有机发光显示装置,以及使用微型发光二极管作为发光元件的发光二极管显示设备。发光显示装置以低电压驱动并且具有薄的厚度、出色的视角和快速的响应时间。
由于发光显示装置不需要背光,因此最近正在进行用于开发具有柔性的柔性显示装置的研究。柔性显示装置均包括设置在具有柔性的柔性基板上的像素阵列层,且包括多个薄膜晶体管(TFTs)和多条线,并且由于柔性显示装置即使在弯曲或折叠时也显示图像,因此柔性显示装置可以应用于各种领域。柔性显示装置可以分类为以特定的曲率弯曲的曲面显示装置,以及折叠到内侧或外侧的可折叠显示装置。所述曲面显示装置表示具有柔性的柔性显示模块附接在曲面盖基板上的显示装置。
曲面显示装置可以每个包括平坦部分和弯曲部分。所述弯曲部分从所述平坦部分延伸并以特定的曲率弯曲。因此,所述平坦部分的显示表面是平坦的,并且所述弯曲部分的显示表面以特定的曲率弯曲。当所述平坦部分的显示表面与所述弯曲部分的显示表面的一个点处的切平面之间的角度被定义为所述弯曲部分的在该点处的弯曲角度“θ”时,所述平坦部分中的图像的发射方向和所述弯曲部分中的图像的发射方向可以具有与弯曲角度“θ”基本上相同的角度差,或者与弯曲角度“θ”几乎类似的角度差“θ'”。
图1是示出相对于视角的亮度变化的曲线图,并且图2是示出相对于视角的色移的曲线图。在图1和图2中,当用户从曲面显示装置的正面看时的角度、即当在垂直于曲面显示装置的显示表面的位置看时的角度被定义为零度视角。如在图1中,随着对于红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)和白色(W)中的每一个的视角增大,强度减小。此外,如在图2中,随着视角增大,色移(或颜色视角偏差)“Δu'v'”增大。当色移“Δu'v'”为0.020或更大时,用户可以识别出颜色相对于视角而不同。
如上所述,即使当平坦部分和弯曲部分发射具有相同亮度的光时,在平坦部分中的发射方向和弯曲部分中的发射方向也具有角度差“θ”或“θ'”。因此,当用户在平坦部分的正面观看由曲面显示装置显示的图像时,用户可以识别出由弯曲部分显示的图像的亮度低于由平坦部分显示的图像的亮度,并且在平坦部分和弯曲部分之间存在色移。此外,当用户在弯曲部分的正面观看由曲面显示装置显示的图像时,用户可以识别出由平坦部分显示的图像的亮度低于由弯曲部分显示的图像的亮度,并且在平坦部分和弯曲部分之间存在色移。
发明内容
因此,本公开旨在提供一种基本上消除了由于现有技术的限制和缺点导致的一个或多个问题的曲面显示装置及其制造方法。
本公开的一方面旨在提供一种改善平坦部分和弯曲部分之间的亮度差的曲面显示装置及其制造方法。
除了本公开的上述目的之外,下面将描述本公开的其他特征和优点,但是本领域技术人员将从以下描述中清楚地理解本公开的其他特征和优点。
本公开的其他优点和特征将部分地在下面的描述中阐述,并且部分地对于本领域普通技术人员在研究下文后将变得显而易见,或者可以从本公开的实践中获知。本公开的目的和其他优点可以通过在此处撰写的说明书和权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
为了实现这些和其他优点并且根据本公开的目的,如在此所具体化和广泛描述的那样,提供了一种具有平坦部分和从平坦部分的一侧延伸的弯曲部分的曲面显示装置,平坦部分和弯曲部分中的任何一个在其中限定多个发光区域,其中,曲面显示装置包括:包括多个发光装置以形成发光区域的发光装置层,在弯曲部分中设置斜面膜,使得在弯曲部分中的发光区域的发光表面几乎平行于在平坦部分中的发光区域的发光表面。
应理解本公开的前述大致描述和以下详细描述都是示例性和说明性的,并且旨在提供对要求保护的本公开的进一步说明。
附图说明
被包括以提供对本公开的进一步理解、且被结合入并构成本申请的一部分的附图表示出了本公开的实施例,并且与说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中:
图1是示出相对于视角的亮度变化的曲线图;
图2是示出相对于视角的色移的曲线图;
图3是显示包括根据本公开的一个实施例的曲面显示装置的便携式电子设备的透视图;
图4是显示根据本公开的一个实施例的曲面显示装置的分解透视图;
图5是显示根据本公开的一个实施例的曲面显示装置的侧视图;
图6是显示布置在图5的平坦部分和弯曲部分中的每一个中的显示区域的一个示例的横截面视图;
图7是显示布置在图5的平坦部分和弯曲部分中的每一个中的显示区域的另一示例的横截面视图;
图8是显示布置在图5的平坦部分和弯曲部分中的每一个中的显示区域的又一示例的横截面视图;
图9是显示布置在图5的平坦部分和弯曲部分中的每一个中的显示区域的再一示例的横截面视图;
图10A和图10B分别示出在根据本公开的一个实施例的显示模块的平坦部分和弯曲部分中相对于视角的亮度仿真结果的示例图;
图11是显示制造根据本公开的一个实施例的显示模块的方法的流程图;
图12A至图12D是用于描述制造根据本公开的一个实施例的显示模块的方法的横截面视图;
图13是显示制造根据本公开的另一实施例的显示模块的方法的流程图;和
图14A至图14D是用于描述制造根据本公开的另一实施例的显示模块的方法的横截面视图。
具体实施方式
现在将详细参考本公开的示例性实施例,其示例表示在附图中。在整个附图中将使用相同的附图标记来指代任何可能的相同或相似的部分。
在说明书中,应该注意已经在其他附图中用于表示相似的元件的相似的附图标记也会用于任何可能的该元件。在以下描述中,当本领域技术人员已知的功能和构造与本公开的必要构造无关时,将省略它们的详细描述。说明书中描述的术语应按如下理解。
通过以下参考附图描述的实施例,将阐明本公开的优点和特征及其实现方法。然而,本公开可以以不同的形式实施,并且不应该被解释为限于这里阐述的实施例。相反,提供这些实施例是为了使本公开充分且完整,并且将本公开的范围完全传达给本领域技术人员。此外,本公开仅由权利要求的范围限定。
用于描述本公开的实施例的附图中公开的形状、尺寸、比例、角度和数量仅仅是示例,因此本公开不限于所表示出的细节。相似的附图标记自始至终指代相似的元件。在以下描述中,当确定相关已知功能或构造的详细描述使本公开的重点模糊不清而显得多余时,将省略该详细描述。
尽管没有明确的描述,但是在解释元件时该元件应被解释为包括误差范围。
本公开的各个实施例的特征可以部分地或整体地彼此耦合或组合,并且可以彼此以各种方式互操作且在技术上被驱动,如本领域技术人员能够充分理解的那样。本公开的实施例可以彼此独立地执行,或者可以以相互依赖的关系一起执行。
在下文中,将参考附图详细描述本公开的示例性实施例。
图3是显示包括根据本公开的一个实施例的曲面显示装置的便携式电子设备PED的透视图。
参照图3,根据本公开的一个实施例的便携式电子设PED被显示为智能手机,但不限于此。也就是说,根据本公开的一个实施例的便携式电子设备PED可以是平板PC、笔记本电脑或类似物。此外,除了便携式电子设备PED之外,根据本公开的一个实施例的曲面显示装置还可以应用于诸如监视器和电视机(TVs)的各种电子设备。
便携式电子设备PED可以包括形成外观的壳体CS、显示装置CDIS、声音输出模块SOM、图像传感器CAM、亮度传感器IS、扬声器SPK、麦克风MIC、耳机端口EP和充电端口CP。
壳体CS可以设置为覆盖便携式电子设备PED的前表面、侧表面和后表面。壳体CS可以由塑料形成。显示装置CDIS、声音输出模块SOM和图像传感器(或相机)CAM,以及亮度传感器IS可以布置在壳体CS的前表面处。麦克风MIC、耳机端口EP和充电端口CP可以布置在壳体CS的一个表面处。
曲面显示装置CDIS可以占据便携式电子设备PED的前表面的大部分区(域)。将参考图4详细描述所述曲面显示装置CDIS。
声音输出模块SOM可以是在通过电话通话时输出另一方的声音的接收装置。图像传感器CAM可以是用于采集在便携式电子设备前面看到的图像的装置,并且另一个图像传感器可以另外地布置在便携式电子设备PED的后表面上。亮度传感器IS可以是感测入射光的量以控制显示装置DIS的亮度的装置。麦克风MIC可以是在与另一方通话时将用户的语音的声波转换为电信号并且传送该电信号的传送装置。扬声器SPK可以输出与在便携式电子设备PED中执行的应用或功能相关联的声音信号。耳机端口EP可以是当耳机的一部分插入该端口时将声音信号输出到耳机而不是扬声器SPK的端口。充电端口CP可以是用于对便携式电子设备PED的电池充电的充电器被连接到其上的端口。
图4是显示根据本公开的一个实施例的曲面显示装置CDIS的分解透视图。图5是显示根据本公开的一个实施例的曲面显示装置CDIS的侧视图。
图5是在Y轴方向上看时的曲面显示装置的侧视图。在图5中,为了便于描述,未示出柔性膜60和完全集成的驱动电路70。
参照图4和图5,根据本公开的一个实施例的曲面显示装置CDIS可以包括盖基板10、显示模块30、柔性膜60和完全集成的驱动电路70。
盖基板10可以由塑料、玻璃和/或类似物形成。
装饰层11设置在盖基板10上。装饰层11可以是包括即使在显示模块30不显示图像时用户也能看到的图案的层。装饰层11可包括字母图案11a和颜色层11b。字母图案11a可以是诸如图4中的“LG”之类的公司的标志。颜色层11b可以设置在与显示模块30的边框区域对应的区域中。在颜色层11b设置为黑色的情况下,当显示模块30不显示图像时,颜色层11b可以与显示模块30的显示区域的颜色相同的颜色被显示,因此,用户可以广泛地看到显示模块30的屏幕。
显示模块30可以布置在盖基板10的后表面上。显示模块30可以是显示特定的图像的显示装置。例如,显示模块30可以是发光显示装置,但是本公开的实施例不限于此。发光显示装置的示例可以包括有机发光层用作发光装置的有机发光显示装置,以及微型发光二极管用作发光装置的发光二极管显示装置。
显示模块30可以通过粘合膜附接在盖基板10的后表面上。粘合膜可以是光学透明树脂(OCR)或光学透明粘合剂(OCA)膜。
偏振膜可以布置在显示模块30的前表面上。偏振膜防止可视性由于外部光的反射而减弱。
散热膜可以布置在显示模块30的后表面上。散热膜可以包括具有高导热率的材料,以便有效地散发在显示模块30中产生的热量。此外,散热膜可以完成缓冲功能以保护显示模块30免受外部冲击。
显示模块30可以包括从显示模块30的至少一部分突出的突出部35。例如,如图4所示,突出部35可以从显示模块30的下侧的一部分突出。柔性膜60可以附接在突出部35上,并且为了最小化边框区域,突出部35和柔性膜60可以被弯曲并被固定到显示模块30的后表面。柔性膜60可以是其上安装有完全集成的驱动电路70的覆晶薄膜(COF)。
完全集成的驱动电路70可以实现为类似集成芯片(IC)的芯片类型,并且可以以覆晶薄膜COF类型附接在柔性膜60上。完全集成的驱动电路70可以是集成有数据驱动电路、时序控制电路、电源电路和伽马电压电路的驱动电路。
数据驱动电路可以是根据由伽马电压电路产生的伽马电压产生数据电压并将该数据电压提供给显示模块30的数据线的电路,并且时序控制电路可以是控制数据驱动电路的操作时序和设置在显示模块30中的扫描驱动电路的操作时序的电路。此外,电源电路可以是产生并提供数据驱动电路、时序控制电路、伽马电压电路和扫描驱动电路所需的驱动电压的电路。此外,伽马电压电路可以是将伽马电压提供给数据驱动电路的电路。
如在图5中,曲面显示装置CDIS可以包括平坦部分FA和弯曲部分BA。平坦部分FA可以平坦地设置在曲面显示装置CDIS的中心区中。弯曲部分BA可以从平坦部分FA的至少一侧延伸,并且可以设置为具有第一曲率。因此,弯曲部分BA可以设置在曲面显示装置CDIS的至少一个边缘中。在图5中,弯曲部分BA被显示为设置在曲面显示装置CDIS的两个边缘中的每一个中,但是本公开的实施例不限于此。在其他实施例中,弯曲部分BA可以仅设置在曲面显示装置CDIS的一个边缘中,或者可以设置在曲面显示装置CDIS的三个边缘或四个边缘中的每一个中。
显示模块30可以布置在曲面显示装置CDIS的平坦部分FA和弯曲部分BA中。由于显示模块30布置在曲面显示装置CDIS的弯曲部分BA中,因此用户可以通过弯曲部分BA看到图像。
在现有技术中,由于显示模块30在垂直于平坦部分FA和弯曲部分BA中的每一个中的显示表面的方向上发光,因此在弯曲部分BA中由显示模块30显示的图像的发射方向相对于在平坦部分FA中由显示模块30显示的图像的发射方向倾斜第一角度“θ1”。因此,在现有技术中,用户能够识别显示模块30的平坦部分FA和弯曲部分BA之间的亮度差和色移。
在现有技术中,当平坦部分FA的显示表面与弯曲部分BA的显示表面的一个点处的切平面之间的角度被定义为第一角度“θ1”时,在平坦部分FA中的图像的发射方向和在弯曲部分BA中的图像的发射方向可以具有与第一角度“θ1”基本上相同的角度差,或者与第一角度“θ1”几乎类似的角度差“θ1'”。在本公开的实施例中,由显示模块30显示的图像在平坦部分FA中可以在垂直于显示表面的方向上发光,并且在弯曲部分BA中可以成从垂直于显示表面的方向倾斜第一角度“θ1”或者与第一角度“θ1”类似的角度“θ1'”的角度发光。因此,在本公开的实施例中,在平坦部分FA中由显示模块30显示的图像的发射方向可以等于或几乎类似于在弯曲部分BA中由显示模块30显示的图像的发射方向。因此,在本公开的实施例中,防止了柔性显示装置CDIS的平坦部分FA和弯曲部分BA之间的亮度差和色移被用户识别出来。
在下文中,允许在弯曲部分BA中由显示模块30显示的图像的发射方向与在平坦部分FA中由显示模块30显示的图像的发射方向相等或几乎类似的方法将参考图6至图9详细描述。
图6是显示布置在图5的平坦部分和弯曲部分中的每一个中的显示区域的一个示例的横截面视图。
参照图6,基板41可以包括支撑基板41a和柔性基板41b。支撑基板41a可以是用于支撑柔性基板41b的基板,并且可以由塑料形成。例如,支撑基板41a可以由聚对苯二甲酸乙二酯(PET)形成。柔性基板41b可以布置在支撑基板41a上,并且可以由具有柔性的塑料膜形成。例如,柔性基板41b可以由聚酰亚胺膜形成。
缓冲层100可以设置在基板41上。缓冲层100保护TFTs和发光装置免受通过易于渗透水的基板41渗透到内部的水(H2O)或氧气(O2)的影响。缓冲层100可以包括多重缓冲层201和有源缓冲层202。
多重缓冲层201可以包括交替层叠的多个缓冲层(例如,第一至第四缓冲层)201a至201d。例如,多重缓冲层201的第一缓冲层201a和第三缓冲层201c可以每个均由氧化硅(SiOx)形成,并且第二缓冲层201b和第四缓冲层201d可以每个均由氮化硅(SiNx)形成。
有源缓冲层202可以布置在多重缓冲层201上。有源缓冲层202可以由SiOx形成。
薄膜晶体管(TFT)层110可以设置在缓冲层100上。TFTs 210、扫描线、数据线、初始化电压线和第一高电平电压线(或第一源电压线)可以设置在TFT层110中。
TFTs 210可以每个包括有源层212、栅极211、源极213和漏极214。在图6中,TFTs210示例性地显示为形成为栅极211布置在有源层212上的顶栅型,但是本公开的实施例不限于此。在其他实施例中,TFTs 210可以形成为栅极211布置在有源层212下的底栅型,或者栅极211布置在有源层212上和下的双栅型。
在图6中,每个TFTs 210显示为以共面结构设置,但是本公开的实施例不限于此。在其他实施例中,每个TFTs 210可以使用背沟道蚀刻(BCE)工艺以反向交错结构实现。共面结构可以具有栅极设置在有源层上的顶栅结构。反向交错结构可以具有栅极设置在有源层下的底栅结构。
有源层212可以设置在缓冲层100上。有源层212可以由硅基半导体材料、氧化物基半导体材料和/或类似物形成。硅基半导体材料可以使用非晶硅或具有比非晶硅更好的迁移率、消耗功率低、并且可靠性好的多晶硅。
硅基半导体材料的示例可以包括:作为四元金属氧化物的InSnGaZnO基材料,作为三元金属氧化物的InGaZnO基的材料、InSnZnO基材料、InAlZnO基材料、SnGaZnO基材料、AlGaZnO基材料和SnAlZnO基材料,作为二元金属氧化物的InZnO基材料、SnZnO基材料、AlZnO基材料、ZnMgO基材料、SnMgO基材料、InMgO基材料、InGaO基材料、InO基材料、SnO基材料和ZnO基材料,但是元素的组成比例不限于此。
有源层212可以包括其包括p型或n型杂质的源区和漏区,以及形成在源区和漏区之间的沟道,并且可以包括在源区和漏区之间与沟道相邻的低浓度掺杂区。
用于阻挡入射在有源层212上的外部光的光阻挡层可以设置在缓冲层100和有源层212之间。
栅极绝缘膜220可以形成在有源层212上。栅极绝缘膜220可以由无机层形成,并且例如可以由SiOx、SiNx或其多层形成。
栅极211、扫描线和初始化电压线VRL可以设置在栅极绝缘膜220上。栅极211、扫描线和初始化电压线VRL可以各自由包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层形成。
层间绝缘层230可以设置在栅极211、扫描线和初始化电压线上。层间绝缘层230可以包括第一层间绝缘层231和第二层间绝缘层232。第一层间绝缘层231可以由氧化硅SiOx形成,并且第二层间绝缘层232可以由氮化硅SiNx形成。
源极213、漏极214、数据线和第一高电平电压线可以设置在层间绝缘层230上。源极213和漏极214中的每一个可以通过穿透栅极绝缘膜220和层间绝缘层230的导电通孔连接至有源层212。源极213、漏极214和数据线可以各自由包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的一种或其合金的单层或多层形成。
用于使TFTs 210绝缘的保护膜240可以设置在源极213、漏极214、数据线和第一高电平电压线上。保护膜240可以由氮化硅SiNx形成。
用于平坦化由TFTs 210引起的台阶高度的平坦化膜250可以形成在保护膜240上。平坦化膜250可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂或类似物的有机膜形成。
斜面膜251可以设置在弯曲部分BA中的平坦化膜250上。斜面膜251可以是从平坦化膜250倾斜特定的角度的膜。例如,当平坦部分FA的显示表面与弯曲部分BA的显示表面的一个点处的切平面之间的角度被定义为第一角度“θ1”时,在弯曲部分BA的该点处的平坦化膜250和倾斜膜251之间的角度可以与第一角度“θ1”基本上相同,或者可以是与第一角度“θ1”类似的角度“θ1'”。
斜面膜251可以包括第一表面251a和第二表面251b。斜面膜251的第一表面251a可以设置为相对于平坦化膜250的上表面形成第一角度“θ1”或与第一角度“θ1”类似的角度“θ1'”。因此,弯曲部分BA中的斜面膜251的第一表面251a可以设置为几乎平行于平坦部分FA中的平坦化膜250的上表面。
斜面膜251的第二表面251b可以设置为相对于平坦化膜250的上表面形成第二角度“θ2”。第二角度“θ2”可以与第一角度“θ1”基本上相同。在这种情况下,斜面膜251可以包括第一表面251a的长度与第二表面251b的长度相同的等腰三角形的横截面。
斜面膜251可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂或类似物的有机膜形成。斜面膜251可以由与平坦化膜250的材料相同的材料形成,或者可以由与堤部264的材料相同的材料形成。当斜面膜251由与平坦化膜250的材料相同的材料形成时,斜面膜251可以如图13中所示与平坦化膜250同时形成。
发光装置层120可以设置在平坦部分FA的平坦化膜250和弯曲部分BA的斜面膜251上。发光装置层120可以包括多个发光装置和堤部264。在图7中,描述了发光装置层120以顶部发射型发光的示例,但是本公开的实施例不限于此。在其他实施例中,发光装置层120可以以底部发射型发光。
发光装置和堤部264可以设置在平坦化膜250和斜面膜251上。发光装置可以包括第一电极261、发光层262和第二电极263。第一电极261可以为阳极电极,并且第二电极263可以为阴极电极。
第一电极261可以设置在平坦部分FA中的平坦化膜250上,并且可以设置在弯曲部分BA中的平坦化膜250和斜面膜251上。详细地,第一电极261可以在弯曲部分BA中设置在平坦化膜250和斜面膜251的第一表面251a上。
第一电极261可以通过穿透保护膜240和平坦化膜250的导电通孔连接到TFT 210的源极213或漏极214。第一电极261可以由反射率高的金属材料形成,例如Al和Ti的层叠结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO的层叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金或APC合金和ITO的层叠结构(ITO/APC/ITO)。APC合金可以是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。
在图6中,第一电极261被显示为设置在斜面膜251的第一表面251a和第二表面251b上,但是本公开的实施例不限于此。在其他实施例中,第一电极261可以不设置在斜面膜251的第二表面251b上。在这种情况下,第一电极261可以通过与斜面膜251的第一表面251a相邻的导电通孔连接到TFT 210的源极213或漏极214。
堤部264可以设置在平坦化膜250和斜面膜251上。详细地,堤部264可以设置为覆盖布置在平坦部分FA中的平坦化膜250上的第一电极261的一部分。堤部264可以设置在平坦化膜250和斜面膜251的第一表面251a和第二表面251b上,以覆盖布置在弯曲部分BA中的斜面膜251的第一表面251a上的第一电极261的一部分。
堤部264可以限定多个发光区域EA。也就是说,发光区域EA可以各自是第一电极261、发光层262和第二电极263按顺序层叠的区域,并且来自第一电极261的空穴和来自第二电极263的电子在发光层262中组合以发光。因此,在弯曲部分BA中,按顺序布置在斜面膜251的第一表面251a上的第一电极261、发光层262和第二电极263可以被定义为发光区域EA。
由于弯曲部分BA的斜面膜251的第一表面251a几乎平行于平坦部分FA的平坦化膜250的上表面,所以平坦部分FA中的发光区域EA的发光表面(或显示表面)可以几乎平行于弯曲部分BA中的发光区域EA的发光表面(或显示表面)。因此,在本公开的实施例中,在平坦部分FA中由显示模块30显示的图像的发射方向可以等于或几乎类似于在弯曲部分BA中由显示模块30显示的图像的发射方向。因此,在本公开的实施例中,防止了柔性显示装置CDIS的平坦部分FA和弯曲部分BA之间的亮度差和色移差被用户识别出来。
隔离层可以设置在堤部264上。堤部264和隔离层可以各自由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂或类似物的有机膜形成。
发光层262可以设置在第一电极261上。发光层262可以包括空穴传输层(HTL)、有机发光层和电子传输层(ETL)。空穴传输层可以顺畅地将从第一电极261注入的空穴转移到有机发光层。有机发光层可以由包括磷光或荧光材料的有机材料形成。电子传输层可以顺畅地将从第二电极263注入的电子转移到有机发光层。除了空穴传输层、有机发光层和电子传输层之外,发光层262可以还包括空穴注入层(HIL)、空穴阻挡层(HBL)、电子注入层(EIL)和电子阻挡层(EBL)。
此外,发光层262可以设置为两个或更多个层叠的串联结构。每个层叠可以包括空穴传输层、有机发光层和电子传输层。如果发光层262设置为两个或更多个层叠的串联结构,则可以在相邻的层叠之间设置电荷产生层。电荷产生层可以包括与下层叠相邻布置的n型电荷产生层,以及设置在n型电荷产生层上并且与上层叠相邻布置的p型电荷产生层。n型电荷产生层可以将电子注入到下层叠中,并且p型电荷产生层可以将空穴注入到上层叠中。n型电荷产生层可以由具有传输电子的能力的有机基质材料掺杂诸如锂(Li)、钠(Na)、钾(K)或铯(Cs)的碱金属或诸如镁(Mg)、锶(Sr)、钡(Ba)或镭(Ra)的碱土金属的有机层形成。p型电荷产生层可以是掺杂剂掺杂在具有传输空穴的能力的有机基质材料上的有机层。
发光层262可以设置在多个发光区域EA中的每一个中。在这种情况下,对于发光区域EA的每一个,发光层262可以分成发射红色光的红色发光层、发射绿色光的绿色发光层和发射蓝色光的蓝色光发射层。然而,本公开的实施例不限于此。在其他实施例中,发光层262可以是共同设置在发光区域EA中的公共层,并且在这种情况下,发光层262可以是发射白色光的白色发光层。在发光层262共同设置在发光区域EA中的情况下,需要多个彩色滤光片。
第二电极263可以设置在发光层262上。第二电极263可以设置为覆盖发光层262。第二电极263可以是共同设置在像素中的公共层。
第二电极263可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的能够传送光的透明导电氧化物(TCO)形成,或者由诸如镁(Mg)、银(Ag)或Mg和Ag的合金的透反射导电材料形成。如果第二电极263由透反射导电材料形成,则可通过微腔提高发光效率。覆盖层可以形成在第二电极263上。
封装膜130可以设置在发光装置层120上。封装膜130防止氧气或水渗透到发光层262和第二电极263中。为此,封装膜130可以包括至少一个无机膜(例如,第一无机膜271和第二无机膜273)。例如,所述至少一个无机膜(271和273)可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝和氧化钛中的至少一种形成。
封装膜130可以包括至少一个形成为具有足够的厚度、用作防止颗粒渗透到发光层262和第二电极263中的颗粒覆盖层的有机膜272。有机膜272可以由用于传送从发光层262发射的光的透明材料形成。有机膜272可以由用于传送从发光层262发射的光的99%的有机材料形成,例如,可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂和/或类似物形成,但不限于此。
在图6中,显示了第一无机膜271设置在第二电极263上、有机膜272设置在第一无机膜271上、且第二无机膜273设置在有机膜272上的示例,但是本公开的实施例不限于此。
在图6中,显示了斜面膜251的第二表面251b与平坦化膜251的上表面之间的第二角度“θ2”与第一角度“θ1”基本上相同的示例,但是本公开的实施例不限于此。例如,如在图7中,当第二角度“θ2”小于第一角度“θ1”时,斜面膜251可以具有第二表面251b的长度比第一表面251a的长度长的三角形横截面。
此外,如在图8中,当第二角度“θ2”大于第一角度“θ1”时,斜面膜251可以具有第一表面251a的长度比第二表面251b的长度长的三角形横截面。而且,如在图9中,当第二角度“θ2”为90度时,斜面膜251可以具有直角三角形横截面。也就是说,如在图8和图9中,当第二角度“θ2”大于第一角度“θ1”并且第二角度“θ2”为90度或更小时,可以缩短斜面膜251的第二表面251b的长度,因此,与图6相比具有可以减小非发光区域的尺寸的优势。
此外,图10A示出了显示模块30的平坦部分FA中相对于视角的亮度模拟结果。图10B示出了显示模块30的弯曲部分BA中相对于视角的亮度模拟结果。如在图10A和10B中,可以看出显示模块30的平坦部分FA中相对于视角的亮度模拟结果被示出为类似于显示模块30的弯曲部分BA中相对于视角的亮度模拟结果。
也就是说,在本公开的实施例中,弯曲部分BA的斜面膜251的第一表面251a可以几乎平行于平坦化膜250的上表面,平坦部分FA的发光区域EA的发光表面(或显示表面)可以形成为几乎平行于弯曲部分BA的发光区域EA的发光表面(或显示表面)。因此,在本公开的实施例中,平坦部分FA中由显示模块30显示的图像的发射方向可以等于或几乎类似于弯曲部分BA中由显示模块30显示的图像的发射方向。因此,在本公开的实施例中,防止了柔性显示装置CDIS的平坦部分FA和弯曲部分BA之间的亮度差和色移被用户识别出来。
在图5中,当弯曲部分BA的曲率随着距平坦部分FA的距离的增加而增大时,平坦部分中的图像的发射方向与弯曲部分中的图像的发射方向之间的差值增大。因此,设置在弯曲部分BA的发光区域EA的每一个中的斜面膜251的第一角度“θ1”可以随着距平坦部分FA的距离的增加而增大,以使得平坦部分FA中由显示模块30显示的图像的发射方向等于或几乎类似于弯曲部分BA中由显示模块30显示的图像的发射方向。
此外,在图5中,当弯曲部分BA的曲率随着距平坦部分FA的距离的增加而减小时,平坦部分中的图像的发射方向与弯曲部分中的图像的发射方向之间的差值减小。因此,设置在弯曲部分BA的发光区域EA的每一个中的斜面膜251的第一角度“θ1”可以随着距平坦部分FA的距离的增加而减小,以使得平坦部分FA中由显示模块30显示的图像的发射方向等于或几乎类似于弯曲部分BA中由显示模块30显示的图像的发射方向。
图11是显示制造根据本公开的一个实施例的显示模块的方法的流程图。图12A至图12D是用于描述制造根据本公开的一个实施例的显示模块的方法的横截面视图。
首先,如在图12A中,可以在基板41上形成缓冲层100、TFT层110和平坦化膜250。缓冲层100、TFT层110和平坦化膜250可以共同形成在平坦部分FA和弯曲部分BA中。(图11的S101)
详细地,缓冲层100可以设置在基板41上。缓冲层100保护TFTs和发光装置免受通过易于渗透水的基板41渗透到内部的水(H2O)或氧气(O2)的影响。
缓冲层100可以包括多重缓冲层201和有源缓冲层202。多重缓冲层201可以包括交替层叠的多个缓冲层(例如,第一至第四缓冲层)201a至201d。例如,多重缓冲层201的第一缓冲层201a和第三缓冲层201c可以每个由氧化硅(SiOx)形成,并且第二缓冲层201b和第四缓冲层201d可以每个由氮化硅(SiNx)形成。有源缓冲层202可以布置在多重缓冲层201上。有源缓冲层202可以由氧化硅SiOx形成。
随后,可以在缓冲层100上形成TFTs中的每一个的有源层212。详细地,可以通过溅射工艺或金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在缓冲层100的前表面上形成有源金属层。随后,可以通过使用光致抗蚀剂图案通过掩模工艺图案化有源金属层来形成有源层212。有源层212可以由硅基半导体材料、氧化物基半导体材料和/或类似物形成。
有源层212可以由硅基半导体材料、氧化物基半导体材料和/或类似物形成。硅基半导体材料可以使用非晶硅或具有比非晶硅更好的迁移率、消耗功率低、并且可靠性好的多晶硅。
硅基半导体材料的示例可以包括:作为四元金属氧化物的InSnGaZnO基材料,作为三元金属氧化物的InGaZnO基的材料、InSnZnO基材料、InAlZnO基材料、SnGaZnO基材料、AlGaZnO基材料和SnAlZnO基材料,作为二元金属氧化物的InZnO基材料、SnZnO基材料、AlZnO基材料、ZnMgO基材料、SnMgO基材料、InMgO基材料、InGaO基材料、InO基材料、SnO基材料和ZnO基材料,但是元素的组成比例不限于此。
有源层212可以包括其包括p型或n型杂质的源区和漏区,以及形成在源区和漏区之间的沟道,并且可以包括在源区和漏区之间与沟道相邻的低浓度掺杂区。
可以在缓冲层100和有源层212之间设置用于阻挡入射在有源层212上的外部光的光阻挡层。
随后,可以在有源层212上形成栅极绝缘膜220。栅极绝缘膜220可以由无机膜形成,并且例如可以由氧化硅SiOx、氮化硅SiNx或其多层膜形成。
随后,可以在栅极绝缘膜220上形成TFT 210的栅极211和扫描线。具体地,可以通过溅射工艺或MOCVD工艺在栅极绝缘膜220的前表面上形成第一金属层。随后,可以通过使用光致抗蚀剂图案通过掩模工艺图案化第一金属层来形成栅极211。栅极211可以由包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的一种或其合金的单层或多层形成
随后,可以在栅极211和扫描线上形成层间绝缘膜230。层间绝缘膜230可以包括第一层间绝缘膜231和第二层间绝缘膜232。第一层间绝缘膜231可以由氧化硅SiOx形成,并且第二层间绝缘膜232可以由氮化硅SiNx形成。
随后,可以形成穿过栅极绝缘膜220和层间绝缘膜230并暴露有源层212的多个导电通孔。
随后,可以在层间绝缘膜230上形成源极213、漏极214和数据线。详细地,可以通过溅射工艺或MOCVD工艺在层间绝缘膜230的前表面上形成第二金属层。随后,可以通过使用光致抗蚀剂图案通过掩模工艺图案化第二金属层来形成源极213、漏极214和数据线。源极213可以通过穿透栅极绝缘膜220和层间绝缘膜230的导电通孔连接到有源层212的一侧。漏极214可以通过穿透栅极绝缘膜220和层间绝缘膜230的导电通孔连接到有源层212的另一侧。源极213、漏极214和数据线可以各自由包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的一种或其合金的单层或多层形成。
随后,可以在源极213、漏极214和数据线上形成用于使TFT 210绝缘的保护膜240。保护膜240可以由SiNx形成。
随后,可以在保护膜240上形成用于平坦化由TFT 210引起的台阶高度的平坦化膜250。平坦化膜250可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂或类似物的有机膜形成。
第二,如在图12B和图12C中,可以在弯曲部分BA的平坦化膜250上形成斜面膜251。(图11的S102)
在图12B和图12C中,主要描述了用于形成斜面膜251的有机膜251'具有暴露于光的部分被显影溶液溶解的正型抗蚀剂特性的示例。
详细地,如在图12B中,在平坦部分FA和弯曲部分BA中,可以在平坦化膜250上形成有机膜251',并且可以在有机膜251'上布置掩模M。有机膜251'可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂或类似物形成,并且例如优选地可以由能够进行光工艺的光丙烯酸形成。
掩模M可以包括开口部分OA、半色调部分HA和光阻挡部分SA。如在图12B中,开口部分OA可以布置在平坦部分FA的整个区域和弯曲部分BA的不会形成斜面膜251的区域中。而且,如在图12B中,半色调部分HA可以布置在与要形成斜面膜251的第一表面251a和第二表面251b的区对应的区域中,并且光阻挡部分SA可以布置在与要形成斜面膜251的第一表面251a和第二表面251b的区对应的区域之间的边界中。
掩模M可以设置在有机膜251'上,然后,通过进行曝光工艺和显影工艺,可以如在图12C中那样形成斜面膜251。由于布置在开口部分OA中的有机膜251'完全暴露于光,因此可以通过显影工艺去除该有机膜251'。由于布置在光阻挡部分SA中的有机膜251'未暴露于光,因此该有机膜251'不可以通过显影工艺去除。由于布置在半色调部分HA中的有机膜251'的上部的仅一部分暴露于光,因此可以通过显影工艺仅去除有机膜251'的上部的暴露于光的这一部分。半色调部分HA可以布置在开口部分OA和光阻挡部分SA之间,因此,有机膜251'可以形成为具有在从开口部分OA到光阻挡部分SA的方向上增加的高度。因此,如在图12C中,斜面膜251的第一表面251a可以设置为相对于平坦化膜250的上表面形成第一角度“θ1”,并且斜面膜251的第二表面251b可以设置为相对于平坦化膜250的上表面形成第二角度“θ2”。
当有机膜251'具有未暴露于光的部分被显影溶液溶解的负型特性时,光阻挡部分SA可以布置在平坦部分FA的整个区域和弯曲部分BA的不会形成斜面膜251的区域中。此外,半色调部分HA可以布置在斜面膜251的第一表面251a和第二表面251b上,并且开口部分OA可以布置在斜面膜251的第一表面251a和第二表面251b之间的边界中。
斜面膜251的第一表面251a与平坦化膜250的上表面之间的第一角度“θ1”和斜面膜251的第二表面251b与平坦化膜250的上表面之间的第二角度“θ2”可以基于相应的开口部分OA和光阻挡部分SA之间的距离来调整。例如,如果相应的开口部分OA和光阻挡部分SA之间的距离增加,则第一角度“θ1”和第二角度“θ2”可以减小。而且,如果相应的开口部分OA和光阻挡部分SA之间的距离减小,则第一角度“θ1”和第二角度“θ2”可以增大。
第三,如在图12D中,可以在平坦部分FA的平坦化膜250以及弯曲部分BA的平坦化膜250和斜面膜251上形成包括第一电极261、有机发光层(或发光层)262和第二电极263的发光装置层120。可以在发光装置层120上形成封装膜130。(图11的S103)
可以在平坦部分FA的平坦化膜250以及弯曲部分BA的平坦化膜250和斜面膜251上形成第一电极261。详细地,可以通过溅射工艺或MOCVD工艺在平坦部分FA的平坦化膜250以及弯曲部分BA的平坦化膜250和斜面膜251中的每一个的前表面上形成第三金属层。随后,可以通过使用光致抗蚀剂图案通过掩模工艺图案化第三金属层来形成第一电极261。
第一电极261可以形成在平坦化膜250及弯曲部分BA中的斜面膜251的第一表面251a和第二表面251b上。第一电极261可以通过穿透保护膜240和平坦化膜250的导电通孔连接到TFT 210的源极213或漏极214。第一电极261可以由反射率高的金属材料形成,例如Al和Ti的层叠结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO的层叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金或APC合金和ITO的层叠结构(ITO/APC/ITO)。APC合金可以是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。
随后,可以在平坦化膜250和斜面膜251上形成堤部264。详细地,可以在平坦化膜250和斜面膜251上形成有机膜,并且可以通过曝光工艺和显影工艺图案化有机膜来形成堤部264。
堤部264可以形成为在平坦部分FA中覆盖布置在平坦化膜250上的第一电极261的一部分。堤部264可以形成在平坦化膜250和斜面膜251的第一表面251a和第二表面251b上,以在弯曲部分BA中覆盖布置在斜面膜251的第一表面251a上的第一电极261的一部分。
可以在堤部264上形成隔离层。堤部264和隔离层可以各自由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂或类似物的有机膜形成。
随后,可以在第一电极261上形成发光层262。详细地,可以通过沉积工艺或溶液工艺在第一电极261和堤部264上形成发光层262。
发光层262可以形成在多个发光区域EA的每一个中。在这种情况下,对于发光区域EA的每一个,发光层262可以分成发射红色光的红色发光层、发射绿色光的绿色发光层和发射蓝色光的蓝色光发射层。然而,本公开的实施例不限于此。在其他实施例中,发光层262可以是共同设置在发光区域EA中的公共层,并且在这种情况下,发光层262可以是发射白色光的白色发光层。在发光层262共同设置在发光区域EA中的情况下,需要多个彩色滤光片。
随后,可以在发光层262上形成第二电极263。第二电极263可以是共同设置在多个像素P中的公共层。第二电极263可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的能够传送光的透明导电氧化物TCO形成,或者由诸如镁(Mg)、银(Ag)或Mg和Ag的合金的透反射导电材料形成。如果第二电极263由透反射导电材料形成,则可通过微腔提高发光效率。第二电极263可以通过诸如溅射工艺的物理气相沉积工艺形成。可以在第二电极263上形成覆盖层。
随后,可以在第二电极263上形成封装膜130。封装膜130防止氧气或水渗透到发光层262和第二电极263中。为此,封装膜130可以包括至少一个无机膜(例如,第一无机膜271和第二无机膜273)。例如,所述至少一个无机膜(271和273)可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝和氧化钛中的至少一种形成。
封装膜130可以包括至少一个形成为具有足够的厚度、用作防止颗粒渗透到发光层262和第二电极263中的颗粒覆盖层的有机膜272。有机膜272可以由用于传送从发光层262发射的光的透明材料形成。有机膜272可以由用于传送从发光层262发射的光的99%的有机材料形成,例如,可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂和/或类似物形成,但不限于此。
如上所描述,在本公开的实施例中,可以通过使用半色调掩模在弯曲部分BA中形成从平坦化膜250倾斜第一角度“θ1”的斜面膜251。因此,在本公开的实施例中,由于弯曲部分BA的斜面膜251的第一表面251a几乎平行于平坦部分FA的平坦化膜250的上表面,所以平坦部分FA中的发光区域EA的发光表面(或显示表面)可以设置为几乎平行于弯曲部分BA中的发光区域EA的发光表面(或显示表面)。因此,在本公开的实施例中,平坦部分FA中由显示模块30显示的图像的发射方向可以等于或几乎类似于弯曲部分BA中由显示模块30显示的图像的发射方向。因此,在本公开的实施例中,防止了柔性显示装置CDIS的平坦部分FA和弯曲部分BA之间的亮度差和色移被用户识别出来。
图13是显示制造根据本公开的另一实施例的显示模块的方法的流程图。图14A至图14D是用于描述制造根据本公开的另一实施例的显示模块的方法的横截面视图。
首先,如在图14A中,可以在基板41上形成缓冲层100和TFT层110。缓冲层100和TFT层110可以共同形成在平坦部分FA和弯曲部分BA中。(图13的S201)
步骤S201基本上与上述参考图11和图12A描述的步骤S101相同,因此,省略步骤S201的详细描述。
第二,如在图14B和图14C中,可以同时形成平坦化膜250和斜面膜251。(图13的S202)
在图14B和图14C中,主要描述了用于形成平坦化膜250的有机膜250'具有暴露于光的部分被显影溶液溶解的正型抗蚀剂特性的示例。
详细地,如在图14B中,在平坦部分FA和弯曲部分BA中,可以在保护膜240上形成有机膜250',并且在有机膜250'上布置掩模M。有机膜250'可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂或类似物形成,并且例如可以由能够进行光工艺的光丙烯酸形成。
掩模M可以包括第一半色调部分HA1、第二半色调部分HA2和光阻挡部分SA。如在图14B中,第一半色调部分HA1可以布置在平坦部分FA的整个区域和弯曲部分BA的不会形成斜面膜251的区域中。而且,如在图14B中,第二半色调部分HA2可以布置在与要形成斜面膜251的第一表面251a和第二表面251b的区对应的区域中,并且光阻挡部分SA可以布置在与要形成斜面膜251的第一表面251a和第二表面251b的区对应的区域之间的边界中。第一半色调部分HA1的透光率可以高于第二半色调部分HA2的透光率。
掩模M可以布置在有机膜250'上,然后,通过进行曝光工艺和显影工艺,可以如在图14C中那样形成斜面膜251。由于布置在第一半色调部分HA1中的有机膜250'的上部的仅一部分暴露于光,因此可以通过显影工艺仅去除该有机膜250'的上部的暴露于光的这一部分。由于布置在光阻挡部分SA中的有机膜250'不暴露于光,因此该有机膜250'不可以通过显影工艺被去除。由于设置在第二半色调部分HA2中的有机膜250'的上部的仅一部分被暴露于光,因此可以通过显影工艺仅去除该有机膜250'的上部的暴露于光的这一部分。由于第二半色调部分HA2的透光率低于第一半色调部分HA1的透光率,因此布置在第二半色调部分HA2中的有机膜250'的上部可以比布置在第一半色调部分HA1中的有机膜250'的上部更少地被去除。
第二半色调部分HA2可以布置在第一半色调部分HA1和光阻挡部分SA之间,因此,有机膜250'可以形成为具有在从第一半色调部分HA1到光阻挡部分SA的方向上增加的高度。因此,如在图14C中,斜面膜251的第一表面251a可以设置为相对于平坦化膜250的上表面形成第一角度“θ1”,并且斜面膜251的第二表面251b可以设置为相对于平坦化膜250的上表面形成第二角度“θ2”。
当有机膜250'具有未暴露于光的部分被显影溶液溶解的负型特性时,光阻挡部分SA可以布置在平坦部分FA的整个区域和弯曲部分BA的不会形成斜面膜251的区域中。此外,第二半色调部分HA2可以布置在斜面膜251的第一表面251a和第二表面251b上,并且第一半色调部分HA1可以布置在斜面膜251的第一表面251a和第二表面251b之间的边界中。
斜面膜251的第一表面251a与平坦化膜250的上表面之间的第一角度“θ1”和斜面膜251的第二表面251b与平坦化膜250的上表面之间的第二角度“θ2”可以基于相应的第一半色调部分HA1和光阻挡部分SA之间的距离来调整。例如,如果相应的第一半色调部分HA1和光阻挡部分SA之间的距离增加,则第一角度“θ1”和第二角度“θ2”可以减小。而且,如果相应的第一半色调部分HA1和光阻挡部分SA之间的距离减小,则第一角度“θ1”和第二角度“θ2”可以增加。
第三,如在图14D中,可以在平坦部分FA的平坦化膜250以及弯曲部分BA的平坦化膜250和斜面膜251上形成包括第一电极261、有机发光层262和第二电极263的发光装置层120,并且可以在发光装置层120上形成封装膜130。(图13的S203)
步骤S203基本上与上述参考图11和图12D描述的步骤S103相同,因此,省略步骤S203的详细描述。
如上所述,根据本公开的实施例,可以通过使用半色调掩模在弯曲部分中形成从平坦化膜倾斜第一角度的斜面膜。因此,根据本公开的实施例,由于弯曲部分的斜面膜的第一表面几乎平行于平坦部分的平坦化膜的上表面,因此平坦部分中的发光区域的发光表面(或显示表面)可以设置为几乎平行于弯曲部分中的发光区域的发光表面(或显示表面)。因此,根据本公开的实施例,平坦部分中由显示模块显示的图像的发射方向可以等于或几乎类似于弯曲部分中由显示模块显示的图像的发射方向。结果,根据本公开的实施例,防止了柔性显示装置的平坦部分和弯曲部分之间的亮度差和色移被用户识别出来。
对本领域技术人员显而易见的是,在不脱离本公开的精神或范围的情况下,可以在本公开中进行各种修改和变化。因此,本公开旨在覆盖本公开的修改和变化,只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内。

Claims (16)

1.一种曲面显示装置,其具有平坦部分和从所述平坦部分的一侧延伸的弯曲部分,所述平坦部分和所述弯曲部分中的任何一个在其中限定多个发光区域,其中,所述曲面显示装置包括:
包括多个发光装置以形成多个发光区域的发光装置层,
其中,在所述弯曲部分中设置斜面膜,以使所述弯曲部分中的所述发光区域的发光表面几乎平行于所述平坦部分中的所述发光区域的发光表面。
2.如权利要求1所述的曲面显示装置,其中,每个发光装置包括第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间并电连接到所述第一电极和所述第二电极的发光层,所述多个发光装置中的每个的所述第一电极独立地布置,并且所述斜面膜具有第一表面,所述弯曲部分中的所述发光装置的所述第一电极的至少一部分被设置在所述第一表面上,且所述第一表面几乎平行于所述平坦部分中的所述发光区域的所述发光表面。
3.如权利要求2所述的曲面显示装置,其中,所述第一表面相对于所述弯曲部分中的平坦化膜形成第一角度,且所述第一角度随着距所述平坦部分的距离的增加而增大。
4.如权利要求1所述的曲面显示装置,还包括TFT层,所述TFT层包括多个TFTs,其中,每个发光装置的所述第一电极电连接到对应的TFT的源极或漏极。
5.如权利要求4所述的曲面显示装置,其中,在所述TFTs的源极和漏极上设置有用于使所述TFTs绝缘的保护膜。
6.如权利要求5所述的曲面显示装置,其中,在所述保护膜上形成有用于平坦化由所述TFTs引起的台阶高度的平坦化膜。
7.如权利要求6所述的曲面显示装置,其中,所述斜面膜设置在所述弯曲部分中的所述平坦化膜上,且所述斜面膜的所述第一表面几乎平行于所述平坦部分中的所述平坦化膜的上表面。
8.如权利要求7所述的曲面显示装置,其中,在所述平坦化膜和所述斜面膜上设置有堤部,以限定用于形成所述发光区域的多个空腔,所述空腔的每个是对应的发光装置的第一电极、发光层和第二电极在其中按顺序层叠的区域。
9.如权利要求7所述的曲面显示装置,其中,所述斜面膜具有三角形横截面。
10.如权利要求7所述的曲面显示装置,其中,所述斜面膜包括与所述平坦化膜的材料相同的材料。
11.如权利要求9所述的曲面显示装置,其中,所述三角形横截面具有由所述第一表面限定的第一边和不与所述弯曲部分中的所述平坦化膜的表面接触的第二边,并且所述第一边长于所述第二边。
12.一种制造曲面显示装置的方法,所述曲面显示装置具有平坦部分和从所述平坦部分的一侧延伸的弯曲部分,所述平坦部分和所述弯曲部分中的任何一个在其中限定多个发光区域,所述方法包括:
在基板上形成TFT层;
在所述TFT层上形成保护膜;
在所述保护膜上形成平坦化膜;
在所述弯曲部分中的所述平坦化膜上形成斜面膜;
在所述平坦化膜和所述斜面膜上形成发光装置层以形成所述发光区域;以及
在所述发光装置层上形成封装膜;
其中,所述发光装置层包括布置在所述平坦部分和所述弯曲部分中以在其中形成所述多个发光区域的多个发光装置,所述斜面膜以所述弯曲部分中的发光区域的发光表面几乎平行于所述平坦部分中的发光区域的发光表面的方式设置在所述弯曲部分中。
13.一种曲面显示装置,所述曲面显示装置包括平坦部分和从所述平坦部分的一侧延伸的弯曲部分,所述曲面显示装置包括:
布置在基板上的TFT层;
布置在所述TFT层上的平坦化膜;
布置在所述平坦化膜上且从所述平坦化膜倾斜第一角度的斜面膜;
布置在所述平坦化膜和所述斜面膜上的多个第一电极;
分别布置在所述多个第一电极上的多个发光层;和
布置在所述多个发光层上的第二电极,
其中,所述多个第一电极中的所述平坦部分的第一电极布置在所述平坦化膜上,且所述多个第一电极中的所述弯曲部分的第一电极布置在所述斜面膜上。
14.如权利要求13所述的曲面显示装置,其中,所述斜面膜包括:
相对于所述平坦化膜的上表面形成第一角度的第一表面;和
相对于所述平坦化膜的上表面形成第二角度的第二表面,并且
所述第一电极布置在所述第一表面上。
15.如权利要求14所述的曲面显示装置,其中,所述第二角度等于所述第一角度,或者大于所述第一角度并且为90度或小于90度。
16.如权利要求14所述的曲面显示装置,其中,所述第一电极布置在所述第二表面上。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110492014A (zh) * 2019-08-30 2019-11-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN110492020A (zh) * 2019-08-29 2019-11-22 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN110660930A (zh) * 2019-07-29 2020-01-07 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及其制备方法和显示装置
CN110660924A (zh) * 2019-09-30 2020-01-07 昆山国显光电有限公司 一种显示面板和显示装置
CN110828535A (zh) * 2019-12-20 2020-02-21 武汉天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN111129098A (zh) * 2019-12-30 2020-05-08 武汉天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板和装置
CN111477108A (zh) * 2020-04-26 2020-07-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN112038493A (zh) * 2020-08-17 2020-12-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
CN112420960A (zh) * 2020-11-19 2021-02-26 合肥维信诺科技有限公司 显示面板以及显示装置
CN112420783A (zh) * 2020-11-04 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及电子设备
CN112542500A (zh) * 2020-12-03 2021-03-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN114023897A (zh) * 2021-11-10 2022-02-08 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及显示装置
WO2022183498A1 (zh) * 2021-03-05 2022-09-09 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
TWI811838B (zh) * 2020-12-30 2023-08-11 南韓商Lg顯示器股份有限公司 發光顯示裝置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102448066B1 (ko) * 2017-12-22 2022-09-28 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치
JP7212036B2 (ja) * 2018-03-30 2023-01-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法、並びに、電子機器
CN110164952B (zh) * 2019-07-03 2023-01-31 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110212012B (zh) * 2019-07-12 2022-02-25 昆山国显光电有限公司 一种显示面板和显示装置
KR20210035959A (ko) 2019-09-24 2021-04-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20210114595A (ko) * 2020-03-10 2021-09-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111627927A (zh) * 2020-05-19 2020-09-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000195667A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Toyota Motor Corp 表示パネル及びその製造方法
US20020074936A1 (en) * 2000-09-18 2002-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the display device
JP2009259559A (ja) * 2008-04-16 2009-11-05 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス発光装置および液晶表示装置
US20140312319A1 (en) * 2013-04-17 2014-10-23 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
US20150001477A1 (en) * 2013-07-01 2015-01-01 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
CN104425764A (zh) * 2013-08-21 2015-03-18 株式会社日本显示器 有机场致发光显示装置及其制造方法
US20150137090A1 (en) * 2013-11-20 2015-05-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode (oled) display and method of manufacturing the same
CN105590956A (zh) * 2011-03-30 2016-05-18 索尼公司 有机发光器件和包括有机发光器件的显示单元
US20170155087A1 (en) * 2015-12-01 2017-06-01 Lg Display Co., Ltd. Curved display device
US20170263892A1 (en) * 2014-09-18 2017-09-14 Sharp Kabushiki Kaisha Electroluminescence device, electronic device, and method for manufacturing electroluminescence device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101830301B1 (ko) 2011-10-24 2018-02-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20160010708A (ko) * 2014-07-17 2016-01-28 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR102214977B1 (ko) * 2014-07-31 2021-02-09 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US20160226013A1 (en) * 2015-01-29 2016-08-04 Apple Inc. Organic Light-Emitting Diode Displays with Tilted and Curved Pixels
KR102464901B1 (ko) * 2016-03-29 2022-11-09 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치
CN108022943B (zh) * 2016-11-02 2019-11-01 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其制作方法、掩模板
KR102631905B1 (ko) * 2017-01-05 2024-02-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000195667A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Toyota Motor Corp 表示パネル及びその製造方法
US20020074936A1 (en) * 2000-09-18 2002-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the display device
JP2009259559A (ja) * 2008-04-16 2009-11-05 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス発光装置および液晶表示装置
CN105590956A (zh) * 2011-03-30 2016-05-18 索尼公司 有机发光器件和包括有机发光器件的显示单元
US20140312319A1 (en) * 2013-04-17 2014-10-23 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
US20150001477A1 (en) * 2013-07-01 2015-01-01 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
CN104425764A (zh) * 2013-08-21 2015-03-18 株式会社日本显示器 有机场致发光显示装置及其制造方法
US20150137090A1 (en) * 2013-11-20 2015-05-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode (oled) display and method of manufacturing the same
US20170263892A1 (en) * 2014-09-18 2017-09-14 Sharp Kabushiki Kaisha Electroluminescence device, electronic device, and method for manufacturing electroluminescence device
US20170155087A1 (en) * 2015-12-01 2017-06-01 Lg Display Co., Ltd. Curved display device

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110660930A (zh) * 2019-07-29 2020-01-07 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及其制备方法和显示装置
CN110492020A (zh) * 2019-08-29 2019-11-22 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN110492020B (zh) * 2019-08-29 2022-12-23 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
CN110492014B (zh) * 2019-08-30 2022-04-15 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN110492014A (zh) * 2019-08-30 2019-11-22 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
US11436949B2 (en) 2019-08-30 2022-09-06 Boe Technology Group Co., Ltd. OLED display apparatus including flexible substrate having insulation layer with an inclined top surface
CN110660924A (zh) * 2019-09-30 2020-01-07 昆山国显光电有限公司 一种显示面板和显示装置
CN110828535A (zh) * 2019-12-20 2020-02-21 武汉天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN111129098A (zh) * 2019-12-30 2020-05-08 武汉天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板和装置
CN111477108B (zh) * 2020-04-26 2022-02-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN111477108A (zh) * 2020-04-26 2020-07-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN112038493A (zh) * 2020-08-17 2020-12-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
CN112038493B (zh) * 2020-08-17 2022-05-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
CN112420783A (zh) * 2020-11-04 2021-02-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及电子设备
CN112420783B (zh) * 2020-11-04 2022-09-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及电子设备
CN112420960A (zh) * 2020-11-19 2021-02-26 合肥维信诺科技有限公司 显示面板以及显示装置
CN112542500A (zh) * 2020-12-03 2021-03-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
US11765944B2 (en) 2020-12-03 2023-09-19 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and manufacturing method thereof
TWI811838B (zh) * 2020-12-30 2023-08-11 南韓商Lg顯示器股份有限公司 發光顯示裝置
WO2022183498A1 (zh) * 2021-03-05 2022-09-09 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN114023897A (zh) * 2021-11-10 2022-02-08 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及显示装置
CN114023897B (zh) * 2021-11-10 2024-04-30 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及显示装置

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