CN109994627B - 一种复合材料及其制备方法、应用 - Google Patents
一种复合材料及其制备方法、应用 Download PDFInfo
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Abstract
本发明属于显示器件领域,提供了一种复合材料及其制备方法、应用。本发明提供的PMMA包覆BiOI的复合材料,结合了两种材料的特性,从而能够调节电子和空穴的平衡:一方面核BiOI具有较窄的带隙的特点,能最大限度地吸收可见光,电子从价带跃迁到导带,产生电子‑空穴对;另一方面核BiOI具有独特的层状结构,使相应的原子和原子轨道有足够的空间被极化,能有效地实现光生电子‑空穴对的分离;同时,BiOI属于间接带隙化合物,被激发的电子不能直接回到价带,抑制了电子和空穴的复合;并且PMMA壳层,能够有效阻挡能量较低的光生电子而使能量较高的光生电子逃逸。
Description
技术领域
本发明属于显示器件领域,尤其涉及一种复合材料及其制备方法、应用。
背景技术
量子点材料由于其具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、量子产额高等优点,加上可利用于印刷工艺制备,所以基于量子点的发光二极管(Quantum Dot LightEmitting Diode,QLED)近来受到人们的普遍关注,其器件性能指标也发展迅速。
目前,尽管通过对量子点材料的改进以及QLED器件结构的不断优化,现有的QLED器件的效率和寿命都得到大幅度的提高,但是其效率与产业化生产的要求还是相差较远。其中,载流子的注入不平衡是影响QLED的器件效率的一个主要原因。例如,在蓝光QLED器件中,电子属于少子,要提高器件的性能,必然要增加电子注入。
因此,现有的蓝光器件由于载流子的注入不平衡而具有较低的效率和寿命,若能在实际制备显示器件的过程中,尤其是采用打印方法制备时,如果能用一种材料,使用一个墨盒,有效提高蓝光QLED器件的载流子平衡,将大大优化制备流程,降低生产成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种复合材料及其制备方法、应用,旨在解决现有的蓝光器件由于载流子的注入不平衡而具有较低的效率和寿命、制备成本高的问题。
本发明提供了一种复合材料,所述复合材料由内核和包覆所述内核的壳层形成,所述内核为BiOI,所述壳层为PMMA。
本发明提供了一种复合材料的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:
提供BiOI,通过偶联剂对BiOI进行表面改性,得到改性BiOI;
将所述改性BiOI分散于极性溶剂中,搅拌均匀后加入甲基丙烯酸甲酯单体进行反应,得到表面结合甲基丙烯酸甲酯单体改性BiOI的混合溶液;
将所述混合溶液进行搅拌加热,并加入引发剂进行聚合反应,使甲基丙烯酸甲酯单体聚合生成PMMA,分离提纯,干燥,得到PMMA包覆BiOI的复合材料。
本发明还提供了一种发光器件,所述发光器件包括阳极、蓝光量子点发光层、修饰层、阴极,所述蓝光量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间,所述修饰层设置在蓝光量子点发光层与阴极之间,所述修饰层由如上所述的复合材料组成。
本发明还提供了一种发光器件的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:
提供预制器件,在预制器件上沉积蓝光量子点发光层;
在所述蓝光量子点发光层上沉积复合材料形成修饰层,所述复合材料为如上所述的复合材料或如上所述制备方法制备的复合材料;或者
提供预制器件,在预制器件上沉积复合材料形成修饰层,所述复合材料为如上所述的复合材料或如上所述制备方法制备的复合材料;
在所述修饰层上沉积蓝光量子点发光层。
本发明提供的复合材料,结合了BiOI和PMMA材料的特性,能够调节电子和空穴的平衡:一方面BiOI具有较窄的带隙(~1.8eV)的特点,能最大限度地吸收可见光,这样电子从价带跃迁到导带,产生电子-空穴对;另一方面BiOI具有独特的层状结构,使相应的原子和原子轨道有足够的空间被极化,能有效地实现光生电子-空穴对的分离;同时,BiOI属于间接带隙化合物,被激发的电子不能直接回到价带,抑制了电子和空穴的复合;并且PMMA壳层,能够有效阻挡能量较低的光生电子而使能量较高的光生电子逃逸。本发明提供的复合材料的制备方法操作简单,成本低,利于材料的规模化生产。
本发明提供的发光器件及其制备方法,在蓝光量子点发光层和阴极之间引入了上述复合材料组成的修饰层,能够调节电子注入效率,使电子和空穴平衡,提高器件的效率。本发明提供的发光器件的制备方法操作简单,成本低,利于器件的规模化生产。
附图说明
图1是本发明的一个实施例提供的发光器件的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明实施例提供了一种复合材料,该复合材料由内核和包覆内核的壳层形成,其中,内核为BiOI,壳层为PMMA。
其中,BiOI主要通过溶液聚合方法,利用偶联剂先对BiOI进行改性后与PMMA壳层结合。偶联剂具体为硅烷偶联剂,可以为甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷(MPS)、3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)或其他硅烷偶联剂,使其带有的烷氧基团直接与BiOI表面的羟基发生反应,从而接枝到BiOI粒子表面,达到改性的目的,提高聚合物与BiOI粒子之间的兼容性,以促进BiOI粒子后续与PMMA结合。PMMA壳层的厚度为1-5nm,在此范围内,有利于复合材料的分散,并且发挥其在不同色器件中的调控作用,即有利于蓝光器件中产生的光生电子从PMMA壳层逃离出来,又有效阻挡红光器件中产生的光生电子的逃离。
具体地,由于复合材料为PMMA包覆BiOI形成的复合材料,因而该材料具有BiOI和PMMA壳层相结合的功能特点:BiOI具有较窄的带隙(~1.8eV)能最大限度地吸收可见光,这样电子从价带跃迁到导带,产生电子-空穴对;BiOI具有独特的层状结构,特殊的层状结构使相应的原子和原子轨道有足够的空间被极化,能有效地实现光生电子-空穴对的分离;其次BiOI属于间接带隙化合物,被激发的电子不能直接回到价带,抑制了电子和空穴的复合;PMMA壳层,能够有效阻挡能量较低的光生电子而使能量较高的光生电子逃逸。
本发明实施例提供的复合材料,一方面能够产生电子-空穴对,同时有效地实现光生电子-空穴对的分离并抑制电子和空穴的复合;另一方面能够有效阻挡能量较低的光生电子而使能量较高的光生电子逃逸。因而复合材料能够有效的调节载流子的注入平衡。
本发明实施例提供了对应上一实施例复合材料的制备方法。该制备方法包括如下步骤:
步骤S11:提供BiOI,通过偶联剂对BiOI进行表面改性,得到改性BiOI。
在本发明实施例中,为提高聚合物与BiOI粒子之间的兼容性,先用偶联剂对表面进行改性,以促进BiOI粒子后续与PMMA的结合;偶联剂具体为硅烷偶联剂,可以为甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷(MPS)、3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)或其他硅烷偶联剂,使其带有的烷氧基团直接与BiOI表面的羟基发生反应,从而接枝到BiOI粒子表面,达到改性的目的。
步骤S12:将改性BiOI分散于极性溶剂中,搅拌均匀后加入甲基丙烯酸甲酯单体进行反应,得到表面结合甲基丙烯酸甲酯单体改性BiOI的混合溶液。
在本发明实施例中,采用溶液聚合法在改性BiOI表面接枝疏水性单体甲基丙烯酸甲酯(MMA),实质上是BiOI通过偶联剂与PMMA壳层结合。其中,极性溶剂包括但不限于N,N-二甲基甲酰胺(DMF)。
步骤S13:将混合溶液进行搅拌加热,并加入引发剂进行聚合反应,使甲基丙烯酸甲酯单体聚合生成PMMA,分离提纯,干燥,得到PMMA包覆BiOI的复合材料。
在本发明实施例中,步骤S13具体可以是将步骤12获得的混合溶液不断地磁力揽拌下,缓慢加热,并加入引发剂在缓慢的氮气气流下进行聚合反应,使甲基丙烯酸甲酯单体聚合生成PMMA,得到PMMA包覆BiOI的复合材料溶液,继而对所获得的样品进行分离提纯,洗涤干燥,最终获得PMMA包覆BiOI的复合材料。
在本发明实施例中,在步骤12中加入的单体量一定的情况下,在实际制备过程中可以通过控制引发剂的加入量来控制PMMA层的厚度,将其厚度控制在1-5nm,在此范围内,有利于复合材料的分散,并且发挥其在不同色器件中的调控作用,即有利于蓝光器件中产生的光生电子从PMMA层逃离出来,又有效阻挡红光器件中产生的光生电子的逃离。其中,引发剂包括但不限于硫酸钾(KPS)。
以下举例进一步说明复合材料的制备方法:
(1)用电子天平称取BiOI的质量为1.0g,移液管量取15mL的无水甲苯置于100mL的三口烧瓶内,在超声波清洗仪内超声约1min,使之混合均匀。
(2)称取2.0g的硅烷偶联剂MPS于上述(1)无水甲苯和BiOI的混合溶液中,并用N2将瓶内的空气内赶尽,将此三口烧瓶加上冷凝回流装置并浸入油浴锅内,调节油浴锅的转速为400r/min,在N2条件下,逐步升温到110℃,反应12h。
(3)将该反应体系暴露于空气中冷却至室温,然后用无水甲苯在超声下离心、分离,洗涤数次干净后,置于真空中,50℃干燥24h,最终得到改性的BiOI-MPS粉末。
(4)称取0.3g的改性的BiOI-MPS粉末分散于15ml N,N-二甲基甲酰胺(DMF),超声1分钟后,加入10.65ml单体MMA,并将此分散混合溶液转移100ml的有N2入口和冷凝回流的三口瓶中,继续超声分散,然后用N2将瓶内空气赶尽。
(5)将上述(4)溶液在1h内,不断地磁力揽拌下,缓慢加热到70℃,加入引发剂KPS,在缓慢的氮气气流下70℃反应3h,得到PMMA包覆BiOI的复合材料,之后对所得样品用四氢呋喃离心、洗涤4次,然后置于真空干燥箱50℃干燥,备用。
本发明实施例提供的一种复合材料的制备方法,通过溶液聚合方法用PMMA包覆BiOI,获得能够用于调节载流子注入平衡的复合材料,其操作简单,成本低,利于材料的规模化生产。
本发明实施例提供了一种发光器件,包括阳极、蓝光量子点发光层、修饰层、阴极,蓝光量子点发光层设置在阳极与阴极之间,修饰层设置在蓝光量子点发光层与阴极之间,修饰层由上一实施例所述的复合材料或上一实施例所述制备方法制备的复合材料组成。
其中,发光器件可以为正置结构也可以为倒置结构。进一步地,发光器件还可以包括设置在阳极与蓝光量子点发光层之间的空穴功能层;和/或设置在阴极与修饰层之间的电子功能层。
以正置结构的发光器件为例,在其中一个实施例中,如图1所示,发光器件包括依次设置的基板1、阳极2、空穴功能层3、蓝光量子点发光层4、修饰层5、电子功能层6以及阴极7。需要注意的是,以下对正置结构的发光器件各层的描述同样适用于倒置结构的发光器件。
在本发明实施例中,基板1的选用不受限制,可以采用柔性衬底,也可以采用硬质衬底;阳极2由常规的阳极材料制成,优选地可以是ITO导电玻璃。
在本发明实施例中,空穴功能层3包括空穴注入层和/或空穴传输层,其中,空穴注入层较佳的厚度为1nm-100nm,空穴传输层较佳的厚度为1nm-100nm。
在本发明实施例中,蓝光量子点发光层4的材料主要为常见的蓝光量子点。
在本发明实施例中,修饰层5由上一实施例所述的复合材料或上一实施例所述制备方法制备的复合材料组成,其厚度约为1-10nm,厚度过厚会严重影响电子的注入,降低器件的性能。修饰层5与蓝光量子点发光层4层叠设置,且靠近阴极的一侧,由于蓝光量子点的发光器件中电子属于为少子,即电子数量少于空穴数量,在外加电场的作用下,蓝光量子点发射蓝光,其中,射向阴极的光(约2.67ev)被PMMA包覆BiOI的复合材料的核BiOI吸收,产生电子与空穴,由于蓝光量子点发射的较高能量的蓝光能够使BiOI产生的光生电子从几个纳米厚的PMMA壳层逃逸出来,这些电子在外加电场的作用下又会注入蓝色量子点中,从而提高了电子的注入,使电子和空穴平衡,提高器件的效率。
在本发明实施例中,电子功能层6包括电子传输层和/或电子注入层,其中电子传输层优选具有高的电子传输性能的n型氧化锌,其较佳的厚度为30-60nm;电子注入层材料可以选择低功函数的Ca,Ba等金属,也可以选择CsF,LiF,CsCO3等化合物,还可以是其它电解质型电子传输层材料ZnAlO、ZnMgO、TiO2。
在本发明实施例中,阴极7材料的选用不受限制,可以为Ag、Al、Cu、Au以及合金电极中的一种。其较佳的厚度为60-120nm。
本发明实施例提供的发光器件,在蓝光量子点发光层和阴极之间引入了由PMMA包覆BiOI的复合材料组成的修饰层,能够调节电子注入效率,使电子和空穴平衡,提高器件的效率。
以上实施例为针对于将复合材料应用于蓝色的发光器件的描述,值得注意的是,该复合材料也可以应用于白光显示器件中,且上一实施例中蓝色的发光器件各层的描述同样适用于白光显示器件,区别点仅在于白光显示器件中,量子点发光层中的材料为常见的红、绿、蓝光量子点。
对于白光显示器件中,对蓝光量子点的作用机理同上一实施例。当其置于绿色量子点和电子功能层之间时,由于绿光量子点器件中电子和空穴基本平衡,在外加电场下,绿光量子点发出绿光,其中射向阴极的光(约2.23ev)被PMMA包覆BiOI的复合材料的BiOI吸收,产生电子与空穴,此时光生电子能量小于2.23ev,只有少量电子可以从几个纳米厚的PMMA壳层逃逸出来,在外加电场作用下,这部分光生电子或注入绿色量子点中;而修饰层因含有PMMA绝缘材料,同时又能阻挡部分从阴极到量子点层的电子,从而使得量子点发光层的电子和空穴能够平衡,提高器件的效率。当其置于红色量子点和电子功能层之间时,由于红光量子点器件中电子属于为多子,即电子数量多于空穴数量,在外加电场的作用下,红光量子点发出红光,其中射向阴极的光(约1.97ev)被该复合材料的BiOI吸收,此时红光波长已接近BiOI的吸收带边,产生少量电子与空穴,并且光生电子的能量较低,被PMMA壳层所阻挡,此时该复合材料主要起减缓阴极向发光层的电子注入的作用,使电子和空穴平衡,提高器件的效率。
基于综上所述,当将PMMA包覆BiOI的复合材料应用于白光显示器件时,可以有效提高器件中载流子的平衡,从而有效提高器件的发光性能。
本发明实施例提供了一种发光器件的制备方法,用于制备出对应上一实施例的发光器件。
具体地,当制备的发光器件为正型结构器件时,该制备方法包括以下步骤:
步骤S21:提供预制器件,在预制器件上沉积蓝光量子点发光层。
在本发明实施例中,所提供的预制器件可以为包括基板、阳极,蓝光量子点发光层沉积于阳极上;或者包括基板、阳极、空穴功能层,蓝光量子点发光层位于空穴功能层上,其中空穴功能层可以为空穴注入层、空穴传输层中的至少一层。
步骤S22:在蓝光量子点发光层上沉积复合材料形成修饰层,该复合材料为上一实施例所述的复合材料或上一实施例所述制备方法制备的复合材料。
具体地,当制备的发光器件为反型结构器件时,该制备方法包括以下步骤:
步骤S31:提供预制器件,在预制器件上沉积复合材料形成修饰层,复合材料为上一实施例所述的复合材料或上一实施例所述制备方法制备的复合材料。
在本发明实施例中,所提供的预制器件可以为包括基板、阴极,修饰层沉积于阴极上;或者包括基板、阴极、电子功能层,修饰层位于电子功能层上,其中电子功能层可以为电子注入层、电子传输层中的至少一层。
步骤S32:在修饰层上沉积蓝光量子点发光层。
进一步地,在本发明实施例中,在步骤S22之后还包括:
步骤S23:在修饰层上依次沉积电子功能层以及阴极。
在步骤S32之后还包括:
步骤S33:在蓝光量子点发光层上依次沉积空穴功能层以及阳极。
在本发明实施例中,步骤S21、步骤S22、步骤S23、步骤S31、步骤S32以及步骤S33中涉及的基板、阳极、空穴功能层、蓝光量子点发光层、修饰层、电子功能层以及阴极的相关描述与前述实施例中对应涉及的基板、阳极、空穴功能层、蓝光量子点发光层、修饰层、电子功能层以及阴极的描述一致,在此不再描述。
在本发明实施例中,在上述步骤中涉及的沉积的方法可以是化学法或物理法,其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种;物理法包括但不限于物理镀膜法或溶液法,其中溶液法包括但不限于旋涂法、转印法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法;物理镀膜法包括但不限于热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或多种。
在本发明实施例中,步骤S22和步骤S31中,修饰层的厚度控制在1-10nm,厚度过厚会严重影响电子的注入,降低器件的性能;同时复合材料沉积时,控制溶液或墨水的浓度为0.5-8mg/ml,浓度过大,材料不易溶解分散,且影响制备得到的薄膜的透明度,浓度过低则无法有效吸收量子点射向阴极的光,即不能有效调控电子的注入。
进一步地,以正型结构的发光器件且空穴功能层包括设置在阳极上的空穴注入层、空穴传输层,电子功能层包括设置在修饰层上的电子传输层和/或电子注入层为例,举例性地说明制备方法:
(1)将干净的ITO基板用氧气等离子体或紫外-臭氧处理ITO基板表面处理,以进一步除去ITO表面附着的有机物并提高ITO的功函数,此过程也可采用紫外-臭氧处理来完成。
(2)在处理过的ITO基板表面沉积一层空穴注入层,控制层的厚度1-100nm,空穴注入材料可以是水溶性的PEDOT:PSS,也可以是其它具有良好空穴注入性能的材料,此处优选PEDOT:PSS作为空穴注入层。
(3)将基板置于氮气气氛中,在空穴注入层表面沉积一层空穴传输层,此空穴传输材料可以是常用的PVK,Poly-TPD,也可以是他们的混合物,还可以是其它高性能的空穴传输材料,所沉积的空穴传输层厚度1-100nm。
(4)在空穴传输层上沉积一层蓝光量子点发光层,其材料为常见的蓝光量子点。
(5)再沉积一层PMMA包覆BiOI的复合材料,控制厚度为1-10nm,同时复合材料溶液或墨水的浓度为0.5-8mg/ml。
(6)再沉积一层电子传输层和/或电子注入层,其中电子传输层优选具有高的电子传输性能的n型氧化锌,其较佳的厚度为30-60nm;电子注入层材料可以选择低功函数的Ca,Ba等金属,也可以选择CsF,LiF,CsCO3等化合物,还可以是其它电解质型电子传输层材料,例如ZnAlO、ZnMgO、TiO2。
(7)最后,将片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层阴极,厚度60-120nm,得到发光器件。
更进一步地,以下给出上述制备方法的具体实施例:
实施例1
(1)首先,将图案化的ITO基板按次序置于丙酮,洗液,去离子水以及异丙醇中进行超声清洗,以上每一步超声均需持续15分钟左右。待超声完成后将ITO放置于洁净烘箱内烘干备用。
(2)待ITO基板烘干后,用紫外-臭氧处理处理ITO表面5分钟以进一步除去ITO表面附着的有机物并提高ITO的功函数。
(3)在处理过的ITO基板表面打印一层PEDOT:PSS,此层厚度30nm,并将基板置于150℃的加热台上加热30分钟以除去水分,此步需在空气中完成。
(4)将干燥后的涂有空穴注入层的基板置于氮气气氛中,打印一层空穴传输层材料TFB,此层的厚度为30nm,然后再10pa压力下抽真空30min以除去溶剂,并将其置于150℃的加热台上加热30分钟。
(5)待上一步处理的片子冷却后,将蓝光量子点墨水分别打印在TFB表面,其厚度为20nm。这一步的沉积完成后将片子置于10pa压力下抽真空30min以除去溶剂,然后放置在80℃的加热台上加热10分钟,除去残留的溶剂。
(6)待片子冷却后,再将浓度为4mg/ml的BiOI-PMMA复合材料墨水打印在量子点层上,然后再10pa压力下抽真空30min以除去溶剂,随后将其置于80℃的加热台上加热10分钟以除去溶剂。随后,再沉积电子传输层ZnO,其厚度为30nm。
(7)最后,将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的铝作为阴极,厚度为100nm。器件制备完成。
实施例2
(1)将图案化的ITO基板按次序置于丙酮,洗液,去离子水以及异丙醇中进行超声清洗,以上每一步超声均需持续15分钟左右。待超声完成后将ITO放置于洁净烘箱内烘干备用。
(2)待ITO基板烘干后,用紫外-臭氧处理处理ITO表面5分钟以进一步除去ITO表面附着的有机物并提高ITO的功函数。
(3)在处理过的ITO基板表面旋涂一层PEDOT:PSS,此层厚度30nm,并将基板置于150℃的加热台上加热30分钟以除去水分,此步需在空气中完成。
(4)将干燥后的涂有空穴注入层的基板置于氮气气氛中,旋涂一层空穴传输层材料PVK,此层的厚度为30nm,并将其置于150℃的加热台上加热30分钟以除去溶剂。
(5)待上一步处理的片子冷却后,将蓝光量子点发光层旋涂在PVK表面,其厚度为20nm。这一步的沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热10分钟,除去残留的溶剂。
(6)待片子冷却后,再将浓度为8mg/ml的BiOI-PMMA溶液旋涂在量子点层上,随后将其置于80℃的加热台上加热10分钟以除去溶剂。随后,再旋涂一层电子传输层ZnO,其厚度为30nm。
(7)最后,将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的铝作为阴极,厚度为100nm。器件制备完成。
本发明提供的发光器件的制备方法,通过在蓝光量子点发光层和阴极之间引入了由PMMA包覆BiOI的复合材料组成的修饰层,能够调节电子注入效率,使电子和空穴平衡,提高器件的效率,同时,该制备方法操作简单,成本低,利于器件的规模化生产。
以上仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种复合材料,其特征在于,所述复合材料由内核和包覆所述内核的壳层形成,所述内核为BiOI,所述壳层为PMMA;
其中,所述壳层的厚度为1-5nm;
所述复合材料用于量子点发光器件,且所述复合材料设置于蓝光量子点发光层与阴极之间。
2.如权利要求1所述的复合材料,其特征在于,所述BiOI通过偶联剂与所述PMMA结合。
3.如权利要求2所述的复合材料,其特征在于,所述偶联剂为甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷中至少的一种。
4.一种复合材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
提供BiOI,通过偶联剂对BiOI进行表面改性,得到改性BiOI;
将所述改性BiOI分散于极性溶剂中,搅拌均匀后加入甲基丙烯酸甲酯单体进行反应,得到表面结合甲基丙烯酸甲酯单体改性BiOI的混合溶液;
将所述混合溶液进行搅拌加热,并加入引发剂进行聚合反应,使甲基丙烯酸甲酯单体聚合生成PMMA,分离提纯,干燥,得到PMMA包覆BiOI的复合材料;
其中,PMMA层的厚度为1-5nm;
所述复合材料用于量子点发光器件,且所述复合材料设置于蓝光量子点发光层与阴极之间。
5.一种量子点发光器件,其特征在于,所述量子点发光器件包括阳极、蓝光量子点发光层、修饰层、阴极,所述蓝光量子点发光层设置在所述阳极与所述阴极之间,所述修饰层设置在蓝光量子点发光层与阴极之间,所述修饰层由权利要求1-3任一所述的复合材料组成。
6.如权利要求5所述的量子点发光器件,其特征在于,所述量子点发光器件还包括设置在所述阳极与所述蓝光量子点发光层之间的空穴功能层;和/或
设置在所述阴极与所述修饰层之间的电子功能层。
7.如权利要求5或6所述的量子点发光器件,其特征在于,所述修饰层的厚度为1-10nm。
8.一种发光器件的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
提供预制器件,在预制器件上沉积蓝光量子点发光层;
在所述蓝光量子点发光层上沉积复合材料形成修饰层,所述复合材料为权利要求1-3任一项所述的复合材料或权利要求4所述制备方法制备的复合材料;或者
提供预制器件,在预制器件上沉积复合材料形成修饰层,所述复合材料为权利要求1-3任一项所述的复合材料或权利要求4所述制备方法制备的复合材料;
在所述修饰层上沉积蓝光量子点发光层。
9.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述复合材料沉积时溶液的浓度为0.5-8mg/ml。
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