CN109937534B - 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置 - Google Patents

弹性波装置、高频前端电路以及通信装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109937534B
CN109937534B CN201780068205.5A CN201780068205A CN109937534B CN 109937534 B CN109937534 B CN 109937534B CN 201780068205 A CN201780068205 A CN 201780068205A CN 109937534 B CN109937534 B CN 109937534B
Authority
CN
China
Prior art keywords
elastic wave
electrode
wave device
reflector
electrode finger
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201780068205.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109937534A (zh
Inventor
谷口康政
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN109937534A publication Critical patent/CN109937534A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109937534B publication Critical patent/CN109937534B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
    • H03H9/02803—Weighted reflective structures
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14538—Formation
    • H03H9/14541—Multilayer finger or busbar electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14517—Means for weighting
    • H03H9/14529—Distributed tap
    • H03H9/14532—Series weighting; Transverse weighting
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
    • H03H9/6496—Reducing ripple in transfer characteristic
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/74—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on the same frequency or frequency band, to a common load or source
    • H03H9/76—Networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/165—A filter circuit coupled to the input of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/171—A filter circuit coupled to the output of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

本发明提供一种纵模的纹波小且带内损耗小的弹性波装置。一种弹性波装置(1)，其中，在弹性波元件基板上设置有具有多根电极指(11、12)的IDT电极(2)和反射器(3、4)，反射器(3、4)的至少一根电极指(16、26)在长度方向上具有厚度相对厚的部分和薄的部分，反射器的厚度厚的部分设为比IDT电极(2)的电极指部分的厚度厚。

Description

弹性波装置、高频前端电路以及通信装置
技术领域
本发明涉及在IDT电极的两侧设置有反射器的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置。
背景技术
以往，弹性波装置被广泛用于便携式电话机的RF级的带通滤波器等。在下述的专利文献1公开了这样的弹性波装置。在该弹性波装置中，在压电基板上设置有IDT电极。此外，在压电基板上设置有一对反射器，使得夹着IDT电极。上述IDT电极以及反射器由同一金属膜构成。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004-236285号公报
发明内容
发明要解决的课题
在以往的弹性波装置中，存在由纵模造成的纹波大这样的问题。此外，还存在作为谐振频率与反谐振频率之间的区域的频带中的损耗大这样的问题。
本发明的目的在于，提供一种纵模的纹波小且带内损耗小的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置。
用于解决课题的技术方案
本发明涉及的弹性波装置具备：弹性波元件基板；IDT电极，设置在所述弹性波元件基板上，具有多根电极指；以及一对反射器，配置在所述IDT电极的两侧，具备具有长度方向的多根电极指，所述反射器各自的至少一根电极指在所述长度方向上具有厚度相对厚的部分和薄的部分，所述反射器的所述厚度厚的部分设为比所述IDT电极的所述电极指的厚度厚。
在本发明涉及的弹性波装置的某个特定的方面中，所述IDT电极的所述电极指具有连接于一个电位的第一电极指和连接于另一个电位的第二电极指，在将所述第一电极指和所述第二电极指在弹性波传播方向上相互重叠的区域称为交叉区域时，在所述交叉区域中，所述第一电极指和所述第二电极指具有中央部和低声速部，所述低声速部是在所述第一电极指以及所述第二电极指延伸的方向上设置在所述中央部的两侧且弹性波的传播速度比所述中央部低的区域。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中，所述低声速部的厚度设为比所述中央部处的电极指的厚度厚。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，在所述低声速部层叠有第一附加膜，所述反射器的所述厚度厚的部分具有与所述第一附加膜相同的厚度的第二附加膜。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，在所述低声速部层叠有第一附加膜，所述反射器的所述厚度厚的部分具有由与所述第一附加膜相同的材料构成的第二附加膜。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中，在将所述低声速部在所述弹性波传播方向上延长的区域以外的区域中，在所述反射器设置有所述厚度厚的部分。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，在所述反射器中，所述多根电极指中的至少两根电极指具有所述厚度厚的部分。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，在所述反射器中，所述至少两根电极指的所述厚度厚的部分的长度在弹性波传播方向上随着从一侧朝向另一侧而变化。
在本发明涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中，在所述反射器的所述至少两根电极指中，所述厚度厚的部分的长度随着从IDT电极侧朝向远离所述IDT电极侧而依次变长。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，在所述反射器的所述至少两根电极指中，所述厚度厚的部分的长度随着从IDT电极侧朝向远离所述IDT电极侧而依次变短。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，在所述多根电极指中，在弹性波传播方向上相邻的n根电极指(n为2以上的自然数)的电极指的所述厚度厚的部分的长度设为相同，每隔n根电极指，所述厚度厚的部分的长度在弹性波传播方向上变化。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，在所述反射器中，所述厚度厚的部分设置在所述反射器的所述电极指的一端侧以及另一端侧的双方。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，在所述反射器中，所述厚度厚的部分配置为相对于通过所述反射器的电极指的长度方向中心并在所述弹性波传播方向上延伸的假想线对称。
在本发明涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，所述一对反射器中的一个所述反射器中的所述厚度厚的部分的配置与另一个所述反射器中的所述厚度厚的部分的配置对称。
本发明涉及的高频前端电路具备按照本发明构成的弹性波装置和功率放大器。
本发明涉及的通信装置具备按照本发明构成的高频前端电路和RF信号处理电路。
发明效果
根据本发明涉及的弹性波装置，能够减小纵模的纹波，且能够减小带内损耗。
附图说明
图1是示出本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的电极构造的俯视图。
图2是将本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置中的IDT电极的一部分放大示出的部分切割俯视图。
图3是将本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的反射器的一部分放大示出的部分切割俯视图。
图4是实施例1的弹性波装置的IDT电极中的交叉区域内的中央部处的弹性波装置的部分放大剖视图。
图5是实施例1的弹性波装置中的电极指的低声速部处的弹性波装置的部分放大剖视图。
图6是将比较例1的弹性波装置中的反射器的一部分放大示出的部分切割俯视图。
图7是示出实施例1以及比较例1的反射损耗特性的图。
图8是示出本发明的第二实施方式涉及的弹性波装置的IDT电极的一部分以及一方的反射器的电极构造的部分放大俯视图。
图9是本发明的第三实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。
图10是示出作为第三实施方式的实施例的实施例2和比较例2的反射损耗特性的图。
图11是用于说明本发明的第四实施方式涉及的弹性波装置的电极构造的部分放大俯视图。
图12是用于说明本发明的第五实施方式涉及的弹性波装置的反射器的电极形状的部分切割放大俯视图。
图13是具有高频前端电路的通信装置的结构图。
具体实施方式
以下，通过参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明，从而明确本发明。
另外，需要指出的是，在本说明书记载的各实施方式是例示性的，能够在不同的实施方式间进行结构的部分置换或组合。
图1是示出本发明的第一实施方式涉及的弹性波装置的电极构造的俯视图。在本实施方式中，在弹性波元件基板上设置有图1所示的电极构造。该电极构造具有IDT电极2和第一反射器3、第二反射器4。第一反射器3、第二反射器4配置在IDT电极2的弹性波传播方向两侧。由此，作为弹性波装置而构成了弹性波谐振器。
将IDT电极2的主要部分以部分切割俯视图示于图2。在IDT电极2中，具有长度方向的多根第一电极指11和具有长度方向的多根第二电极指12彼此相互交替插入。第一电极指11的一端与第一汇流条13连接。如图1所示，第一汇流条13和第二汇流条14在与弹性波传播方向正交的方向上隔开。在第二汇流条14连接有多根第二电极指12的一端。
在弹性波装置1中，弹性波传播的方向是与第一电极指11、第二电极指12的长度方向正交的方向。在该弹性波传播方向上，将第一电极指11和第二电极指12重叠的区域称为交叉区域A。若在多根第一电极指11、第二电极指12施加交流电压，则在交叉区域A中激励弹性波。在IDT电极2中，交叉区域A具有位于第一电极指11、第二电极指12延伸的方向中央的中央部B和设置在中央部B的电极指延伸的方向两侧的低声速部C。在图2中，图示了设置有一方的低声速部C的部分。如图1所示，在第二汇流条14侧，在第一电极指11的前端侧部分与第二电极指12在弹性波传播方向上相互重叠的部分也设置有低声速部C。
低声速部C是与中央部B相比弹性波的传播速度低的区域。通过设置有该低声速部C，从而能够抑制横模纹波。低声速部C通过在第一电极指11、第二电极指12上层叠附加膜15来设置。关于该附加膜15，只要能够像上述那样使声速下降，其材料就没有特别限定。因为质量附加效果大，所以作为附加膜15的材料使用金属、无机绝缘材料。此外，更优选使用金属。进一步优选地，最好使用与第一电极指11、第二电极指12相同的材料。由此，能够谋求制造工序的简化。
图3是将第一反射器3的一部分放大示出的部分切割俯视图。在第一反射器3中，多根电极指16在与弹性波传播方向正交的方向上延伸。电极指16的一端与第一汇流条17连接。在本实施方式中，在第一汇流条17内设置有开口部18。该开口部18位于将电极指16向第一汇流条17侧延长的区域间。由此，在第一汇流条17中，在开口部18的电极指16侧设置有细汇流条部17a。在细汇流条部17a连接有电极指16。
另外，在电极指16的相反侧的端部也设置有同样的构造。如图1所示，在第二汇流条19的细汇流条部19a连接有电极指16。
另外，上述细汇流条部17a、19a在第一电极指11、第二电极指12延伸的方向上位于比前述的IDT电极2的低声速部C靠外侧。因此，在弹性波传播方向上观察时，电极指16在第一电极指11、第二电极指12延伸的方向上到达比交叉区域A靠外侧。
弹性波装置1的特征在于，如图3所示，在多根电极指16中，分别设置有附加膜21a～21h。
在本实施方式中，在多根电极指16中，从IDT电极2侧起，随着从IDT电极2远离，附加膜21a～21h的长度依次变长。此外，如图1所示，在靠近第二汇流条19侧，也在电极指16上同样地设置有附加膜23a、23b。由此，在第一反射器3中，对多根电极指16实施了重量附加。
通过设置上述附加膜21a～21h，从而在电极指16设置有厚度比剩余的部分厚的部分。设置上述附加膜21a～21h而使厚度变厚的部分的厚度，被设为比在弹性波传播方向上与设置有附加膜21a～21h的区域重叠的IDT电极2的电极指部分的厚度厚。
另外，虽然在细汇流条部17a上也设置有附加膜22，但是也可以不设置附加膜22。在本实施方式中，因为多个附加膜21a～21h的一端与附加膜22相连，因此能够通过图案化容易地形成附加膜21a～21h。
在另一方的细汇流条部19a中，也同样地，附加膜24设置为在弹性波传播方向上延伸。
第二反射器4也具有同样的构造。即，多根电极指26的一端与第一汇流条27连接，另一端与第二汇流条29连接。而且，在多根电极指26上，也与上述同样地，设置有附加膜31a、31b、…、33a、33b、…。
相对于通过IDT电极2的弹性波传播方向中心并在第一电极指11、第二电极指12延伸的方向上延伸的假想线D，第一反射器3的厚度不同的部分的配置被设为与第二反射器4中的厚度厚的部分的配置对称。此外，在第一反射器3中，厚度设得相对厚的部分的配置被配置为，相对于通过电极指16的长度方向中心并在弹性波传播方向上延伸的假想线E对称。
弹性波装置1的特征在于，在第一反射器3、第二反射器4的电极指16、26中，设置有厚度相对厚的部分和薄的部分。由此，能够抑制纵模纹波，且能够减小带内的损耗。关于上述实施方式的弹性波装置1，对比下述的实施例1和下述的比较例1，从而明确这一点。
实施例1的细节如下。图4是实施例1的弹性波装置的IDT电极中的交叉区域内的中央部处的弹性波装置的部分放大剖视图。图5是实施例1的弹性波装置中的电极指的低声速部处的弹性波装置的部分放大剖视图。如图4所示，在由128.5°Y切割X传播的LiNbO3构成的弹性波元件基板41上，依次对NiCr膜42a、Pt膜42b、Ti膜42c、A1Cu膜42d以及Ti膜42e进行成膜，形成了第二电极指12。如图5所示，在低声速部中，在Ti膜42e上进一步层叠了由Pt构成的附加膜15。然后，形成了图4以及图5所示的SiO2膜43，使得覆盖IDT电极2。在SiO2膜43上层叠了SiN膜44。
在实施例1中，IDT电极2中的电极指的对数设为40对，由电极指间距确定的波长λ设为4μm，交叉宽度即交叉区域A的长度设为100μm，占空比设为0.5。在第一反射器3、第二反射器4中，电极指16或电极指26的根数设为21根。
在实施例1中，如前所述，从最靠近IDT电极2的电极指16起，随着从IDT电极2远离，在电极指16上设置了附加膜21a、21b、…、以及23a、23b、…。第二反射器4侧也设为相同。
该附加膜21a、21b、…、23a、23b、…的材料与附加膜15同样地使用了Pt膜。附加膜21a、21b、…、23a、23b、…的厚度设为与附加膜15相同的厚度。
另外，实施例1的弹性波装置的谐振频率为888MHz，反谐振频率为918MHz。
另一方面，图6是将比较例1的弹性波装置中的反射器的一部分放大示出的部分切割俯视图。如图6所示，在比较例1中，在反射器101的多根电极指102上未设置前述的附加膜21a、21b、…、23a、23b、…。比较例1的其它方面设为与实施例1相同。
在图7示出实施例1以及比较例1的S11反射损耗特性。根据图7可明确，如箭头X所示，谐振频率附近的损耗在比较例1中为0.5dB，相对于此，在实施例1中小至0.45dB。此外，如箭头Y所示，可知在比较例1中，纵模纹波最大为大至2.24dB，相对于此，在实施例1中，降低为1.71dB。认为这是由于，在第一反射器3、第二反射器4中，使厚度变厚的部分其长度沿着弹性波传播方向而变化。即，在交叉宽度方向上的各区域中，反射波的相位变得不同，反射波彼此相互抵消，因此改善了上述纵模纹波。
因此，可知在弹性波装置1中，能够兼顾纵模纹波的降低和带内损耗的改善。
另外，虽然在本实施方式中，在第一反射器3、第二反射器4中，在电极指16、26上设置附加膜21a、21b、…、23a、23b、…而设置了厚度厚的部分，但是也可以不设置附加膜而通过蚀刻等使电极指的一部分变薄而设置厚度相对薄的部分。
图8是示出第二实施方式涉及的弹性波装置的IDT电极的一部分以及一方的反射器的电极构造的部分放大俯视图。
在第二实施方式的弹性波装置中，在反射器3A中，从与IDT电极2相邻侧的电极指16起，每隔两根电极指，附加膜21的长度变化。即，随着从IDT电极2在弹性波传播方向上远离，每隔两根，设置在电极指16的附加膜21的长度变长。像这样，附加膜21的长度也可以每隔n根(n为2以上的整数)而变化。
图9是本发明的第三实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。
弹性波装置51具有弹性波元件基板52。弹性波元件基板52由LiTaO3构成。不过，弹性波元件基板52也可以是由其它压电单晶、压电陶瓷构成的弹性波元件基板。
另外，弹性波元件基板52是至少在表面具有压电性的基板。例如，也可以在表面具备压电薄膜，并由声速与该压电薄膜不同的膜以及支承基板等的层叠体构成。此外，弹性波元件基板52也可以在基板整体具有压电性。在该情况下，弹性波元件基板52是由一层压电体层构成的压电基板。
在弹性波元件基板52上设置有IDT电极53以及反射器54、55。在反射器54中，多根电极指56的两端被短路。在电极指56上分别设置有附加膜57。设置有附加膜57的部分与剩余的电极指部分相比设得相对厚。设置有该附加膜57的部分的厚度设为比IDT电极53的第一电极指53a、第二电极指53b厚。第一电极指53a、第二电极指53b的厚度在长度方向上是均匀的。
反射器55也与反射器54同样地构成，在电极指58上设置有附加膜59。在反射器55中，附加膜59的长度从靠近IDT电极53侧起随着从IDT电极53远离而依次变长。
弹性波装置51是具有标准型的IDT电极53的弹性波装置。
在本实施方式中，也像上述那样设置有附加膜57、59，因此能够抑制纵模纹波。参照图10对此进行说明。
图10是示出作为第三实施方式的实施例的实施例2和比较例2的反射损耗特性的图。实线示出实施例2的结果，虚线示出比较例2的结果。
另外，实施例2的设计参数如下。
弹性波元件基板52：42°Y切割X传播的LiTaO3基板
IDT电极53：
电极指的对数＝40对
交叉宽度＝100μm
由电极指间距确定的波长λ＝4.8μm
IDT电极53的电极指的层叠构造从上起依次设为A1Cu膜、Ti膜。
反射器54、55的电极指的根数＝21根
电极指56、58的波长λ＝4.8μm
电极指56、58的电极层叠构造设为与IDT电极53相同。
作为附加膜57、59，设置了由Pt构成的附加膜。
实施例2的弹性波装置的谐振频率为810MHz，反谐振频率为841MHz。
在比较例2中，除了未设置上述附加膜57、59以外，设为与实施例2相同。
根据图10明确可知，在763～775MHz的范围、784～792MHz的范围、以及796～805MHz的范围的各范围中，根据实施例2，与比较例2相比，纵模纹波变小。因而，可知在实施例2中，能够在不使带内损耗劣化的情况下减小纵模纹波。
像第三实施方式的弹性波装置51那样，在本发明中，IDT电极也可以不是利用了活塞模式的IDT电极。
图11是用于说明第四实施方式涉及的弹性波装置的电极构造的部分放大俯视图。在第四实施方式中，一方的反射器62与IDT电极61相邻。反射器62具有多根电极指63。而且，在电极指63上设置有附加膜64。该附加膜64在最靠近IDT电极61的电极指63中遍及电极指63的长度方向上的整个长度。而且，在最靠近IDT电极61的电极指63以外的电极指中，设置有一对附加膜64，使得隔着设置在长度方向中央的缝隙63a对置。而且，该附加膜64的长度随着从IDT电极61远离而变短。
像这样，在反射器62中，厚度厚的部分也可以随着从IDT电极61远离而使其长度变短。
图12是用于说明本发明的第五实施方式涉及的弹性波装置的反射器的电极形状的部分切割放大俯视图。
在反射器71中，在电极指72上设置有附加膜73。在该情况下，在弹性波传播方向上交替地配置有在电极指72的长度方向中央设置有附加膜73的结构和在电极指72的长度方向两端分别设置有附加膜73的结构。像这样，在本发明中，厚度相对厚的部分的配置并不限于在弹性波传播方向上依次变化的配置，能够设为各种各样的方式。在该情况下，在设置有附加膜的区域和除此以外的区域中，反射波的相位也会偏移，因此与第一实施方式～第四实施方式同样地，能够谋求纵模纹波的改善和带内的损耗的改善。
上述各实施方式的弹性波装置能够用作高频前端电路的双工器等的部件。以下对这样的高频前端电路的例子进行说明。
图13是具有高频前端电路的通信装置的结构图。另外，在同图中还一并图示了与高频前端电路230连接的各构成要素，例如，天线元件202、RF信号处理电路(RFIC)203。高频前端电路230以及RF信号处理电路203构成通信装置240。另外，通信装置240也可以包含电源、CPU、显示器。
高频前端电路230具备开关225、双工器201A、201B、滤波器231、232、低噪声放大器电路214、224、以及功率放大器电路234a、234b、244a、244b。另外，图13的高频前端电路230以及通信装置240是高频前端电路以及通信装置的一个例子，并不限定于该结构。
双工器201A具有滤波器211、212。双工器201B具有滤波器221、222。双工器201A、201B经由开关225与天线元件202连接。另外，具有上述弹性波装置的部件可以是双工器201A、201B，也可以是滤波器211、212、221、222。具有上述弹性波装置的部件还可以是构成双工器201A、201B、滤波器211、212、221、222的弹性波装置。
进而，例如对于将三个滤波器的天线端子进行了公共化的三工器、将六个滤波器的天线端子进行了公共化的六工器等具备三个以上的滤波器的多工器，也能够应用上述弹性波装置。
即，上述弹性波装置包含弹性波谐振器、滤波器、双工器、具备三个以上的滤波器的多工器。而且，该多工器并不限于具备发送滤波器以及接收滤波器的双方的结构，也可以是仅具备发送滤波器或仅具备接收滤波器的结构。
开关225按照来自控制部(未图示)的控制信号将天线元件202和对应于给定的频段的信号路径连接，例如由SPDT(Single Pole Double Throw，单刀双掷)型的开关构成。另外，与天线元件202连接的信号路径并不限于一个，也可以是多个。也就是说，高频前端电路230也可以应对载波聚合。
低噪声放大器电路214是将经由了天线元件202、开关225以及双工器201A的高频信号(在此为高频接收信号)放大并向RF信号处理电路203输出的接收放大电路。低噪声放大器电路224是将经由了天线元件202、开关225以及双工器201B的高频信号(在此为高频接收信号)放大并向RF信号处理电路203输出的接收放大电路。
功率放大器电路234a、234b是将从RF信号处理电路203输出的高频信号(在此为高频发送信号)放大并经由双工器201A以及开关225输出到天线元件202的发送放大电路。功率放大器电路244a、244b是将从RF信号处理电路203输出的高频信号(在此为高频发送信号)放大并经由双工器201B以及开关225输出到天线元件202的发送放大电路。
RF信号处理电路203通过下变频等对从天线元件202经由接收信号路径输入的高频接收信号进行信号处理，并输出进行该信号处理而生成的接收信号。此外，RF信号处理电路203通过上变频等对输入的发送信号进行信号处理，并向功率放大器234a、234b输出进行该信号处理而生成的高频发送信号。RF信号处理电路203例如是RFIC。另外，通信装置240也可以包含BB(基带)IC。在该情况下，BBIC对在RFIC中被处理的接收信号进行信号处理。此外，BBIC对发送信号进行信号处理并输出到RFIC。在BBIC中被处理的接收信号、BBIC进行信号处理之前的发送信号例如是图像信号、声音信号等。另外，高频前端电路230也可以在上述的各构成要素之间具备其它电路元件。
另外，高频前端电路230也可以代替上述双工器201A、201B而具备双工器201A、201B的变形例涉及的双工器。
另一方面，通信装置240中的滤波器231、232不经由低噪声放大器电路214、224以及功率放大器电路234a、234b、244a、244b而连接在RF信号处理电路203与开关225之间。滤波器231、232也与双工器201A、201B同样地，经由开关225与天线元件202连接。
根据像以上那样构成的高频前端电路230以及通信装置240，通过具备作为本发明的弹性波装置的弹性波谐振器、滤波器、双工器、具备三个以上的滤波器的多工器等，从而能够得到本发明的效果。
以上，举出实施方式及其变形例对本发明的实施方式涉及的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置进行了说明，但是将上述实施方式以及变形例中的任意的构成要素进行组合而实现的其它实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内对上述实施方式实施了本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、内置了本发明涉及的高频前端电路以及通信装置的各种设备也包含于本发明。
本发明能够作为弹性波谐振器、滤波器、双工器、能够应用于多频段系统的多工器、前端电路以及通信装置而广泛利用于便携式电话等通信设备。
附图标记说明
1：弹性波装置；
2：IDT电极；
3、4：第一反射器、第二反射器；
3A：反射器；
11、12：第一电极指、第二电极指；
13、14：第一汇流条、第二汇流条；
15：附加膜；
16：电极指；
17、19：第一汇流条、第二汇流条；
18：开口部；
17a、19a：细汇流条部；
21、21a～21h、22、23a、23b、24：附加膜；
26：电极指；
27、29：第一汇流条、第二汇流条；
31a、31b、33a、33b：附加膜；
41：弹性波元件基板；
42a：NiCr膜；
42b：Pt膜；
42c、42e：Ti膜；
42d：AlCu膜；
43：SiO2膜；
44：SiN膜；
51：弹性波装置；
52：弹性波元件基板；
53：IDT电极；
53a、53b：第一电极指、第二电极指；
54、55：反射器；
56、58：电极指；
57、59：附加膜；
61：IDT电极；
62：反射器；
63：电极指；
63a：缝隙；
64：附加膜；
71：反射器；
72：电极指；
73：附加膜；
201A、201B：双工器；
202：天线元件；
203：RF信号处理电路；
211、212：滤波器；
214：低噪声放大器电路；
221、222：滤波器；
224：低噪声放大器电路；
225：开关；
230：高频前端电路；
231、232：滤波器；
234a、234b：功率放大器电路；
240：通信装置；
244a、244b：功率放大器电路。

Claims (15)

1.一种弹性波装置，具备：
弹性波元件基板；
IDT电极，设置在所述弹性波元件基板上，具有多根电极指；以及
一对反射器，配置在所述IDT电极的弹性波传播方向两侧，具备具有长度方向的多根电极指，
所述反射器各自的至少两根电极指在所述长度方向上具有厚度相对厚的部分和薄的部分，
所述反射器的所述厚度厚的部分设为比所述IDT电极的所述电极指的厚度厚。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述IDT电极的所述电极指具有连接于一个电位的第一电极指和连接于另一个电位的第二电极指，
在将所述第一电极指和所述第二电极指在弹性波传播方向上相互重叠的区域称为交叉区域时，在所述交叉区域中，所述第一电极指和所述第二电极指具有中央部和低声速部，
所述低声速部是在所述第一电极指以及所述第二电极指延伸的方向上设置在所述中央部的两侧且弹性波的传播速度比所述中央部低的区域。
3.根据权利要求2所述的弹性波装置，其中，
所述低声速部的厚度设为比所述中央部处的电极指的厚度厚。
4.根据权利要求3所述的弹性波装置，其中，
在所述低声速部层叠有第一附加膜，
所述反射器的所述厚度厚的部分具有与所述第一附加膜相同的厚度的第二附加膜。
5.根据权利要求3所述的弹性波装置，其中，
在所述低声速部层叠有第一附加膜，
所述反射器的所述厚度厚的部分具有由与所述第一附加膜相同的材料构成的第二附加膜。
6.根据权利要求2～5中的任一项所述的弹性波装置，其中，
在将所述低声速部在所述弹性波传播方向上延长的区域以外的区域中，在所述反射器设置有所述厚度厚的部分。
7.根据权利要求1～5中的任一项所述的弹性波装置，其中，
在所述反射器各自中，所述至少两根电极指的所述厚度厚的部分的长度在弹性波传播方向上随着从一侧朝向另一侧而变化。
8.根据权利要求7所述的弹性波装置，其中，
在所述反射器各自的所述至少两根电极指中，所述厚度厚的部分的长度随着从IDT电极侧朝向远离所述IDT电极侧而依次变长。
9.根据权利要求7所述的弹性波装置，其中，
在所述反射器各自的所述至少两根电极指中，所述厚度厚的部分的长度随着从IDT电极侧朝向远离所述IDT电极侧而依次变短。
10.根据权利要求1～5中的任一项所述的弹性波装置，其中，
在所述反射器的所述多根电极指中，在弹性波传播方向上相邻的n根电极指的所述厚度厚的部分的长度设为相同，每隔n根电极指，所述厚度厚的部分的长度在弹性波传播方向上变化，其中，n为2以上的自然数。
11.根据权利要求1～5中的任一项所述的弹性波装置，其中，
在所述反射器中，所述厚度厚的部分设置在所述反射器的所述电极指的一端侧以及另一端侧的双方。
12.根据权利要求11所述的弹性波装置，其中，
在所述反射器中，所述厚度厚的部分配置为相对于通过所述反射器的电极指的长度方向中心并在所述弹性波传播方向上延伸的假想线对称。
13.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述一对反射器中的一个所述反射器中的所述厚度厚的部分的配置与另一个所述反射器中的所述厚度厚的部分的配置对称。
14.一种高频前端电路，具备：
权利要求1～13中的任一项所述的弹性波装置；以及
功率放大器。
15.一种通信装置，具备：
权利要求14所述的高频前端电路；以及
RF信号处理电路。
CN201780068205.5A 2016-11-09 2017-10-13 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置 Active CN109937534B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-218618 2016-11-09
JP2016218618 2016-11-09
PCT/JP2017/037209 WO2018088118A1 (ja) 2016-11-09 2017-10-13 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109937534A CN109937534A (zh) 2019-06-25
CN109937534B true CN109937534B (zh) 2023-09-08

Family

ID=62109818

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780068205.5A Active CN109937534B (zh) 2016-11-09 2017-10-13 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10826458B2 (zh)
JP (1) JP6607323B2 (zh)
KR (1) KR102226163B1 (zh)
CN (1) CN109937534B (zh)
WO (1) WO2018088118A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11545960B2 (en) 2018-11-16 2023-01-03 Skyworks Solutions, Inc. Multi-mode surface acoustic wave filter with slanted acoustic reflectors
WO2023190370A1 (ja) * 2022-03-28 2023-10-05 株式会社村田製作所 弾性波装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011041082A (ja) * 2009-08-13 2011-02-24 Murata Mfg Co Ltd 一ポート型弾性波共振子及び弾性波フィルタ装置
JP2012253738A (ja) * 2011-05-06 2012-12-20 Kyocera Corp 弾性波素子およびそれを用いた弾性波装置
US20130147578A1 (en) * 2010-10-18 2013-06-13 Taiyo Yuden Co., Ltd. Duplexer
CN105531926A (zh) * 2013-09-06 2016-04-27 株式会社村田制作所 弹性波谐振器、弹性波滤波器装置以及双工器
CN105745840A (zh) * 2013-11-29 2016-07-06 京瓷株式会社 弹性波元件、分波器以及通信装置
JP2016178387A (ja) * 2015-03-18 2016-10-06 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6161512A (ja) * 1984-09-03 1986-03-29 Hitachi Ltd 弾性表面波共振装置
JPH066161A (ja) * 1992-06-24 1994-01-14 Nikko Electron Kk 弾性表面波装置及びその製造方法
JP2002290194A (ja) * 2001-03-27 2002-10-04 Toshiba Corp 弾性表面波装置
JP2004208221A (ja) * 2002-12-26 2004-07-22 Toshiba Corp 高周波帯フィルタ装置及び携帯型情報端末
JP4127170B2 (ja) 2003-01-07 2008-07-30 株式会社村田製作所 表面波装置
DE102010005596B4 (de) * 2010-01-25 2015-11-05 Epcos Ag Elektroakustischer Wandler mit verringerten Verlusten durch transversale Emission und verbesserter Performance durch Unterdrückung transversaler Moden
CN105264772B (zh) * 2013-05-29 2018-01-12 株式会社村田制作所 弹性波滤波器装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011041082A (ja) * 2009-08-13 2011-02-24 Murata Mfg Co Ltd 一ポート型弾性波共振子及び弾性波フィルタ装置
US20130147578A1 (en) * 2010-10-18 2013-06-13 Taiyo Yuden Co., Ltd. Duplexer
JP2012253738A (ja) * 2011-05-06 2012-12-20 Kyocera Corp 弾性波素子およびそれを用いた弾性波装置
CN105531926A (zh) * 2013-09-06 2016-04-27 株式会社村田制作所 弹性波谐振器、弹性波滤波器装置以及双工器
CN105745840A (zh) * 2013-11-29 2016-07-06 京瓷株式会社 弹性波元件、分波器以及通信装置
JP2016178387A (ja) * 2015-03-18 2016-10-06 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
应用于气体传感器的具有铝/金电极的单模式两端对声表面波谐振器;王文等;《声学学报》;20131115(第06期);第58-62页 *

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018088118A1 (ja) 2018-05-17
JPWO2018088118A1 (ja) 2019-07-11
KR20190056406A (ko) 2019-05-24
US10826458B2 (en) 2020-11-03
JP6607323B2 (ja) 2019-11-20
US20190260350A1 (en) 2019-08-22
CN109937534A (zh) 2019-06-25
KR102226163B1 (ko) 2021-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109478880B (zh) 多工器、高频前端电路及通信装置
KR102142866B1 (ko) 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
US20210250015A1 (en) Multiplexer, high-frequency front-end circuit, and communication device
US8421555B2 (en) Receiving side filter of duplexer and duplexer
CN109787577B (zh) 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置
US10848122B2 (en) Filter and multiplexer
JP6773238B2 (ja) 弾性波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
JP2016028505A (ja) Ｇｐｓ用周波数帯域において帯域外サプレッション効果をもつアンテナデュプレクサ
US10979029B2 (en) Multiplexer
WO2018056224A1 (ja) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路および通信装置
JP2020014094A (ja) 通信用モジュール
US11811393B2 (en) Multiplexer, radio frequency front-end circuit, and communication device
KR20190076048A (ko) 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
JP2011087282A (ja) 弾性境界波フィルタ及びそれを備える分波器
CN109937534B (zh) 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置
CN111164891A (zh) 多工器、高频前端电路以及通信装置
US10511283B2 (en) Surface acoustic wave filter, high frequency module, and multiplexer
JP7103420B2 (ja) フィルタ装置およびマルチプレクサ
US11863162B2 (en) Filter, multiplexer, radio frequency front-end circuit, and communication device
JP4053038B2 (ja) 弾性表面波装置
US11606077B2 (en) Elastic wave device, radio-frequency front-end circuit, and communication apparatus
US20240137000A1 (en) Filter device and multiplexer
CN113474996A (zh) 滤波器和多滤波器
WO2019065863A1 (ja) マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant