CN109979861A - 一种车用整流二极管碱刻蚀装置 - Google Patents

一种车用整流二极管碱刻蚀装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109979861A
CN109979861A CN201910307242.8A CN201910307242A CN109979861A CN 109979861 A CN109979861 A CN 109979861A CN 201910307242 A CN201910307242 A CN 201910307242A CN 109979861 A CN109979861 A CN 109979861A
Authority
CN
China
Prior art keywords
rectifier diode
groove body
interval
alkaline etching
etching device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910307242.8A
Other languages
English (en)
Inventor
宋国华
曹榆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Yingdafu Electronic Technology Co ltd
Kunshan Chenyi Semiconductor Co ltd
Original Assignee
Jiangsu Yingdafu Electronic Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Yingdafu Electronic Technology Co Ltd filed Critical Jiangsu Yingdafu Electronic Technology Co Ltd
Priority to CN201910307242.8A priority Critical patent/CN109979861A/zh
Publication of CN109979861A publication Critical patent/CN109979861A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604Chemical etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861Diodes

Abstract

本发明公开一种车用整流二极管碱刻蚀装置,包括机架、多个升降机构,机架上方安装有位移机构,位移机构下方安装有抓取机构,机架内部间隔安装有多个槽体,槽体间隔设置,升降机构间隔安装机架下方,且每个所述升降机构对应一个槽体,本发明解决了现有技术中车用整流二极管碱洗不方便,效果差的技术问题。

Description

一种车用整流二极管碱刻蚀装置
技术领域
本发明涉及整流二极管技术领域,尤其涉及一种车用整流二极管碱刻蚀装置。
背景技术
目前,整流二极管通常是采用酸腐蚀机来进行加工。但是在常规的酸腐蚀加工中,由于酸腐蚀在腐蚀芯片的同时对金属零件也会产生腐蚀,因此容易导致产品尺寸改变,而使产品达不到规范要求,使产品的一致性很差,而为了解决酸腐蚀所带来的这些问题,通常需要增加额外的设备,但是这些手段不仅增加了生产成本,使生产工序变得复杂,增加了工人的劳动强度,而且效果并不理想,现有技术中也有碱洗工艺,但是通常都是人工进行操作,缺乏一种自动化碱洗装置。
发明内容
本发明的目的是提供一种车用整流二极管碱刻蚀装置,解决了现有技术中的车用整流二极管碱洗不方便、效果差的技术问题。
一种车用整流二极管碱刻蚀装置,包括机架、多个升降机构,所述机架上方安装有位移机构,所述位移机构下方安装有抓取机构,所述机架内部间隔安装有多个槽体,所述槽体间隔设置,所述升降机构间隔安装机架下方,且每个所述升降机构对应一个所述槽体。
在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进:
进一步地,所述位移机构包括齿条、齿轮、减速电机和支架,所述齿条间隔安装在机架上方,且齿条上配合安装有齿轮,所述齿轮中部安装有转轴,所述转轴与减速电机的输出端连接,所述支架上方与所述转轴连接,下方安装有抓取机构,采用本步的有益效果是通过减速电机起到驱动作用,而能够沿着齿条运动,这样花篮能够逐个进入不同的槽体。
进一步地,所述抓取机构包括抓取气缸、立柱、支撑板和抓钩,所述抓取气缸安装在所述支架下方,所述立柱间隔安装在支架下方,且立柱上滑动安装有支撑板,所述立柱位于所述抓取气缸的四周,所述抓取气缸下方的输出端与所述支撑板连接,所述支撑板下方安装有抓钩,采用本步的有益效果是抓取气缸带动抓钩上下移动,完成抓取动作。
进一步地,所述升降机构包括升降气缸、升降板和升降杆组,所述升降气缸安装机架内部,且升降气缸位于所述槽体下方,所述升降气缸上方的输出端安装有升降板,所述升降板上间隔安装有两个升降杆组,所述升降杆组上方安装有连接板,且升降杆组位于所述槽体两侧,所述连接板上方开设有凹槽,采用本步的有益效果是升降机构能够带动花篮上下运动。
进一步地,每个所述升降杆组包括两根升降杆,所述升降杆间隔设置,且升降杆上方连接有所述连接板。
进一步地,每个所述槽体内部设置有偏移顶杆,所述偏移顶杆水平设置,且偏移顶杆的中心线和齿条的中心线相互垂直,采用本步的有益效果是便于花篮完成左右运动。
本发明的有益效果:
1.本发明提供一种碱洗装置,分为多个机构,使得花篮能够在一个槽体中上下、左右运动,完成后,能够进入下一道工序中继续运动。
2.本发明抓取机构和位移机构相互配合,能够完成花篮的抓取和位移,实现自动化。
3.本发明结构简单,操作方便,且碱洗方便。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明具体实施例所述的一种车用整流二极管碱刻蚀装置的结构示意图;
图2为本发明具体实施例所述的一种车用整流二极管碱刻蚀装置的齿条部分俯视图;
图3为本发明具体实施例所述的一种车用整流二极管碱刻蚀装置的升降机构部分的结构示意图;
图4为本发明具体实施例所述的一种车用整流二极管碱刻蚀装置的抓取机构的结构示意图;
附图标记:
1-机架;2-升降机构;3-位移机构;4-抓取机构;5-槽体;6-花篮;7- 连杆;8-偏移顶杆;
201-升降气缸;202-升降板;203-升降杆组;204-连接板;205-凹槽; 206-升降杆;
301-齿条;302-齿轮;303-减速电机;304-支架;305-转轴;
401-抓取气缸;402-立柱;403-支撑板;404-抓钩。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,因此只作为示例,而不能以此来限制本发明的保护范围。
需要注意的是,除非另有说明,本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域技术人员所理解的通常意义。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“上”、“下”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
实施例
如图1-4所示,本实施例所提供的一种车用整流二极管碱刻蚀装置,包括机架1和多个升降机构2,所述机架1上方安装有位移机构3,所述位移机构3下方安装有抓取机构4,所述机架1内部间隔安装有多个槽体5,所述槽体5间隔设置,所述升降机构2间隔安装机架1下方,且每个所述升降机构2对应一个所述槽体5;本实施例分为多个部分,在使用时,可以将花篮放置在升降机构2上方,通过升降机构2带动花篮上下运动,而花篮是在槽体5内部完成运动的,从而完成碱洗或者清洗工作,待花篮运动一定位置后,抓取机构4抓取花篮运动,位移机构3带动花篮运动,最后送至下个升降机构2上,完成升降,进入槽体内部,从而完成碱洗或者清洗。
如图1所示,所述位移机构3包括齿条301、齿轮302、减速电机303 和支架304,所述齿条301间隔安装在机架1上方,且齿条301上配合安装有齿轮302,所述齿轮302中部安装有转轴305,所述转轴305与减速电机 303的输出端连接,所述支架304上方与所述转轴305连接,下方安装有抓取机构4;本实施例中的位移机构3主要是提供动力,其中减速电机303带动转轴305运动,从而齿轮302运动,而齿条301和齿轮302啮合,这样齿轮302能够沿着齿条运动,而齿条301的排布方向和槽体5的排布方向一致,这样吊篮就能够从一个槽体5进入下一个槽体。
如图1所示,所述抓取机构4包括抓取气缸401、立柱402、支撑板403 和抓钩404,所述抓取气缸401安装在所述支架304下方,所述立柱402间隔安装在支架304下方,且立柱402上滑动安装有支撑板403,所述立柱402 位于所述抓取气缸401的四周,所述抓取气缸401下方的输出端与所述支撑板403连接,所述支撑板403下方安装有抓钩404;本实施例中抓取机构4 是利用抓取气缸401带动支撑板403向下运动,待到达位置后,位移机构3 移动一定的位移,抓钩404可以正好抓住装有花篮的连杆,然后抓取气缸401 继续上移,带动连杆上移离开正在碱洗或者水洗的槽体,位移机构3继续移动,花篮进入到下一个槽体中,升降机构2继续工作。
如图1所示,所述升降机构2包括升降气缸201、升降板202和升降杆组203,所述升降气缸201安装机架1内部,且升降气缸201位于所述槽体 5下方,所述升降气缸201上方的输出端安装有升降板202,所述升降板202 上间隔安装有两个升降杆组203,所述升降杆组203上方安装有连接板204,且升降杆组203位于所述槽体5两侧,所述连接板204上方开设有凹槽205,在实际使用时,在凹槽205内部放置有装有花篮的连杆7,连杆7是横跨所述槽体5的,这样花篮6能够与槽体5相对应,而升降气缸201带动升降板 202上下运动,使得花篮6能够进出槽体5,完成碱洗和清洗动作。
如图1所示,本实施例中每个所述升降杆组203包括两根升降杆206,所述升降杆206间隔设置,且升降杆206上方连接有所述连接板204;本实施例中的升降杆206是两个,这样能够保证结构的稳定性。
如图1所述,本实施例在每个槽体5内部设置有偏移顶杆8,所述偏移顶杆8水平设置,且偏移顶杆8的中心线和齿条301的中心线相互垂直;本实施例中花篮的截面为梯形,如图2所示,这样在花篮落下时,花篮的侧面会与偏移顶杆8接触,受力后,花篮6会产生倾斜,在花篮上升时,花篮6 会复位,这样花篮就能形成一定的摇摆,对溶液起到搅拌作用,提高碱洗效果。
本发明的说明书中,说明了大量具体细节。然而,能够理解,本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中,并未详细示出公知的方法、结构和技术,以便不模糊对本说明书的理解。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围,其均应涵盖在本发明的权利要求和说明书的范围当中。

Claims (6)

1.一种车用整流二极管碱刻蚀装置,其特征在于,包括机架、多个升降机构,所述机架上方安装有位移机构,所述位移机构下方安装有抓取机构,所述机架内部间隔安装有多个槽体,所述槽体间隔设置,所述升降机构间隔安装机架下方,且每个所述升降机构对应一个所述槽体。
2.根据权利要求1所述一种车用整流二极管碱刻蚀装置,其特征在于,所述位移机构包括齿条、齿轮、减速电机和支架,所述齿条间隔安装在机架上方,且齿条上配合安装有齿轮,所述齿轮中部安装有转轴,所述转轴与减速电机的输出端连接,所述支架上方与所述转轴连接,下方安装有抓取机构。
3.根据权利要求2所述一种车用整流二极管碱刻蚀装置,其特征在于,所述抓取机构包括抓取气缸、立柱、支撑板和抓钩,所述抓取气缸安装在所述支架下方,所述立柱间隔安装在支架下方,且立柱上滑动安装有支撑板,所述立柱位于所述抓取气缸的四周,所述抓取气缸下方的输出端与所述支撑板连接,所述支撑板下方安装有抓钩。
4.根据权利要求3所述的一种车用整流二极管碱刻蚀装置,其特征在于,所述升降机构包括升降气缸、升降板和升降杆组,所述升降气缸安装机架内部,且升降气缸位于所述槽体下方,所述升降气缸上方的输出端安装有升降板,所述升降板上间隔安装有两个升降杆组,所述升降杆组上方安装有连接板,且升降杆组位于所述槽体两侧,所述连接板上方开设有凹槽。
5.根据权利要求4所述的一种车用整流二极管碱刻蚀装置,其特征在于,每个所述升降杆组包括两根升降杆,所述升降杆间隔设置,且升降杆上方连接有所述连接板。
6.根据权利要求5所述的一种车用整流二极管碱刻蚀装置,其特征在于,每个所述槽体内部设置有偏移顶杆,所述偏移顶杆水平设置,且偏移顶杆的中心线和齿条的中心线相互垂直。
CN201910307242.8A 2019-04-16 2019-04-16 一种车用整流二极管碱刻蚀装置 Pending CN109979861A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910307242.8A CN109979861A (zh) 2019-04-16 2019-04-16 一种车用整流二极管碱刻蚀装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910307242.8A CN109979861A (zh) 2019-04-16 2019-04-16 一种车用整流二极管碱刻蚀装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109979861A true CN109979861A (zh) 2019-07-05

Family

ID=67085052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910307242.8A Pending CN109979861A (zh) 2019-04-16 2019-04-16 一种车用整流二极管碱刻蚀装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109979861A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0482663A (ja) * 1990-07-24 1992-03-16 Mimasu Handotai Kogyo Kk ウェーハ貼付用プレートの洗浄装置
CN102861734A (zh) * 2012-10-17 2013-01-09 如皋市大昌电子有限公司 一种二极管自动化清洗装置
CN204927242U (zh) * 2015-09-17 2015-12-30 贵州雅光电子科技股份有限公司 一种二极管碱腐机
CN106783689A (zh) * 2016-12-29 2017-05-31 苏州尚维光伏科技有限公司 一种硅片表面自动清洗装置
CN209487477U (zh) * 2019-04-16 2019-10-11 江苏英达富电子科技有限公司 一种车用整流二极管碱刻蚀装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0482663A (ja) * 1990-07-24 1992-03-16 Mimasu Handotai Kogyo Kk ウェーハ貼付用プレートの洗浄装置
CN102861734A (zh) * 2012-10-17 2013-01-09 如皋市大昌电子有限公司 一种二极管自动化清洗装置
CN204927242U (zh) * 2015-09-17 2015-12-30 贵州雅光电子科技股份有限公司 一种二极管碱腐机
CN106783689A (zh) * 2016-12-29 2017-05-31 苏州尚维光伏科技有限公司 一种硅片表面自动清洗装置
CN209487477U (zh) * 2019-04-16 2019-10-11 江苏英达富电子科技有限公司 一种车用整流二极管碱刻蚀装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN209487477U (zh) 一种车用整流二极管碱刻蚀装置
CN106275667B (zh) 可清除缠绕物的匀料破袋机及清除缠绕物的控制方法
CN207533639U (zh) 可升降反应釜清洗装置
CN207308514U (zh) 一种混凝土搅拌罐清洗装置
CN109979861A (zh) 一种车用整流二极管碱刻蚀装置
CN209564990U (zh) 一种新型节水聚氯乙烯聚合釜
CN107586716A (zh) 一种生物、化学物质分离富集的震动器
CN107931204A (zh) 一种半自动化陶瓷节水清洗装置
CN208680100U (zh) 一种白酒加工用酒瓶清洗装置
CN209502411U (zh) 自动提拉旋转机械臂及腐蚀清洗机
CN210964732U (zh) 一种乳化搅拌设备自动化控制系统
CN205627926U (zh) 纳米材料自动合成装置
CN207294801U (zh) 一种生物、化学物质分离富集的震动器
CN206857068U (zh) 一种多瓶抓取装置
CN209461475U (zh) 一种防贴片的黑硅制绒装置
CN207695287U (zh) 一种用于清洗生产线的锅体固定吊架
CN207060613U (zh) 一种自动擦瓶装置
CN209631053U (zh) 自动搅拌机械手臂
CN206447232U (zh) 一种气动翻转机
CN217953895U (zh) 吸尘器三合一测试设备
CN218285534U (zh) 一种码垛机器人
CN218654516U (zh) 一种化工生产的高效反应釜
CN109841704A (zh) 一种防贴片的黑硅制绒装置
CN219984675U (zh) 一种溶解反应釜
CN220049808U (zh) 一种落圆自动收集设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20230707

Address after: No. 58 Xinganquan East Road, Huaishi Town, Hangjiang District, Yangzhou City, Jiangsu Province, 225000

Applicant after: Jiangsu Yingdafu Electronic Technology Co.,Ltd.

Applicant after: KUNSHAN CHENYI SEMICONDUCTOR Co.,Ltd.

Address before: No. 58 Xinganquan East Road, Huaishi Town, Hangjiang District, Yangzhou City, Jiangsu Province, 225000

Applicant before: Jiangsu Yingdafu Electronic Technology Co.,Ltd.