CN109923684A - 半导体器件封装 - Google Patents

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CN109923684A CN201780066917.3A CN201780066917A CN109923684A CN 109923684 A CN109923684 A CN 109923684A CN 201780066917 A CN201780066917 A CN 201780066917A CN 109923684 A CN109923684 A CN 109923684A
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Abstract

公开了根据一个实施例的半导体器件封装，所述半导体包括：基板；设置在基板上的第一引线框架和第二引线框架；发光元件，电连接到第一引线框架和第二引线框架；反射层，设置在基板上以反射从发光元件发出的光；以及透镜，设置在基板上以覆盖发光元件、反射层、以及第一引线框架和第二引线框架。

Description

半导体器件封装
技术领域
实施例涉及半导体器件封装。
背景技术
发光二极管(LED)是在向其施加电流时发光的发光器件之一。LED能够在低电压下高效发光，因此具有显著的节能效果。近来，LED的亮度问题已经得到显著改善，因此LED被应用于各种装置，例如液晶显示装置的背光单元、电子标牌、指示器、家用电器等。
发光二极管可以具有这样的结构：其中，第一电极和第二电极设置在包括第一半导体层、有源层和第二半导体层的发光结构的一侧上。此外，第一电极和第二电极可以通过引线框架电连接到外部电路。
然而，设置在LED下方的引线框架均由诸如金(Au)等的金属材料制成，并且存在金属材料吸收光导致光通量降低的问题。为了解决上述问题，当引线框架涂有银(Ag)等时，存在引线框架的表面褪色并因此可靠性降低的问题。
发明内容
技术问题
实施例旨在提供一种具有改善的光通量的半导体器件封装。
此外，实施例旨在提供一种能够控制方向角的半导体器件封装。
技术方案
本发明的一个方面提供一种半导体器件封装，包括基板；设置在基板上的第一引线框架和第二引线框架；电连接到第一引线框架和第二引线框架的发光器件；反射层，设置在基板上并被配置为反射从发光器件发射的光；以及透镜，设置在基板上并被配置为覆盖发光器件、反射层、第一引线框架和第二引线框架。
第一引线框架可以包括电连接到发光器件的第一引线电极部分、设置在基板边缘上的边缘部分、以及延伸部，被配置为将边缘部分连接到第一引线电极部分。
反射层可以设置在边缘部分内。
半导体器件封装可以包括电连接到第一引线框架的第一焊盘和电连接到第二引线框架的第二焊盘。
半导体器件封装可以包括：第一贯穿电极，被配置为在基板厚度方向上穿过基板以将第一引线框架电连接到第一焊盘；以及第二贯穿电极，被配置为在基板厚度方向上穿过基板以电将第二引线框电连接到第二焊盘。
第一引线框架和第二引线框架中的每一个的引线电极部分可以连接到齐纳二极管的电极焊盘。
边缘部分可以围绕第二引线框架的第二引线电极部分。
透镜可以包括设置在透镜中心部分上的凸起部分和被配置为围绕凸起部分的平坦部分。
半导体器件封装可以包括设置在基板和平坦部分之间的坝形部分。
坝形部分可以具有一个靠近发光器件的表面和与该表面相对的另一个表面，并且该靠近发光器件的表面可以具有曲率，而另一个表面可以具有平坦表面。
坝形部分可以连接到反射层。
反射层可以覆盖发光器件的侧表面。
反射层的厚度越远离发光器件越小。
半导体器件封装可以包括设置在发光器件上的波长转换层。
有益效果
根据实施例，可以改善光通量。
此外，可以控制方向角。
本发明的各种有益优点和效果不受以上描述的限制，并且通过对本发明的详细实施例的描述应该容易理解。
附图说明
图1是根据本发明的一个实施例的半导体器件封装的概念图。
图2是示出图1的引线框架的结构的平面图。
图3是示出根据发光器件的高度的反射层的区域的图。
图4是半导体器件的概念图。
图5是根据本发明另一实施例的半导体器件封装的概念图。
图6是用于描述制造根据本发明另一实施例的半导体器件封装的方法的图。
图7是根据本发明又一实施例的半导体器件封装的概念图。
图8是示出图7的修改的示例的图。
具体实施方式
可以以其他形式修改示例性实施例，或者各种实施例可以彼此组合，并且本发明的范围不限于下面描述的每个实施例。
尽管在另一个实施例中没有描述在特定实施例中描述的项目，但是除非在另一个实施例中另外描述或者只要其中没有相互矛盾的描述，该项目可以被理解为与另一个实施例相关。
例如，当在特定实施例中描述配置A的特征并且在另一实施例中描述配置B的特征时，即使当没有明确地描述组合配置A和配置B的实施例时，除非在实施例中另外描述或者只要其中没有相互矛盾的解释，应该理解它们将落入本发明的范围内。
在实施例的描述中，当元件被描述为形成在另一元件“上”或“下”时，术语“在......上”或“在...下”包括两个组件彼此直接接触(直接地)的含义并且包括在两个组件之间设置和形成一个或多个其他部件(间接地)的含义。此外，当元件被描述为形成在另一元件“上”或“下”时，该描述可以包括元件在另一元件的向上的方向上形成和在另一元件的向下的方向上形成的含义。
在下文中，将详细地完整描述本发明的示例性实施例，使得示例性实施例适合于由本发明所属领域的技术人员参考附图来实现。
图1是根据本发明的一个实施例的半导体器件封装的概念图，图2是示出图1的引线框架的结构的平面图。
参照图1，根据该实施例的半导体器件封装包括基板10；设置在基板10上的第一引线框架20和第二引线框架30；设置在基板10上的反射层40；发光器件100，电连接到第一引线框架20和第二引线框架30；设置在发光器件100上的波长转换层50；以及透镜60，设置在基板10上方并被配置为覆盖发光器件100和第一引线框架20和第二引线框架30。
基板10可以是绝缘基板，但是本发明不限于此。例如，基板10可以是氮化物或氧化物的陶瓷绝缘基板。基板10可以由SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O2、AlN等形成，但是本发明不限于此。
第一引线框架20和第二引线框架30中的每一个包括导电材料，例如具有高导电率的铜(Cu)、金(Au)等，但是本发明不限于此。或者，当第一引线框架20和第二引线框架30中的每一个包括诸如铝(Al)等反射材料时，从发光器件100发射的光可以被反射到透镜60。然而，当每个引线框架均由Cu或Au制成时，存在反射效率相对降低的问题。
第一引线框架20和第二引线框架30可以彼此电分离并且分别连接到发光器件100的第一电极和第二电极(未示出)。特别地，第一引线框架20和第二引线框架30的形状不限于附图中所示的那些形状，并且可以被容易地改变。
电连接到第一引线框架20的第一焊盘81和电连接到第二引线框架30的第二焊盘82可以设置在基板10下方。第一贯穿电极81a可以沿着基板厚度方向穿过基板10以将第一引线框架20电连接到第一焊盘81。此外，第二贯穿电极82a可以沿基板厚度方向穿过基板10以将第二引线框架30电连接到第二焊盘82。可以将发光器件100设置在基板10上以电连接到第一引线框架20和第二引线框架30。发光器件100可以具有垂直型结构、倒装芯片型结构等，但是本发明不是限于此。例如，当发光器件100具有倒装芯片结构时，发光器件100可以在没有导线的情况下直接连接到第一引线框架20和第二引线框架30。
反射层40可以具有反射颗粒分散在绝缘基底材料中的结构。基底材料可以是透光环氧树脂、硅树脂、聚酰亚胺树脂、尿素树脂和丙烯酸树脂中的一种或多种。例如，聚合物树脂可以是硅树脂。反射颗粒可包括诸如TiO2或SiO2的颗粒。
反射层40可以设置在基板10上以反射从发光器件100发射的光。因此，可以改善封装的光提取效率和光通量。反射层40可以被设置为围绕第一引线框架20和第二引线框架30中的每一个。因此，反射层40可以设置在第一引线框架20和第二引线框架30之间。
波长转换层50可以转换从发光器件100发射的光的波长。例如，波长转换层50可以将从发光器件100发射的光转换成白光。波长转换层50可以由其中分散有磷光体或量子点的聚合物树脂制成。磷光体的种类没有特别限制。磷光体可以包括基于钇铝石榴石(YAG)的磷光体、基于Tb3Al5O12(TAG)的磷光体、基于硅酸盐的磷光体、基于硫化物的磷光体和基于氮化物的磷光体中的任何一种。
波长转换层50可以设置在发光器件100的上表面和侧表面上，并且还可以设置在反射层40的顶部上。
透镜60可以由透光树脂制成，以允许从发光器件100发射的光输出到外部。如图所示，透镜60可以形成为凸圆顶形结构，以便改善从封装发出的光的方向角，但是本发明不限于此，并且透镜60可以以各种形状形成。
透镜60可以通过诸如压缩模塑方法或传递模塑方法等模塑方法或使用分配器的灌封方法直接形成在基板10上。或者，透镜60可以通过单独的工艺制造并通过粘合剂附着到基板10。
透镜60可以包括设置在发光器件100上的凸起部分，并且包括平坦部分61，平坦部分61设置在凸起部分的外周表面上并且被配置为覆盖基板10的边缘。也就是，可以将相对不影响光学特性的部分加工成平坦的，以提高封装的可靠性。平坦部分61在平面图中可以具有环形形状。
参照图1和图2，通过形成金属层然后选择性地蚀刻金属层，可以在第一引线框架20和第二引线框架30中的每一个上形成图案。第一引线框架20可以包括电连接到发光器件100的第一引线电极部分21、沿基板10的边缘设置的边缘部分23、以及将边缘部分23连接到第一引线电极部分21的延伸部22。第二引线框架30可以包括与第一引线电极部分21电隔离的第二引线电极部分31，并且包括连接到齐纳二极管的电极焊盘42的连接器32。
边缘部分23可以设置在基板10的边缘上，以围绕第一引线电极部分21和第二引线框架30。边缘部分23可以用于防止反射层40向下流到基板10的外部。例如，边缘部分23可以与第一引线电极部分21电隔离。
反射层40可以设置在边缘部分23的内部。因此，反射层40设置在第一引线电极部分21和第二引线框架30之间，以便在它们之间电隔离。
第一引线框架20可以包括连接到齐纳二极管的第一电极焊盘41的连接器22，第二引线框架30可以包括连接到齐纳二极管的第二电极焊盘42的连接器32。齐纳二极管的电极焊盘41和42可以与第一引线框架20和第二引线框架30一体形成。齐纳二极管的第一电极焊盘41可以电连接到边缘部分23，而齐纳二极管的第二电极焊盘42可以设置为与边缘部分23间隔开。
第一引线框架20和第二引线框架30的引线电极部分可以包括向外突出的突起24和34。形成在突起24和34中的凹槽H1和H2可以填充有透镜60的树脂，以改善与透镜60的结合力。
根据实施例，当图案化金属层以制造引线电极部分时，可以在蚀刻区域中施加反射层40以提高光提取效率，同时可以形成边缘部分23以防止反射层40向下流到基板的外部。
图3是示出根据发光器件的高度的反射层的区域的图。
参照图3，反射层40的区域可以根据发光器件100的高度而变化。当发光器件100的高度增加时，反射层40的区域可以变宽。例如，当发光器件100的高度为150μm时，将反射层40的外侧连接至发光器件100的上表面的假想线和发光器件100的侧表面之间的第一角度θ1可以在约34度至79度的范围内。
当第一角度θ1小于或等于34度时，存在的问题是反射层40的区域变得太小，以至于难以实现有效的光提取效率。当第一角度θ1大于79度时，存在封装尺寸变得太大的问题。
反射层40可以设置在第一引线框架20和第二引线框架30之间以向下反射发射的光。在这种情况下，第一引线框20和第二引线框30中的每一个的引线电极部分的区域可以大于发光器件100的第一电极150和第二电极160中的每一个的宽度。
图4是半导体器件的概念图。
半导体器件100可以包括设置在基板110上的发光结构120，并且包括耦接到发光结构120的第一电极焊盘150和第二电极焊盘160。
发光结构120包括第一导电类型半导体层121、有源层122和第二导电类型半导体层123。第一导电类型半导体层121可以由III-V族或II-VI族化合物半导体形成并且可以掺杂第一掺杂剂。
例如，第一导电类型半导体层121可以选自GaN、AlGaN、InGaN、InAlGaN、以及具有Inx1Aly1Ga1-x1-y1N(0≤x1≤1、0≤y1≤1、且0≤x1+y1≤1)的组成式的半导体材料等。此外，第一掺杂剂可以是诸如Si、Ge、Sn、Se或Te等的n型掺杂剂。当第一掺杂剂是n型掺杂剂时，掺杂有第一掺杂剂的第一导电类型半导体层121可以是n型半导体层。
有源层122是通过第一导电类型半导体层121注入的电子(或空穴)和通过第二导电类型半导体层123注入的空穴(或电子)在其中相遇的层。由于电子和空穴的复合，有源层122可以转变到低能级，并且发射具有与该转变相对应的波长的光。在本实施例中，发射波长不受限制。
有源层122可以具有单阱结构、多阱结构、单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构和量子线结构中的任何一种结构，但是有源层122的结构不限于此。
第二导电类型半导体层123可以由III-V族或II-VI族化合物半导体形成，并且可以掺杂有第二掺杂剂。第二导电类型半导体层123可以由具有Inx5Aly2Ga1-x5-y2N(0≤x5≤1、0≤y2≤1、并且0≤x5+y2≤1)组成式的半导体材料形成，或者由选自AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP的材料形成。当第二掺杂剂是诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba的p型掺杂剂时，掺杂有第二掺杂剂的第二导电类型半导体层123可以是p型半导体层。
虽然未在图中示出，但是电子阻挡层(EBL)可以设置在有源层122和第二导电类型半导体层123之间。EBL可以阻挡从第一导电类型半导体层121供应到第二导电类型半导体层123的电子流，从而增加有源层122中电子和空穴之间复合的可能性。
第一凹槽H1可以形成在发光结构120中以穿过第二导电类型半导体层123和有源层122，从而暴露第一导电类型半导体层121。由于第一凹槽H1，也可以部分刻蚀第一导电类型半导体层121。可以形成多个第一凹槽H1。第一欧姆电极151可以设置在第一凹槽H1中以电连接到第一导电类型半导体层121。第二欧姆电极131可以设置在第二导电类型半导体层123下方。
第一欧姆电极151和第二欧姆电极131均由选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、氧化铟锡(IGTO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化镓锌(GZO)、SnO、InO、INZnO、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Ti、Al、Ni、Cr和它们的选择性化合物或合金中的一种形成，并且可以各自形成为至少一层。欧姆电极的厚度没有特别限制。
第一绝缘层141可以覆盖发光结构120的一个表面和第一凹槽H1的侧壁S。除了第一欧姆电极151连接到第一电极焊盘150的位置之外，第一绝缘层141可以完全覆盖发光结构120和第一欧姆电极151。
第一绝缘层141可以包括绝缘材料或绝缘树脂，其包括氧化物、氮化物、氟化物和硫化物中的至少一种，每种都具有Al、Cr、Si、Ti、Zn和Zr中的至少一种。例如，第一绝缘层141可以由选自SiO2、Si3N4、Al2O3和TiO2中的一种形成。第一绝缘层141可以形成为单层或多层，但是本发明不限于此。
反射电极层132可以设置在第一绝缘层141上，以覆盖发光结构120的一个表面和第一凹槽H1的侧壁S。除了第一欧姆电极151连接到第一电极焊盘150的部分之外，反射层40可以完全形成在发光结构120上。利用上述配置，在从有源层122到第二导电类型半导体层123的方向上发射的大部分光可以被反射到基板110。因此，可以改善反射效率并且可以改善外部量子效率。
反射电极层132可以由金属或非金属材料形成。金属反射电极层132可包括选自In、Co、Si、Ge、Au、Pd、Pt、Ru、Re、Mg、Zn、Hf、Ta、Rh、Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Al、Ni、Cu和WTi中的任何一种金属。
非金属反射层40可以包括具有第一折射率的第一层和具有第二折射率的第二层以两对或更多对交替堆叠的结构，第一折射率和第二折射率彼此不同，并且第一层和第二层可以各自由折射率在1.5至2.4范围内的导电或绝缘材料形成。上述结构可以是分布式布拉格反射(DBR)结构。或者，上述结构可以是具有低折射率的介电层和金属层堆叠的结构(全向反射器)。
诸如粗糙部分的光提取结构可以形成在第二导电类型半导体层123和反射电极层132中的至少一个的表面上。光提取结构可以改变入射光的临界角以改善光提取效率。光提取结构可包括不规则图案或多个突起。
覆盖电极133可以设置在反射电极层132下方。覆盖电极133可以用作防扩散层和电流扩散层中的至少一个，或者用于保护反射电极层132。覆盖电极133可以是由选自Au、Cu、Hf、Ni、Mo、V、W、Rh、Ru、Pt、Pd、La、Ta、Ti及其两种或更多种的合金中的一种形成。
第二绝缘层142设置在覆盖电极133下方。第二绝缘层142可以包括绝缘材料或绝缘树脂，其包括氧化物、氮化物、氟化物和硫化物中的至少一种，每种都具有Al、Cr、Si、Ti、Zn和Zr中的至少一种。例如，第二绝缘层142可以由选自SiO2、Si3N4、Al2O3和TiO2中的一种形成。第二绝缘层142可以形成为单层或多层，但是本发明不限于此。
第一电极焊盘150可以通过穿过第二绝缘层142电连接到第一欧姆电极151。第一欧姆电极151的区域增加到更靠近基板110，而第一电极焊盘150的区域减小到更靠近基板110。
第二电极焊盘160可以通过穿过第二绝缘层142电连接到第二欧姆电极131和反射电极层132。
第一电极焊盘150和第二电极焊盘160可以各自包括选自In、Co、Si、Ge、Au、Pd、Pt、Ru、Re、Mg、Zn、Hf、Ta、Rh、Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Al、Ni、Cu和WTi中的任何一种金属。
图5是根据本发明另一实施例的半导体器件封装的概念图，图6是用于描述制造根据本发明另一实施例的半导体器件封装的方法的图。
根据本实施例的封装可以具有大于现有半导体器件封装的方向角。例如，图1的半导体器件封装可以具有123度至130度范围内的方向角和178lm的光通量。因此，需要控制方向角以增加光通量。
根据本实施例的发光器件封装可以包括围绕发光器件100的坝形(dam)部分41。坝形部分41可以具有连接到反射层40的结构，但是本发明不限于此。坝形部分41可以设置在第一引线框20的边缘部分23上。
坝形部分41可以具有与反射层40的成分相同的成分。例如，坝形部分41可以具有反射粒子分散在基材中的结构。基材可以是透光环氧树脂、硅树脂、聚酰亚胺树脂、尿素树脂和丙烯酸树脂中的一种或多种。例如，聚合物树脂可以是硅树脂。反射颗粒可包括诸如TiO2或SiO2的颗粒。
坝形部分41可以设置在透镜60的平坦部分61中。坝形部分41的高度可以是半导体器件的高度的1/3倍至两倍。也就是说，可以不同地调节坝形部分41的高度以控制反向角。然而，就可靠性而言，坝形部分41的高度形成为低于平坦部61的高度可能是有利的。
坝形部分41可以包括靠近发光器件100的第一表面41a、以及与第一表面41a相对的第二表面41b。第一表面41a可以具有曲率，而第二表面41b可以具有平坦表面。当第一表面41a具有曲率时，从发光器件100发射的光可以被有效地向上反射。当形成坝形部分41时，方向角被控制在120度至127度的范围内，并且光通量被改善为182lm。
参考图6，坝形部分41可以形成在边缘部分23上。坝形部分41的横截面可以形成为半圆形。可以同时形成坝形部分41和反射层40，或者，可以先形成反射层40，然后在反射层40上形成坝形部分41。此后，可以切割基板10的边缘的一部分C1。
然后，使用分配器，可以应用形成透镜的树脂。在这种情况下，可以预先固化坝形部分41以保持其形状，然后可以同时固化透镜60和坝形部分41。然而，本发明不特别限于此，并且坝形部分41可以通过单独的工艺制造并且通过粘合剂附接。
图7是根据本发明又一实施例的半导体器件封装的概念图。图8是示出图7的修改示例的图。
参照图7，在上述结构中，波长转换层可以通过喷涂施加在整个上表面上。在本实施例中，波长转换层51可以以膜的形式制造并设置在发光器件100上。当波长转换层51以膜的形式制造时，具有以下优点：可以容易地制造封装并且可以实现完全均匀的光。
反射层42可以设置在发光器件100的侧表面。反射层42可以设置成使得其厚度越远离发光器件100的侧表面越小。在这种情况下，尽管倾斜表面显示为直线，但在形成反射层期间，倾斜表面可能由于重力而具有凹曲率。
第一引线框架20的边缘部分23可以防止反射层42向下流到基板10的外部。利用上述配置，反射层40可以反射发射到发光器件100的侧表面的光，以提高光提取效率并有效地控制方向角。
参考图8，坝形部分41还可以设置在边缘部分23上。坝形部分41可以以与参照图6描述的制造工艺相同的方式制造。根据本实施例，可以通过坝形部分41和反射层40来控制方向角，从而可以改善光通量。
坝形部分41可以具有与反射层42的成分相同的成分。例如，坝形部分41可以具有反射粒子分散在基材中的结构。基材可以是透光环氧树脂、硅树脂、聚酰亚胺树脂、尿素树脂和丙烯酸树脂中的一种或多种。例如，聚合物树脂可以是硅树脂。反射颗粒可包括诸如TiO2或SiO2的颗粒。
坝形部分41可以设置在透镜60的平坦部分61中。坝形部分41的高度可以是半导体器件的高度的1/3倍至两倍。也就是说，可以不同地调节坝形部分41的高度以控制反向角。然而，就可靠性而言，坝形部分41的高度形成为低于平坦部61的高度可能是有利的。
坝形部分41可以包括靠近发光器件100的第一表面以及与第一表面相对的第二表面。第一表面可以具有曲率，而第二表面可以具有平坦表面。当第一表面具有曲率时，从发光器件100发射的光可以被有效地向上反射。
根据本发明实施例的上述半导体器件封装还可以包括光学构件，例如导光板、棱镜片和漫射片，从而用作背光单元。此外，根据本发明实施例的半导体器件封装还可以应用于显示装置、照明装置和指示装置。
此时，显示装置可包括底盖、反射器、发光模块、导光板、光学片、显示面板、图像信号输出电路和滤色器。底盖、反射器、发光模块、导光板和光学片可以配置背光单元。
反射器设置在底盖上，发光模块发光。导光板设置在反射器的前面，以将从发光器件发出的光向前引导，并且光学片可以包括棱镜片等以设置在导光板的前面。显示面板设置在光学片的前面，图像信号输出电路将图像信号提供给显示面板，滤色器设置在显示面板的前面。
此外，照明装置可以包括：光源模块，具有基板和实施例的半导体器件封装；散热部件，被配置为散发光源模块的热量；以及电源，被配置为处理或转换从外部提供的电信号以向光源模块提供电信号。此外，照明装置可包括台灯、照明灯、路灯等。
应当理解，本发明不限于上述实施例和附图，并且本发明所属领域的技术人员可以在不脱离本文描述的实施例的技术精神的情况下设计出各种替换、修改和变更。

Claims (10)

1.一种半导体器件封装，包括：
基板；
第一引线框架和第二引线框架，设置在基板上；
发光器件，电连接到第一引线框架和第二引线框架；
反射层，设置在基板上并被配置为反射从发光器件发射的光；以及
透镜，设置在基板上并被配置为覆盖发光器件、反射层、第一引线框架和第二引线框架，
其中，第一引线框架包括：
第一引线电极部分，电连接到发光器件；
边缘部分，设置在基板的边缘上；以及
延伸部，被配置为将边缘部分连接到第一引线电极部分，并且
反射层设置在边缘部分内。
2.根据权利要求1所述的半导体器件封装，包括：
第一焊盘，电连接到第一引线框架；
第二焊盘，电连接到第二引线框架；
第一贯穿电极，被配置为在基板的厚度方向上穿过基板，以将第一引线框架电连接到第一焊盘；以及
第二贯穿电极，被配置为在基板的厚度方向上穿过基板以将第二引线框电连接到第二焊盘。
3.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述第一引线框架和第二引线框架中的每一个的引线电极部分被连接到齐纳二极管的电极焊盘。
4.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述边缘部分围绕所述第二引线框架的第二引线电极部分。
5.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述透镜包括设置在透镜中心部分上的凸起部分和被配置为围绕凸起部分的平坦部分。
6.根据权利要求5所述的半导体器件封装，包括设置在基板和平坦部分之间的坝形部分，
其中，所述坝形部分具有靠近发光器件的一个表面和与所述一个表面相对的另一个表面，并且
所述一个表面具有曲率，而另一个表面具有平坦表面。
7.根据权利要求6所述的半导体器件封装，其中，所述坝形部分连接到反射层。
8.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述反射层覆盖发光器件的侧表面。
9.根据权利要求8所述的半导体器件封装，其中，所述反射层的厚度越远离发光器件越小。
10.根据权利要求1所述的半导体器件封装，包括设置在发光器件上的波长转换层，
其中，波长转换层延伸到反射层。
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