CN109997236B - 发光二极管封装件以及具有该发光二极管封装件的显示装置 - Google Patents

发光二极管封装件以及具有该发光二极管封装件的显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种发光二极管封装件以及具有该发光二极管封装件的显示装置，提供了一种如下的发光二极管封装件，其包括：发光二极管芯片；反射部，布置在所述发光二极管芯片的上表面，反射从所述发光二极管发出的光的至少一部分；以及成型部，布置为覆盖所述发光二极管芯片以及反射部的上表面以及侧表面。根据本发明，将在发光二极管芯片上布置有反射部并用成型部围绕的发光二极管封装件用作用于显示装置的背光单元的光源，从而即使不利用额外的透镜也能利用为直下型背光单元。

Description

发光二极管封装件以及具有该发光二极管封装件的显示装置
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装件以及具有该发光二极管封装件的显示装置，更详细地，涉及一种从显示装置的直下型背光使光扩散的发光二极管封装件以及具有该发光二极管封装件的显示装置。
背景技术
近来，对将显示装置的厚度制备为尽可能薄的需求正在增加。因此，在显示装置中利用背光源单元的液晶显示屏(LCD，Liquid Crystal Display)的情形中，多使用背光源单元的光源位于侧面的边缘型背光源单元。
然而，在如上所述的使用边缘型背光单元的情形中，无法在显示装置实现以如人类直接看到实际场景的感觉来进行再现的高动态范围(HDR，High Dynamic Range)。为了实现HDR，需要在显示器画面中实现通过显示装置发出的光根据位置而具有亮度差异，但通过边缘型背光单元则无法实现根据位置的光的亮度差异。
因此，正在进行多种在利用直下型背光单元的同时，以有源矩阵(active matrix)方式实施而实现HDR的研究。韩国公开专利第10-2016-0051566号(2016.05.11，以下，称为现有技术)也是其一。然而，如上所述的现有技术是利用直下型背光单元制造，并为了将从发光二极管发出的光向侧表面分散而使用了透镜。由于使用了透镜，具有因为透镜而在减小装置厚度上受到限制的问题。
发明内容
技术问题
本发明要解决的课题在于，提供一种在采用直下型背光的同时能够减小显示装置的厚度的发光二极管封装件以及具有该发光二极管封装件的显示装置。
技术方案
根据本发明的一实施例的发光二极管封装件，可以包括：发光二极管芯片；反射部，布置在所述发光二极管芯片的上表面，反射从所述发光二极管发出的光的至少一部分；以及成型部，布置为覆盖所述发光二极管芯片以及反射部的上表面以及侧表面。
此时，在所述成型部，从所述反射部的上表面到所述成型部的上表面的厚度可以小于从所述发光二极管芯片的侧表面到所述成型部的侧表面的宽度。
在此，在所述成型部，从所述发光二极管芯片的侧表面到所述成型部的侧表面的宽度可以是从所述反射部的上表面到成型部的上表面的厚度的1.5倍以上且4倍以下。
并且，所述成型部可以包括一种以上的荧光体以及光扩散剂中的任意一个以上。
并且，所述反射部可以包括分布布拉格反射器(distributed bragg reflector)。
此时，所述反射部对从所述发光二极管芯片发出的光的透过率可以为0％至80％。
并且，所述成型部可以包括：第一成型部，覆盖所述发光二极管芯片以及反射部的上表面以及侧表面；以及第二成型部，覆盖所述第一成型部的上表面以及侧表面。
此时，所述第一成型部以及第二成型部中的任意一个以上可以包括一种以上的荧光体。
此时，如果所述第一成型部以及第二成型部分别包括一种以上的荧光体，则包括于所述第一成型部以及第二成型部的荧光体的种类可以互不相同。
并且，所述第二成型部可以具有比所述第一成型部薄的厚度。
并且，所述反射部可以包括：第一反射部，布置在所述发光二极管芯片的上表面的一部分；以及第二反射部，布置在所述发光二极管芯片的上表面，并布置为围绕所述第一反射部。
此时，所述第一反射部的反射率和所述第二反射部的反射率可以互不相同，所述第一反射部的反射率可以小于所述第二反射部的反射率。
并且，所述成型部的侧表面可以是倾斜面，所述倾斜面可以是下方向倾斜的面。
此外，根据本发明的一实施例的发光二极管封装件，可以包括：发光二极管芯片；反射部，布置在所述发光二极管芯片的上表面，反射从所述发光二极管芯片发出的光的至少一部分；以及成型部，布置在所述发光二极管芯片的侧表面。
此时，所述反射部可以在所述发光二极管芯片的上表面向外部暴露。
此外，根据本发明的一实施例的显示装置，可以包括：框架；多个发光二极管封装件，规则地布置在所述框架上；光学部，布置在所述多个发光二极管封装件的上部，包括荧光片以及光学片中的任意一个以上和显示面板，其中，所述发光二极管封装件包括：发光二极管芯片；反射部，布置在所述多个发光二极管的上表面，反射从所述发光二极管芯片发出的光的至少一部分；以及成型部，布置为覆盖所述发光二极管芯片以及反射部的上表面以及侧表面。
在此，所述框架和光学部之间的距离可以为1mm以上15mm以下。
并且，在所述成型部，从所述反射部的上表面到所述成型部的上表面的厚度可以小于从所述发光二极管芯片的侧表面到所述成型部的侧表面的宽度。
此时，在所述成型部，从所述发光二极管芯片的侧表面到所述成型部的侧表面的宽度可以是从所述反射部的上表面到成型部的上表面的厚度的1.5倍以上且4倍以下。
并且，所述成型部可以包括一种以上的荧光体以及光扩散剂中的任何一个以上。
并且，所述反射部可以包括分布式布拉格反射器。
此时，所述反射部对从所述发光二极管芯片发出的光的透过率可以是0％至80％。
并且，所述成型部可以包括：第一成型部，覆盖所述发光二极管芯片以及反射部的上表面以及侧表面；以及第二成型部，覆盖所述第一成型部的上表面以及侧表面。
此时，在所述第一成型部以及第二成型部中的任意一种以上可以包括一种以上的荧光体。
此时，如果所述第一成型部以及第二成型部分别包括一种以上的荧光体，则包括于所述第一成型部以及第二成型部的荧光体可以互为不同种类。
并且，所述第二成型部可以具有比所述第一成型部薄的厚度。
并且，所述反射部可以包括：第一反射部，布置在所述发光二极管芯片的上表面的一部分；第二反射部，布置在所述发光二极管芯片的上表面，并布置为围绕所述第一反射部。
此时，所述第一反射部的反射率与所述第二反射部的反射率可以互不相同，所述第一反射部的反射率可以小于所述第二反射部的反射率。
并且，所述成型部的侧表面可以为倾斜面，所述倾斜面可以是下方向倾斜的面。
此外，根据本发明的一实施例的显示装置，可以包括：发光二极管芯片；反射部，布置在所述发光二级管芯片的上表面，反射从所述发光二极管芯片发出的光的至少一部分；以及布置在所述发光二极管芯片的侧表面的成型部。
此时，所述反射部在所述发光二极管芯片的上表面可以向外部暴露。
技术效果
根据本发明，将在发光二极管芯片上布置有反射部并用成型部包裹的发光二极管封装件用作用于显示装置的背光单元的光源，从而即使不利用额外的透镜也能利用为直下型背光单元。
并且，由于不使用额外的透镜，因此能够提供比以往的直下型背光单元具有相对较薄的厚度的直下型背光，从而能够减小显示装置的厚度。
并且可以通过以双重方式形成包裹发光二极管芯片的成型部，并可以使双重的成型部中的任意一个以上包括一种以上的荧光体，从而能够易于控制从发光二极管封装件发出的光的颜色。尤其是，由于使布置在发光二极管封装件的双重成型部中的外部的成型部包括一种以上的荧光体，从而具有能够使发光二极管封装件的热特性提高的效果。
并且，通过使发光二极管封装件包括布置在发光二极管芯片的上表面的中央的第一反射部和布置为围绕第一反射部的第二反射部，并通过使第一反射部和第二反射部的反射率不相同，从而具有能够提高从发光二极管封装件发出的光在侧表面方向的分散效率的效果。
并且，通过将发光二极管封装件的成型部的侧表面形成为倾斜面，具有能够提高从发光二极管封装件发出的光的分散效率的效果。
附图说明
图1a是示出根据本发明的第一实施例的显示装置的一例的平面图。
图1b是示出根据本发明的第一实施例的显示装置的一例的后视图。
图2a以及图2b是示出根据本发明的第一实施例的显示装置的剖面图。
图3是示出根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的剖面图。
图4是对从根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件发出的光进行比较的图表。
图5是示出从根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件发出的光均匀地发出的图表。
图6a是示出根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的反射部的反射率对比光指向特性的图表。
图6b是示出从图6a中示出的光指向特性的图表中根据反射部的反射率的峰值的图表。
图6c是示出从图6a中示出的光指向特性的图表中根据反射部的反射率的中心的值的图表。
图7a是示出对根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的反射部的反射率对比中心照度进行比较的实际图像。
图7b是示出对根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的反射部的反射率对比中心照度进行比较的图表。
图8a是为了说明根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的均匀度而示出仅布置有发光二极管芯片时的均匀度的实际图像。
图8b是为了说明根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的均匀度而示出仅布置有发光二极管芯片时的均匀度的分布图像。
图8c是为了说明根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的均匀度而示出仅布置有发光二极管芯片时的均匀度的图表。
图9a是用于说明根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的均匀度的实际图像。
图9b是用于说明根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的均匀图的分布图像。
图9c是示出根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的均匀度的图表。
图10是示出根据本发明的第二实施例的发光二极管封装件的剖面图。
图11是示出根据本发明的第三实施例的发光二极管封装件的剖面图。
图12是示出根据本发明的第四实施例的发光二极管封装件的剖面图。
图13是示出根据本发明的第五实施例的发光二极管封装件的剖面图。
图14是示出根据本发明的第六实施例的发光二极管封装件的剖面图。
图15是示出根据本发明的第六实施例的发光二极管封装件的中心部光分布的图表。
图16是示出根据本发明的第七实施例的发光二极管封装件的剖面图。
图17是示出根据本发明的第七实施例的发光二极管封装件的中心部光分布的图表。
图18a是示出根据本发明的第八实施例的发光二极管封装件的剖面图。
图18b是示出根据本发明的第八实施例的发光二极管封装件的立体图。
图19是示出根据本发明的第八实施例的发光二极管封装件的中心部光分布的图表。
图20是示出根据本发明的第九实施例的发光二极管封装件的剖面图。
图21是示出根据本发明的第九实施例的发光二极管封装件的照度的图表。
图22是示出根据本发明的第十实施例的发光二极管封装件的剖面图。
符号说明
100：发光二极管封装件
112：发光二极管芯片
114：反射部
114a：第一反射部
114b：第二反射部
116：成型部
116a：第一成型部
116b：第二成型部
117：波长变换部
117a：第一波长变换部
117b：第二波长变换部
200：显示装置
210：框架
212：基板
220：光学部
221：荧光片
223：扩散板
225：光学片
227：显示面板
230：前盖
250:电源供应部
inc：倾斜面
具体实施方式
参照附图对本发明的优选实施例进行更加具体的说明。
图1a以及图1b是示出根据本发明的第一实施例的显示装置的平面图以及后视图，图2a以及图2b是示出根据本发明的第一实施例的显示装置的剖面图。
根据本发明的第一实施例的显示装置200包括发光二极管封装件100、前盖230、框架210以及光学部220。发光二极管封装件100包括发光二极管芯片112、反射部114以及成型部116，对此将在后面进行叙述。
前盖230可以覆盖光学部220的显示面板227的侧表面以及前表面中的一部分。并且前盖230的中央是空的，通过将显示面板227布置在前盖230的中央，从而显示于显示面板227的影像可向外部显示。
框架210支撑显示装置200，并且其一侧能够和前盖230结合。框架210可以具有铝合金等金属材质或者合成树脂材质。并且框架210可与光学部220相隔一定距离。可以在框架210上向光学部220侧布置有发光二极管封装件100。此时，框架210和光学部220之间相隔的距离可以是从发光二极管封装件100到光学部220的光程(OD，optical distance)。此时，本实施例中的OD可以为例如，约1mm以上到15mm以下。
并且，框架210的上部可以布置有用于使发光二极管封装件100电连接的基板212。基板212配备为用于向发光二极管封装件100供应电源。
光学部220布置在框架210的上部，包括荧光片221、扩散板223、光学片225以及显示面板227。
荧光片221配备为用于将从发光二极管封装件100发出的光变换为其他波长的光。荧光片221可以在其内部包括一种以上的荧光体，也可以包括一种以上的量子点(QD，quantum dot)。本实施例中，从发光二极管封装件100发出的光可以是蓝色光或者紫外线，通过荧光片221发出的光可以是白色光。
扩散板223起到将从发光二极管封装件100发出的光向上部扩散的作用。
光学片225可以布置在扩散板223的上部，并在其上部可以布置有显示面板227。并且光学片225可以包括具有互不相同功能的多个片。作为一例，可以包括一个以上的棱镜片以及扩散片。扩散片能够防止通过扩散板223发出的光部分密集，从而能够使光的辉度更加均匀。棱镜片能够对通过扩散片发出的光进行集光而使光垂直入射到显示面板227。
显示面板227可以布置在显示装置200的前面，并显示影像。显示面板227包括多个像素，可以对每个像素的颜色、亮度、色度等进行匹配并输出影像。
发光二极管封装件100如图1a所示配备有多个，且可以规则地排列在显示装置200的宽广的面积上。作为一例，发光二极管封装件100能够以在平面上沿着行和列以预定间隔相隔的状态排列在显示装置200。
图1a示例性地示出了规则排列的多个发光二极管封装件100。显示装置200上布置的多个发光二极管封装件100的个数越多，就能以越好的品质呈现显示装置200的HDR。
并且可以配备有用于向多个发光二极管封装件100供应电源的多个电源供应部250。电源供应部250可以向一个以上的发光二极管封装件100供应电源，本实施例中对通过一个电源供应部250向32个发光二极管封装件100供应电源的情形进行了说明。多个发光二极管封装件100可通过电源供应部250供应的电源而发光，并且各个发光二极管封装件100可独立工作。
图3是示出根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的剖面图。
参照图3，对根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件100进行详细说明。如图所示，发光二极管封装件100包括发光二极管芯片112、反射部114以及成型部116。
发光二极管芯片112可以包括n型半导体层、活性层以及p型半导体层，并且n型半导体层、活性层以及p型半导体层可以分别包括Ⅲ-Ⅴ族类的化合物半导体。作为一例，可以包括(Al、Ga、In)N等氮化物半导体。
n型半导体层可以是包括n型杂质(例如，Si)的导电型半导体层，p型半导体层可以是包括p型杂质(例如，Mg)的导电型半导体层。活性层在n型半导体层和p型半导体层之间，可以包括多种量子阱结构(MQW，multi quantum well)。并且可以通过决定组成比而发出期望的峰值波长的光。
本实施例中，发光二极管芯片112可以是倒装芯片型发光二极管芯片112。据此，可以在发光二极管芯片112的下部布置与n型半导体层电连接的n型电极以及与p型半导体层电连接的p型电极。
从发光二极管芯片112发出的光可以通过发光二极管芯片112的上部以及侧表面而向外部发出。本实施例中，发光二极管芯片112可以是例如，长度、宽度以及厚度分别为670μm、670μm以及250μm。
反射部114布置在发光二极管芯片112的上部，并且可以布置为覆盖发光二极管芯片112的整个上部。本实施例中，反射部114可以反射从发光二极管芯片112发出的光的全部，或者，也可以使从发光二极管芯片112发出的光的一部分透过并反射剩下的光。
作为一例，反射部114可以包括分布布拉格反射器(DBR，distributed braggreflector)。分布布拉格反射器可以通过将具有互不相同的折射率的物质层层叠为多个层而形成。分布布拉格反射器可以根据形成分布布拉格反射器的物质层的层数而反射从发光二极管芯片112发出的光的全部，也可以只反射一部分光。并且，反射部114还可以根据需要而使用分布布拉格反射器以外的金属或者其他物质。例如，反射部114的透光率可以是0％至80％。
对分布布拉格反射器进行更加详细的说明则如下，分布布拉格反射器可以是交替布置有具有互不相同的折射率的两个以上的介电层的结构。两个以上的介电层可以是分别选自由Si、Zr、Ta、Ti以及Al的构成的组中的元素的氧化物或者氮化物，具体地，可以分别包括AlGaN、GaN、SiO2、SiN、Si3N4、SiOxNy、TiO2、TiN、TiAlN、TiSiN、AlN、Al2O3、ZrO2以及MgO中互不相同的任意一个。
并且两个以上的介电层可以分别具有λ/4n的厚度。此时，λ是从活性层发出的光的波长，n表示介电层的折射率。据此，分布布拉格反射器的厚度可以是大约
Figure GDA0002039736740000091
至
Figure GDA0002039736740000092
分布布拉格反射器可以以两个以上的介电层形成为2对至50对，并且并不限于此。本实施例中，根据反射部114的透光率，可以决定两个以上的介电层的折射率和厚度。
并且，分布布拉格反射器是两个以上的介电层交替层叠的结构，为了在其内部不发生光吸收，其带隙能量可以大于从发光二极管芯片112发出的光的能量。并且，两个以上的介电层之间的折射率差异越大，反射率有可增加。
作为一例，分布布拉格反射器可以构成为SiO2/TiO2、SiO2/Ta2O2或者SiO2/HfO的反复层叠，且针对蓝色光，分布布拉格反射器构成为SiO2/TiO2时反射效率好，而针对紫外线，分布布拉格反射器构成为SiO2/Ta2O2或者SiO 2/HfO可以具有优异的反射效率。
并且，反射部114可以根据需要而包括全方向反射器(ODR，omni–directionalreflector)。
并且，根据需要，反射部114可以具有包括分布布拉格反射器以及全方向反射器的多个层。越是接近垂直方向的光，在分布布拉格反射器的反射率越高，此外的光则能够透过。
作为一例，如果光以特定角度入射到两个介质的界面，则仅有某些偏光分量的光被反射，其他偏光分量则可以不被反射而全部透过。这种特定角度称为布鲁斯特角，在对垂直偏光以及水平偏光进行考虑时，如果垂直偏光或者水平偏光以布鲁斯特角入射到界面，则反射波和透过波将互相形成90度的角，并且垂直偏光几乎被全部反射。而且，有可能存在水平偏光几乎不会被反射，大部分会透过的角度。如此，水平偏光分量的反射系数成为0的角度就是布鲁斯特角。布鲁斯特角可以随着介质的物理性质而不同，如果被无偏光的光(例如，从活性层发出的光)以布鲁斯特角入射到分布布拉格反射器，则垂直偏光分量将几乎被全部反射，水平偏光分量则会全部透过。
此时，分布布拉格反射器可以通过分子束外延(molecular beam epitaxy)、电子束蒸发(E-beam evaporation)、电子束辅助沉积(ion-beam assisted deposition)、反应性等离子体沉积(reactive plasma deposition)、电子束蒸发法(electron beamevaporation)、热蒸发法(thermal evaporation)、溅射(sputtering)以及保形溅射(conformal sputtering)工艺等而形成。
如图3所示，成型部116可以布置为覆盖整个在上部布置有反射部114的发光二极管芯片112。即，成型部116可以布置为覆盖布置在发光二极管芯片112的下部的n型电极以及p型电极以外的发光二极管芯片112的侧表面和上部。
成型部116可以具有能够使从发光二极管芯片112发出的光透过的透明的材料，例如，硅(silicone)。
本实施例中，成型部116形成为覆盖发光二极管芯片112，例如，长度、宽度以及厚度可以分别为1500μm、1500μm以及420μm。即，成型部116的厚度可以大于或者等于将发光二极管芯片112的厚度t和从发光二极管芯片112的上表面到成型部116的上表面的厚度d1(以下，称为第一厚度)之和。此时，第一厚度d1可以小于或者等于发光二极管芯片112的厚度t(d1≤t)。
并且，从发光二极管芯片112的侧表面到成型部116的侧表面的宽度d2(以下，称为第一宽度)可以大于第一厚度d1。本实施例中，第一宽度d2可以为第一厚度d1的1.5倍以上且4倍以下，例如，可以是大约2.44倍。
换句话说，成型部116形成为形成在发光二极管芯片112的上部的厚度d1比形成在发光二极管芯片112的侧表面的厚度d2薄。从发光二极管芯片112发出的光被布置在上部的反射部114阻断，并且大部分可以向发光二极管芯片112的侧面方向发出。此外，从发光二极管芯片112发出的光通过形成在发光二极管芯片112的上表面以及侧表面的成型部116的形状而被引导至侧表面方向，从而能够在侧表面方向更好地发出。
如上所述，形成为成型部116覆盖发光二极管芯片112的发光二极管封装件100因发出的光相比于上部而相对更向侧表面发出，从而可以利用为显示装置200的背光源。
尤其是，在发光二极管封装件100中，由于光向侧表面方向发出，可以省略用于将光分散的透镜。由于不使用额外的透镜，可以通过在显示装置200的框架210设置多个发光二极管封装件100而代替背光单元。并且，由于不使用额外的透镜，因此可以最小化显示装置200的厚度。
并且，成型部116仅可以利用透明材料，根据需要，在其内部可以包括有一种以上的荧光体或者用于调节光扩散性的扩散剂。本实施例中，由于如上所说明，在光学部220中包括了荧光片221，因此可以在成型部116不包括额外的荧光体。或者为了提高通过包括在光学部220的荧光片221发出的光的色彩再现性，可以在成型部116中包括一种以上的荧光体。
图4是对从根据本发明的第一实施例的发光二极管发出的光进行比较的图表。
图4是示出从根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件100发出的光的图像和指向角的图表。首先，从图4的(a)可确认针对从发光二极管芯片112发出的光在OD 0.4mm拍摄的图像、在OD 4mm拍摄的图像以及在50cm的背光分布数据(far field data)。并且从图4的(b)可确认在发光二极管芯片112的上部布置有反射部114的状态下发出的光在OD0.4mm拍摄的图像、在OD 4mm拍摄的图像以及50cm的背光分布数据。并且从图4的(c)可确认从形成有反射部114以及成型部116的发光二极管封装件100发出的光在OD 0.4mm拍摄的图像、在OD 4mm拍摄的图像以及50cm的背光分布数据。
通过这样的图像和背光分布数据，可确认：随着在发光二极管芯片112形成反射部114以及成型部116，从发光二极管封装件100发出的光均匀地分散。
图5是示出从根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件发出的光均匀地发出的图表。
从图5的(a)可确认在没有荧光片221以及光学片225的情形下对从多个发光二极管封装件100发出的光进行拍摄的图像以及输出图表。据此，可确认光总体是均匀发出的。图5的(a)中，越向右侧，光的输出越低是由于输入到各个发光二极管封装件100的电流差异。
从图5的(b)可确认在多个发光二极管封装件100上部布置荧光片221的状态下对输出的光进行拍摄的图像以及输出图表。可以确认：与图5的(a)相比，虽然位于右侧的发光二极管封装件100的输出略小，光仍整体均匀地输出。
并且，从图5的(c)可确认在多个发光二极管封装件100上部布置有荧光片221以及用于光的扩散的扩散片的状态下对输出的光进行拍摄的图像以及输出图表。从显示装置200输出的光在平面上均匀地向外发出时，可以确认相对于整体面积均匀地向外部发出。尤其是，从示出的图表可确认，借助扩散片，更加均匀地向外部发出光。
图6a至图6c是示出根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的反射部的反射率对比光指向特性的图表。
图6a是示出本实施例中将反射部114的反射率从0％变化到100％时的光指向特性的模拟结果的图表。利用了图3所示的发光二极管封装件100，且光指向分布是在50cm位置的结果。
如图6a所示，可确认：随着反射部114的反射率升高，在中心的光强度变小，具有光强度最大值的峰值角度增加。即，可确认具有光强度最大值的位置的角度会随着反射率升高而变大。此时，图6a的图表中x轴表示光指向角。
通过图6a示出的图表，观察反射率为90％和100％的图表，可确认：在中心角度，光的强度减小，并且具有光强度最大值的峰值角度增加。以此为基础，为了确认随着反射部114的反射率大小对光指向特性在侧表面的分散效率提高的角度，参照图6b以及图6c进行说明。
图6b是示出图6a中大约为60度角度的光指向特性峰值随反射部114的反射率变化的图。参照图6b，可确认以反射部114的反射率为75％的位置为基准，峰值急剧变化而增加。
图6c是示出在中心角度的光指向特性峰值随着反射部114的反射率而变化的图。参照图6c，可确认以反射部114的反射率为75％的位置为基准，峰值急剧变化而减小。
通过图6b以及图6c，可确认：利用反射部114的反射率大于75％的反射部114会提高发光二极管封装件100的侧面分散效率。
图7a以及图7b是对根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的反射部对比中心照度进行比较的图表。
图7a是在OD为2mm的情形下，对没有反射部114时从发光二极管芯片112发出的光、从结合有反射率为90％的反射部114的发光二极管封装件100发出的光以及从结合有反射率为100％的反射部114的发光二极管封装件100发出的光进行了比较的照度图像。观察图7a，可确认：在OD为2mm，反射部114的反射率为90％时光的照度图像均匀分布，反射率为100％时光的照度图像在中心部产生部分暗点。
在图7b中示出了根据这种反射部114的反射率的中心照度的相对值。参照图7b，可以确认：反射部114的反射率越高，中心照度越低。随着如此反射部114的反射率增加，中心照度降低，光相对地向发光二极管封装件100的侧表面方向分散的程度增加。
图8a至图8c是为了说明根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的均匀度而示出仅布置了发光二极管芯片时的均匀度的图。并且，图9a至图9c是用于说明根据本发明的第一实施例的发光二极管封装件的均匀度的图。
图8a以及图8b是在没有反射部114以及成型部116的情形下排列发光二极管芯片112时的实际图像和分布图像，图8c是用于确认排列有发光二极管芯片112的状态的均匀度的图表。
观察图8a以及图8b示出的图像，由于从发光二极管芯片112发出的光的均匀度相对较差，以至于可以确认出各个发光二极管芯片112布置在哪个位置，布置有几个发光二极管芯片112。
并且，通过图8c的图表，可确认从发光二极管芯片112发出的光的最大亮度约为8000lux，最低亮度约为4600lux，并以此为基础，可确认均匀度约为57.5％。
与此相比，图9a以及图9b是将在发光二极管芯片112的上部布置有反射部114并形成有成型部116的发光二极管封装件100如图8a一样地排列时的实际图像和分布图像。并且，图9c是用于确认排列有发光二极管封装件100的状态的均匀度的图表。
从图9a以及图9b中示出的图像可确认，相比于图8a以及图8b中示出的图像，图9a以及图9b中示出的图像中光的分布在前表面相对均一。并且，通过图9c的图表可确认，从发光二极管封装件100发出的光的最大亮度约为210000lux，最低亮度约为175000lux，以此为基础，可确认均匀度约为83.3％。
将图9c和图8c进行比较，可确认：应用了反射部114以及成型部116的发光二极管封装件100与仅利用了发光二极管芯片112的情形相比，均匀度上升了大约25％以上。
图10是示出根据本发明的第二实施例的发光二极管封装件的剖面图。
本实施例中，显示装置200的其他结构与第一实施例相同，仅在发光二极管封装件100的结构上有差异，对此，将参照示出的图10进行说明。在对本实施例进行说明时，将省略与第一实施例相同的说明。本实施例中，发光二极管封装件100包括发光二极管芯片112、反射部114以及成型部116。
本实施例中，发光二极管芯片112以及反射部114的结构与第一实施例相同，因此省略对其的说明，成型部116包括第一成型部116a以及第二成型部116b。
第一成型部116a如图10所示，可以布置为覆盖整个在上部布置有反射部114的发光二极管芯片112。第一成型部116a可以布置为覆盖布置在发光二极管芯片112的下部的n型电极以及p型电极以外的发光二极管芯片112的侧表面和上部。
并且，第二成型部116b可以布置为覆盖整个第一成型部116a。与第一成型部116a一样，第二成型部116b可以布置为覆盖发光二极管芯片112的下部以外的第一成型部116a的侧表面和上部。此时，第二成型部116b的厚度可以与第一成型部116a的厚度相同或者相异，并且可以比第一成型部116a的厚度薄。
此时，第一成型部116a以及第二成型部116b可以分别利用透明材料，以使从发光二极管芯片112发出的光能够透过。
本实施例中透过第一成型部116a和第二成型部116b的光的折射率可以互不相同。从发光二极管芯片112发出的光向外部发出时，为了减少由于介质的差异而发生的反射，布置在外侧的第二成型部116b的折射率可以小于第一成型部116a的折射率。当然，并不限于此，第一成型部116a的折射率可以大于或者等于第二成型部116b的折射率。
并且，相对于第一成型部116a和第二成型部116b的材料的延展性材质可以不同。由于制造工艺上的延展性材质的差异，有可能在外部产生裂缝(crack)，为了防止由于第一成型部116a的延展性材质而产生外部裂缝，可以通过在外部形成具有比第一成型部116a的材质更强的材质的第二成型部116b而防止裂缝。
图11是示出根据本发明的第三实施例的发光二极管封装件的剖面图。
本实施例中，显示装置200的另一结构与第一实施例相同，仅在发光二极管封装件100的结构上有差异，对此参照示出的图11进行说明。在对本实施例进行说明时，省略与第一实施例相同的说明。本实施例中，发光二极管封装件100包括发光二极管芯片112、反射部114、成型部116以及波长变换部117。
根据本实施例的发光二极管封装件100的结构中，由于发光二极管芯片112、反射部114以及成型部116的结构与第一实施例相同，因此省略对其的说明。
如图所示，波长变换部117可布置为覆盖整个成型部116。与成型部116一样，波长变换部117可以布置为覆盖发光二极管芯片112的下部以外的成型部116的侧表面和上部。此时，波长变换部117的厚度可以与成型部116的厚度相同或者相异，并且可以比成型部116的厚度薄。
波长变换部117可以利用与构成成型部116的材料相同的材料或者即使利用其他材料也利用透明材料。并且在其内部可以包含一种以上的荧光体。据此，波长变换部117可以将从发光二极管芯片112发出的光进行波长变换而向外部发出其他波长的光。
本实施例中，由于在成型部116外侧布置了波长变换部117，因此易于将从发光二极管芯片112发出的光变换成其他波长的光，从而易于对发光二极管封装件100进行色彩控制。
并且，本实施例中，由于在波长变换部117和发光二极管芯片112之间布置了成型部116，因此波长变换部117可以与发光二极管芯片112不直接接触。据此，由于从发光二极管芯片112产生的热不会直接传递到波长变换部117，因此可以最小化荧光体由于从发光二极管芯片112发出的热而被劣化。
图12是示出根据本发明的第四实施例的发光二极管封装件的剖面图。
本实施例中，显示装置200的其他结构与第一实施例相同，仅在发光二极管封装件100的结构上有所差异。对此，参照示出的图12进行说明，并省略与第一实施例相同的说明。本实施例中，发光二极管封装件100包括发光二极管芯片112、反射部114、成型部116以及波长变换部117。
根据本实施例的发光二极管封装件100的结构中，由于发光二极管芯片112以及反射部114的结构与第一实施例相同，因此省略对其的说明。
如图12所示，波长变换部117可以布置为覆盖上部布置有反射部114的整个发光二极管芯片112。波长变换部117可以布置为覆盖布置在发光二极管芯片112的下部的n型电极以及p型电极以外的发光二极管芯片112的侧表面和上部。
波长变换部117可在内部包括一种以上的荧光体。据此，波长变换部117可将从发光二极管芯片112发出的光进行波长变换而向外部发出其他波长的光。
并且，成型部116可布置为覆盖整个波长变换部117。与波长变换部一样，成型部116可布置为覆盖发光二极管芯片112的下部以外的成型部116的侧面和上部。此时，成型部116的厚度可以和波长变换部117的厚度相同或者相异，并且可以比波长变换部117的厚度薄。
并且，波长变换部117可在内部包括一种以上的荧光体，可以利用与成型部116相同的材料，或者即使是利用其他材料，也利用透明的材料。即，从发光二极管芯片112发出的光可以在通过波长变换部117进行波长变换后，通过成型部116向外部发出。
由于将波长变换部117如上所述地布置为与发光二极管芯片112相邻，因此易于将从发光二极管芯片112发出的光变换为其他波长的光，从而易于对发光二极管封装件100进行色彩控制。
并且，由于波长变换部117布置为与发光二极管芯片112相邻，因此对从发光二极管芯片112发出的光的波长变换效率上升，从而能够提高发光二极管封装件100的光提取效率。
图13是示出根据本发明的第五实施例的发光二极管封装件的剖面图。
本实施例中，显示装置200的其他结构与第一实施例相同，仅在发光二极管封装件100的结构上有差异。对此，参照示出的图13进行说明，并省略与第一实施例相同的说明。本实施例的发光二极管封装件100包括发光二极管芯片112、反射部114以及波长变换部117。
根据本实施例的发光二极管封装件100的结构中，由于发光二极管芯片112以及反射部114的结构与第一实施例相同，因此省略对其的说明。
如图13所示，波长变换部117包括第一波长变换部117a以及第二波长变换部117b。
第一波长变换部117a可布置为覆盖整个在上部布置有反射部114的发光二极管芯片112。第一波长变换部117a可布置为覆盖布置在发光二极管芯片112的下部的n型电极以及p型电极以外的发光二极管芯片112的侧面和上部。并且可以在内部包括一种以上的荧光体。
第二波长变换部117b可以布置为覆盖整个第一波长变化部117a。与第一波长变换部117a一样，第二波长变换部117b可以布置为覆盖发光二极管芯片112的下部以外的第一波长变换部117a的侧面和上部。此时，第二波长变换部117b的厚度可以与第一波长变换部117a的厚度相同或者相异，并可以比第一波长变换部117a的厚度薄。并且，第二波长变换部117b可以在内部包括一种以上的荧光体。
包括于第一波长变换部117a的荧光体和包括于第二波长转换部117b的荧光体的种类可以相同或者相异。并且，在包括于第一波长变换部117a和第二波长变换部117b的荧光体的种类相同的情形下，第一波长变换部117a和第二波长变换部117b的荧光体的量可以不同。据此，从发光二极管芯片112向外部发出的光可以通过第一波长变换部117a以及第二波长变换部117b进行波长变换后发出。通过这样布置第一波长变换部117a以及第二波长变换部117b，可以容易地控制从发光二极管封装件100发出的光的色彩。
图14是示出根据本发明的第六实施例的发光二极管封装件的剖面图，图15是示出根据本发明的第六实施例的发光二极管封装件的中心部光分布的图表。
本实施例中，显示装置200的其他结构与第一实施例相同，仅在发光二极管封装件100的结构上有差异。对此参照示出的图14进行说明，并省略与第一实施例相同的说明。
本实施例的发光二极管封装件100包括发光二极管芯片112、反射部114以及成型部116。参照图14，根据本实施例的发光二极管封装件100虽然看似具有与图3示出的第一实施例相同的形象，但本实施例中的反射部114利用了反射率为100％的分布布拉格反射器。并且，反射部114可以布置为覆盖整个发光二极管芯片112的上部。
据此，根据本实施例的发光二极管封装件100能够具有如图15所示的发光二极管封装件100的中心部的光分布。此时，图15所示的中心部的光分布是在OD 1mm时的图像。观察图15的下部示出的照度图表可确认：中心部的光分布低于周边。据此，可确认，实现了从发光二极管封装件100发出的光向侧表面方向的良好分散。
并且，如果考虑到图15所示的图像是在OD 1mm的图像时，在OD小于1mm的情形下，由于向侧表面的分散效率优异，因此能够在发光二极管芯片112的上表面利用反射率为100％的分布布拉格反射器。
图16是示出根据本发明的第七实施例的发光二极管封装件的剖面图，图17是示出根据本发明的第七实施例的发光二极管封装件的中心部的图表。
本实施例中，显示装置200的其他结构与第一实施例相同，仅在发光二极管封装件100的结构上有差异。对此，参照示出的图16进行说明，并省略与第一实施例相同的说明。
本实施例中，发光二极管封装件100包括发光二极管芯片112、反射部114以及成型部116。参照图16，虽然根据本实施例的发光二极管封装件100看似具有与图3所示的第一实施例相同的形象，但本实施例中利用了反射部114的反射率为25％的分布布拉格反射器。并且反射部114可布置为覆盖整个发光二极管芯片112的上部。
图17示出的图是根据本实施例的发光二极管封装件100的中心部光分布在OD 1mm时的图像和照度图表。据此可确认，根据本实施例的发光二极管封装件100的中心部的光分布高于周边。据此，根据本实施例的发光二极管封装件100具有能够在OD大于1mm时使用的长处。
图18a以及图18b是示出根据本发明的第八实施例的发光二极管封装件100的剖面图以及立体图，图19是根据本发明的第八实施例的发光二极管封装件100的中心部光分布的图表。
如图18a以及图18b所示，根据本实施例的发光二极管封装件100包括发光二极管芯片112、反射部114以及成型部116。并且，本实施例中，显示装置200的其他结构由于和第一实施例相同，因此省略对其的说明。
本实施例中，反射部114包括第一反射部114a以及第二反射部114b。如图所示，第一反射部114a和第二反射部114b布置在发光二极管芯片112上表面的同一平面上。第一反射部114a布置在发光二极管芯片112的中央，第二反射部114b布置为围绕第一反射部114a的形象。据此，如图18b所示，第一反射部114a可以布置在第二反射部114b内。
并且，在本实施例，参照图18a，第一反射部114a的宽度w1可以是第二反射部114b的宽度的大约30％至45％。第一反射部114a可以布置在发光二极管芯片112的上表面中央，可以根据第一反射部114a的反射率而反射部分从发光二极管芯片112发出的光，并使剩下的部分透过。
本实施例中，第一反射部114a的反射率可以与第二反射部114b的反射率不同，第一反射部114a的反射率可以小于第二反射部114b的反射率。
本实施例中，由于发光二极管封装件100被利用为显示装置200的背光单元，为了提高向侧表面的分散效率而使第二反射部114b的反射率大于第一反射部114a的反射率，从而能够提高向侧表面的分散效率，并提高发光二极管芯片112在中心部的出光效率。
对此，将在图19示出模拟结果。布置在图19的上部的图像是示出从根据本实施例的发光二极管封装件100发出的光的分布，下部的图表是照度图表。
图19示出的模拟结果是OD 1mm下的结果，并且是第一反射部114a的反射率为25％，第二反射部114b的反射率为100％时的结果。据此，可确认：如本实施例，通过布置第一反射部114a和第二反射部114b，从发光二极管封装件100发出的光在中心部和侧表面部更加均匀地向外部发出。
本实施例不限于通过设定第一反射部114a和第二反射部114b的反射率而模拟的结果，可以根据需要更改第一反射部114a和第二反射部114b的反射率。即，为了使从发光二极管封装件100发出的光能够均匀地向外部发出，可以改变第一反射部114a以及第二反射部114b的反射率。
并且，在显示装置200布置有发光二极管封装件100的状态下，为了能够向外部发出均匀的光，可以改变第一反射部114a以及第二反射部114b的反射率，并且，可以改变对第一反射部114a以及第二反射部114b的宽度w1、w2的比率。
图20是根据本发明的第九实施例的发光二极管封装件的剖面图，图21是示出根据本发明的第九实施例的发光二极管封装件的照度的图表。
如图20所示，根据本实施例的发光二极管封装件100包括发光二极管芯片112、反射部114以及成型部116。并且本实施例中，显示装置200的其他结构与第一实施例相同，因此省略对其的说明。
在根据本实施例的发光二极管封装件100中，发光二极管芯片112的上部布置有反射部114，并且成型部116布置为覆盖发光二极管芯片112和反射部114。成型部116布置为覆盖布置在发光二极管芯片112的下部的n型电极以及p型电极以外的侧表面和上表面。
并且，成型部116的侧表面可以具有倾斜面inc。成型部116的侧表面的倾斜面inc可以形成为在成型部116的上表面向下方向倾斜，成型部116的所有侧表面可以具有相同的倾斜角度。本实施例中对成型部116是长方体形状的情形进行说明，成型部116的四个侧表面分别是下方向倾斜面inc，据此，从发光二极管芯片112发出的光可以通过倾斜面inc而向外部发出。
图21所示的图表是示出发光二极管封装件100的侧表面为垂直面的情形ref.和发光二极管封装件100的侧表面为50度角的下方向倾斜面inc的情形的照度图表。参照图21可确认，从侧表面是下方向倾斜面inc的发光二极管封装件100发出的光向侧表面方向相对较宽地分散。尤其是，可以确认：从中心点2mm以上的位置的发光二极管封装件100发出的光的照度显示为相对较高，从而能够提高在侧表面方向的分散效率。
虽然本实施例中对发光二极管封装件100的成型部116的侧表面倾斜为50度的情形进行了测试，但下方向倾斜面inc的倾斜角度可以根据需要而变化。随着调节成型部116的倾斜面inc角度，可以提高在侧表面方向的分散效率。
并且，可确认根据本实施例的发光二极管封装件100随着光相对地向侧表面方向分散，从发光二极管封装件100发出的光的中心照度相对减小。据此，具有可以防止在中心部产生热点的长处。
图22是示出根据本发明的第十实施例的发光二极管封装件的剖面图。
参照图22，根据本实施例的发光二极管封装件100包括发光二极管芯片112、反射部114以及成型部116。并且，本实施例中，由于显示装置200的其他结构与第一实施例相同，因此省略对其的说明。
在根据本实施例的发光二极管封装件100中，发光二极管芯片112的上部布置有反射部114，成型部116布置为围绕发光二极管芯片112和反射部114的侧表面。成型部116可以布置为不覆盖布置有反射部114的发光二极管芯片112的上表面，而仅围绕发光二极管芯片112和反射部114的侧表面。并且，可以不覆盖布置在发光二极管芯片112的下部的n型电极以及p型电极。
据此，从发光二极管芯片112的侧表面发出的光可以通过成型部116向外部发出。
此处，反射部114可以反射从发光二极管芯片112发出的光的全部或者一部分。如果反射部114的反射率为100％，则从发光二极管芯片112发出的光会仅从侧表面向外部发出，这样发出的光可以通过成型部116向外部发出。并且，如果反射部114的反射率在100％以下，则从发光二极管芯片112向上部发出的光的一部分可以通过反射部114向外部发出，剩下的光可以通过布置在侧表面的成型部116向外部发出。
如上所述，由于成型部116仅布置在发光二极管芯片112的侧表面，发光二极管封装件100的高度可以小于第一实施例。据此，可以在OD相对较小的显示装置中不使用额外的透镜的同时，取代直下型的背光源单元。
如上所述，参照附图对本发明进行本发明的了具体的说明，但上述实施例仅对本发明的优选例进行了举例说明，因此不应理解为本发明局限于实施例，本发明的权利保护范围应当被理解为所附权利要求书的范围以及其等同概念。

Claims (29)

1.一种发光二极管封装件，包括：
发光二极管芯片；
反射部，布置在所述发光二极管芯片的上表面，反射从所述发光二极管发出的光的至少一部分；以及
成型部，布置为覆盖所述发光二极管芯片以及反射部的上表面以及侧表面，
其中，所述反射部包括：
第一反射部，布置在所述发光二极管芯片的上表面的一部分；以及
第二反射部，布置在所述发光二极管芯片的上表面，并布置为围绕所述第一反射部，
其中，所述第二反射部的反射率大于所述第一反射部的反射率。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，
在所述成型部，从所述反射部的上表面到所述成型部的上表面的厚度小于从所述发光二极管芯片的侧表面到所述成型部的侧表面的宽度。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装件，其中，
在所述成型部，从所述发光二极管芯片的侧表面到所述成型部的侧表面的宽度是从所述反射部的上表面到成型部的上表面的厚度的1.5倍以上且4倍以下。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，
所述成型部包括一种以上的荧光体以及光扩散剂中的任意一个以上。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，
所述反射部包括分布布拉格反射器。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，
所述反射部对从所述发光二极管芯片发出的光的透过率为0％至80％。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，所述成型部包括：
第一成型部，覆盖所述发光二极管芯片以及反射部的上表面以及侧表面；以及
第二成型部，覆盖所述第一成型部的上表面以及侧表面。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装件，其中，
所述第一成型部以及第二成型部中的任意一个以上包括一种以上的荧光体。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装件，其中，
当所述第一成型部以及第二成型部分别包括一种以上的荧光体时，则包括于所述第一成型部以及第二成型部的荧光体的种类互不相同。
10.如权利要求7所述的发光二极管封装件，其中，
所述第二成型部具有比所述第一成型部薄的厚度。
11.如权利要求1所述的发光二极管封装件，其中，
所述成型部的侧表面是倾斜面。
12.如权利要求11所述的发光二极管封装件，其中，
所述倾斜面是下方向倾斜的面。
13.一种发光二极管封装件，其中，包括：
发光二极管芯片；
反射部，布置在所述发光二极管芯片的上表面，反射从所述发光二极管芯片发出的光的至少一部分；以及
成型部，布置在所述发光二极管芯片的侧表面，
其中，所述反射部包括：
第一反射部，布置在所述发光二极管芯片的上表面的一部分；以及
第二反射部，布置在所述发光二极管芯片的上表面，并布置为围绕所述第一反射部，
其中，所述第二反射部的反射率大于所述第一反射部的反射率。
14.如权利要求13所述的发光二极管封装件，其中，
所述反射部在所述发光二极管芯片的上表面向外部暴露。
15.一种显示装置，包括：
框架；
多个发光二极管封装件，规则地布置在所述框架上；
光学部，布置在所述多个发光二极管封装件的上部，包括荧光片以及光学片中的任意一个以上和显示面板，
所述发光二极管封装件包括：
发光二极管芯片；
反射部，布置在所述多个发光二极管的上表面，反射从所述发光二极管芯片发出的光的至少一部分；以及
成型部，布置为覆盖所述发光二极管芯片以及反射部的上表面以及侧表面，
其中，所述反射部包括：
第一反射部，布置在所述发光二极管芯片的上表面的一部分；以及
第二反射部，布置在所述发光二极管芯片的上表面，并布置为围绕所述第一反射部，
其中，所述第二反射部的反射率大于所述第一反射部的反射率。
16.如权利要求15所述的显示装置，其中，
所述框架和光学部之间的距离为1mm以上且15mm以下。
17.如权利要求15所述的显示装置，其中，
在所述成型部，从所述反射部的上表面到所述成型部的上表面的厚度小于从所述发光二极管芯片的侧表面到所述成型部的侧表面的宽度。
18.如权利要求17所述的显示装置，其中，
在所述成型部，从所述发光二极管芯片的侧表面到所述成型部的侧表面的宽度是从所述反射部的上表面到成型部的上表面的厚度的1.5倍以上4倍以下。
19.如权利要求15所述的显示装置，其中，
所述成型部包括一种以上的荧光体以及光扩散剂中的任何一个以上。
20.如权利要求15所述的显示装置，其中，
所述反射部包括分布布拉格反射器。
21.如权利要求15所述的显示装置，其中，
所述反射部对从所述发光二极管芯片发出的光的透过率是0％至80％。
22.如权利要求15所述的显示装置，其中，所述成型部包括：
第一成型部，覆盖所述发光二极管芯片以及反射部的上表面以及侧表面；以及
第二成型部，覆盖所述第一成型部的上表面以及侧表面。
23.如权利要求22所述的显示装置，其中，
在所述第一成型部以及第二成型部中的任意一种以上包括一种以上的荧光体。
24.如权利要求22所述的显示装置，其中，
如果所述第一成型部以及第二成型部分别包括一种以上的荧光体，则包括于所述第一成型部以及第二成型部的荧光体互为不同种类。
25.如权利要求22所述的显示装置，其中，
所述第二成型部具有比所述第一成型部薄的厚度。
26.如权利要求15所述的显示装置，其中，
所述成型部的侧表面为倾斜面。
27.如权利要求26所述的显示装置，其中，
所述倾斜面是下方向倾斜的面。
28.一种显示装置，其中，包括：
框架；
多个发光二极管封装件，规则地布置在所述框架上；
光学部，布置在多个所述发光二极管封装件上部，包括荧光片以及光学片中的任意一个以上和显示面板，
所述发光二极管封装件包括：
发光二极管芯片；
反射部，布置在所述发光二级管芯片的上表面，反射从所述发光二极管芯片发出的光的至少一部分；以及
布置在所述发光二极管芯片的侧表面的成型部，
其中，所述反射部包括：
第一反射部，布置在所述发光二极管芯片的上表面的一部分；以及
第二反射部，布置在所述发光二极管芯片的上表面，并布置为围绕所述第一反射部，
其中，所述第二反射部的反射率大于所述第一反射部的反射率。
29.如权利要求28所述的显示装置，其中，
所述反射部在所述发光二极管芯片的上表面向外部暴露。
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