CN109964314A - 半导体模块 - Google Patents

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长谷川真纪
野口宏一朗
森茂
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Abstract

本发明具备：至少1组第1及第2开关器件，它们串联地插入至第1电位与比第1电位低的第2电位之间，互补地进行动作；第1及第2驱动电路，它们进行第1及第2开关器件的驱动控制，在半导体模块中，第1及第2驱动电路、至少1组第1及第2开关器件被封装于俯视形状为矩形的封装件，该半导体模块具备：控制端子，其设置为从封装件的第1及第2长边中的第1长边的侧面凸出，被输入第1及第2驱动电路的控制信号；输出端子，其设置为从第2长边的侧面凸出；第1主端子，其设置为从封装件的第1及第2短边中的第1短边的侧面凸出，被赋予第1电位；以及第2主端子(2)，其设置为从第2短边的侧面凸出，被赋予第2电位。

Description

半导体模块
技术领域
本发明涉及半导体模块，特别涉及表面安装型的半导体模块。
背景技术
就将电子部件接合于印刷基板的基板安装而言，举出将电子部件的引线插入至在印刷基板之上设置的通孔而接合的插入安装、将电子部件的电极与在印刷基板的表面设置的焊盘接合的表面安装等，在表面安装中通过使用表面安装型的半导体模块，从而存在能够简化安装工序等优点。在专利文献1中，作为功率模块公开了表面安装型的半导体模块，表面安装型的半导体模块已得到实用化。
专利文献1：日本特开2015-002185号公报
发明内容
在专利文献1所公开的半导体模块中具有如下问题，即，称为P相端子、N相端子的主端子排列配置在模块的封装件的相同边，难以确保两端子间的沿面距离。
本发明就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供确保了P相端子和N相端子之间的沿面距离的半导体模块。
本发明涉及的半导体模块具备：至少1组第1及第2开关器件，它们串联地插入至第1电位与比所述第1电位低的第2电位之间，互补地进行动作；第1驱动电路，其进行所述第1开关器件的驱动控制；以及第2驱动电路，其进行所述第2开关器件的驱动控制，所述至少1组第1及第2开关器件、所述第1及第2驱动电路被封装于俯视形状为矩形的封装件，该半导体模块具备：控制端子，其设置为从所述封装件的第1及第2长边中的所述第1长边的侧面凸出，被输入所述第1及第2驱动电路的控制信号；输出端子，其设置为从所述第2长边的侧面凸出，被赋予所述第1及第2开关器件的输出；第1主端子，其设置为从所述封装件的第1及第2短边中的所述第1短边的侧面凸出，被赋予所述第1电位；以及第2主端子，其设置为从所述第2短边的侧面凸出，被赋予所述第2电位。
发明的效果
根据本发明涉及的半导体模块，能够得到确保了第1主端子与第2主端子之间的沿面距离的半导体模块。
附图说明
图1是表示本发明涉及的实施方式1的半导体模块的结构的图。
图2是表示本发明涉及的实施方式1的上表面侧的外观的图。
图3是表示本发明涉及的实施方式1的电路结构的图。
图4是表示本发明涉及的实施方式2的半导体模块的结构的图。
图5是表示本发明涉及的实施方式2的上表面侧的外观的图。
图6是表示本发明涉及的实施方式3的半导体模块的结构的图。
图7是表示本发明涉及的实施方式3的下表面侧的外观的图。
图8是表示本发明涉及的实施方式3的半导体模块的结构的剖视图。
图9是表示本发明涉及的实施方式3的半导体模块的安装的一个例子的剖视图。
图10是表示本发明涉及的实施方式4的半导体模块的结构的图。
图11是表示本发明涉及的实施方式4的下表面侧的外观的图。
图12是表示本发明涉及的实施方式4的半导体模块的结构的剖视图。
图13是表示本发明涉及的实施方式5的半导体模块的结构的图。
图14是表示本发明涉及的实施方式5的下表面侧的外观的图。
图15是表示本发明涉及的实施方式5的半导体模块的结构的剖视图。
图16是表示本发明涉及的实施方式6的半导体模块的结构的图。
图17是表示本发明涉及的实施方式6的下表面侧的外观的图。
图18是表示本发明涉及的实施方式6的半导体模块的结构的剖视图。
具体实施方式
<实施方式1>
图1是表示本发明涉及的实施方式1的半导体模块100的结构的图，为了示出封装件PKG内的构造，省略地示出封装件PKG。另外，图2示出由封装件PKG封装后的状态下的半导体模块100的上表面侧的外观。
如图1及图2所示，半导体模块100为表面安装型的模块，在俯视形状为矩形的封装件PKG的2个长边中的一个长边(第1长边)具备高电位侧基准电压端子6、高电位侧驱动电压端子7、控制端子8、控制电源端子9及接地端子10，在另一个长边(第2长边)具备U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5。另外，在封装件PKG的2个短边中的一个短边(第1短边)具备作为功率端子的P相端子1(第1主端子)，在另一个短边(第2短边)具备作为功率端子的N相端子2(第2主端子)。此外，P相端子1及N相端子2各自配置于短边的中央部。此外，将与封装件PKG的长边平行的方向称为Y方向，将与短边平行的方向称为X方向。
通过设为这样的端子配置，从而P相端子1及N相端子2各自与其它端子分离地存在，因此能够可靠地确保与其它端子的沿面距离，能够抑制电短路的产生。
图3是表示半导体模块100的电路结构的图。如图3所示，半导体模块100为3相输出的逆变器用模块，但为了简化而仅示出3相(U相、V相、W相)中的U相的电路结构。
半导体模块100具备：逆变器电路，其在成为高电位(第1电位)侧的P相端子1和成为低电位(第2电位)侧的N相端子2之间串联连接有高电位侧开关器件Q1(第1开关器件)和低电位侧开关器件Q11(第2开关器件)，高电位侧开关器件Q1和低电位侧开关器件Q11这两者的连接节点成为U相输出端子3；高电位侧驱动电路11(第1驱动电路)，其对高电位侧开关器件Q1进行驱动；以及低电位侧驱动电路12(第2驱动电路)，其对低电位侧开关器件Q11进行驱动。此外，在本实施方式中示出下述例子，即，作为高电位侧开关器件Q1及低电位侧开关器件Q11使用了IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，但并不限于此，也可以使用MOS(Metal Oxide Semiconductor)晶体管、RC(Reverse Conducting)-IGBT。
另外，半导体模块100具备自举电路(BS电路)。BS电路由在高电位侧驱动电路11的高电位侧驱动电压端子VB和控制电源电压端子VCC之间串联连接的自举二极管BSD及限流电阻R、外接的自举电容器BSC构成。
另外，半导体模块100成为向其外接控制电源PW1的结构，该控制电源PW1将控制电源电压VCC输入至高电位侧驱动电路11及低电位侧驱动电路12的控制电源电压端子VCC。此外，BS电路为根据高电位侧基准电压VS形成高电位侧驱动电压VB的电路，对高电位侧基准电压端子VS赋予高电位侧驱动电压VB。
高电位侧驱动电路11成为如下结构，即，从外部将高电位侧输入信号HIN输入至信号输入端子HI，从高电位侧输出端子HO输出对高电位侧开关器件Q1的驱动进行控制的控制信号，赋予至高电位侧开关器件Q1的栅极。另外，低电位侧驱动电路12成为如下结构，即，从外部将低电位侧输入信号LIN输入至信号输入端LI，从低电位侧输出端子LO输出对高电位侧开关器件Q11的驱动进行控制的控制信号，赋予至低电位侧开关器件Q11的栅极。
这里返回到图1的说明，对半导体模块100的内部的结构进行说明。此外，在下面的记载中“A和B电连接”这样的表述是指在结构A和结构B之间双向流过电流。
如图1所示，俯视形状为矩形的芯片焊盘PD3配置于半导体模块100的中央部，在芯片焊盘PD3之上，高电位侧开关器件Q1、Q2及Q3是以在Y方向上排列成1列的方式搭载的。而且，从芯片焊盘PD3的一个短边延伸出P相端子1，从封装件PKG的1个短边的侧面凸出。此外，在与芯片焊盘PD3接触的高电位侧开关器件Q1、Q2及Q3的下表面设置有集电极，在上表面设置有发射极和栅极。
另外，在芯片焊盘PD3的与P相端子1延伸侧相反的短边侧配置有芯片焊盘PD11、PD12及PD13，在芯片焊盘PD11、PD12及PD13之上各自搭载有低电位侧开关器件Q11、Q12及Q13。而且，从芯片焊盘PD11、PD12及PD13分别延伸出U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5，从封装件PKG的1个长边的侧面凸出。此外，在与芯片焊盘PD11、PD12及PD13接触的各低电位侧开关器件Q11、Q12及Q1的下表面设置有集电极，在上表面设置有发射极和栅极。
由于芯片焊盘PD11、PD12及PD13的排列被设置为相对于封装件PKG的短边倾斜，因此U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5成为具有大于或等于1处弯折部且从封装件PKG的长边的侧面凸出的形状。此外，U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5各自与高电位侧开关器件Q1、Q2及Q3的发射极通过导线WR电连接。
另外，对低电位侧开关器件Q11、Q12及Q13各自供给电力的3个N相端子2设置为从与P相端子1延伸侧相反的短边的侧面凸出，3个N相端子2与低电位侧开关器件Q11、Q12及Q13的发射极之间通过导线WR电连接。
以从封装件PKG的与U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5凸出侧相反的长边的侧面凸出的方式设置有高电位侧基准电压端子6、高电位侧驱动电压端子7、控制端子8、控制电源端子9及接地端子10。而且，在这些端子组与芯片焊盘PD3之间配置有俯视形状为矩形的芯片焊盘PD2，在芯片焊盘PD2之上搭载有高电位侧驱动芯片C11及低电位侧驱动芯片C12。此外，高电位侧驱动芯片C11及低电位侧驱动芯片C12各自包含高电位侧驱动电路11及低电位侧驱动电路12。此外，芯片焊盘PD2为电位固定于接地电位的焊盘，从与芯片焊盘PD3侧相反侧的长边延伸出接地端子10，从封装件PKG的1个长边的侧面凸出。
高电位侧基准电压端子6及高电位侧驱动电压端子7各自分别为3个，沿封装件PKG的长边交替地配置。此外，在图1的例子中，在最靠近短边的位置(队列的开头)配置有高电位侧基准电压端子6，在其相邻处配置有高电位侧驱动电压端子7，但配置的顺序并不限于此。但是，由于对自举电容器BSC进行外接的关系，优选高电位侧基准电压端子6和高电位侧驱动电压端子7相邻地配置，通过设为这样的配置，从而自举电容器BSC的安装变得容易。
以接在高电位侧基准电压端子6和高电位侧驱动电压端子7的队列之后的方式排列有控制端子8，但在控制端子8的队列中途，设置有控制电源端子9及接地端子10。控制电源端子9为从设置于芯片焊盘PD2和端子组之间的芯片焊盘PD1延伸的端子，为被输入控制电源电压VCC的端子。芯片焊盘PD1具有沿芯片焊盘PD2的长边延伸的细长的形状，通过导线WR与在3个高电位侧驱动电压端子7之上各自搭载的自举二极管BSD的上表面电连接。此外，在自举二极管BSD的上表面内内置有限流电阻R(未图示)，导线WR与限流电阻R连接。
另外，3个高电位侧基准电压端子6各自通过导线WR与高电位侧驱动芯片C11电连接。另外，控制电源端子9与高电位侧驱动电压端子7之间的控制端子作为高电位侧的控制端子而通过导线WR与高电位侧驱动芯片C11电连接，芯片焊盘PD1也通过导线WR与高电位侧驱动芯片C11电连接。另外，芯片焊盘PD2通过导线WR与高电位侧驱动芯片C11电连接。另外，高电位侧开关器件Q1、Q2及Q3各自的栅极及发射极通过导线WR与高电位侧驱动芯片C11电连接。
从接地端子10的与控制电源端子9侧相反侧的相邻处开始排列的控制端子8的队列作为低电位侧的控制端子而通过导线WR与低电位侧驱动芯片C12电连接。另外，低电位侧开关器件Q11、Q12及Q13各自的栅极通过导线WR与低电位侧驱动芯片C12电连接。
如以上说明所述，通过将搭载高电位侧开关器件Q1、Q2及Q3的芯片焊盘PD3配置于封装件PKG的一个短边侧，将各自搭载低电位侧开关器件Q11、Q12及Q13的芯片焊盘PD11、PD12及PD13的队列配置于封装件PKG的另一个短边侧，从而能够设为P相端子1从一个短边的侧面凸出，N相端子2从另一个短边的侧面凸出，其它端子从封装件PKG的2个长边的侧面凸出的结构，能够可靠地确保与其它端子的沿面距离。
<实施方式2>
图4是表示本发明涉及的实施方式2的半导体模块200的结构的图，为了示出封装件PKG内的构造，省略地示出封装件PKG。另外，图5示出由封装件PKG封装后的状态下的半导体模块200的上表面侧的外观。
如图4及图5所示，就半导体模块200而言，在俯视形状为矩形的封装件PKG的2个长边中的一个长边具备U相输出端子3、V相输出端子4、W相输出端子5及3个高电位侧驱动电压端子7。另外，在封装件PKG的另一个长边具备控制端子8、控制电源端子9及接地端子10。
如使用图3说明过的那样，高电位侧驱动电路11的高电位侧驱动电压端子VB为被从自举电容器BSC赋予高电位侧驱动电压VB的端子，高电位侧驱动电路11的3个高电位侧基准电压端子VS为成为高电位侧的基准电位的端子，各自为与U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5相同的电位。因此，通过沿封装件PKG的一个长边将被输入高电位侧驱动电压VB的3个高电位侧驱动电压端子7与U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5交替地配置，从而不需要另外设置高电位侧基准电压端子6，还能够实现由端子数量减少带来的封装件PKG的小型化。
如图3所示，由于在高电位侧驱动电压端子7之上搭载自举二极管BSD，自举二极管BSD通过导线WR连接于高电位侧驱动芯片C11与控制电源端子9之间，因此就图4所示的半导体模块200而言，在封装件PKG的另一个长边侧设置搭载自举二极管BSD的3个芯片焊盘PD，设置从它们各自延伸至封装件PKG的一个长边侧的高电位侧驱动电压端子7。这些高电位侧驱动电压端子7是以穿过芯片焊盘PD1～PD3、U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5的下方的方式设置的。
这样的构造能够使用具有芯片焊盘PD1～PD3、U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5的上层用引线框架、具有芯片焊盘PD及高电位侧驱动电压端子7的下层用引线框架而实现。下层用引线框架具有相对于上层用引线框架来说高度不同的部分，在图4中通过虚线示出了高度不同的部分。
通过设为高电位侧驱动电压端子7穿过芯片焊盘PD1～PD3、U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5的下方的结构，从而能够沿封装件PKG的一个长边将3个高电位侧驱动电压端子7与U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5交替地配置。
此外，P相端子1从一个短边的侧面凸出，N相端子2从另一个短边的侧面凸出，其它端子从封装件PKG的2个长边的侧面凸出的结构与实施方式1的半导体模块100相同，能够可靠地确保与其它端子的沿面距离。
另外，在上述说明中，设为高电位侧驱动电压端子7穿过芯片焊盘PD1～PD3、U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5的下方的结构，但当然也可以设为跨过芯片焊盘PD1～PD3、U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5的上方的结构。
<实施方式3>
图6是表示本发明涉及的实施方式3的半导体模块300的结构的图，为了示出封装件PKG内的构造，省略地示出封装件PKG。另外，图7示出由封装件PKG封装后的状态下的半导体模块300的下表面(背面)侧的外观，图8是表示图6中的A-B线处的矢向方向的剖面的图。
如图6及图7所示，半导体模块300在俯视形状为矩形的封装件PKG的2个长边中的一个长边具备高电位侧基准电压端子6、高电位侧驱动电压端子7、控制端子8、控制电源端子9及接地端子10，在另一个长边具备U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5。此外，在封装件PKG的2个短边没有设置端子。
就半导体模块300而言，如图7及图8所示，P相端子1及N相端子2为它们的一部分在封装件PKG的下表面的开口部OP1(第1开口部)及开口部OP2(第2开口部)处露出的结构，露出的部分作为电极起作用。
即，如图8所示，P相端子1为具有如下部分的剖面形状，即，芯片焊盘PD3的短边向封装件PKG的下表面折弯的部分、在封装件PKG的下表面设置的开口部OP1处以变得与封装件PKG的下表面平行的方式折弯的部分、向封装件PKG的上表面折弯的部分。因此，成为在开口部OP1处芯片焊盘PD3的表面从封装件PKG的下表面露出的结构，露出的部分作为电极起作用。另外，N相端子2为具有如下部分的剖面形状，即，向封装件PKG的下表面折弯的部分、在封装件PKG的下表面设置的开口部OP2处以变得与封装件PKG的下表面平行的方式折弯的部分、向封装件PKG的上表面折弯的部分。因此，成为在开口部OP2处N相端子2的表面从封装件PKG的下表面露出的结构，露出的部分作为电极起作用。
这样，就P相端子1及N相端子2而言，由于它们的一部分在封装件PKG的下表面的开口部OP1及OP2处露出，因此能够将该部分作为电极而安装于规定的电路基板之上。
图9是表示安装的一个例子的剖视图，示出通过焊料SD将在开口部OP1及OP2处露出的P相端子1及N相端子2接合于电路基板CB之上的配线图案CP的状态。此外，也可以替代焊料SD而使用导电性树脂。
这样，通过将P相端子1及N相端子2设置于封装件PKG的背面，从而能够可靠地确保与其它端子的沿面距离。另外，就P相端子1及N相端子2而言，由于仅其表面在开口部OP1及OP2处露出，因此成为不具有角部及边缘、对电短路的耐受性高的构造。另外，在安装于电路基板CB的情况下，由于能够从P相端子1及N相端子2直接散热至配线图案CP，因此还具有提高散热性这样的优点。
<实施方式4>
图10是表示本发明涉及的实施方式4的半导体模块400的结构的图，为了示出封装件PKG内的构造，省略地示出封装件PKG。另外，图11示出由封装件PKG封装后的状态下的半导体模块400的下表面(背面)侧的外观，图12是表示图10中的A-B线处的矢向方向的剖面的图。
如图10及图11所示，就半导体模块400而言，在俯视形状为矩形的封装件PKG的2个长边中的一个长边具备U相输出端子3、V相输出端子4、W相输出端子5及3个高电位侧驱动电压端子7。另外，在封装件PKG的另一个长边具备控制端子8、控制电源端子9及接地端子10。此外，在封装件PKG的2个短边没有设置端子。
就半导体模块400而言，如图11及图12所示，P相端子1及N相端子2为它们的一部分在封装件PKG的下表面的开口部OP1及OP2处露出的结构，露出的部分作为电极起作用。
即，如图10所示，P相端子1为具有如下部分的剖面形状，即，芯片焊盘PD3的短边向封装件PKG的下表面折弯的部分、在封装件PKG的下表面设置的开口部OP1处以变得与封装件PKG的下表面平行的方式折弯的部分、向封装件PKG的上表面折弯的部分。因此，成为在开口部OP1处芯片焊盘PD3的表面从封装件PKG的下表面露出的结构，露出的部分作为电极起作用。另外，N相端子2为具有如下部分的剖面形状，即，向封装件PKG的下表面折弯的部分、在封装件PKG的下表面设置的开口部OP2处以变得与封装件PKG的下表面平行的方式折弯的部分、向封装件PKG的上表面折弯的部分。因此，成为在开口部OP2处N相端子2的表面从封装件PKG的下表面露出的结构，露出的部分作为电极起作用。
这样，就P相端子1及N相端子2而言，由于它们的一部分在封装件PKG的下表面的开口部OP1及OP2处露出，因此能够可靠地确保与其它端子的沿面距离。另外，就P相端子1及N相端子2而言，由于仅其表面在开口部OP1及OP2处露出，因此成为不具有角部及边缘、对电短路的耐受性高的构造。另外，就半导体模块400而言，能够将P相端子1及N相端子2的露出的部分作为电极而安装于规定的电路基板之上，在该情况下，由于从P相端子1及N相端子2直接散热至电路基板之上的配线图案，因此还具有提高散热性这样的优点。
另外，成为高电位侧驱动电压端子7穿过芯片焊盘PD1～PD3、U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5的下方的结构，能够沿封装件PKG的一个长边将3个高电位侧驱动电压端子7与U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5交替地配置。因此，不需要另外设置高电位侧基准电压端子6，还能够实现由端子数量减少带来的封装件PKG的小型化。
<实施方式5>
图13是表示本发明涉及的实施方式5的半导体模块500的结构的图，为了示出封装件PKG内的构造，省略地示出封装件PKG。另外，图14示出由封装件PKG封装后的状态下的半导体模块500的下表面(背面)侧的外观，图15是表示图13中的A-B线处的矢向方向的剖面的图。
如图13及图14所示，就半导体模块500而言，在俯视形状为矩形的封装件PKG的2个长边中的一个长边具备U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5。另外，在封装件PKG的另一个长边具备控制端子8、控制电源端子9及接地端子10。另外，在封装件PKG的2个短边中的一个短边交替地设置有3个高电位侧基准电压端子6及3个高电位侧驱动电压端子7，在另一个短边没有设置端子。
就半导体模块500而言，如图14及图15所示，P相端子1及N相端子2为它们的一部分在封装件PKG的下表面的开口部OP1及OP2处露出的结构，露出的部分作为电极起作用。
即，如图15所示，P相端子1为具有如下部分的剖面形状，即，芯片焊盘PD3的短边向封装件PKG的下表面折弯的部分、在封装件PKG的下表面设置的开口部OP1处以变得与封装件PKG的下表面平行的方式折弯的部分、向封装件PKG的上表面折弯的部分。因此，成为在开口部OP1处芯片焊盘PD3的表面从封装件PKG的下表面露出的结构，露出的部分作为电极起作用。另外，N相端子2为具有如下部分的剖面形状，即，向封装件PKG的下表面折弯的部分、在封装件PKG的下表面设置的开口部OP2处以变得与封装件PKG的下表面平行的方式折弯的部分、向封装件PKG的上表面折弯的部分。因此，成为在开口部OP2处N相端子2的表面从封装件PKG的下表面露出的结构，露出的部分作为电极起作用。
这样，就P相端子1及N相端子2而言，由于它们的一部分在封装件PKG的下表面的开口部OP1及OP2处露出，因此能够可靠地确保与其它端子的沿面距离。另外，就P相端子1及N相端子2而言，由于仅其表面在开口部OP1及OP2处露出，因此成为不具有角部及边缘、对电短路的耐受性高的构造。另外，就半导体模块500而言，能够将P相端子1及N相端子2的露出的部分作为电极而安装于规定的电路基板之上，在该情况下，由于从P相端子1及N相端子2直接散热至电路基板之上的配线图案，因此还具有提高散热性这样的优点。
另外，就半导体模块500而言，如图13所示，成为如下结构，即，在封装件PKG的设置P相端子1侧的短边，沿短边交替地配置3个高电位侧基准电压端子6及3个高电位侧驱动电压端子7，且这些高电位侧基准电压端子6及高电位侧驱动电压端子7从短边侧面凸出。此外，在图13的例子中，在最靠近长边的位置(队列的开头)配置有高电位侧基准电压端子6，在其相邻处配置有高电位侧驱动电压端子7，但配置的顺序并不限于此。由于设为这样的结构，因此芯片焊盘PD1成为不仅沿芯片焊盘PD2的长边延伸而且还沿短边延伸的L字形的俯视形状，通过导线WR与在3个高电位侧驱动电压端子7之上各自搭载的自举二极管BSD的上表面电连接。
这样，由于通过在封装件PKG的2个短边中的一个短边配置高电位侧基准电压端子6及高电位侧驱动电压端子7，从而能够使成为高电位的两端子与低电位的端子分离，因此能够更可靠地确保沿面距离，能够进一步提高电短路的抑制效果。
<实施方式6>
图16是表示本发明涉及的实施方式6的半导体模块600的结构的图，为了示出封装件PKG内的构造，省略地示出封装件PKG。另外，图17示出由封装件PKG封装后的状态下的半导体模块600的下表面(背面)侧的外观，图18是表示图16中的A-B线处的矢向方向的剖面的图。
如图16及图17所示，半导体模块600在俯视形状为矩形的封装件PKG的2个长边中的一个长边具备高电位侧驱动电压端子7、控制端子8、控制电源端子9及接地端子10，在另一个长边具备P相端子1及N相端子2。此外，在封装件PKG的2个短边没有设置端子。
就半导体模块600而言，如图17及图18所示，U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5成为具有大于或等于1处弯折部且延伸至封装件PKG的长边的侧面附近，但不从长边的侧面延伸，MP的一部分分别在封装件PKG的下表面的开口部OP3、OP4及OP5(第3开口部)处露出的结构，露出的部分作为端子起作用。
即，U相输出端子3为具有如下部分的剖面形状，即，向封装件PKG的下表面折弯的部分、在封装件PKG的下表面设置的开口部OP3处以变得与封装件PKG的下表面平行的方式折弯的部分、向封装件PKG的上表面折弯的部分。另外，V相输出端子4为具有如下部分的剖面形状，即，向封装件PKG的下表面折弯的部分、在封装件PKG的下表面设置的开口部OP4处以变得与封装件PKG的下表面平行的方式折弯的部分、向封装件PKG的上表面折弯的部分。另外，W相输出端子5为具有如下部分的剖面形状，即，向封装件PKG的下表面折弯的部分、在封装件PKG的下表面设置的开口部OP5处以变得与封装件PKG的下表面平行的方式折弯的部分、向封装件PKG的上表面折弯的部分。通过采用这些结构，从而成为在开口部OP3、OP4及OP5的每一者处，U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5的表面从封装件PKG的下表面露出的结构，各个露出部分作为电极起作用。
这样，就U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5而言，由于各自的一部分在封装件PKG的下表面的开口部OP3、OP4及OP5处露出，因此各个露出的部分能够作为电极而安装于规定的电路基板之上，在该情况下，由于能够从U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5直接散热至电路基板之上的配线图案，因此还具有提高散热性这样的优点。
另外，就半导体模块600而言，由于U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5设置于封装件PKG的背面，因此能够可靠地确保与其它端子的沿面距离。另外，就U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5而言，由于仅各自的表面在开口部OP3、OP4及OP5处露出，因此成为不具有角部及边缘、对电短路的耐受性高的构造。
另外，如使用图3说明过的那样，高电位侧驱动电路11的高电位侧驱动电压端子VB为被从自举电容器BSC赋予高电位侧驱动电压VB的端子，高电位侧驱动电路11的3个高电位侧基准电压端子VS为成为高电位侧的基准电位的端子，各自为与U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5相同的电位。因此，通过沿封装件PKG的一个长边配置被输入高电位侧驱动电压VB的3个高电位侧驱动电压端子7，替代高电位侧基准电压端子6而设为在封装件PKG的背面配置的U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5，从而不需要另外设置高电位侧基准电压端子6，还能够实现由端子数量减少带来的封装件PKG的小型化。
此外，在3个高电位侧驱动电压端子7的每一者与U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5之间外接自举电容器BSC的情况下，经由规定的电路基板之上的配线图案进行即可，因此即使3个高电位侧驱动电压端子7与U相输出端子3、V相输出端子4及W相输出端子5的配置位置分离开也没有问题。
另外，如图16所示，就半导体模块600而言，成为从搭载高电位侧开关器件Q1、Q2及Q3的芯片焊盘PD3的一个长边延伸出P相端子1，从封装件PKG的一个长边的侧面凸出的结构。另外，芯片焊盘PD11、PD12及PD13的队列设置为与封装件PKG的长边平行，成为与芯片焊盘PD3串联的位置关系。而且，3个N相端子2设置于封装件PKG的P相端子1凸出的长边的相反侧，3个N相端子2的每一者与低电位侧开关器件Q11、Q12及Q13的发射极之间通过导线WR电连接。
通过采用这样的结构，从而能够使P相端子1及N相端子2从封装件PKG的一个长边的侧面凸出，另外，能够使两者之间分离，能够确保沿面距离。
虽然对本发明进行了详细说明，但上述的发明在全部的方面都只是例示，本发明并不限定于此。应当理解为，在不脱离本发明的范围的情况下，会设想到未例示的无数的变形例。
此外，本发明可以在其发明的范围内将各实施方式自由地组合，对各实施方式适当进行变形、省略。

Claims (8)

1.一种半导体模块，其具备：
至少1组第1及第2开关器件，它们串联地插入至第1电位与比所述第1电位低的第2电位之间，互补地进行动作；
第1驱动电路，其进行所述第1开关器件的驱动控制；以及
第2驱动电路，其进行所述第2开关器件的驱动控制，
所述至少1组第1及第2开关器件、所述第1及第2驱动电路被封装于俯视形状为矩形的封装件，
该半导体模块具备：
控制端子，其设置为从所述封装件的第1及第2长边中的所述第1长边的侧面凸出，被输入所述第1及第2驱动电路的控制信号；
输出端子，其设置为从所述第2长边的侧面凸出，被赋予所述第1及第2开关器件的输出；
第1主端子，其设置为从所述封装件的第1及第2短边中的所述第1短边的侧面凸出，被赋予所述第1电位；以及
第2主端子，其设置为从所述第2短边的侧面凸出，被赋予所述第2电位。
2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，
所述第1主端子设置于所述第1短边的中央部，
所述第2主端子设置于所述第2短边的中央部。
3.一种半导体模块，其具备：
至少1组第1及第2开关器件，它们串联地插入至第1电位与比所述第1电位低的第2电位之间，互补地进行动作；
第1驱动电路，其进行所述第1开关器件的驱动控制；以及
第2驱动电路，其进行所述第2开关器件的驱动控制，
所述至少1组第1及第2开关器件、所述第1及第2驱动电路被封装于俯视形状为矩形的封装件，
该半导体模块具备：
控制端子，其设置为从所述封装件的第1及第2长边中的所述第1长边的侧面凸出，被输入所述第1及第2驱动电路的控制信号；
输出端子，其设置为从所述第2长边的侧面凸出，被赋予所述第1及第2开关器件的输出；
第1主端子，其表面的一部分从在向电路基板安装时成为面向所述电路基板侧的所述封装件的背面设置的第1开口部露出，露出的部分被赋予所述第1电位；以及
第2主端子，其表面的一部分从在所述背面设置的第2开口部露出，露出的部分被赋予所述第2电位。
4.根据权利要求1或3所述的半导体模块，其中，具备：
基准电压端子，其设置为从所述第1长边的侧面凸出，被赋予所述第1驱动电路的基准电压；以及
驱动电压端子，其与所述基准电压端子相邻地设置，被赋予所述第1驱动电路的驱动电压。
5.根据权利要求1或3所述的半导体模块，其中，
具备驱动电压端子，该驱动电压端子设置为从所述第1长边的侧面凸出，被赋予所述第1驱动电路的驱动电压，
所述驱动电压端子与所述输出端子相邻地设置。
6.根据权利要求3所述的半导体模块，其中，具备：
基准电压端子，其设置为从所述封装件的第1及第2短边中的所述第1短边的侧面凸出，被赋予所述第1驱动电路的基准电压；以及
驱动电压端子，其与所述基准电压端子相邻地设置，被赋予所述第1驱动电路的驱动电压。
7.一种半导体模块，其具备：
至少1组第1及第2开关器件，它们串联地插入至第1电位与比所述第1电位低的第2电位之间，互补地进行动作；
第1驱动电路，其进行所述第1开关器件的驱动控制；以及
第2驱动电路，其进行所述第2开关器件的驱动控制，
所述至少1组第1及第2开关器件、所述第1及第2驱动电路被封装于俯视形状为矩形的封装件，
该半导体模块具备：
控制端子，其设置为从所述封装件的第1及第2长边中的所述第1长边的侧面凸出，被输入所述第1及第2驱动电路的控制信号；
第1主端子，其设置为从所述第2长边的侧面凸出，被赋予所述第1电位；
第2主端子，其设置为从所述第2长边的侧面凸出，被赋予所述第2电位；
输出端子，其表面的一部分从在向电路基板安装时成为面向所述电路基板侧的所述封装件的背面设置的第3开口部露出，露出的部分被赋予所述第1及第2开关器件的输出。
8.根据权利要求7的半导体模块，其中，
具备驱动电压端子，该驱动电压端子设置为从所述第1长边的侧面凸出，被赋予所述第1驱动电路的驱动电压。
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