CN116685162A - 显示基板及显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示基板，包括：多个第一类型显示区、位于多个第一类型显示区至少一侧的第二类型显示区。第二类型显示区的光透过率小于或等于多个第一类型显示区的光透过率。多个第一类型显示区满足以下至少一项：至少一个第一类型显示区包括：设置在衬底上的多个第一发光元件、多个第二发光元件以及多个第一像素电路；至少一个第一类型显示区包括：设置在衬底上的多个第一发光元件和多个第一像素电路，且至少另一个第一类型显示区包括：设置在衬底上的多个第二发光元件。至少一个第一像素电路与至少一个第一发光元件电连接，至少一个第二发光元件与位于第二类型显示区的至少一个第二像素电路电连接。

Description

显示基板及显示装置

技术领域

本文涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板及显示装置。

背景技术

有机发光二极管(OLED，Organic Light Emitting Diode)和量子点发光二极管(QLED，Quantum-dot Light Emitting Diode)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。屏下摄像头技术是为了提高显示装置的屏占比所提出的一种全新的技术。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开实施例提供一种显示基板及显示装置。

一方面，本实施例提供一种显示基板，包括：多个第一类型显示区、位于所述多个第一类型显示区至少一侧的第二类型显示区；所述第二类型显示区的光透过率小于或等于所述多个第一类型显示区的光透过率。所述多个第一类型显示区满足以下至少一项：所述多个第一类型显示区中的至少一个第一类型显示区包括：设置在衬底上的多个第一发光元件、多个第二发光元件以及多个第一像素电路；所述多个第一类型显示区中的至少一个第一类型显示区包括：设置在衬底上的多个第一发光元件和多个第一像素电路，且至少另一个第一类型显示区包括：设置在衬底上的多个第二发光元件。其中，所述多个第一像素电路中的至少一个第一像素电路与所述多个第一发光元件中的至少一个第一发光元件电连接，所述多个第二发光元件中的至少一个第二发光元件与位于所述第二类型显示区的多个第二像素电路中的至少一个第二像素电路电连接。

在一些示例性实施方式中，所述至少一个第一类型显示区包括：多个第一发光元件、多个第二发光元件以及多个第一像素电路。在所述至少一个第一类型显示区内，沿第一方向的相邻第一像素电路通过至少一条第一电路引线电连接，沿第二方向的相邻第一像素电路通过至少一条第二电路引线电连接，至少一个第二发光元件通过至少一条导电连接线与位于所述第二类型显示区的至少一个第二像素电路电连接；所述第一方向与所述第二方向交叉。所述至少一条导电连接线位于所述至少一条第一电路引线和所述至少一条第二电路引线远离所述衬底的一侧。

在一些示例性实施方式中，在垂直于所述显示基板的方向上，所述显示基板至少包括：衬底、设置在所述衬底上的电路结构层和发光结构层；所述电路结构层至少包括：所述多个第一像素电路和多个第二像素电路；所述发光结构层至少包括：所述多个第一发光元件和多个第二发光元件。所述电路结构层至少包括：设置在所述衬底上的半导体层、第一栅金属层、第二栅金属层、第一源漏金属层、第一透明导电层、第二源漏金属层、以及至少一个第二透明导电层。其中，所述至少一条第一电路引线和所述至少一条第二电路引线位于所述第一透明导电层；所述至少一条导电连接线位于所述至少一个第二透明导电层。

在一些示例性实施方式中，所述第一透明导电层位于所述第一源漏金属层靠近所述衬底的一侧；或者，所述第一透明导电层位于所述第一源漏金属层远离所述衬底的一侧，且所述第一透明导电层和所述第一源漏金属层之间设置至少一个绝缘层。

在一些示例性实施方式中，所述至少一个第一类型显示区的多个第一发光元件包括：多个出射第一颜色光的第一发光元件、以及多个出射第二颜色光的第一发光元件；所述多个第二发光元件配置为出射第三颜色光。在所述至少一个第一类型显示区中，所述至少一个出射第一颜色光的第一发光元件在所述衬底的正投影与所连接的第一像素电路在所述衬底的正投影至少部分交叠；所述至少一个出射第二颜色光的第一发光元件在所述衬底的正投影与所连接的第一像素电路在所述衬底的正投影至少部分交叠。所述至少一个出射第三颜色光的第二发光元件在所述衬底的正投影与所连接的第二像素电路在所述衬底的正投影无交叠。

在一些示例性实施方式中，所述至少一个出射第三颜色光的第二发光元件在所述衬底的正投影与所述第一电路引线和第二电路引线在所述衬底的正投影无交叠。

在一些示例性实施方式中，所述至少一个出射第三颜色光的第二发光元件在所述衬底的正投影与所述第一电路引线在所述衬底的正投影部分交叠，且与所述第二电路引线在所述衬底的正投影无交叠；或者，所述至少一个出射第三颜色光的第二发光元件在所述衬底的正投影与所述第二电路引线在所述衬底的正投影部分交叠，且与所述第一电路引线在所述衬底的正投影无交叠。

在一些示例性实施方式中，所述多个第一类型显示区包括：至少一个第一显示区和至少一个第二显示区；所述第一显示区的光透过率大于所述第二显示区的光透过率。

在一些示例性实施方式中，所述多个第一类型显示区包括：一个第一显示区和两个第二显示区；所述第一显示区和所述两个第二显示区沿一个方向排布，且所述第一显示区位于所述两个第二显示区之间。

在一些示例性实施方式中，所述第一显示区和所述两个第二显示区沿着排布方向依次连接，或者，沿着排布方向相邻的第一显示区和第二显示区之间由所述第二类型显示区间隔。

在一些示例性实施方式中，所述显示基板还包括：位于所述多个第一发光元件和多个第二发光元件远离所述衬底一侧的遮光层；所述遮光层的红外光透过率大于或等于可见光透过率。

在一些示例性实施方式中，所述显示基板还包括：位于所述多个第一发光元件和多个第二发光元件远离所述衬底一侧的多个滤光单元，所述遮光层具有多个遮光开口，所述多个滤光单元中的至少一个滤光单元位于对应的遮光开口中。其中，所述第二显示区的遮光层连续设置，所述第一显示区的遮光层包括独立设置的多个遮光块，所述多个遮光块中的至少一个遮光块位于所述至少一个滤光单元的周围。

在一些示例性实施方式中，所述至少一个第一类型显示区包括的多个发光元件的阴极为相互连接的一体结构，且所述一体结构具有多个开口，所述多个开口在所述衬底的正投影与所述多个发光元件的发光区域在所述衬底的正投影无交叠。

在一些示例性实施方式中，所述至少一个第一类型显示区包括的多个发光元件的阴极独立设置，所述多个发光元件的阴极通过辅助阴极电连接，所述辅助阴极位于所述多个发光元件的阴极远离所述衬底的一侧，且所述辅助阴极采用透明导电材料。

在一些示例性实施方式中，所述第二类型显示区还包括：多个第三像素电路和多个第三发光元件，所述多个第三像素电路中的至少一个第三像素电路与所述多个第三发光元件中的至少一个第三发光元件电连接，所述多个第二像素电路间隔设置在所述多个第三像素电路之间。

在一些示例性实施方式中，所述显示基板还包括：位于所述第二类型显示区至少一侧的第三类型显示区；所述第三类型显示区的光透过率小于所述多个第一类型显示区的光透过率，且大于所述第二类型显示区的光透过率；或者，所述第三类型显示区的光透过率小于所述第二类型显示区的光透过率，且所述第二类型显示区的光透过率小于所述多个第一类型显示区的光透过率。所述第三类型显示区包括：多个第四像素电路和多个第四发光元件，所述多个第四像素电路中的至少一个第四像素电路与所述多个第四发光元件中的至少一个第四发光元件电连接。

另一方面，本实施例提供一种显示装置，包括如上所述的显示基板。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开的技术方案的限制。

图1A为本公开至少一实施例的显示基板的示意图；

图1B为本公开至少一实施例的显示基板的另一示意图；

图2为本公开至少一实施例的显示基板的显示区域的平面结构示意图；

图3为本公开至少一实施例的显示基板的局部示意图；

图4为本公开至少一实施例的显示基板的第一类型显示区的结构示意图；

图5为本公开至少一实施例的第二发光元件和第二像素电路的连接示意图；

图6为本公开至少一实施例的第三类型显示区的局部剖面示意图；

图7A和图7B为本公开至少一实施例的第二显示区的局部剖面示意图；

图8A和图8B为本公开至少一实施例的第一显示区的局部剖面示意图；

图9为本公开至少一实施例的第三类型显示区的局部剖面的另一示例图；

图10为本公开至少一实施例的第二显示区的局部剖面的另一示例图；

图11为本公开至少一实施例的第一显示区的局部剖面的另一示例图；

图12为本公开至少一实施例的第一显示区的局部剖面的另一示例图；

图13为本公开至少一实施例的第一显示区的局部剖面的另一示例示意图；

图14为本公开至少一实施例的第二显示区的局部剖面的另一示例图；

图15为本公开至少一实施例的显示基板的另一局部示意图；

图16为本公开至少一实施例的显示基板的另一局部示意图；

图17为本公开至少一实施例的显示基板的另一局部示意图；

图18为本公开至少一实施例的显示基板的另一示意图；

图19为本公开至少一实施例的第一类型显示区的结构示意图；

图20为本公开至少一实施例的显示基板的另一示意图；

图21为本公开至少一实施例的显示装置的示意图；

图22为本公开至少一实施例的显示装置的局部剖面示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为其他形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了一个或多个构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中一个或多个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。本公开中的“多个”表示两个及以上的数量。

在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述的构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。

在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的传输，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有多种功能的元件等。

在本说明书中，晶体管是指至少包括栅极、漏极以及源极这三个端子的元件。晶体管在漏极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏极、沟道区域以及源极。在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。在本说明书中，第一极可以为漏极、第二极可以为源极，或者第一极可以为源极、第二极可以为漏极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源极”及“漏极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源极”和“漏极”可以互相调换。另外，栅极还可以称为控制极。

在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。

本公开中的“光透过率”指的是光线透过介质的能力，是透过透明或半透明体的光通量与其入射光通量的百分率。

本公开中的“约”、“大致”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的情况。在本公开中，“大致相同”是指数值相差10％以内的情况。

在一些实现方式中，OLED器件由于色域高、轻薄化、可挠性等特点已经成为主流显示结构。针对设置传感器(例如前置摄像头、环境光传感器、距离传感器、用于人脸识别的红外发射器和传感器等硬件)的显示装置，目前采用刘海屏、美人尖、水滴屏、挖孔屏等设计来减少传感器在显示区域的占用空间，以提升显示基板的屏占比。为了改善传感器在显示基板的对应区域(例如称为高透过率区域)的光透过率，可以将高透过率区域的发光元件和所连接的像素电路分开设置。然而，由于发光元件和像素电路之间需要通过导电连接线进行连接，受限于导电连接线的排布空间，导致高透过率区域的尺寸受限。另外，随着用户需求的增加(比如拍摄照片或视频、检测环境光、检测距离、人脸识别等需求)，显示基板上仅设置一个高透过率区域已经无法满足用户需求。

本实施例提供一种显示基板，包括：多个第一类型显示区、位于所述多个第一类型显示区至少一侧的第二类型显示区。第二类型显示区的光透过率小于或等于多个第一类型显示区的光透过率。多个第一类型显示区满足以下至少一项：多个第一类型显示区中的至少一个第一类型显示区包括：设置在衬底上的多个第一发光元件、多个第二发光元件以及多个第一像素电路；多个第一类型显示区中的至少一个第一类型显示区包括：设置在衬底上的多个第一发光元件和多个第一像素电路，且至少另一个第一类型显示区包括：设置在衬底上的多个第二发光元件。其中，多个第一像素电路中的至少一个第一像素电路与多个第一发光元件中的至少一个第一发光元件电连接，多个第二发光元件中的至少一个第二发光元件与位于第二类型显示区的多个第二像素电路中的至少一个第二像素电路电连接。

在一些示例中，第一发光元件和第一像素电路设置在同一个第一类型显示区，第一发光元件所连接的第一像素电路采用内置方式设置。第二发光元件设置在第一类型显示区，第二像素电路设置在第二类型显示区，第二发光元件所连接的第二像素电路采用外置方式设置。

在一些示例中，至少一个第一类型显示区的一部分发光元件所连接的像素电路可以采用内置方式设置，另一部分发光元件所连接的像素电路可以采用外置方式设置。在同一个第一类型显示区内结合使用外置方式和内置方式来设置像素电路，有利于提升第一类型显示区的尺寸，实现光透过率和尺寸的最优组合。例如，多个第一类型显示区都可以采用像素电路外置方式和内置方式的结合方案。

在一些示例中，至少一个第一类型显示区的发光元件所连接的像素电路可以采用外置方式设置，至少另一个第一类型显示区的发光元件所连接的像素电路可以采用内置方式设置。在多个第一类型显示区中，一部分第一类型显示区采用外置方式来设置像素电路，另一部分第一类型显示区可以采用内置方式来设置像素电路。比如，在两个第一类型显示区中，一个第一类型显示区可以采用像素电路外置方式，另一个第一类型显示区可以采用像素电路内置方式。又如，在三个或三个以上的第一类型显示区中，至少两个第一类型显示区可以采用外置方式来设置像素电路，其余的第一类型显示区可以采用内置方式来设置像素电路。本示例通过多个第一类型显示区来实现像素电路外置方式和内置方式的结合，可以实现光透过率不同的多个第一类型显示区，以满足不同功能需求。

在一些示例中，在多个第一类型显示区中，至少一个第一类型显示区可以采用像素电路内置方式和外置方式的结合方案，至少另一个第一类型显示区可以采用像素电路内置方式，至少另一个第一类型显示区可以采用像素电路外置方式。比如，在三个第一类型显示区中，第一个第一类型显示区可以采用像素电路内置和外置方式的结合方案，第二个第一类型显示区可以采用像素电路内置方式，第三个第一类型显示区可以采用像素电路外置方式。又如，在三个以上的第一类型显示区中，至少两个第一类型显示区可以采用像素电路内置和外置方式的结合方案，另一个第一类型显示区可以采用像素电路内置方式，剩余一个第一类型显示区可以采用像素电路外置方式。又如，在三个以上的第一类型显示区中，至少两个第一类型显示区可以采用像素电路内置方式(或者像素电路外置方式)，另一个第一类型显示区可以采用像素电路内置和外置方式的结合方案，剩余的第一类型显示区可以采用像素电路外置方式(或像素电路内置方式)。如此一来，可以实现光透过率不同的多个第一类型显示区，以满足不同功能需求。

本实施例提供的显示基板，通过在同一个第一类型显示区内结合使用外置方式和内置方式来设置像素电路，或者，通过在多个第一类型显示区分别采用像素电路外置方式和像素电路内置方式，可以实现多个具有较高光透过率的第一类型显示区，以满足不同功能需求(例如兼容屏下传感和摄像功能)，提升用户体验。而且，采用像素电路外置方式和内置方式的结合，有利于提升第一类型显示区的尺寸。

在一些示例性实施方式中，至少一个第一类型显示区可以包括：多个第一发光元件、多个第二发光元件以及多个第一像素电路。在至少一个第一类型显示区内，沿第一方向的相邻第一像素电路通过至少一条第一电路引线电连接，沿第二方向的相邻第一像素电路可以通过至少一条第二电路引线电连接。第一方向与第二方向交叉，例如第一方向可以垂直于第二方向。至少一个第二发光元件可以通过至少一条导电连接线与位于第二类型显示区的至少一个第二像素电路电连接。至少一条导电连接线可以位于至少一条第一电路引线和至少一条第二电路引线远离衬底的一侧。本示例通过设置第一电路引线和第二电路引线可以保证第一像素电路之间的信号传输。

在一些示例性实施方式中，在垂直于显示基板的方向上，显示基板至少可以包括：衬底、设置在所述衬底上的电路结构层和发光结构层。电路结构层至少包括：多个第一像素电路和多个第二像素电路；发光结构层至少包括：多个第一发光元件和多个第二发光元件。电路结构层至少可以包括：设置在衬底上的半导体层、第一栅金属层、第二栅金属层、第一源漏金属层、第一透明导电层、第二源漏金属层、以及至少一个第二透明导电层。其中，至少一条第一电路引线和至少一条第二电路引线可以位于第一透明导电层；至少一条导电连接线可以位于至少一个第二透明导电层。本示例通过将第一电路引线和第二电路引线设置在第一透明导电层，可以避免第一电路引线和第二电路引线影响第一类型显示区的光透过率。

在一些示例中，第一透明导电层可以位于第一源漏金属层靠近衬底的一侧，比如，第一透明导电层和第一源漏金属层之间可以不设置绝缘层。或者，第一透明导电层可以位于第一源漏金属层远离衬底的一侧，且第一透明导电层和第一源漏金属层之间可以设置至少一个绝缘层。例如，第一透明导电层和第一源漏金属层之间可以设置一个绝缘层。本示例的第一透明导电层和第一源漏金属层的膜层设置方式可以保证膜层的平坦性，并避免增加膜层或开孔工艺，可以降低成本。

在一些示例性实施方式中，多个第一类型显示区可以包括：至少一个第一显示区和至少一个第二显示区。第一显示区的光透过率可以大于第二显示区的光透过率。通过设置光透过率不同的第一类型显示区，可以满足不同功能需求。

在一些示例性实施方式中，显示基板还可以包括：位于多个第一发光元件和多个第二发光元件远离衬底一侧的遮光层；遮光层的红外光透过率可以大于或等于可见光透过率。本示例通过设置遮光层，实现每个显示区的红外光透过率和可见光透过率的差异。

在一些示例性实施方式中，显示基板还可以包括：位于多个第一发光元件和多个第二发光元件远离衬底一侧的多个滤光单元，遮光层可以具有多个遮光开口，多个滤光单元中的至少一个滤光单元可以位于对应的遮光开口中。其中，第二显示区的遮光层可以连续设置，第一显示区的遮光层可以部分连续或者不连续设置。例如，第一显示区的遮光层可以包括独立设置的多个遮光块，多个遮光块中的至少一个遮光块可以位于至少一个滤光单元的周围。本示例通过设置第一显示区和第二显示区内的遮光层的结构差异，以支持第一显示区和第二显示区的光透过率差异。

下面通过一些示例对本实施例的方案进行举例说明。图1A为本公开至少一实施例的显示基板的示意图。图1B为本公开至少一实施例的显示基板的另一示意图。在一些示例中，如图1A和图1B所示，显示基板可以包括：显示区域AA和围绕在显示区域AA外围的周边区域(图未示)。显示区域AA可以包括：多个第一类型显示区(例如，三个第一类型显示区)、第二类型显示区A2以及第三类型显示区A3。多个第一类型显示区可以位于显示区域AA的顶部正中间位置，第二类型显示区A2可以位于三个第一类型显示区的至少一侧，例如，围绕在三个第一类型显示区的四周。第三类型显示区A3可以位于第二类型显示区A2的至少一侧，例如可以围绕在第二类型显示区A2的四周。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，多个第一类型显示区可以位于显示区域的左上角或右上角等其他位置。

在一些示例中，如图1A和图1B所示，三个第一类型显示区可以包括：一个第一显示区A11、以及两个第二显示区A12和A13。三个第一类型显示区可以沿第二方向Y依次设置。第一显示区A11可以在第二方向Y上位于两个第二显示区A12和A13的中间。例如，第二显示区A12可以位于第一显示区A11沿第二方向Y的一侧，第二显示区A13可以位于第一显示区A11沿第二方向Y的反方向的一侧。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，第一显示区A11、两个第二显示区A12和A13可以沿第二方向Y或沿第二方向Y的反方向依次排布。在另一些示例中，多个第一类型显示区可以包括：沿第一方向X排布的一个第一显示区和一个第二显示区，或者，可以包括沿第二方向Y排布的一个第一显示区和一个第二显示区。

在一些示例中，如图1A和图1B所示，第一显示区A11和两个第二显示区A12和A13可以沿着排布方向(例如第二方向Y)依次连接，第一显示区A1可以连接在两个第二显示区A12和A13之间。第二类型显示区A2可以位于三个第一类型显示区以外的区域。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，沿着排布方向(例如第二方向Y)相邻的两个第一类型显示区可以没有连接，第一显示区与两个第二显示区之间可以由第二类型显示区间隔。

在一些示例中，如图1A和图1B所示，显示区域AA可以大致为矩形。如图1A所示，三个第一类型显示区的形状可以大致相同，例如第一显示区A11、两个第二显示区A12和A13可以均为圆形或椭圆形。在另一些示例中，如图1B所示，多个第一类型显示区的形状可以部分相同。三个第一类型显示区的总形状可以大致为圆角矩形或椭圆形，第一显示区A11的形状可以大致为圆形，且第一显示区A11的中心可以与三个第一类型显示区的总形状的中心位置可以相同。然而，本实施例对此并不限定。例如，第一显示区可以为矩形，第二显示区可以为圆形或椭圆形。在另一些示例中，两个第二显示区的形状可以不同，例如，一个第二显示区的形状为矩形，另一个第二显示区的形状可以为椭圆形或圆形。

在一些示例中，多个第一类型显示区的光透过率可以大于或等于第三类型显示区A3的光透过率，第三类型显示区A3的光透过率可以大于或等于第二类型显示区A2的光透过率。例如，第三类型显示区A3的光透过率可以小于多个第一类型显示区的光透过率，大于第二类型显示区A2的光透过率。或者，第三类型显示区A3的光透过率可以小于第二类型显示区A2的光透过率，且第二类型显示区A2的光透过率可以小于多个第一类型显示区的光透过率。

在一些示例中，第一类型显示区还可以称为透光显示区，第二类型显示区A2还可以称为过渡显示区，第三类型显示区A3还可以称为正常显示区。第二类型显示区A2和第三类型显示区A3可以配置为进行图像显示。多个第一类型显示区可以配置为进行图像显示，并支持屏下设置器件的功能。

在一些示例中，第一显示区A11的光透过率可以大于或等于第二显示区A12和A13的光透过率。例如，第一显示区A11的光透过率可以大于第二显示区A12和A13的光透过率，第二显示区A12和A13的光透过率可以大致相同，或者，第二显示区A12的光透过率可以大于第二显示区A13的光透过率，或者，第二显示区A12的光透过率可以小于第二显示区A13的光透过率。

在一些示例中，每个区域的光透过率可以包括可见光透过率和红外光透过率。例如，每个区域的红外光透过率可以大于或等于可见光透过率。本实施例中，可见光指电磁波谱中人眼可以感知的部分，例如波长在380至780纳米(nm)之间。红外光指介于可见光和微波之间，波长范围为780至3000纳米的红外波段的电磁波。

在一些示例中，多个第一类型显示区所对应的功能可以不同或者部分相同。例如，第一显示区A11可以配置为支持可见光透过，使得屏下设置的摄像头可以接收可见光，实现拍照或摄像功能；摄像头在显示基板的正投影可以与第一显示区A11至少部分交叠。两个第二显示区A12和A13对应的功能可以相同，比如，第二显示区可以配置为支持红外光透过，使得屏下设置的红外传感器可以传输红外光，以便利用红外光实现人脸识别等功能。例如，红外传感器在显示基板的正投影可以与第二显示区A12和A13至少部分交叠。本实施例对此并不限定。在另一些示例中，两个第二显示区对应的功能可以不同，例如，一个第二显示区可以配置为支持距离感测，另一个第二显示区可以配置为支持环境光感测。

在一些示例中，第一类型显示区和第二类型显示区A2的分辨率的比值可以约为0.8至1.2。例如，第一类型显示区的分辨率与第二类型显示区A2的分辨率可以大致相同。第三类型显示区A3的分辨率与第二类型显示区A2的分辨率可以大致相同。本实施例对此并不限定。

图2为本公开至少一实施例的显示基板的显示区域的平面结构示意图。在一些示例中，如图2所示，显示区域可以包括多个像素单元P，至少一个像素单元P可以包括：出射第一颜色光的子像素P1、出射第二颜色光的子像素P2、以及出射第三颜色光的子像素P3和P4。在一些示例中，子像素P1可以为出射红色光线的红色子像素(R)，子像素P2可以为出射蓝色光线的蓝色子像素(B)，子像素P3和P4可以为出射绿光的绿色子像素(G)。

在一些示例中，每个子像素可以均包括像素电路和发光元件。像素电路可以与扫描线、数据线和发光控制线连接，像素电路可以被配置为在扫描线和发光控制线的控制下，接收数据线传输的数据电压，向发光元件输出相应的电流。至少一个子像素中的发光元件分别与所在子像素的像素电路连接，发光元件被配置为响应所在子像素的像素电路输出的电流发出相应亮度的光。

在一些示例中，像素电路可以包括多个晶体管和至少一个电容。例如，像素电路可以是3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C、7T1C或8T1C结构。其中，上述电路结构中的T指的是薄膜晶体管，C指的是电容，T前面的数字代表电路中薄膜晶体管的数量，C前面的数字代表电路中电容的数量。

在一些示例中，像素电路中的多个晶体管可以是P型晶体管，或者可以是N型晶体管。像素电路中采用相同类型的晶体管可以简化工艺流程，减少显示基板的工艺难度，提高产品的良率。在另一些示例中，像素电路中的多个晶体管可以包括P型晶体管和N型晶体管。

在一些示例中，像素电路中的多个晶体管可以采用低温多晶硅薄膜晶体管，或者可以采用氧化物薄膜晶体管，或者可以采用低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管。低温多晶硅薄膜晶体管的有源层采用低温多晶硅(LTPS，Low Temperature Poly-Silicon)，氧化物薄膜晶体管的有源层采用氧化物半导体(Oxide)。低温多晶硅薄膜晶体管具有迁移率高、充电快等优点，氧化物薄膜晶体管具有漏电流低等优点，将低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管集成在一个显示基板上，即LTPS+Oxide(简称LTPO)显示基板，可以利用两者的优势，可以实现低频驱动，可以降低功耗，可以提高显示品质。

在一些示例中，发光元件可以是发光二极管(LED，Light Emitting Diode)、有机发光二极管(OLED，Organic Light Emitting Diode)、量子点发光二极管(QLED，QuantumDot Light Emitting Diodes)、微LED(包括：mini-LED或micro-LED)等中的任一者。例如，发光元件可以为OLED，发光元件在其对应的像素电路的驱动下可以发出红光、绿光、蓝光、或者白光等。发光元件发光的颜色可根据需要而定。在一些示例中，发光元件可以包括：阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的有机发光层。发光元件的阳极可以与对应的像素电路电连接。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例中，发光元件的形状可以是矩形、菱形、五边形或六边形或其他不规则形状。一个像素单元的四个子像素的发光元件可以采用水平并列、竖直并列或正方形方式排列。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，一个像素单元可以包括三个子像素，三个子像素的发光元件可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列。

图3为本公开至少一实施例的显示基板的局部示意图。在一些示例中，如图3所示，显示基板的每个第一类型显示区(例如第一显示区A11、或者第二显示区A12或A13)可以至少包括：多个第一发光元件21、多个第二发光元件22以及多个第一像素电路11。至少一个第一发光元件21可以与至少一个第二发光元件22相邻。第二类型显示区A2可以至少包括：多个第二像素电路12、多个第三像素电路13以及多个第三发光元件23。第三类型显示区A3可以至少包括：多个第四像素电路14和多个第四发光元件24。

在一些示例中，第一显示区A11、第二显示区A12和A13的光透过率可以大致相同，第一显示区A11的光透过率可以大于第三类型显示区A3的光透过率，第三类型显示区A3的光透过率可以大于第二类型显示区A2的光透过率。

在一些示例中，如图3所示，在每个第一类型显示区内，多个第一像素电路11与多个第一发光元件21电连接，第一像素电路11可以配置为驱动所连接的第一发光元件21发光。例如，多个第一像素电路11与多个第一发光元件21可以一一对应电连接，即，一个第一像素电路11可以配置为驱动一个第一发光元件21发光。然而，本实施例对此并不限定。例如，一个第一像素电路可以配置为驱动多个第一发光元件发光，或者，多个第一像素电路可以配置为驱动一个第一发光元件发光。

在一些示例中，如图3所示，每个第一类型显示区内的第一发光元件21在衬底的正投影与所连接的第一像素电路11在衬底的正投影可以至少部分交叠。然而，本实施例对此并不限定。例如，一个第一发光元件在衬底的正投影可以与自身所连接的第一像素电路在衬底的正投影无交叠，且与另一个第一发光元件所连接的第一像素电路在衬底的正投影至少部分交叠。

在一些示例中，如图3所示，多个第二像素电路12与多个第二发光元件22电连接，第二像素电路12可以配置为驱动所连接的第二发光元件22发光。例如，多个第二像素电路12可以通过多条导电连接线16与多个第二发光元件22一一对应电连接，即，一个第二像素电路12通过至少一条导电连接线16与一个第二发光元件22电连接，配置为驱动所连接的第二发光元件22发光。第二发光元件22在衬底的正投影与第二像素电路12在衬底的正投影无交叠。然而，本实施例对此并不限定。例如，一个第二像素电路可以配置为驱动多个第二发光元件发光，或者，多个第二像素电路可以配置为驱动一个第二发光元件发光。

在一些示例中，如图3所示，多个第三像素电路13与多个第三发光元件23电连接。第三像素电路13可以配置为驱动所连接的第三发光元件23发光。例如，多个第三像素电路13与多个第三发光元件23可以一一对应电连接，即，一个第三像素电路13可以配置为驱动一个第三发光元件23发光。第三发光元件23在衬底的正投影与所连接的第三像素电路13在衬底的正投影可以至少部分交叠。然而，本实施例对此并不限定。例如，一个第三像素电路可以配置为驱动多个第三发光元件发光，或者，多个第三像素电路可以配置为驱动一个第三发光元件发光。

在一些示例中，如图3所示，多个第四像素电路14与多个第四发光元件24电连接。第四像素电路14可以配置为驱动所连接的第四发光元件24发光。例如，多个第四像素电路14与多个第四发光元件24可以一一对应电连接，即，一个第四像素电路14可以配置为驱动一个第四发光元件24发光。第四发光元件24在衬底的正投影与所连接的第四像素电路14在衬底的正投影可以至少部分交叠。然而，本实施例对此并不限定。例如，一个第四像素电路可以配置为驱动多个第四发光元件发光，或者，多个第四像素电路可以配置为驱动一个第四发光元件发光。

在一些示例中，第二类型显示区A2还可以设置有多个无效像素电路，以保持第二类型显示区A2内的多个膜层的部件在刻蚀工艺中的均一性。无效像素电路与所在行或所在列的第二像素电路的结构可以大致相同，只是其不与任何发光元件电连接。第三类型显示区A3可以设置多个第四像素电路，不设置无效像素电路。通过将外置的第二像素电路集中设置在第二类型显示区，可以保证第三类型显示区的光透过率和分辨率，保证第三类型显示区的显示效果。然而，本实施例对此并不限定。

本示例的显示基板，通过在每个第一类型显示区结合采用像素电路外置方式和像素电路内置方式，可以保证第一类型显示区的光透过率，而且，有利于提升第一类型显示区的尺寸，以满足多种功能需求。

图4为本公开至少一实施例的显示基板的第一类型显示区的结构示意图。在一些示例中，如图4所示，第一类型显示区的多个第一发光元件可以包括：多个出射第一颜色光的第一发光元件21a和多个出射第二颜色光的第一发光元件21b。例如，第一颜色光可以为红光(R)，第二颜色光可以为蓝光(B)。出射第一颜色光的第一发光元件为红色发光元件，出射第二颜色光的第一发光元件为蓝色发光元件。第一类型显示区的多个第二发光元件22可以配置为出射第三颜色光。例如，第三颜色光为绿光(G)，出射第三颜色光的第二发光元件可以为绿色发光元件。在本示例中，第一类型显示区内的红色发光元件和蓝色发光元件所连接的像素电路可以采用内置方式设置，绿色发光元件所连接的像素电路可以采用外置方式设置。

在一些示例中，第一类型显示区的第一发光元件和第二发光元件的数目之比可以为0.8至1.2，比如可以约为1。通过设置第一发光元件和第二发光元件的数目相同，可以有利于第一类型显示区的显示均一性。

在一些示例中，如图4所示，第一类型显示区内的绿色发光元件(例如第二发光元件22)可以沿第一方向X排布为多行，沿第二方向Y排布为多列。蓝色发光元件(例如第一发光元件21b)和红色发光元件(例如第一发光元件21a)可以沿第一方向X排布为多行，沿第二方向Y排布为多列，且在每行和每列中间隔排布。绿色发光元件和红色发光元件排布在不同行和不同列。其中，第一方向X与第二方向Y交叉，例如，第一方向X可以垂直于第二方向Y。

在一些示例中，如图4所示，第一类型显示区的多个第一像素电路可以包括：与第一发光元件21a电连接的第一像素电路11a、与第一发光元件21b电连接的第一像素电路11b。第一发光元件21a在衬底的正投影与所连接的第一像素电路11a在衬底的正投影至少部分交叠，第一发光元件21b在衬底的正投影与所连接的第一像素电路11b在衬底的正投影可以至少部分交叠。第二发光元件在衬底的正投影与第一像素电路11a和11b在衬底的正投影可以无交叠。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，蓝色发光元件和红色发光元件所连接的像素电路可以设置在第二类型显示区，绿色发光元件所连接的像素电路可以设置在第一类型显示区，且绿色发光元件在衬底的正投影与所连接的像素电路在衬底的正投影无交叠，蓝色发光元件或红色发光元件在衬底的正投影与绿色发光元件所连接的像素电路在衬底的正投影至少部分交叠。

在一些示例中，如图4所示，多个第一像素电路11a和11b可以在第一类型显示区排布为多行和多列。在第一方向X上相邻第一像素电路(例如第一像素电路11a和11b)可以通过至少一条第一电路引线17电连接。在第二方向Y上相邻第一像素电路(例如第一像素电路11a和11b)可以通过至少一条第二电路引线18电连接。例如，第一电路引线17可以包括：扫描线、发光控制线、复位控制线、初始信号线；第二电路引线18可以包括：数据线、第一电源线(例如提供高电平信号)。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例中，如图4所示，像素电路外置的第二发光元件22在衬底的正投影与第一电路引线17和第二电路引线18在衬底的正投影可以无交叠。第二发光元件22可以位于由第一像素电路、第一电路引线17和第二电路引线18围绕形成的区域内。第一电路引线17和第二电路引线18可以为同层结构。第一电路引线17和第二电路引线18可以采用透明导电材料制备，从而提高第一类型显示区的光透过率。

图5为本公开至少一实施例的第二发光元件和第二像素电路的连接示意图。本示例以第一显示区A11的第二发光元件22和第二类型显示区A2内的第二像素电路12的连接关系为例进行示意。在一些示例中，可以在第一显示区A11沿第一方向X的两侧(如左右两侧)的第二类型显示区A2内设置第二像素电路12。在第二类型显示区A2内，多个第二像素电路12可以间隔分布在多个第三像素电路13之间。在第二类型显示区A2内，可以通过减小第三像素电路13在第一方向X上的尺寸来获得设置第二像素电路12的区域。例如，第三像素电路13在第一方向X的尺寸可以小于第三发光元件在第一方向X的尺寸。

在一些示例中，可以将原来的每f列第三像素电路通过沿第一方向X压缩，从而新增一列第二像素电路12的排布空间，且压缩前的f列像素电路和压缩后的f+1列像素电路所占用的空间可以是相同。其中，f可以为大于1的整数。本示例中，f可以为4，通过对四列第三像素电路进行压缩来新增一列第二像素电路的排布空间。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例中，如图5所示，第一显示区A11内靠近第一显示区A11中心的第二发光元件22可以通过导电连接线16与第二类型显示区A2内靠近第一显示区A11的第二像素电路12电连接，靠近第一显示区A11边缘的第二发光元件22可以通过导电连接线16与远离第一显示区A11的第二像素电路12电连接。本实施例对于第二像素电路和第二发光元件之间的连接关系并不限定。导电连接线16可以从第一显示区A11延伸至第二类型显示区A2，实现第二像素电路12与第二发光元件22之间的电连接。

图6为本公开至少一实施例的第三类型显示区的局部剖面示意图。图7A和图7B为本公开至少一实施例的第二显示区的局部剖面示意图。图8A和图8B为本公开至少一实施例的第一显示区的局部剖面示意图。图6示意了第三类型显示区的一个出射第一颜色光的第四发光元件(例如红色发光元件)和该第四发光元件电连接的第四像素电路的局部剖面结构。图7A示意了第二显示区的一个出射第一颜色光(或第二颜色光)的第一发光元件(例如红色发光元件或蓝色发光元件)以及该第一发光元件所连接的第一像素电路的局部剖面结构，图7B示意了第二显示区的一个出射第三颜色光的第二发光元件(例如绿色发光元件)的局部剖面结构。图8A示意了第一显示区的一个出射第一颜色光(或第二颜色光)的第一发光元件(例如红色发光元件或蓝色发光元件)以及该第一发光元件所连接的第一像素电路的局部剖面结构，图8B示意了第一显示区的一个出射第三颜色光的第二发光元件(例如绿色发光元件)的局部剖面结构。

在一些示例中，如图6至图8B所示，在垂直于显示基板的方向上，显示基板可以包括：衬底300、以及依次设置在衬底300上的电路结构层31、发光结构层32、封装结构层33、触控结构层34以及彩色滤光层35。电路结构层31可以至少包括：位于第一显示区和第二显示区的第一像素电路、位于第二类型显示区的第二像素电路和第三像素电路、位于第三类型显示区的第四像素电路。发光结构层32可以包括：位于第一显示区和第二显示区的第一发光元件和第二发光元件、位于第二类型显示区的第三发光元件、以及位于第三类型显示区的第四发光元件。

在一些示例中，如图6至8B所示，在垂直于显示基板的方向上，显示基板的电路结构层31可以包括：依次设置在衬底300上的金属遮挡层、半导体层、第一栅金属层、第二栅金属层、第一源漏金属层、第一透明导电层、第二源漏金属层、以及第二透明导电层。金属遮挡层在衬底的正投影可以被配置为至少部分覆盖像素电路的薄膜晶体管的有源层，以避免外部光线对薄膜晶体管的性能产生影响。

在一些示例中，如图6至图8B所示，金属遮挡层和衬底300之间可以设置第一绝缘层(还可以称为第一缓冲层)301，金属遮挡层和半导体层之间可以设置第二绝缘层(还可以称为第二缓冲层)302，半导体层和第一栅金属层之间可以设置第三绝缘层(还可以称为第一栅绝缘层)303，第一栅金属层和第二栅金属层之间可以设置第四绝缘层(还可以称为第二栅绝缘层)304，第二栅金属层和第一源漏金属层之间可以设置第五绝缘层(还可以称为层间绝缘层)305，第一源漏金属层和第一透明导电层之间可以设置第六绝缘层(还可以称为钝化层)306，第一透明导电层和第二源漏金属层之间可以设置第七绝缘层(还可以称为第一平坦层)307，第二源漏金属层和第二透明导电层之间可以设置第八绝缘层(还可以称为第二平坦层)308，第二透明导电层远离衬底300一侧可以设置第九绝缘层(还可以称为第三平坦层)309。本示例通过设置第一缓冲层和第二缓冲层可以防止衬底300中的有害物质侵入显示基板的内部，还可以增加显示基板中的膜层在衬底上的附着力。本示例将第一透明导电层设置在第一源漏金属层和第二源漏金属层之间，且位于第六绝缘层306和第七绝缘层307之间，可以在不增加绝缘层的基础上实现第一透明导电层的设置，有利于简化制备工艺。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，半导体层靠近衬底一侧可以省略设置金属遮挡层。又如，金属遮挡层靠近衬底一侧可以省略设置第一缓冲层。在一些示例中，第一绝缘层301至第六绝缘层306可以为无机绝缘层，第七绝缘层307至第九绝缘层309可以为有机绝缘层。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例中，如图6至8B所示，发光结构层32可以包括：依次设置在电路结构层31上的阳极层、像素定义层321、有机发光层和阴极层。阳极层可以包括：与电路结构层31的像素电路电连接的发光元件的阳极，有机发光层可以与对应的阳极连接，阴极层可以包括：发光元件的阴极，阴极可以与对应的有机发光层连接，有机发光层可以在对应的阳极和阴极的驱动下出射相应颜色的光线。像素定义层321远离衬底300一侧可以设置隔离柱层322，隔离柱层322可以位于阴极层靠近衬底300的一侧。

在一些示例中，发光元件的有机发光层可以包括发光层(EML，Emitting Layer)，以及包括空穴注入层(HIL，Hole Injection Layer)、空穴传输层(HTL，Hole TransportLayer)、空穴阻挡层(HBL，Hole Block Layer)、电子阻挡层(EBL，Electron Block Layer)、电子注入层(EIL，Electron Injection Layer)、电子传输层(ETL，Electron TransportLayer)中的一个或多个膜层。在阳极和阴极的电压驱动下，可以利用有机材料的发光特性根据需要的灰度发光。

在一些示例中，不同颜色的发光元件的发光层可以不同。例如，红色发光元件包括红色发光层，绿色发光元件包括绿色发光层，蓝色发光元件包括蓝色发光层。为了降低工艺难度和提升良率，位于发光层一侧的空穴注入层和空穴传输层可以采用共通层，位于发光层另一侧的电子注入层和电子传输层可以采用共通层。在一些示例中，空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层中的任意一层或多层可以通过一次工艺(一次蒸镀工艺或一次喷墨打印工艺)制作，并通过形成的膜层表面段差或者通过表面处理等手段实现隔离。例如，相邻子像素对应的空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层中的任意一层或多层可以是隔离的。在一些示例中，有机发光层可以通过采用精细金属掩模版(FMM，FineMetal Mask)或者开放式掩膜版(Open Mask)蒸镀制备形成，或者采用喷墨工艺制备形成。

在一些示例中，封装结构层33可以包括叠设的第一封装层、第二封装层和第三封装层，第一封装层和第三封装层可以采用无机材料，第二封装层可以采用有机材料，第二封装层可以设置在第一封装层和第三封装层之间，形成无机材料/有机材料/无机材料叠层结构，可以保证外界水汽无法进入发光结构层。

在一些示例中，如图6至图8B所示，触控结构层34可以位于封装结构层33远离衬底300的一侧。触控结构层34可以包括：多个第一触控电极341、多个第一连接部、多个第二触控电极342和多个第二连接部343。例如，第一触控电极341和第一连接部可以沿第一方向交替设置且依次连接。多个第二触控电极342可以沿第二方向Y间隔设置，且相邻第二触控电极342可以通过第二连接部343彼此电连接。第二连接部343所在的膜层可以不同于第一触控电极341、第二触控电极342和第一连接部所在的膜层。在一些示例中，第一触控电极可以是驱动(Tx)电极，第二触控电极可以是感应(Rx)电极。或者，第一触控电极可以是感应(Rx)电极，第二触控电极可以是驱动(Tx)电极。本实施例对此并不限定。

在一些示例中，如图6至图8B所示，在垂直于显示基板的方向上，触控结构层34可以包括：依次设置的第一触控导电层、触控绝缘层345、第二触控导电层以及触控保护层346。第一触控导电层可以包括：第二连接部343，第二触控导电层可以包括：第一触控电极341、第二触控电极342以及第一连接部(图未示)。第一触控电极341与第一连接部可以为相互连接的一体结构。相邻的第二触控电极342可以通过触控绝缘层345开设的过孔与第二连接部343电连接。本实施例对此并不限定。在另一些示例中，多个第一触控电极、多个第二触控电极和多个第二连接部可以同层设置在第二触控导电层，第二触控电极和第二连接部可以为相互连接的一体结构，第一连接部可以设置在第一触控导电层，第一连接部可以通过触控层间绝缘层开设的过孔与相邻的第一触控电极相互连接。

在一些示例中，第一触控电极和第二触控电极可以具有菱形状，例如可以是正菱形，或者是横长的菱形，或者是纵长的菱形。在另一些示例中，第一触控电极和第二触控电极可以具有三角形、正方形、梯形、平行四边形、五边形、六边形和其它多边形中的任意一种或多种，本公开实施例在此不做限定。在一些示例中，第一触控电极和第二触控电极可以是透明导电电极形式。本实施例对此并不限定。

在一些示例中，如图6至图8B所示，彩色滤光层35可以位于触控结构层34远离封装结构层33的一侧。彩色滤光层35可以包括：不同颜色的多个滤光单元(例如包括第一滤光单元351a、第二滤光单元351b、第三滤光单元351c、第四滤光单元351d、第五滤光单元351e)、位于不同滤光单元之间的遮光层(例如包括位于第三类型显示区的第一遮光层352a、位于第二显示区的第二遮光层352b以及位于第一显示区的第三遮光层352c)、以及位于遮光层和多个滤光单元远离衬底300一侧的彩膜保护层(COC)353。

在一些示例中，彩色滤光层35的多个滤光单元可以包括：多个红色滤光单元、多个绿色滤光单元和多个蓝色滤光单元。不同颜色的滤光单元可以与发光结构层32的出射不同颜色的发光元件对应。例如，蓝色滤光单元可以与蓝色发光元件对应，蓝色滤光单元在衬底的正投影与蓝色发光元件的发光区域在衬底的正投影可以至少部分交叠，比如，蓝色滤光单元在衬底的正投影可以覆盖蓝色发光元件的发光区域在衬底的正投影。本示例中，滤光单元可以使单一颜色光通过并吸收其他颜色光。例如，蓝色滤光单元可以让蓝光通过并吸收其他颜色光。本示例通过采用彩膜集成于封装层(COE，Color On Encapsulation)技术形成彩色滤光层，相较于偏光片可以明显减薄厚度，可以实现更好的柔性效果；而且，相对于圆偏光片对自然光的消除作用，彩色滤光层的遮光层和滤光单元均具有吸光功能，当外界自然光照射时，自然光会通过滤光单元照射其下的子像素，自然光被子像素反射后与子像素本身生成的光一起从滤光单元出射，可以提高自然光的出光率，从而实现降低功耗的功能。

下面参照图6说明第三类型显示区的膜层结构。其中，以图6所示的第三类型显示区的出射第一颜色光的第四发光元件以及该第四发光元件所连接的第四像素电路的两个晶体管141和142以及存储电容143为例进行说明。在一些示例中，如图6所示，第三类型显示区的金属遮挡层可以包括：第一遮光电极310a。第三类型显示区的半导体层可以至少包括：第四像素电路的晶体管141的有源层和晶体管142的有源层。第一遮光电极310a在衬底的正投影可以覆盖晶体管141的有源层和晶体管142的有源层在衬底的正投影。通过第一遮光电极对第四像素电路的晶体管的有源层进行遮挡，可以避免外部光线对薄膜晶体管的性能产生影响。第三类型显示区的第一栅金属层可以至少包括：第四像素电路的晶体管141和142的栅极、以及存储电容143的第一电极。第二栅金属层可以至少包括：存储电容143的第二电极。第一源漏金属层可以至少包括：第四像素电路的晶体管141和142的第一极和第二极。例如，晶体管141的第二极与晶体管142的第一极可以为相互连接的一体结构。

在一些示例中，如图6所示，第三类型显示区的第一透明导电层可以至少包括：第一阳极连接电极314a。第一阳极连接电极314a可以通过第六绝缘层306开设的过孔与第四像素电路的晶体管142的第二极电连接。第二源漏金属层可以至少包括：第二阳极连接电极315a。第二阳极连接电极315a可以通过第七绝缘层307开设的过孔与第一阳极连接电极314a电连接。第二透明导电层可以至少包括：第三阳极连接电极316a。第三阳极连接电极315a可以通过第八绝缘层308开设的过孔与第二阳极连接电极315a电连接。

在一些示例中，如图6所示，第三类型显示区的发光结构层32的阳极层可以至少包括：出射第一颜色光的第四发光元件的阳极241，有机发光层可以至少包括：第四发光元件的第四有机发光层242，阴极层可以至少包括：第四发光元件的阴极243。阳极241、第四有机发光层242和阴极243依次叠设在像素定义层321形成的像素开口内。本示例的第三类型显示区的多个第四发光元件的阴极可以为相互连接的一体结构。

在一些示例中，如图6所示，第三类型显示区的触控结构层34的第一触控导电层可以至少包括：第二连接部343，第二触控导电层可以至少包括：第一触控电极341以及第二触控电极342。相邻第二触控电极342可以通过触控绝缘层345开设的过孔与第二连接部343电连接。

在一些示例中，如图6所示，第三类型显示区的彩色滤光层35可以至少包括：与出射第一颜色光的第四发光元件对应的第一滤光单元351a、以及第一遮光层352a。例如，第一滤光单元351a可以为红色滤光单元。第一遮光层352a可以包括多个第一遮光开口，第一滤光单元351a可以至少部分位于一个第一遮光开口内。第三类型显示区的第一遮光层352a可以为一体结构，且可以覆盖相邻滤光单元之间的间隙。

在一些示例中，第二类型显示区的第三像素电路和第三发光元件的结构与第三类型显示区的第四像素电路和第四发光元件的结构类似，故于此不再赘述。

下面参照图7A和图7B说明第二显示区的膜层结构。其中，以图7A所示的第二显示区的出射第一颜色光的第一发光元件以及该第一发光元件所连接的第一像素电路的两个晶体管111a和112a以及存储电容113a、以及图7B所示的第二显示区的出射第三颜色光的第二发光元件为例进行说明。在一些示例中，如图7A和图7B所示，第二显示区的金属遮挡层可以包括：第二遮光电极310b。第二显示区的半导体层可以至少包括：第一像素电路的晶体管111a和112a的有源层。第二遮光电极310b在衬底的正投影可以覆盖晶体管的111a和112a的有源层在衬底的正投影。通过第二遮光电极对第二显示区的第一像素电路的晶体管的有源层进行遮挡，可以避免外部光线对薄膜晶体管的性能产生影响。第二显示区的第一栅金属层可以至少包括：第一像素电路的晶体管111a和112a的栅极以及存储电容113a的第一电极。第二栅金属层可以至少包括：存储电容113a的第二电极。第一源漏金属层可以至少包括：第一像素电路的晶体管111a和112a的第一极和第二极、以及第一连接电极311a。例如，晶体管111a的第二极与晶体管112a的第一极可以为相互连接的一体结构。第一连接电极311a可以通过第五绝缘层305、第四绝缘层304、第三绝缘层303以及第二绝缘层302开设的过孔与第二遮光电极310b电连接。

在一些示例中，如图7A和图7B所示，第二显示区的第一透明导电层可以至少包括：第一阳极连接电极314b、第一电路引线17、以及第二连接电极312a。第一阳极连接电极314b可以通过第六绝缘层306开设的过孔与第一像素电路的晶体管112a的第二极电连接。第二连接电极312a可以通过第六绝缘层306开设的过孔与第一连接电极311a电连接。通过第二连接电极312a和第一连接电极311a，可以实现相邻第二遮光电极电连接，以便给第二遮光电极提供低电位信号，避免第二遮光电极浮接。第二源漏金属层可以至少包括：第二阳极连接电极315b。第二阳极连接电极315b可以通过第七绝缘层307开设的过孔与第一阳极连接电极314b电连接。第二透明导电层可以至少包括：第三阳极连接电极316b以及导电连接线16。第三阳极连接电极316b可以通过第八绝缘层308开设的过孔与第二阳极连接电极315b电连接。第三阳极连接电极316b可以实现第二显示区的第一发光元件与第一像素电路的电连接。导电连接线16可以实现第二显示区的第二发光元件和第二类型显示区的第二像素电路的电连接。

在一些示例中，如图7A和图7B所示，第二显示区的发光结构层32的阳极层可以至少包括：出射第一颜色光的第一发光元件的阳极211a、出射第三颜色光的第二发光元件的阳极221a；有机发光层可以至少包括：第一发光元件的第一有机发光层212a、第二发光元件的第二有机发光层222a；阴极层可以至少包括：第一发光元件的阴极213a、第二发光元件的阴极223a。第一发光元件的阴极213a和第二发光元件的阴极223a可以为相互连接的一体结构。第一发光元件的阳极211a可以通过第九绝缘层309开设的过孔与第三阳极连接电极316b电连接。第二发光元件的阳极221a可以通过第九绝缘层309开设的过孔与导电连接线16电连接，以实现与位于第二类型显示区的第二像素电路电连接。出射第三颜色光的第二发光元件在衬底的正投影与电路结构层中的金属膜层可以没有交叠。

在一些示例中，如图7A和图7B所示，第二显示区的触控结构层34可以至少包括：第一触控电极341和第一连接部。第二显示区的触控结构层可以仅包括一个触控导电层，通过在第二显示区仅设置一个触控导电层，可以减少触控导电层对第二显示区的光透过率的影响。

在一些示例中，如图7A和图7B所示，第二显示区的彩色滤光层35可以至少包括：与出射第一颜色光的第一发光元件对应的第二滤光单元351b、与出射第三颜色光的第二发光元件对应的第三滤光单元351c、第二遮光层352b。例如，第二滤光单元351b可以为红色滤光单元，第三滤光单元351c可以为绿色滤光单元。第二遮光层352b可以包括多个第二遮光开口，第二滤光单元351b可以至少部分位于对应的一个第二遮光开口内，第三滤光单元351c可以至少部分位于对应的一个第二遮光开口内。第二显示区的第二遮光层352b和第三类型显示区的第一遮光层352a可以为相互连接的一体结构，且可以覆盖相邻滤光单元之间的间隙。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，第二显示区的第二遮光层和第三类型显示区的第一遮光层可以相互独立设置，例如，第一遮光层可以为黑矩阵，第二遮光层可以采用实现红外光选择性透过的遮光材料，例如，遮光材料的可见光透过率可以小于或等于红外光透过率。比如，遮光材料可以为可见光透过率小于或等于10％且红外光透过率大于或等于10％的有机材料。

下面参照图8A和图8B说明第一显示区的膜层结构。其中，以图8A所示的第一显示区的出射第一颜色光的第一发光元件以及该第一发光元件所连接的第一像素电路的两个晶体管111b和112b以及存储电容113b、以及图8B所示的第一显示区的出射第三颜色光的第二发光元件为例进行说明。在一些示例中，如图8A和图8B所示，第一显示区的金属遮挡层可以包括：第三遮光电极310c。第一显示区的半导体层可以至少包括：第一像素电路的晶体管111b和112b的有源层。第三遮光电极310c在衬底的正投影可以覆盖晶体管的111b和112b的有源层在衬底的正投影。通过第三遮光电极对第一显示区的第一像素电路的晶体管的有源层进行遮挡，可以避免外部光线对薄膜晶体管的性能产生影响。第一显示区的第一栅金属层可以至少包括：第一像素电路的晶体管111b和112b的栅极以及存储电容113b的第一电极。第二栅金属层可以至少包括：存储电容113b的第二电极。第一源漏金属层可以至少包括：第一像素电路的晶体管111b和112b的第一极和第二极、以及第一连接电极311b。例如，晶体管111b的第二极与晶体管112b的第一极可以为相互连接的一体结构。第一连接电极311b可以通过第五绝缘层305、第四绝缘层304、第三绝缘层303以及第二绝缘层302开设的过孔与第三遮光电极310c电连接。

在一些示例中，如图8A和图8B所示，第一显示区的第一透明导电层可以至少包括：第一阳极连接电极314c、第一电路引线17、以及第二连接电极312b。第一阳极连接电极314c可以通过第六绝缘层306开设的过孔与第一像素电路的晶体管112b的第二极电连接。第二连接电极312b可以通过第六绝缘层306开设的过孔与第一连接电极311b电连接。通过第二连接电极312b和第一连接电极311b，可以实现第一显示区内的相邻第三遮光电极电连接，以便给第二遮光电极提供低电位信号，避免第二遮光电极浮接。第二源漏金属层可以至少包括：第二阳极连接电极315c。第二阳极连接电极315c可以通过第七绝缘层307开设的过孔与第一阳极连接电极314c电连接。第二透明导电层可以至少包括：第三阳极连接电极316c以及导电连接线16。第三阳极连接电极316c可以通过第八绝缘层308开设的过孔与第二阳极连接电极315c电连接。第三阳极连接电极316c可以实现第一显示区的第一发光元件与第一像素电路的电连接。导电连接线16可以实现第一显示区的第二发光元件和第二类型显示区的第二像素电路的电连接。

在一些示例中，如图8A和图8B所示，第一显示区的发光结构层32的阳极层可以至少包括：出射第一颜色光的第一发光元件的阳极211b、出射第三颜色光的第二发光元件的阳极221b；有机发光层可以至少包括：第一发光元件的第一有机发光层212b、第二发光元件的第二有机发光层222b；阴极层可以至少包括：第一发光元件的阴极213b、第二发光元件的阴极223b。第一发光元件的阴极213b和第二发光元件的阴极223b可以为相互连接的一体结构。第一发光元件的阳极211b可以通过第九绝缘层309开设的过孔与第三阳极连接电极316c电连接。第二发光元件的阳极221b可以通过第九绝缘层309开设的过孔与一条导电连接线16电连接，以实现与位于第二类型显示区的第二像素电路电连接。出射第三颜色光的第二发光元件在衬底的正投影与电路结构层中的金属膜层可以没有交叠。

在一些示例中，如图8A和图8B所示，第一显示区的触控结构层34可以至少包括：触控缓冲层345和触控保护层346。第一显示区的触控结构层可以不设置触控导电层，可以减少触控导电层对第一显示区的光透过率的影响，从而提升第一显示区的光透过率。

在一些示例中，如图8A和图8B所示，第一显示区的彩色滤光层35可以至少包括：与出射第一颜色光的第一发光元件对应的第四滤光单元351d、与出射第三颜色光的第二发光元件对应的第五滤光单元251e、第三遮光层352c。例如，第四滤光单元351d可以为红色滤光单元，第五滤光单元251e可以为绿色滤光单元。第三遮光层352c可以包括多个第三遮光开口，第四滤光单元351d可以至少部分位于对应的第三遮光开口内。第五滤光单元251e的周围可以不设置第三遮光层352c。例如，第三遮光层352c可以包括独立设置的多个遮光块，至少一个遮光块可以位于至少一个滤光单元的周围。例如，可以在第四滤光单元的周围设置遮光块，在第五滤光单元的周围不设置遮光块。

在一些示例中，第三遮光层352c与第二显示区的第二遮光层352b可以为相互连接的一体结构。在另一些示例中，第三遮光层352c与第二显示区的第二遮光层352b可以独立设置。例如，第三遮光层352c可以采用实现红外光选择性透过的遮光材料，例如，遮光材料可以为可见光透过率小于或等于10％且红外光透过率大于或等于10％的有机材料。例如，第二遮光层352b和第三遮光层352c的材料可以不同，且第二遮光层352b的红外光透过率可以大于第三遮光层352c的红外光透过率。

下面参照图6至图8B通过显示基板的制备过程的示例说明显示基板的结构。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。

本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，或者A和B靠近衬底一侧的表面与衬底的距离基本相同，或者A和B靠近衬底一侧的表面与同一个膜层直接接触。膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“B的正投影位于A的正投影的范围之内”或者“A的正投影包含B的正投影”是指，B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。本公开所说的“A的形状”是指A在衬底的正投影的形状。

在一些示例中，显示基板的制备过程可以包括如下操作。

(1)、提出衬底。在一些示例中，衬底300可以为刚性基底或者柔性基底。例如，刚性基底可以为但不限于玻璃、石英中的一种或多种；柔性基底可以为但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯、对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚乙烯、纺织纤维中的一种或多种。在一些示例中，柔性基底可以包括叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、第二柔性材料层和第二无机材料层，第一柔性材料层和第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一无机材料层和第二无机材料层的材料可以采用硅氮化物(SiNx，x>0)或硅氧化物(SiOy，y>0)等，用于提高衬底的抗水氧能力。

(2)、形成金属遮挡层。在一些示例中，在衬底上依次沉积第一绝缘薄膜和金属遮挡薄膜，通过图案化工艺对金属遮挡薄膜进行图案化，形成第一绝缘层和设置在第一绝缘层上的金属遮挡层。通过设置金属遮挡层对像素电路的晶体管的有源层进行遮挡，可以避免外部光线对薄膜晶体管的性能产生影响。

(3)、形成半导体层。在一些示例中，在衬底上沉积第二绝缘薄膜和半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，形成第二绝缘层和设置在第二绝缘层上的半导体层。在一些示例中，半导体层的材料可以采用非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩或聚噻吩等材料。

(4)、形成第一栅金属层。在一些示例中，在形成前述结构的衬底上，依次沉积第三绝缘薄膜和第一导电薄膜，通过图案化工艺对第一导电薄膜进行图案化，形成第三绝缘层以及设置在第三绝缘层上的第一栅金属层。

(5)、形成第二栅金属层。在一些示例中，在形成前述结构的衬底上，依次沉积第四绝缘薄膜和第二导电薄膜，通过图案化工艺对第二导电薄膜进行图案化，形成第四绝缘层以及设置在第四绝缘层上的第二栅金属层。

(6)、形成第一源漏金属层。在一些示例中，在形成前述图案的衬底上沉积第五绝缘薄膜，通过图案化工艺对第四绝缘薄膜进行图案化，形成第五绝缘层。第五绝缘层可以开设有多个过孔。随后，沉积第三导电薄膜，通过图案化工艺对第三导电薄膜进行图案化，在第五绝缘层上形成第一源漏金属层。

(7)、形成第一透明导电层。在一些示例中，在形成前述图案的衬底上沉积第六绝缘薄膜，通过图案化工艺对第六绝缘薄膜进行图案化，形成第六绝缘层。随后，沉积第一透明导电薄膜，通过图案化工艺对第一透明导电薄膜进行图案化，在第六绝缘层上形成第一透明导电层。

(8)、形成第二源漏金属层。在一些示例中，在形成前述图案的衬底上涂覆第七绝缘薄膜，通过图案化工艺对第七绝缘薄膜进行图案化，形成第七绝缘层。随后，沉积第四导电薄膜，通过图案化工艺对第四导电薄膜进行图案化，在第七绝缘层上形成第二源漏金属层。

(9)、形成第二透明导电层。在一些示例中，在形成前述图案的衬底上涂覆第八绝缘薄膜，通过图案化工艺对第八绝缘薄膜进行图案化，形成第八绝缘层。随后，沉积第二透明导电薄膜，通过图案化工艺对第二透明导电薄膜进行图案化，形成第二透明导电层。随后涂覆第九绝缘薄膜，通过图案化工艺对第九绝缘薄膜进行图案化，形成第九绝缘层。第九绝缘层可以开设有多个过孔，多个过孔可以暴露出第二透明导电层的部分表面。

在本示例中，以一个第二透明导电层为例进行说明。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，可以设置多个第二透明导电层，相邻第二透明导电层之间可以设置平坦层。通过设置多个第二透明导电层可以增加透明导电线的数目，以有利于增加第一显示区和第二显示区的尺寸。

至此，制备形成电路结构层。在一些示例中，金属遮挡层、第一栅金属层、第二栅金属层、第一源漏金属层、以及第二源漏金属层可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Mo/Cu/Mo、Ti/Al/Ti等。第一透明导电层和第二透明导电层可以采用透明导电材料，例如ITO。第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、第五绝缘层和第六绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx，x>0)、硅氮化物(SiNy，y>0)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第七绝缘层、第八绝缘层和第九绝缘层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等有机材料。然而，本实施例对此并不限定。

(10)、形成发光结构层。在一些示例中，在形成前述图案的衬底上沉积阳极薄膜，通过图案化工艺对阳极薄膜进行图案化，形成阳极层。在一些示例中，在形成前述图案的衬底上，涂覆像素定义薄膜，通过掩膜、曝光和显影工艺形成像素定义层。像素定义层可以形成有暴露出阳极层的多个像素开口。在前述形成的像素开口内形成有机发光层，有机发光层与阳极层连接。随后，沉积阴极薄膜，通过图案化工艺对阴极薄膜进行图案化，形成阴极图案，阴极与有机发光层连接。

在一些示例中，像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等有机材料。阳极层可以采用金属等反射材料，阴极可以采用透明导电材料或金属材料。

(11)、形成封装结构层。在一些示例中，封装结构层可以包括无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构。

(12)、制备触控结构层。在一些示例中，在形成前述结构的衬底300上，沉积第一触控导电薄膜，通过图案化工艺对第一触控导电薄膜进行图案化，形成第一触控导电层。随后，沉积触控绝缘薄膜，通过图案化工艺对触控绝缘薄膜进行图案化，形成触控绝缘层。随后，沉积第二触控导电薄膜，通过图案化工艺对第二触控导电薄膜进行图案化，形成第二触控导电层。随后，涂覆触控保护薄膜，形成触控保护层。在一些示例中，触控绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx，x>0)、硅氮化物(SiNy，y>0)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层。触控保护层例如可以采用聚酰亚胺、丙烯酸树酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯等有机材料。

(13)、制备彩色滤光层。在一些示例中，在形成前述结构的衬底300上，涂覆遮光薄膜，通过图案化工艺对遮光薄膜进行图案化，形成遮光层。例如，遮光层可以至少包括：位于第三类型显示区的第一遮光层、位于第二显示区的第二遮光层以及位于第一显示区的第三遮光层。在一些示例中，遮光层可以为有机绝缘层，例如可以采用聚酰亚胺、丙烯酸树酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯等有机材料。例如，遮光层的可见光透过率小于或等于10％且红外光透过率大于或等于10％。

在一些示例中，第一遮光层、第二遮光层和第三遮光层可以采用相同材料，且可以采用同一次图案化工艺制备形成。在另一些示例中，第一遮光层、第二遮光层和第三遮光层可以采用红外光透过率不同的材料，比如可以依次形成第一遮光层、第二遮光层和第三遮光层，或者在不同显示区涂覆不同的遮光材料后，通过同一次图案化工艺形成第一遮光层、第二遮光层和第三遮光层。本实施例对此并不限定。

随后，在显示区域依次形成不同颜色的多个滤光单元。例如，多个滤光单元可以包括：多个红色滤光单元、多个蓝色滤光单元以及多个绿色滤光单元。以形成红色滤光单元为例，可以先在已形成遮光层的结构上，涂覆红色树脂，经过烘烤固化后，通过掩模曝光、显影，形成红色滤光单元。关于绿色滤光单元和蓝色滤光单元的形成过程类似，故于此不再赘述。

随后，涂覆保护薄膜，通过图案化工艺对保护薄膜进行图案化，形成彩膜保护层。在一些示例中，彩膜保护层可以为有机绝缘层，例如可以采用聚酰亚胺(PI)等有机材料。

本实施例的显示基板的结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。在一些示例中，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。本示例性实施例的制备工艺可以利用目前成熟的制备设备即可实现，可以很好地与现有制备工艺兼容，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。

本示例提供的显示基板，对第一显示区和第二显示区的第一发光元件所连接的第一像素电路进行内置，对第二发光元件所连接的第二像素电路进行外置，可以对像素电路外置的发光元件和像素电路内置的发光元件进行合理布局，以实现第一显示区和第二显示区的光透光率和尺寸的最优组合，从而提升显示基板的性能和用户体验。而且，通过设置光透过率相同或不同的第一显示区和第二显示区，可以满足不同的功能需求。

图9为本公开至少一实施例的第三类型显示区的局部剖面的另一示例图。图10为本公开至少一实施例的第二显示区的局部剖面的另一示例图。图11为本公开至少一实施例的第一显示区的局部剖面的另一示例图。图9示意了第三类型显示区的一个出射第一颜色光的第四发光元件(例如红色发光元件)和该第四发光元件电连接的第四像素电路的局部剖面结构。图10示意了第二显示区的一个出射第一颜色光(或第二颜色光)的第一发光元件(例如红色发光元件或蓝色发光元件)以及该第一发光元件所连接的第一像素电路的局部剖面结构。图11示意了第一显示区的一个出射第一颜色光(或第二颜色光)的第一发光元件(例如红色发光元件或蓝色发光元件)以及该第一发光元件所连接的第一像素电路的局部剖面结构。

在一些示例中，如图9至图11所示，在垂直于显示基板的方向上，显示基板的电路结构层31可以包括：依次设置在衬底300上的金属遮挡层、半导体层、第一栅金属层、第二栅金属层、第一透明导电层、第一源漏金属层、第二源漏金属层、以及第二透明导电层。本示例中，第一透明导电层可以位于第一源漏金属层靠近衬底300的一侧。在显示基板的制备过程中，在制备完成第五绝缘层之后，可以先制备第一透明导电层，随后制备第一源漏金属层，再依次制备第六绝缘层和第七绝缘层。本示例的膜层设置顺序，有利于保证膜层的平坦性，而且第一源漏金属层通过与第一透明导电层直接接触来实现电连接，无需增加绝缘层的数目，且有利于减少开孔工艺，可以简化制备，降低成本。关于本示例的显示基板的其余结构可以参照前述实施例的描述，故于此不再赘述。

图12为本公开至少一实施例的第一显示区的局部剖面的另一示例图。图12示意了第一显示区的一个第二发光元件的局部剖面结构。在一些示例中，如图12所示，第一显示区的发光结构层32的阴极层可以至少包括：第二发光元件的阴极223b。例如，第一显示区的多个发光元件的阴极可以为相互连接的一体结构，且该一体结构可以具有多个开口。多个开口在衬底的正投影与多个发光元件的发光区域在衬底的正投影可以无交叠。本示例中，发光元件的发光区域可以指像素定义层的像素开口内发光元件的阳极、有机发光层和阴极的交叠区域。如图12所示，第二发光元件的阴极223b的两侧可以为开口，使得阴极223b与相邻发光元件的阴极可以断开，且阴极223b在至少一侧可以与相邻发光元件的阴极连接。例如，第一显示区的多个发光元件的阴极连接形成的一体结构可以为网状结构。本示例通过对第一显示区的阴极进行图案化设计以形成开口，可以有利于提升第一显示区的光透过率。

在一些示例中，第二显示区、第二类型显示区和第三类型显示区的发光元件的阴极可以为相互连接的一体结构，且可以为整面结构。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，第二显示区的发光元件的连接为一体结构的阴极可以具有开口，且该开口与发光元件的发光区域在衬底的正投影可以无交叠。又如，第三类型显示区的发光元件的连接为一体结构的阴极可以具有开口，且该开口与发光元件的发光区域在衬底的正投影可以无交叠。关于本示例的显示基板的其余结构可以参照前述实施例的描述，故于此不再赘述。

图13为本公开至少一实施例的第一显示区的局部剖面的另一示例示意图。图13示意了第一显示区的一个第二发光元件的局部剖面结构。在一些示例中，如图13所示，第一显示区的发光结构层32还可以包括：辅助阴极323。辅助阴极323位于第二发光元件的阴极223b远离衬底300的一侧。辅助阴极323可以连接相邻发光元件的阴极。例如，辅助阴极323可以为覆盖第一显示区的整面结构。辅助阴极323可以采用透明导电材料，以保证第一显示区的光透过率。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，辅助阴极可以位于阴极层靠近衬底的一侧，且位于有机发光层远离衬底的一侧，辅助阴极可以实现有机发光层和阴极层的连接。在另一些示例中，第二显示区内的多个发光元件的阴极也可以通过辅助电极电连接。在另一些示例中，可以在第一透明导电层设置阴极连接电极，通过阴极连接电极实现相邻发光元件的阴极的电连接，且阴极连接电极采用透明导电材料，可以减少对第一显示区的光透过率的影响。关于本示例的显示基板的其余结构可以参照前述实施例的描述，故于此不再赘述。

图14为本公开至少一实施例的第二显示区的局部剖面的另一示例图。图14示意了第二显示区的一个出射第一颜色光(或第二颜色光)的第一发光元件(例如红色发光元件或蓝色发光元件)以及该第一发光元件所连接的第一像素电路的局部剖面结构。

在一些示例中，如图14所示，在垂直于显示基板的方向上，显示基板的电路结构层31可以包括：依次设置在衬底300上的金属遮挡层、半导体层、第一栅金属层、第二栅金属层、第一源漏金属层、第一透明导电层、第二源漏金属层、以及两个第二透明导电层。第一个第二透明导电层可以至少包括：第三阳极连接电极316b和导电连接线16a，第二个第二透明导电层位于第一个第二透明导电层远离衬底300的一侧，两个第二透明导电层之间可以设置第九绝缘层309，第二个第二透明导电层远离衬底300一侧可以设置第十绝缘层310。第二个第二透明导电层可以至少包括：第四阳极连接电极317b和导电连接线16b。本示例通过设置两个第二透明导电层，可以增加导电连接线的数目，有利于增加第二显示区的尺寸。关于本示例的显示基板的其余结构可以参照前述实施例的描述，故于此不再赘述。

图15为本公开至少一实施例的显示基板的另一局部示意图。在一些示例中，如图15所示，显示基板的第一显示区A11可以包括：多个第一发光元件21、多个第二发光元件22以及多个第一像素电路11。至少一个第一发光元件21可以与至少一个第二发光元件22相邻。第二显示区A12可以包括：多个第一发光元件21、多个第二发光元件22以及多个第一像素电路11。第二显示区A13可以包括：多个第一发光元件21和多个第一像素电路11。第一显示区A11的光透过率可以大于或等于第二显示区A12的光透过率，第二显示区A12的光透过率可以大于第二显示区A13的光透过率。第二显示区A13两侧的第二类型显示区A2内可以设置多个无效像素电路15。

本示例的显示基板，通过在第一显示区A11和一个第二显示区A12采用像素电路外置和像素电路内置结合的方式，在另一个第二显示区A13采用像素电路内置的方式，可以实现光透过率不同的多个第一类型显示区，从而满足多种功能需求。关于本示例的显示基板的其余结构可以参照前述实施例的描述，故于此不再赘述。

图16为本公开至少一实施例的显示基板的另一局部示意图。在一些示例中，如图16所示，显示基板的第一显示区A11可以至少包括：多个第一发光元件21、多个第二发光元件22以及多个第一像素电路11。至少一个第一发光元件21可以与至少一个第二发光元件22相邻。第二显示区A12和A13可以各自包括：多个第一发光元件21和多个第一像素电路11。第一显示区A11可以采用像素电路内置和外置结合的方式，第二显示区A12和A13可以采用像素电路内置方式。

本示例的显示基板，通过在第一显示区A11采用像素电路外置和像素电路内置结合的方式，在两个第二显示区A12和A13采用像素电路内置的方式，可以实现光透过率不同的多个第一类型显示区，从而满足多种功能需求。关于本示例的显示基板的其余结构可以参照前述实施例的描述，故于此不再赘述。

图17为本公开至少一实施例的显示基板的另一局部示意图。在一些示例中，如图17所示，显示基板的第一显示区A11可以至少包括：多个第二发光元件22。第二显示区A12和A13可以各自包括：多个第一发光元件21和多个第一像素电路11。第一显示区A11可以采用像素电路外置方式，第二显示区A12和A13可以采用像素电路内置方式。

本示例的显示基板，通过在第一显示区A11采用像素电路外置方式，在两个第二显示区A12和A13采用像素电路内置方式，可以实现光透过率不同的多个第一类型显示区，从而满足多种功能需求。关于本示例的显示基板的其余结构可以参照前述实施例的描述，故于此不再赘述。在另一些示例中，第一显示区可以采用像素电路外置方式，一个第二显示区可以采用像素电路内置方式，另一个第二显示区可以采用像素电路内置和外置结合方式。然而，本实施例对此并不限定。

图18为本公开至少一实施例的显示基板的另一示意图。在一些示例中，如图18所示，多个第一类型显示区可以包括：一个第一显示区A11和两个第二显示区A12和A13。第二显示区A12、第一显示区A11和第二显示区A13可以沿第一方向X依次排布，第一显示区A11可以位于第二显示区A12和A13之间。第一显示区A11和相邻的第二显示区之间可以由第二类型显示区A2间隔。本示例的显示区的排布方式可以有利于匹配屏下功能器件的设置，而且有助于确保整个显示区域的显示均一性。

图19为本公开至少一实施例的第一类型显示区的结构示意图。在一些示例中，如图19所示，第一类型显示区的多个第一发光元件可以包括：多个出射第一颜色光的第一发光元件21a和多个出射第二颜色光的第一发光元件21b。第一类型显示区的多个第二发光元件22可以配置为出射第三颜色光。第一类型显示区的第一发光元件可以与至少一个第二发光元件22相邻。第一类型显示区的多个第一像素电路可以包括：与第一发光元件21a电连接的第一像素电路11a、与第一发光元件21b电连接的第一像素电路11b。像素电路外置的第二发光元件22在衬底的正投影与第一电路引线17在衬底的正投影可以存在交叠，与第二电路引线18在衬底的正投影可以无交叠。第一电路引线17和第二电路引线18可以为同层结构。第一电路引线17和第二电路引线18可以采用透明导电材料制备，从而提高第一类型显示区的光透过率。例如，第一显示区内位于第二发光元件22下方的第一电路引线17可以连接在第一方向X上相邻的第二显示区内的第一像素电路和第二类型显示区内的像素电路，从而实现沿第一方向X上的信号传输。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，像素电路外置的第二发光元件在衬底的正投影与第二电路引线在衬底的正投影可以存在交叠，与第一电路引线在衬底的正投影可以无交叠。或者，像素电路外置的第二发光元件在衬底的正投影与第一电路引线和第二电路引线在衬底的正投影可以均至少部分交叠。关于本示例的显示基板的其余结构可以参照前述实施例的描述，故于此不再赘述。

图20为本公开至少一实施例的显示基板的另一示意图。在一些示例中，如图20所示，多个第一类型显示区可以包括：一个第一显示区A11和两个第二显示区A12和A13。第二显示区A12和A13可以沿第一方向X排布，第一显示区A11与第二显示区A12在第一方向X上没有对齐。例如，第一显示区A11、第二显示区A12和A13可以大致呈三角形方式排布。第一显示区A11和相邻的第二显示区之间可以由第二类型显示区A2间隔。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，两个第二显示区可以沿第二方向Y排布且对齐，第一显示区可以位于两个第二显示区在第一方向X的一侧，第一显示区可以与其中一个第二显示区在第一方向X上对齐，或者，第一显示区在第一方向X上可以不与两个第二显示区对齐。在另一些示例中，第一显示区和一个第二显示区可以沿第二方向Y排布且对齐，另一个第二显示区可以在位于第一显示区在第一方向X的一侧。

图21为本公开至少一实施例的显示装置的示意图。如图21所示，本实施例提供一种显示装置91，包括：显示基板910。在一些示例中，显示基板910可以为柔性OLED显示基板、QLED显示基板、Micro-LED显示基板、或者Mini-LED显示基板。显示装置91可以为具有图像(包括静态图像或动态图像，其中，动态图像可以是视频)显示功能的产品。例如，显示装置91可以是：显示器、电视机、广告牌、数码相框、具有显示功能的激光打印机、电话、手机、画屏、个人数字助理(PDA，Personal Digital Assistant)、数码相机、便携式摄录机、取景器、导航仪、车辆、大面积墙壁、信息查询设备(比如电子政务、银行、医院、电力等部门的业务查询设备)、监视器等中的任一种产品。又如，显示装置91可以是微显示器，包含微显示器的VR设备或AR设备等中的任一种产品。

在一些示例中，显示装置还可以包括：位于远离显示基板910的出光侧(非显示面的一侧)的至少一个屏下器件。屏下器件在显示基板91上的正投影与第一类型显示区存在交叠。

图22为本公开至少一实施例的显示装置的局部剖面示意图。图22示意了图1A或图1B中的显示基板在第二方向Y的剖面结构。在一些示例中，如图22所示，显示装置可以包括三个屏下器件920a、920b和920c。三个第一类型显示区与三个屏下器件可以一一对应。屏下器件920a在显示基板910的正投影可以与第一显示区A11存在交叠，屏下器件920b在显示基板910的正投影可以与第二显示区A12存在交叠，屏下器件920c在显示基板910的正投影可以与第二显示区A13存在交叠。

在一些示例中，屏下器件920a可以为摄像头，屏下器件920b可以为红外发射器，屏下器件910c可以为红外接收器。红外发射器和红外接收器配合用于进行红外识别，例如进行人脸识别。屏下器件920a对应的第一显示区A11的光透过率可以大于两个第二显示区A12和A13的光透过率，从而实现屏下拍照和摄像功能。两个第二显示区A12和A13的红外光透过率可以大于可见光透过率，从而实现红外光的发射和接收，例如进行人脸识别。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，三个屏下器件920a、920b和920c可以均为摄像头，第一显示区和两个第二显示区的光透过率可以相同或不同。在另一些示例中，三个屏下器件920a、920b和920c可以均为传感器，例如红外传感器，第一显示区和两个第二显示区的红外光透过率可以大于可见光透过率。在另一些示例中，三个屏下器件可以为其他类型的传感器，例如距离传感器或者环境光传感器等。

本公开中的附图只涉及本公开涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下，本公开的实施例即实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。应该注意，上述实施例或实施方式仅仅是示例性的，而不是限制性的。因此，本公开不限于在此详细示出和描述的内容。可以对实施的形式及细节进行多种修改、替换或省略，而不脱离本公开的范围。

Claims (17)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：多个第一类型显示区、位于所述多个第一类型显示区至少一侧的第二类型显示区；所述第二类型显示区的光透过率小于或等于所述多个第一类型显示区的光透过率；

所述多个第一类型显示区满足以下至少一项：

所述多个第一类型显示区中的至少一个第一类型显示区包括：设置在衬底上的多个第一发光元件、多个第二发光元件以及多个第一像素电路；

所述多个第一类型显示区中的至少一个第一类型显示区包括：设置在衬底上的多个第一发光元件和多个第一像素电路，且至少另一个第一类型显示区包括：设置在衬底上的多个第二发光元件；

其中，所述多个第一像素电路中的至少一个第一像素电路与所述多个第一发光元件中的至少一个第一发光元件电连接，所述多个第二发光元件中的至少一个第二发光元件与位于所述第二类型显示区的多个第二像素电路中的至少一个第二像素电路电连接。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述至少一个第一类型显示区包括：多个第一发光元件、多个第二发光元件以及多个第一像素电路；

在所述至少一个第一类型显示区内，沿第一方向的相邻第一像素电路通过至少一条第一电路引线电连接，沿第二方向的相邻第一像素电路通过至少一条第二电路引线电连接，至少一个第二发光元件通过至少一条导电连接线与位于所述第二类型显示区的至少一个第二像素电路电连接；所述第一方向与所述第二方向交叉；

所述至少一条导电连接线位于所述至少一条第一电路引线和所述至少一条第二电路引线远离所述衬底的一侧。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述显示基板的方向上，所述显示基板至少包括：衬底、设置在所述衬底上的电路结构层和发光结构层；所述电路结构层至少包括：所述多个第一像素电路和多个第二像素电路；所述发光结构层至少包括：所述多个第一发光元件和多个第二发光元件；

所述电路结构层至少包括：设置在所述衬底上的半导体层、第一栅金属层、第二栅金属层、第一源漏金属层、第一透明导电层、第二源漏金属层、以及至少一个第二透明导电层；

其中，所述至少一条第一电路引线和所述至少一条第二电路引线位于所述第一透明导电层；所述至少一条导电连接线位于所述至少一个第二透明导电层。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一透明导电层位于所述第一源漏金属层靠近所述衬底的一侧；

或者，所述第一透明导电层位于所述第一源漏金属层远离所述衬底的一侧，且所述第一透明导电层和所述第一源漏金属层之间设置至少一个绝缘层。

5.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述至少一个第一类型显示区的多个第一发光元件包括：多个出射第一颜色光的第一发光元件、以及多个出射第二颜色光的第一发光元件；所述多个第二发光元件配置为出射第三颜色光；

在所述至少一个第一类型显示区中，所述至少一个出射第一颜色光的第一发光元件在所述衬底的正投影与所连接的第一像素电路在所述衬底的正投影至少部分交叠；所述至少一个出射第二颜色光的第一发光元件在所述衬底的正投影与所连接的第一像素电路在所述衬底的正投影至少部分交叠；

所述至少一个出射第三颜色光的第二发光元件在所述衬底的正投影与所连接的第二像素电路在所述衬底的正投影无交叠。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述至少一个出射第三颜色光的第二发光元件在所述衬底的正投影与所述第一电路引线和第二电路引线在所述衬底的正投影无交叠。

7.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述至少一个出射第三颜色光的第二发光元件在所述衬底的正投影与所述第一电路引线在所述衬底的正投影部分交叠，且与所述第二电路引线在所述衬底的正投影无交叠；

或者，所述至少一个出射第三颜色光的第二发光元件在所述衬底的正投影与所述第二电路引线在所述衬底的正投影部分交叠，且与所述第一电路引线在所述衬底的正投影无交叠。

8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述多个第一类型显示区包括：至少一个第一显示区和至少一个第二显示区；所述第一显示区的光透过率大于所述第二显示区的光透过率。

9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述多个第一类型显示区包括：一个第一显示区和两个第二显示区；所述第一显示区和所述两个第二显示区沿一个方向排布，且所述第一显示区位于所述两个第二显示区之间。

10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述第一显示区和所述两个第二显示区沿着排布方向依次连接，或者，沿着排布方向相邻的第一显示区和第二显示区之间由所述第二类型显示区间隔。

11.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：位于所述多个第一发光元件和多个第二发光元件远离所述衬底一侧的遮光层；所述遮光层的红外光透过率大于或等于可见光透过率。

12.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：位于所述多个第一发光元件和多个第二发光元件远离所述衬底一侧的多个滤光单元，所述遮光层具有多个遮光开口，所述多个滤光单元中的至少一个滤光单元位于对应的遮光开口中；

其中，所述第二显示区的遮光层连续设置，所述第一显示区的遮光层包括独立设置的多个遮光块，所述多个遮光块中的至少一个遮光块位于所述至少一个滤光单元的周围。

13.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述至少一个第一类型显示区包括的多个发光元件的阴极为相互连接的一体结构，且所述一体结构具有多个开口，所述多个开口在所述衬底的正投影与所述多个发光元件的发光区域在所述衬底的正投影无交叠。

14.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述至少一个第一类型显示区包括的多个发光元件的阴极独立设置，所述多个发光元件的阴极通过辅助阴极电连接，所述辅助阴极位于所述多个发光元件的阴极远离所述衬底的一侧，且所述辅助阴极采用透明导电材料。

15.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二类型显示区还包括：多个第三像素电路和多个第三发光元件，所述多个第三像素电路中的至少一个第三像素电路与所述多个第三发光元件中的至少一个第三发光元件电连接，所述多个第二像素电路间隔设置在所述多个第三像素电路之间。

16.根据权利要求15所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：位于所述第二类型显示区至少一侧的第三类型显示区；所述第三类型显示区的光透过率小于所述多个第一类型显示区的光透过率，且大于所述第二类型显示区的光透过率；或者，所述第三类型显示区的光透过率小于所述第二类型显示区的光透过率，且所述第二类型显示区的光透过率小于所述多个第一类型显示区的光透过率；

所述第三类型显示区包括：多个第四像素电路和多个第四发光元件，所述多个第四像素电路中的至少一个第四像素电路与所述多个第四发光元件中的至少一个第四发光元件电连接。

17.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至16中任一项所述的显示基板。