CN109994545A - 一种hemt外延结构及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种HEMT外延结构及其制备方法，属于半导体光电技术领域。纳米镍层的材料活性较高，可在衬底上良好生长，并且AlN层也可在纳米镍层上良好生长，在衬底上直接生长的纳米镍层可起到良好的连接衬底与AlN层的作用，有利于提高在纳米镍层上生长的AlN层的质量。而由于多个岛状结构的存在，岛状结构上存在一定的坡度，AlN层在衬底上逐渐向远离衬底的第一表面的方向纵向生长时，AlN层会同时朝向平行第一表面的方向横向生长。AlN层在纵向生长与横向生长时，会在AlN层内产生不同方向的位错缺陷，AlN层纵向生长时产生的部分位错缺陷会与AlN层横向生长时产生的部分位错缺陷相抵消，缺陷的减少可提高AlN层的晶体质量，提高最终得到的HEMT的质量。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光电技术领域，特别涉及一种HEMT外延结构及其制备方法。
背景技术
HEMT(High Electron Mobility Transistor，高电子迁移率晶体管)是一种异质结场效应晶体管，其广泛应用于各种电器内。HEMT外延结构是制备HEMT器件的基础，当前一种HEMT外延结构包括衬底与依次层叠在衬底上的AlN层、纳米镍层、GaN层、AlGaN势垒层与GaN盖层，其中衬底可为碳化硅衬底、蓝宝石衬底或单晶硅衬底。
其中，AlN层与纳米镍层可在衬底与GaN层之间起到缓冲作用，提高在碳化硅衬底、蓝宝石衬底或单晶硅衬底上生长的GaN层的质量。但由于衬底上生长的AlN层与纳米镍层的质量不够理想，最终生长得到的GaN层的晶体质量也不够好，进而影响HEMT的质量。
发明内容
本发明实施例提供了一种HEMT外延结构及其制备方法，能够提高HEMT的质量。所述技术方案如下：
本发明实施例提供了一种HEMT外延结构，所述HEMT外延结构包括衬底及依次层叠在所述衬底上的纳米镍层、AlN层、AlGaN缓冲层、GaN层、AlGaN势垒层与GaN盖层，
所述纳米镍层包括设置在所述衬底上的多个岛状结构，所述多个岛状结构分布在所述衬底上，所述衬底层叠所述纳米镍层的一个表面为第一表面，所述多个岛状结构在所述第一表面上的投影均不重合。
可选地，所述纳米镍层的厚度为100～1000nm。
可选地，所述AlN层的最大厚度小于所述纳米镍层的厚度。
可选地，所述AlGaN缓冲层的最大厚度与所述AlN层的最大厚度之和小于所述纳米镍层的厚度。
本发明实施例提供了一种HEMT外延结构的制备方法，所述制备方法包括：
提供一衬底；
采用磁控溅射的方式在所述衬底上沉积纳米镍膜，对所述纳米镍膜进行退火，在所述衬底上形成纳米镍层，
所述纳米镍层包括设置在所述衬底上的多个岛状结构，所述多个岛状结构分布在所述衬底上，所述衬底层叠所述纳米镍层的一个表面为第一表面，所述多个岛状结构在所述第一表面上的投影均不重合；
在所述纳米镍层上生长AlN层；
在所述AlN层上生长AlGaN缓冲层；
在所述AlGaN缓冲层上生长GaN层；
在所述GaN层上生长AlGaN势垒层；
在所述AlGaN势垒层上生长GaN盖层。
可选地，所述纳米镍膜在氨气氛围下进行退火。
可选地，对所述纳米镍膜进行退火时，向反应腔内持续通入100～3000sccm的氨气。
可选地，所述纳米镍膜的退火时长为10～500min。
可选地，所述纳米镍膜的溅射时长为100～10000s。
可选地，所述纳米镍膜的溅射温度为20～300℃。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：纳米镍层的材料活性较高，可在衬底上良好生长，并且AlN层也可在纳米镍层上良好生长，在衬底上直接生长的纳米镍层可起到良好的连接衬底与AlN层的作用，有利于提高在纳米镍层上生长的AlN层的质量。而由于多个岛状结构的存在，岛状结构上存在一定的坡度，使得AlN层在衬底上逐渐向远离衬底的第一表面的方向纵向生长时，AlN层会同时朝向平行第一表面的方向横向生长。AlN层在纵向生长与横向生长时，会在AlN层内产生不同方向的位错缺陷，AlN层纵向生长时产生的部分位错缺陷会与AlN层横向生长时产生的部分位错缺陷相抵消，缺陷的减少可提高AlN层的晶体质量，提高最终得到的HEMT的质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种HEMT外延结构的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种HEMT外延结构的制备方法流程图；
图3是本发明实施例提供的纳米镍膜的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的纳米镍层的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本发明实施例提供的一种HEMT外延结构的结构示意图，如图1所示，该HEMT外延结构包括衬底1及依次层叠在衬底1上的纳米镍层2、AlN层3、AlGaN缓冲层4、GaN层5、AlGaN势垒层6与GaN盖层7。
纳米镍层2包括设置在衬底1上的多个岛状结构21，多个岛状结构21分布在衬底1上，衬底1层叠纳米镍层2的一个表面为第一表面11，多个岛状结构21在第一表面11上的投影均不重合。
纳米镍层2的材料活性较高，可在衬底1上良好生长，并且AlN层3也可在纳米镍层2上良好生长，在衬底1上直接生长的纳米镍层2可起到良好的连接衬底1与AlN层3的作用，有利于提高在纳米镍层2上生长的AlN层3的质量。而由于多个岛状结构21的存在，岛状结构21上存在一定的坡度，AlN层3在衬底1上逐渐向远离衬底1的第一表面11的方向纵向生长时，AlN层3会同时朝向平行第一表面11的方向横向生长。AlN层3在纵向生长与横向生长时，会在AlN层3内产生不同方向的位错缺陷，AlN层3纵向生长时产生的部分位错缺陷会与AlN层3横向生长时产生的部分位错缺陷相抵消，缺陷的减少可提高AlN层3的晶体质量，提高最终得到的HEMT的质量。
且传统方法中仅纵向生长的AlN层3在生长时产生的位错均会朝向AlN层3与AlGaN缓冲层4的界面处移动，影响AlN层3上生长的AlGaN缓冲层4的质量。而AlN层3在横向生长时产生的位错缺陷会沿平行第一表面11的方向移动至AlN层3的侧壁或者岛状结构21与AlN层3的交界处，而不是移动至AlN层3与AlGaN缓冲层4的界面处。相对减少了移动至AlN层3与AlGaN缓冲层4的界面处的位错缺陷，提高了AlN层3与AlGaN缓冲层4相接处的表面质量，AlN层3上生长的AlGaN缓冲层4的质量较好，提高了AlGaN缓冲层4之后生长的外延结构的质量，最终得到的HEMT的质量得到提高。
可选地，衬底1可为硅衬底。使用硅衬底的成本较低，能够得到的HEMT外延结构的质量也较好。
在本发明的其他实施例中，衬底1也可采用其他材料制作，本发明对此不做限制。
可选地，纳米镍层2的厚度可为100～1000nm。此时得到的HEMT外延结构的质量较好。
在本发明实施例提供的一种情况中，纳米镍层2的厚度可为200nm。此时在纳米镍层2上生长得到的AlGaN缓冲层4的质量较好。
示例性地，AlN层3的生长厚度可为50～400nm。可保证在AlN层3上生长的AlGaN缓冲层4的质量。
其中，AlN层3的最大厚度可小于纳米镍层2的厚度。此时AlN层3在纳米镍层2上生长时，AlN层3背离衬底1的一个表面会存在与岛状结构21表面相似的坡度，这种结构也可使得在AlN层3上生长的AlGaN缓冲层4中的缺陷减少，进一步提高HEMT外延结构整体的晶体质量。
可选地，AlGaN缓冲层4的生长厚度可为200～1000nm，此时得到的HEMT外延结构整体的晶体质量较好。
其中，AlGaN缓冲层4的最大厚度与AlN层3的最大厚度之和小于纳米镍层2的厚度。这种设置可使得AlGaN缓冲层4背离衬底1的一个表面会存在与岛状结构21表面相似的坡度，可减小AlGaN缓冲层4上生长的GaN层5中的缺陷减少，HEMT外延结构整体的晶体质量得到提高。
可选地，GaN层5的生长厚度可为300～1000nm。得到的HEMT外延结构整体的晶体质量较好。
AlGaN势垒层6的生长厚度可为5～50nm。得到的HEMT外延结构整体的晶体质量较好。
可选地，GaN盖层7的生长厚度可为1～20nm。得到的HEMT外延结构整体的晶体质量较好。
需要说明的是，在本发明实施例中所提到的厚度均指外延结构在垂直衬底1的第一表面11的方向上的厚度。
图2本发明实施例提供的一种HEMT外延结构的制备方法流程图，如图2示，该制备方法包括：
S1：提供一衬底。
其中，衬底可为硅衬底。
S2：用磁控溅射的方式在衬底上沉积纳米镍膜，对纳米镍膜进行退火，在衬底上形成纳米镍层。
纳米镍层包括设置在衬底上的多个岛状结构，多个岛状结构分布在衬底上，衬底层叠纳米镍层的一个表面为第一表面，多个岛状结构在第一表面上的投影均不重合。
可选地，纳米镍膜的溅射时长可为100～10000s。纳米镍膜的溅射时长在以上范围内时，可使得到的纳米镍膜的厚度较为合适，在后续退火时转化得到的纳米镍层的质量较好。
可选地，纳米镍膜的溅射压力可为0.1～5Torr。得到的纳米镍膜中原子之间的联接较为合理，便于后续纳米镍层的制备。
示例性地，纳米镍膜的溅射温度可为20～300℃。此时得到的纳米镍膜的质量较好。
步骤S2中，纳米镍膜可在氨气氛围下进行退火。氨气可提高纳米镍膜材料的活性，最终得到在衬底上生长良好的纳米镍膜。
示例性地，对纳米镍膜进行退火时，可向反应腔内持续通入100～3000sccm的氨气。在此条件下得到的纳米镍层的质量较好。
在本发明实施例提供的一种情况中，向反应腔内持续通入的氨气的流量可为500sccm。
可选地，纳米镍膜的退火时长可为10～500min。退火时长在以上范围内可保证纳米镍膜中的原子充分断裂与重聚，最终得到包括多个岛状结构的纳米镍层。
示例性地，纳米镍膜的退火温度可为600～1000℃。此条件下得到的纳米镍层的质量较好。
在本发明实施例提供的一种情况中，纳米镍膜的退火温度可为700℃。能够得到质量较好的纳米镍层。
需要说明的是，纳米镍膜为层叠在衬底的第一表面上的薄膜结构。
为便于理解，此处提供图3与图4，图3是本发明实施例提供的纳米镍膜的结构示意图，图4是本发明实施例提供的纳米镍层的结构示意图。结合图1、图3与图4，图3中纳米镍膜10已在衬底1上沉积完成，但纳米镍膜10还没有进行退火，图4中纳米镍膜10已经过退火，转化为纳米镍层2。
S3：纳米镍层上生长AlN层。
其中，AlN层的生长温度可为1000～1200℃，AlN层的生长压力可为100～500Torr。在此条件下可得到质量较好的AlN层。
可选地，AlN层的生长厚度可为50～400nm。可保证AlN层的生长质量。
S4：AlN层上生长AlGaN缓冲层。
可选地，在AlN层上生长AlGaN缓冲层时，向反应腔内通入10～50sccm的Al源。得到的AlGaN缓冲层的质量较好，保证在AlGaN缓冲层上生长的外延结构的质量。
步骤S4中，AlGaN缓冲层的生长温度可为1000～1200℃，AlGaN缓冲层的生长压力可为100～500Torr。
可选地，AlGaN缓冲层的生长厚度可为200～1000nm，此时得到的HEMT外延结构整体的晶体质量较好。
S5：AlGaN缓冲层上生长GaN层。
其中，GaN层的生长温度可为1000～1100℃，GaN层的生长压力可为100～400Torr。在此条件下可得到质量较好的GaN层。
可选地，GaN层的生长厚度可为300～1000nm。可保证在GaN层上生长的纳米镍层的质量。
S6：GaN层上生长AlGaN势垒层。
其中，AlGaN势垒层的生长温度可为1000～1200℃，AlGaN势垒层的生长压力可为100～500Torr。在此条件下可得到质量较好的AlGaN势垒层。
可选地，AlGaN势垒层的生长厚度可为5～50nm。可保证AlGaN势垒层的质量。
S7：AlGaN势垒层上生长GaN盖层。
其中，GaN盖层的生长温度可为1000～1100℃，GaN盖层的生长压力可为100～400Torr。在此条件下可得到质量较好的GaN盖层。
可选地，GaN盖层的生长厚度可为1～20nm。
执行完步骤S7之后的HEMT外延结构的示意图可见图1。
在衬底上生长纳米镍膜之后，对纳米镍膜进行退火，由于纳米镍膜的材料在高温下具有收缩重聚的特性。因此在对纳米镍膜进行退火时，层叠在衬底上的纳米镍膜中的原子会进行收缩重聚，在衬底上形成多个岛状结构。采用以上方法能够较为容易地得到在衬底上分布的多个岛状结构。而由于多个岛状结构的存在，岛状结构上存在一定的坡度，AlN层在衬底上逐渐向远离衬底的第一表面的方向纵向生长时，AlN层会同时朝向平行第一表面的方向横向生长。AlN层在纵向生长与横向生长时，会在AlN层内产生不同方向的位错缺陷，AlN层纵向生长时产生的部分位错缺陷会与AlN层横向生长时产生的部分位错缺陷相抵消，缺陷的减少可提高AlN层的晶体质量，提高最终得到的HEMT的质量。
且纳米镍层在衬底上的生长质量良好，AlN层也可在纳米镍层上良好生长，在衬底上直接生长的纳米镍层可起到良好的连接衬底与AlN层的作用，有利于提高在纳米镍层上生长的AlN层的质量。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种HEMT外延结构，其特征在于，所述HEMT外延结构包括衬底及依次层叠在所述衬底上的纳米镍层、AlN层、AlGaN缓冲层、GaN层、AlGaN势垒层与GaN盖层，
所述纳米镍层包括设置在所述衬底上的多个岛状结构，所述多个岛状结构分布在所述衬底上，所述衬底层叠所述纳米镍层的一个表面为第一表面，所述多个岛状结构在所述第一表面上的投影均不重合。
2.根据权利要求1所述的HEMT外延结构，其特征在于，所述纳米镍层的厚度为100～1000nm。
3.根据权利要求1所述的HEMT外延结构，其特征在于，所述AlN层的最大厚度小于所述纳米镍层的厚度。
4.根据权利要求1～3任一项所述的HEMT外延结构，其特征在于，所述AlGaN缓冲层的最大厚度与所述AlN层的最大厚度之和小于所述纳米镍层的厚度。
5.一种HEMT外延结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
采用磁控溅射的方式在所述衬底上沉积纳米镍膜，对所述纳米镍膜进行退火，在所述衬底上形成纳米镍层，
所述纳米镍层包括设置在所述衬底上的多个岛状结构，所述多个岛状结构分布在所述衬底上，所述衬底层叠所述纳米镍层的一个表面为第一表面，所述多个岛状结构在所述第一表面上的投影均不重合；
在所述纳米镍层上生长AlN层；
在所述AlN层上生长AlGaN缓冲层；
在所述AlGaN缓冲层上生长GaN层；
在所述GaN层上生长AlGaN势垒层；
在所述AlGaN势垒层上生长GaN盖层。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述纳米镍膜在氨气氛围下进行退火。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，对所述纳米镍膜进行退火时，向反应腔内持续通入100～3000sccm的氨气。
8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述纳米镍膜的退火时长为10～500min。
9.根据权利要求5～8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述纳米镍膜的溅射时长为100～10000s。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述纳米镍膜的溅射温度为20～300℃。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114335274A (zh) * | 2022-03-10 | 2022-04-12 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种发光二极管的外延结构及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101510504A (zh) * | 2009-03-13 | 2009-08-19 | 苏州纳晶光电有限公司 | 半导体薄膜的纳区横向外延生长方法 |
| US20170271496A1 (en) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | High electron mobility transistor and method of forming the same |
| US20170278932A1 (en) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | Indian Institute Of Science | Platform of large metal nitride islands with lateral orientations and low-defect density |
| US20180158681A1 (en) * | 2016-12-06 | 2018-06-07 | Sciocs Company Limited | Method for manufacturing nitride semiconductor template, nitride semiconductor template and nitride semiconductor device |
-
2019
- 2019-01-15 CN CN201910035233.8A patent/CN109994545B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101510504A (zh) * | 2009-03-13 | 2009-08-19 | 苏州纳晶光电有限公司 | 半导体薄膜的纳区横向外延生长方法 |
| US20170271496A1 (en) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | High electron mobility transistor and method of forming the same |
| US20170278932A1 (en) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | Indian Institute Of Science | Platform of large metal nitride islands with lateral orientations and low-defect density |
| US20180158681A1 (en) * | 2016-12-06 | 2018-06-07 | Sciocs Company Limited | Method for manufacturing nitride semiconductor template, nitride semiconductor template and nitride semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114335274A (zh) * | 2022-03-10 | 2022-04-12 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种发光二极管的外延结构及其制备方法 |
| CN114335274B (zh) * | 2022-03-10 | 2022-06-17 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种发光二极管的外延结构及其制备方法 |
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