CN109979809A - 一种单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种单晶薄膜的制备方法，包括如下步骤：向晶圆的表面注入重离子，形成离子损伤层，得到一次离子注入的晶圆；向所述一次离子注入的晶圆的表面注入轻离子，使所述轻离子在所述离子损伤层的上表面聚集，得到二次离子注入的晶圆；将所述二次离子注入的晶圆键合至衬底，得到键合后的晶圆；将所述键合后的晶圆进行退火处理，使所述离子损伤层劈裂，并在所述衬底上获得单晶薄膜。本发明还提供了一种单晶薄膜。本发明所述的单晶薄膜的制备方法，能够有效抑制所述轻离子在晶圆中的高斯深度分布形态，减小后续退火时劈裂面的起伏，降低薄膜表面粗糙度，提高薄膜厚度均匀性。
Description
技术领域
本发明属于薄膜材料技术领域，具体而言，本发明涉及一种基于二次离子注入的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器装置。
背景技术
单晶材料是一种应用日益广泛的新材料，由单独的一个晶体组成，其衍射花样为规则的点阵，其在低压、低功耗、高温、抗辐射器件等诸多领域得到了广泛的应用。现有技术中制备单晶薄膜材料的技术有采用离子注入的方式，例如，中国专利文献CN103632930A中公开的利用超薄层吸附制备绝缘体上超薄改性材料的方法，其采用在衬底上外延生长薄膜，然后进行二次离子注入，第二次离子注入后，键合并退火剥离，最后进行化学腐蚀或化学机械抛光，以完成绝缘体上超薄改性材料的制备。
其中，进行离子注入时，将轻质量的离子注入到单晶晶圆中，可以形成损伤层，经过晶圆键合之后进行后处理，可以使晶圆沿损伤层劈裂，达到制备单晶薄膜材料的目的。例如，SOI晶圆就可以采用该方法制备。在损伤层范围内，注入的离子呈现高斯分布的形态，即在某一深度出现注入离子浓度的峰值，并在该深度附近一定范围内都存在注入离子，因此损伤层存在一定的厚度。在后续退火等工艺过程中，注入晶圆沿该损伤层发生劈裂，实现薄膜的转移制备。
但是，上述制备方法存在以下缺陷：
(1)注入离子高斯分布导致注入损伤层在纵向上有一个分布范围，进而导致劈裂面存在随机起伏，并使最终形成的薄膜表面不平整、粗糙度大且厚度不均匀，严重影响其后续应用；
(2)第一次离子注入时采用单一种类的轻质量离子，H+或者He+进行注入产生损伤层，但是这两种离子质量轻，要形成能够劈裂的损伤层，需要较高的注入剂量，通常在1016ions/cm2以上，大剂量的注入会引起晶格损伤严重，恶化薄膜材料性能；
(3)单一种类的H+或者He+离子注入形成的损伤层，其剥离机理是在后续的高温退火过程中，由于H+或者He+产生聚集的现象并形成连续的气泡，促使薄膜层和残余衬底分离。但是，连续气泡的形成需要较高的温度条件，所以薄膜制备需要经历高温的过程，材料的集成受限，例如与CMOS电路的集成。并且，高温过程中气泡的膨胀与移动是随机的过程，既能沿面内方向横向扩张，也会沿面外方向纵向扩张，进而进一步增大劈裂面的起伏。
发明内容
本发明提供了一种单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器装置，以解决现有技术中离子注入制备得到的薄膜表面不平整、粗糙度大、厚度不均匀、薄膜材料不佳的问题。
为了解决上述问题，本发明提供了一种单晶薄膜的制备方法，其技术方案如下：
一种单晶薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)向晶圆的表面注入重离子，形成离子损伤层，得到一次离子注入的晶圆；
(2)向步骤(1)中得到的所述一次离子注入的晶圆的表面注入轻离子，使所述轻离子在所述离子损伤层的上表面聚集，得到二次离子注入的晶圆；
(3)将步骤(2)中得到的所述二次离子注入的晶圆键合至衬底，得到键合后的晶圆；
(4)将步骤(3)中得到的所述键合后的晶圆进行退火处理，使所述离子损伤层劈裂，并在所述衬底上获得单晶薄膜。
优选地，所述晶圆为石英、铌酸锂、钽酸锂、氮化铝、氧化锌、钛酸钡、磷酸二氢钾、铌镁酸铅、氮化镓、砷化镓、磷化铟、碳化硅、金刚石中的一种。其中,所述铌酸锂的化学式为LiNbO3，简称为LN；所述钽酸锂的化学式为LiTaO3,简称为LT；所述氮化铝的化学式为AlN；所述氧化锌的化学式为ZnO；所述钛酸钡的化学式为BaTiO3,简称为BTO；所述磷酸二氢钾的化学式为KH2PO4；所述铌镁酸铅的化学式为(1-x)[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]-x[PbTiO3],简称为PMN-PT；所述氮化镓的化学式为GaN；所述砷化镓的化学式为GaAs；所述磷化铟的化学式为InP；所述碳化硅的化学式为SiC；所述金刚石的化学式为C。
步骤(1)中，所述重离子为原子量大于氦元素的离子；优选地，所述重离子为B离子、O离子、F离子、Si离子、P离子中的一种或多种。
优选地，步骤(1)中，所述重离子的注入能量为50keV-2000keV，注入剂量为1×1015ions/cm2-1×1018ions/cm2。
优选地，步骤(2)中，所述轻离子为He+离子、H+离子中的一种或多种。
优选地，步骤(2)中，所述轻离子的注入能量大于或等于所述重离子损伤层的深度对应的轻离子注入能量。
优选地，所述轻离子的注入剂量为1×1016ions/cm2-8×1016ions/cm2。
优选地，当所述晶圆为铌酸锂时，所述轻离子的注入剂量为1×1016ions/cm2-4×1016ions/cm2；当所述晶圆为钽酸锂时，2×1016ions/cm2-6×1016ions/cm2；当所述晶圆为氮化铝时，4×1016ions/cm2-8×1016ions/cm2。
优选地，步骤(3)中，所述二次离子注入的晶圆的注入面朝向所述衬底进行键合；所述衬底的材质为硅、绝缘层上硅、玻璃、石英、铌酸锂、钽酸锂、碳化硅、氮化镓、砷化镓、金刚石中的一种或多种。其中,所述绝缘层上硅的英文名称为silicon on insulator,简称为SOI；
所述键合为亲水性键合、聚合物键合、共晶键合、扩散键合中的一种。
优选地，步骤(4)的退火处理的退火温度为150-500℃，退火时间为10-600min；优选地，步骤(4)的退火处理的退火温度为150-220℃或者220℃-260℃或者260-300℃或者300-400℃或者400℃-500℃；退火时间为180-600min或者120-180min或者80-120min或者30-80min或者10-30min。
本发明还提供一种单晶薄膜，采用所述的一种单晶薄膜的制备方法制备得到。
本发明提供的单晶薄膜，至少包括与衬底通过键合方式结合的晶圆，且所述晶圆经过二次离子注入获得。
本发明还提供一种谐振器装置，所述谐振器装置至少包括单晶薄膜，所述单晶薄膜为本发明所述的单晶薄膜。
本发明提供的谐振器装置，所述谐振器装置至少包括单晶薄膜，所述单晶薄膜以键合方式设置在衬底上，所述单晶薄膜由经过二次离子注入的晶圆获得；所述晶圆在进行了所述二次离子注入后，键合在所述衬底上，得到键合后的晶圆；再将所述键合后的晶圆进行退火，获得键合在所述衬底上的所述单晶薄膜。
优选地，所述谐振器装置中的所述单晶薄膜按照本发明所述的单晶薄膜的制备方法制备得到。
与现有技术相比，本发明的优点和有益效果在于：
1、本发明所述的单晶薄膜的制备方法，向晶圆的表面注入重离子，形成离子损伤层，再注入轻离子，使所述轻离子在所述离子损伤层的上表面产生聚集，将经过二次离子注入的晶圆键合至衬底，再进行退火处理，使所述离子损伤层劈裂，并在所述衬底上获得单晶薄膜。与单次离子注入相比，重离子的注入能够预先在晶圆内部形成损伤层，所述离子损伤层能够对第二次注入的轻离子再产生阻挡效应，使所述轻离子能够停留、聚集在所述离子损伤层的上边界附近，采用二次离子注入的方式能够有效抑制所述轻离子在晶圆中的高斯深度分布形态，减小后续退火时劈裂面的起伏，降低薄膜表面粗糙度，提高薄膜厚度均匀性。
2、本发明所述的单晶薄膜的制备方法，采用重离子进行第一次离子注入，由于质量越大的离子，注入晶圆后的深度分布范围越窄，即损伤层的厚度越小，因此，重离子注入的深度可以更加精确地通过注入电压进行调控；同时，利用所述重离子注入形成的所述离子损伤层，对所述轻离子的注入离子产生的阻挡作用，即可以精确地调控所述轻离子的注入深度，从而使薄膜厚度可更加准确地调控。
3、本发明所述的单晶薄膜的制备方法，重离子损伤层深度分布的范围窄，且离子相较于轻离子更集中，所以对晶格的损伤更大；在高温退火过程中，重离子移动性差，所以无法聚集、膨胀。本发明将重离子和轻离子按照先后顺序进行注入之后，所述重离子能够在晶圆的内部形成深度范围小、损伤大的预先损伤层，而随后注入的所述轻离子可在高温退火过程中在损伤层聚集、膨胀，且由于重离子的预先损伤效应，使得轻离子只需要较低的能量就能使损伤层劈裂，可显著降低退火的温度，降低工艺条件。
附图说明
图1为本发明实施例1中的单晶薄膜的制备方法的工艺流程图。
图2为本发明实施例1中的单晶薄膜的制备方法的步骤(1)中的结构示意图；
图3为本发明实施例1中的单晶薄膜的制备方法的步骤(2)中的结构示意图；
图4为本发明实施例1中的单晶薄膜的制备方法的步骤(3)中的结构示意图；
图5为本发明实施例1中的单晶薄膜的制备方法的步骤(4)中的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明各实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。不同厂家、型号的原料并不影响本发明技术方案的实施及技术效果的实现。
实施例1
本实施例的单晶薄膜的制备方法，如图1所示，包括如下步骤：
(1)向晶圆的表面注入重离子，形成重离子的离子损伤层，得到如图2所示的一次离子注入的晶圆，图中所示的1代表重离子的离子损伤层、2代表晶圆；其中，所述晶圆为铌酸锂；所述重离子为O离子；所述重离子的注入能量为500keV，注入剂量为1×1017ions/cm2，形成的重离子损伤层的深度为690nm；
(2)向步骤(1)中得到的所述一次离子注入的晶圆的表面注入轻离子，使所述轻离子在所述离子损伤层的上表面聚集，得到如图3所示的二次离子注入的晶圆，图中所示的1代表重离子的离子损伤层、2代表晶圆、3代表轻离子形成的离子损伤层；其中，所述轻离子为He+离子；所述轻离子的注入能量大于或等于所述重离子损伤层的深度对应的轻离子注入能量；具体而言，所述轻离子的注入剂量为2.5×1016ions/cm2；本实施例中，所述轻离子的注入能量为200keV，轻离子聚集在重离子损伤层附近，即轻离子损伤层的深度也为690nm；
(3)将步骤(2)中得到的所述二次离子注入的晶圆采用亲水性键合的方法键合至衬底，得到如图4所示的键合后的晶圆，图中所示的1代表重离子的离子损伤层、2代表晶圆、3代表轻离子形成的离子损伤层、4代表键合层、5代表衬底；其中，所述衬底的材质为硅；
需要说明的是，亲水性键合的方法为现有技术中的常规方法，本领域技术人员可根据实际情况选择适宜的参数。本实施例中，所述亲水性键合具体包括如下步骤：
a.在铌酸锂晶圆注入面沉积SiO2层，厚度为50nm-5000nm范围内的任意值，本实施例中，厚度为500nm；
b.在硅衬底表面沉积SiO2层，厚度为50nm-5000nm范围内的任意值，本实施例中，厚度为500nm；
c.对铌酸锂晶圆和硅衬底表面制备的SiO2进行抛光，使SiO2表面粗糙度降低至1nm以下；
d.对铌酸锂晶圆和Si衬底制备有SiO2的表面进行亲水性键合；
(4)取步骤(3)中得到的所述键合后的晶圆，在退火温度为200℃、退火时间为120min的条件下，进行退火处理，使所述离子损伤层劈裂，并在所述衬底上获得如图5所示的单晶薄膜材料，图中所示的4代表键合层、5代表衬底。
本实施例的单晶薄膜，按照上述方法制备得到。
实施例2
本实施例的单晶薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)向晶圆的表面注入重离子，形成离子损伤层，得到一次离子注入的晶圆；其中，所述晶圆为钽酸锂；所述重离子为B离子；所述重离子的注入能量为50keV，注入剂量为1×1015ions/cm2，形成的重离子损伤层的深度为690nm；
(2)向步骤(1)中得到的所述一次离子注入的晶圆的表面注入轻离子，使所述轻离子在所述离子损伤层的上表面聚集，得到二次离子注入的晶圆；其中，所述轻离子为H+离子；所述轻离子的注入能量为200keV，注入剂量为4×1016ions/cm2，轻离子聚集在重离子损伤层附近，即轻离子损伤层的深度也为690nm；
(3)将步骤(2)中得到的所述二次离子注入的晶圆采用聚合物键合的方法键合至衬底，得到键合后的晶圆；其中，所述衬底的材质为绝缘层上硅；
需要说明的是，聚合物键合的方法为现有技术中的常规方法，本领域技术人员可根据实际情况选择适宜的参数。本实施例中，所述聚合物键合具体包括如下步骤：
a.在所述晶圆的注入面制备聚合物BCB，所述BCB的厚度为100nm-10000nm范围内的任意值，本实施例中，所述BCB的厚度为5000nm；其中，所述BCB为苯并环丁烯的简称；
b.将制备BCB的所述晶圆与所述衬底键合,键合压强为0.01MPa-1MPa范围内的任意值，本实施例中，键合压强为0.5MPa。
(4)取步骤(3)中得到的所述键合后的晶圆，在退火温度为500℃、退火时间为10min的条件下，进行退火处理，使所述离子损伤层劈裂，并在所述衬底上获得单晶薄膜材料。
需要说明的是，本发明所述的单晶薄膜的制备方法，只需要较低的能量就能使损伤层劈裂，可显著降低退火的温度，降低工艺条件，在150℃及以上的退火温度时即可实现所述离子损伤层的劈裂，但本实施例中采用500℃的退火温度，仅为证明在该退火温度下也可实现。
本实施例的单晶薄膜，按照上述方法制备得到。
实施例3
本实施例的单晶薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)向晶圆的表面注入重离子，形成离子损伤层，得到一次离子注入的晶圆；其中，所述晶圆为氮化铝；所述重离子为F离子与Si离子按照1:1的剂量混合而成；所述重离子的注入能量为2000keV，注入剂量为1×1018ions/cm2，形成的重离子损伤层的厚度为690nm；
(2)向步骤(1)中得到的所述一次离子注入的晶圆的表面注入轻离子，使所述轻离子在所述离子损伤层的上表面聚集，得到二次离子注入的晶圆；其中，所述轻离子为He+离子；所述轻离子的注入能量为200keV，注入剂量为8×1016ions/cm2，轻离子聚集在重离子损伤层附近，即轻离子损伤层的深度也为690nm；
(3)将步骤(2)中得到的所述二次离子注入的晶圆采用共晶键合的方法键合至衬底，得到键合后的晶圆；其中，所述衬底为硅衬底；
需要说明的是，共晶键合的方法为现有技术中的常规方法，本领域技术人员可根据实际情况选择适宜的参数。本实施例中，所述共晶键合具体包括如下步骤：
a.在所述晶圆注入面沉积In层，厚度为50nm-2000nm；
b.在所述衬底表面沉积Sn层，厚度为50nm-2000nm；
c.对制备有In层的所述晶圆和制备有Sn层的所述衬底的表面贴合在一起，并施加0.01MPa-1MPa的压强，在100-150℃温度下热处理1-2小时；本实施例中，贴合在一起的In层、Sn层施加0.5MPa的压强，并在120℃温度下热处理2小时；
(4)取步骤(3)中得到的所述键合后的晶圆，在退火温度为150℃、退火时间为120min的条件下，进行退火处理，使所述离子损伤层劈裂，并在所述衬底上获得单晶薄膜材料。
本实施例的单晶薄膜，按照上述方法制备得到。
实施例4
本实施例的单晶薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)向晶圆的表面注入重离子，形成离子损伤层，得到一次离子注入的晶圆；其中，所述晶圆为钛酸钡；作为本实施例的可替换实现方式，所述晶圆还可替换为石英、铌酸锂、钽酸锂、氮化铝、氧化锌、磷酸二氢钾、铌镁酸铅、氮化镓、砷化镓、磷化铟、碳化硅、金刚石中的任意一种。所述重离子为P离子；作为本实施例可替换的实现方式，所述重离子还可替换为B离子、O离子、F离子、Si离子中的一种或多种混合。所述重离子的注入能量为50keV，注入剂量为1×1016ions/cm2；
(2)向步骤(1)中得到的所述一次离子注入的晶圆的表面注入轻离子，使所述轻离子在所述离子损伤层的上表面聚集，得到二次离子注入的晶圆；其中，所述轻离子为He+离子、H+离子按照1:3的剂量比混合而成；所述轻离子的注入能量为50keV，注入剂量为1×1016ions/cm2；
(3)将步骤(2)中得到的所述二次离子注入的晶圆采用扩散键合的方法键合至衬底，得到键合后的晶圆；其中，所述衬底的材质为铌酸锂；作为本实施例可替换的实现方式，所述衬底的材质还可替换为硅、绝缘层上硅、玻璃、石英、钽酸锂、碳化硅、氮化镓、砷化镓、金刚石中的一种或多种复合。
需要说明的是，扩散键合的方法为现有技术中的常规方法，本领域技术人员可根据实际情况选择适宜的参数。
(4)取步骤(3)中得到的所述键合后的晶圆，在退火温度为300℃、退火时间为300min的条件下，进行退火处理，使所述离子损伤层劈裂，并在所述衬底上获得单晶薄膜材料。
本实施例的单晶薄膜，按照上述方法制备得到。
实施例5
本实施例的谐振器装置，所述谐振器装置至少包括单晶薄膜，所述单晶薄膜以键合方式设置在衬底上，所述单晶薄膜由经过二次离子注入的晶圆获得；所述晶圆在进行了所述二次离子注入后，键合在所述衬底上，得到键合后的晶圆；再将所述键合后的晶圆进行退火，获得键合在所述衬底上的所述单晶薄膜。
作为本实施例的可替换实现方式，所述谐振器装置包括的所述单晶薄膜由实施例1中的方法制备得到。
对比例1
本对比例的单晶薄膜的制备方法，与实施例1中的方法区别在于：
1.本对比例没有实施例1中步骤(1)注入重离子的步骤；
2.由于本对比例步骤(4)中采用200℃的退火温度无法产生损伤层的劈裂效果，因此退火温度升高至250℃。
效果试验例
为验证本发明所述的基于二次离子注入的单晶薄膜的制备方法的技术效果，分别采用实施例1-4、对比例1中制备得到的所述单晶薄膜进行如下对比检测试验。
分别按照实施例1-4、对比例1中的方法制备所述单晶薄膜，并检测能够实现所述离子损伤层劈裂的最低温度。
分别取实施例1-4、对比例1中制备得到的所述单晶薄膜，按照YS/T839-2012中的方法测量薄膜厚度，厚度均匀性＝100％×︱最大实际测量厚度-轻质量离子理论停留深度︱/轻质量离子理论停留深度。
分别取实施例1-4、对比例1中制备得到的所述单晶薄膜，按照GB/T31227-2014中的方法测量表面粗糙度。
经过上述实验，得到的实验数据如下：
由上述实验结果可知：本发明所述的单晶薄膜的制备方法，显著降低了单晶损伤层劈裂的温度，制备得到的单晶薄膜材料具有更低的表面粗糙度，更佳的厚度均匀。尤其是，当采用O重离子进行一次注入、He轻离子进行二次注入，并采用亲水性键合的方式时，得到的所述单晶薄膜材料最佳。
由技术常识可知，本发明可以通过其它的不脱离其精神实质或必要特征的实施方案来实现。因此，上述公开的实施方案，就各方面而言，都只是举例说明，并不是仅有的。所有在本发明范围内或在等同于本发明的范围内的改变均被本发明包含。
Claims (11)
1.一种单晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)向晶圆的表面注入重离子，形成离子损伤层，得到一次离子注入的晶圆；
(2)向步骤(1)中得到的所述一次离子注入的晶圆的表面注入轻离子，使所述轻离子在所述离子损伤层的上表面聚集，得到二次离子注入的晶圆；
(3)将步骤(2)中得到的所述二次离子注入的晶圆键合至衬底，得到键合后的晶圆；
(4)将步骤(3)中得到的所述键合后的晶圆进行退火处理，使所述离子损伤层劈裂，并在所述衬底上获得单晶薄膜。
2.根据权利要求1所述的单晶薄膜的制备方法，其特征在于：
所述晶圆为石英、铌酸锂、钽酸锂、氮化铝、氧化锌、钛酸钡、磷酸二氢钾、铌镁酸铅、氮化镓、砷化镓、磷化铟、碳化硅、金刚石中的一种。
3.根据权利要求1所述的单晶薄膜的制备方法，其特征在于：
步骤(1)中，所述重离子为原子量大于氦元素的离子；优选地，所述重离子为B离子、O离子、F离子、Si离子、P离子中的一种或多种；
优选地，步骤(1)中，所述重离子的注入能量为50keV-2000keV，注入剂量为1×1015ions/cm2-1×1018ions/cm2。
4.根据权利要求1所述的单晶薄膜的制备方法，其特征在于：
步骤(2)中，所述轻离子为He+离子、H+离子中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的单晶薄膜的制备方法，其特征在于：
步骤(2)中，所述轻离子的注入能量大于或等于所述重离子损伤层的深度对应的轻离子注入能量；
优选地，所述轻离子的注入剂量为1×1016ions/cm2-8×1016ions/cm2；
优选地，当所述晶圆为铌酸锂时，所述轻离子的注入剂量为1×1016ions/cm2-4×1016ions/cm2；当所述晶圆为钽酸锂时，2×1016ions/cm2-6×1016ions/cm2；当所述晶圆为氮化铝时，4×1016ions/cm2-8×1016ions/cm2。
6.根据权利要求1所述的单晶薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，所述二次离子注入的晶圆的注入面朝向所述衬底进行键合；所述衬底的材质为硅、绝缘层上硅、玻璃、石英、铌酸锂、钽酸锂、碳化硅、氮化镓、砷化镓、金刚石中的一种或多种；
优选地，所述键合为亲水性键合、聚合物键合、共晶键合、扩散键合中的一种。
7.根据权利要求1所述的单晶薄膜的制备方法，其特征在于：
步骤(4)的退火处理的退火温度为150-500℃，退火时间为10-600min；优选地，步骤(4)的退火处理的退火温度为150-220℃或者220℃-260℃或者260-300℃或者300-400℃或者400℃-500℃；退火时间为180-600min或者120-180min或者80-120min或者30-80min或者10-30min。
8.一种单晶薄膜，其特征在于，采用权利要求1-7中任意一项所述的单晶薄膜的制备方法制备得到。
9.一种单晶薄膜，其特征在于，至少包括与衬底通过键合方式结合的晶圆，且所述晶圆经过二次离子注入获得。
10.一种谐振器装置，所述谐振器装置至少包括单晶薄膜，其特征在于，所述单晶薄膜为权利要求8所述的单晶薄膜。
11.一种谐振器装置，所述谐振器装置至少包括单晶薄膜，其特征在于，
所述单晶薄膜以键合方式设置在衬底上，所述单晶薄膜由经过二次离子注入的晶圆获得；
所述晶圆在进行了所述二次离子注入后，键合在所述衬底上，得到键合后的晶圆；再将所述键合后的晶圆进行退火，获得键合在所述衬底上的所述单晶薄膜。
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