CN109912591B

CN109912591B - 一种含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物及其在有机电致发光器件上的应用

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Publication number: CN109912591B
Application number: CN201711329498.6A
Authority: CN
Inventors: 王芳; 李崇; 张兆超; 张小庆; 蔡啸
Original assignee: Jiangsu Sunera Technology Co Ltd
Current assignee: Jiangsu Sunera Technology Co Ltd
Priority date: 2017-12-13
Filing date: 2017-12-13
Publication date: 2021-12-28
Anticipated expiration: 2037-12-13
Also published as: CN109912591A

Abstract

本发明公开了一种含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物及其在有机电致发光器件上的应用，该化合物由氰基苯或者硫氰基苯基团组成，具有深的HOMO能级和高电子迁移率，适合作为空穴阻挡材料或电子传输材料；本发明含有空穴基团的结构，可平衡材料的电子和空穴，使得材料可作为偏电子型发光层主体材料使用；另外，本发明化合物基团刚性较强，具有分子间不易结晶、不易聚集、成膜性良好的特点。作为有机电致发光功能层材料应用于OLED器件后，器件的电流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同时，器件寿命提升非常明显。

Description

一种含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物及其在有机电致发光器件上的应用

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物及其在有机电致发光器件上的应用。

背景技术

有机电致发光(OLED:Organic Light Emission Diodes)器件技术既可以用来制造新型显示产品，也可以用于制作新型照明产品，有望替代现有的液晶显示和荧光灯照明，应用前景十分广泛。OLED发光器件犹如三明治的结构，包括电极材料膜层，以及夹在不同电极膜层之间的有机功能材料，各种不同功能材料根据用途相互叠加在一起共同组成OLED发光器件。作为电流器件，当对OLED发光器件的两端电极施加电压，并通过电场作用有机层功能材料膜层中的正负电荷，正负电荷进一步在发光层中复合，即产生OLED电致发光。

当前，OLED显示技术已经在智能手机，平板电脑等领域获得应用，进一步还将向电视等大尺寸应用领域扩展，但是，和实际的产品应用要求相比，OLED器件的发光效率，使用寿命等性能还需要进一步提升。对于OLED发光器件提高性能的研究包括：降低器件的驱动电压，提高器件的发光效率，提高器件的使用寿命等。为了实现OLED器件的性能的不断提升，不但需要从OLED器件结构和制作工艺的创新，更需要OLED光电功能材料不断研究和创新，创制出更高性能OLED的功能材料。应用于OLED器件的OLED光电功能材料从用途上可划分为两大类，即电荷注入传输材料和发光材料，进一步，还可将电荷注入传输材料分为电子注入传输材料、电子阻挡材料、空穴注入传输材料和空穴阻挡材料，还可以将发光材料分为主体发光材料和掺杂材料。为了制作高性能的OLED发光器件，要求各种有机功能材料具备良好的光电特性，譬如，作为电荷传输材料，要求具有良好的载流子迁移率，高玻璃化转化温度等，作为发光层的主体材料要求材料具有良好双极性，适当的HOMO/LUMO能阶等。

构成OLED器件的OLED光电功能材料膜层至少包括两层以上结构，产业上应用的OLED器件结构，则包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等多种膜层，也就是说应用于OLED器件的光电功能材料至少包含空穴注入材料，空穴传输材料，发光材料，电子传输材料等，材料类型和搭配形式具有丰富性和多样性的特点。另外，对于不同结构的OLED器件搭配而言，所使用的光电功能材料具有较强的选择性，相同的材料在不同结构器件中的性能表现，也可能完全迥异。因此，针对当前OLED器件的产业应用要求，以及OLED器件的不同功能膜层，器件的光电特性需求，必须选择更适合，具有高性能的OLED功能材料或材料组合，才能实现器件的高效率、长寿命和低电压的综合特性。就当前OLED显示照明产业的实际需求而言，目前OLED材料的发展还远远不够，落后于面板制造企业的要求，作为材料企业开发更高性能的有机功能材料显得尤为重要。

发明内容

针对现有技术存在的上述问题，本申请人提供了一种含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物及其在有机电致发光器件上的应用。本发明具有较高的玻璃化温度和分子热稳定性，合适的HOMO和LUMO能级，高电子迁移率，应用于OLED器件制作后，可有效提高器件的发光效率和OLED器件的使用寿命。

本发明的技术方案如下：一种含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物，该化合物的结构如通式(1)所示：

其中，Z₁、Z₂、Z₃分别独立的表示为N原子、C-H、C-CN或C-SCN，且Z₁、Z₂、Z₃至少有一个表示为C-CN或C-SCN；

X₁、X₂、X₃、X₄分别独立的表示为C-H或N原子，且至少有一个表示为N原子；

Ar、Ar₂、Ar₃分别独立的表示为取代或未取代的C_6-60芳基、含有一个或多个杂原子取代或未取代的5-60元杂芳基中的一种；所述杂原子为氮、氧或硫；Ar₂、Ar₃相同或不同；

Ar₁表示为单键、取代或未取代的C_6-60亚芳基、含有一个或多个杂原子取代或未取代的5-60元杂亚芳基中的一种；所述杂原子为氮、氧或硫。

在上述方案的基础上，本发明还可以做以下改进。

优选的，一种含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物，通式(1)中

基团表示为：

或

中的任一种。

优选的，一种含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物，通式(1)中

基团表示为：

或

中的任一种。

优选的，一种含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物，所述Ar、Ar₂、Ar₃分别独立的表示为氢原子、苯基、萘基、联苯基、蒽基、呋喃基、咔唑基、萘啶基、喹啉基、噻吩基、吡啶基、苝基、9,9-二甲基芴基、菲基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基中的一种；所述Ar₁表示为单键、亚苯基、亚联苯基或亚萘基的一种。

优选的，一种含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物，所述化合物的具体结构式为：

中的任一种。

本发明还提供一种含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物的制备方法，所述制备方法涉及的反应方程式为：

具体反应过程为：

将原料A和中间体M溶解于甲苯和乙醇的混合溶液中，除氧后加入Pd(PPh₃)₄和碳酸钠，在惰性气氛下95～110℃反应10～24个小时，待原料反应完全后，冷却、过滤，将滤液旋蒸除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到目标化合物；所述的甲苯和乙醇的用量为每克原料A使用30～50mL甲苯和5～10mL乙醇，中间体M与原料A的摩尔比为1～3:1，Pd(PPh₃)₄与原料A的摩尔比为0.006～0.03:1，碳酸钠与原料A的摩尔比为1.5～4.5:1。

本发明还提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括至少一层功能层含有所述的一种含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物。

优选的，一种有机电致发光器件，包括空穴阻挡层/电子传输层，所述空穴阻挡层/电子传输层含有所述的一种含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物。

优选的，一种有机电致发光器件，包括发光层，所述发光层含有所述的一种含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物。

本发明还提供一种照明或显示元件，包括所述的有机电致发光器件。

本发明有益的技术效果在于：

本发明化合物以氰基苯或者硫氰基苯为骨架，氰基苯或者硫氰基苯均为强电子性基团，具有深的HOMO能级和高电子迁移率，通过其他芳香基团的修饰，使HOMO能级自由调整，可以作为电子型发光材料使用，也可以作为空穴阻挡或电子传输层材料使用。本发明含有空穴基团的结构，可平衡材料的电子和空穴，使得材料可作为偏电子型发光层主体材料使用。

另外，本发明化合物分子具有不对称性，避免分子间的聚集作用，本发明化合物基团刚性较强，具有分子间不易结晶、不易聚集、成膜性良好的特点，具有高的玻璃化温度及热稳定性，所以，本发明化合物应用于OLED器件时，可保持材料成膜后的膜层稳定性，提高OLED器件使用寿命。

本发明所述化合物作为有机电致发光功能层材料应用于OLED器件后，器件的电流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同时，对于器件寿命提升非常明显，在OLED发光器件中具有良好的应用效果，具有良好的产业化前景。

附图说明

图1为本发明所列举的材料应用于OLED器件的结构示意图；

其中，1为透明基板层，2为ITO阳极层，3为空穴注入层，4为空穴传输或电子阻挡层，5为发光层，6为电子传输或空穴阻挡层，7为电子注入层，8为阴极反射电极层；

图2为电流效率随温度变化的曲线。

具体实施方式

实施例1：中间体M的合成：

(1)将原料B和原料C溶解于甲苯和乙醇的混合溶液中，除氧后加入Pd(PPh₃)₄和K₂CO₃，在惰性气氛下95～110℃反应10～24个小时，反应过程中不断用TLC监测反应进程，待原料反应完全后，冷却、过滤，将滤液旋蒸除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到中间体S；所述的甲苯和乙醇的用量为每克原料C使用30～50mL甲苯和5～10mL乙醇，原料B与原料C的摩尔比为(1～1.5):1，Pd(PPh₃)₄与原料C的摩尔比为(0.006～0.02):1，K₂CO₃与原料C的摩尔比为(1.5～2):1。

(2)在氮气保护下，称取0.01mol中间体S溶于150ml四氢呋喃中，冷却至-78℃，然后向反应体系中加入1.6mol/L正丁基锂的四氢呋喃溶液，在-78℃下反应3h后加入硼酸三异丙酯，反应2h，然后将反应体系升至0℃，加入10ml 2mol/L盐酸溶液，搅拌3h，反应完全，加入乙醚萃取，萃取液加入无水硫酸镁干燥，旋蒸，用乙醇溶剂重结晶，得到中间体M；所述中间体S与正丁基锂的摩尔比为1:1～1.5；所述中间体S与硼酸三异丙酯的摩尔比为1:1～1.5。

以中间体M-1合成为例：

(1)将0.01mol原料C-1和0.012mol原料B-1溶解于甲苯和乙醇的150mL(V_甲苯：V_乙醇＝5：1)混合溶液中，除氧后加入0.0002mol Pd(PPh₃)₄和0.02mol K₂CO₃，在惰性气氛下110℃反应24个小时，反应过程中不断用TLC监测反应进程，待原料反应完全后，冷却、过滤，将滤液旋蒸除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到中间体S-1；元素分析结构(分子式C₂₅H₁₆BrN)：理论值C,73.18；H,3.93；Br,19.47；N,3.41；测试值：C,73.18；H,3.93；Br,19.46；N,3.42；ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为409.05，实测值为409.95。

(2)在氮气保护下，称取中间体0.01mol S-1溶于四氢呋喃中，冷却至-78℃，然后向反应体系中加入8ml 1.6mol/L正丁基锂的四氢呋喃溶液，在-78℃下反应3h后加入0.013mol硼酸三异丙酯，反应2h，然后将反应体系升至0℃，加入10ml 2mol/L盐酸溶液，搅拌3h，反应完全，加入乙醚萃取，萃取液加入无水硫酸镁干燥，旋蒸，用乙醇溶剂重结晶，得到中间体M-1；元素分析结构(分子式C₂₅H₁₈BNO₂)：理论值C,80.02；H,4.84；B,2.88；N,3.73；测试值：C,80.01；H,4.84；B,2.88；N,3.74。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为375.14，实测值为375.74。

以中间体M-1的合成方法制备中间体M，具体结构如表1所示。

表1

实施例2：化合物1的合成：

在250mL三口瓶中，将0.01mol原料A-1和0.012mol原料B-1溶解于甲苯和乙醇的150mL(V_甲苯：V_乙醇＝5：1)混合溶液中，除氧后加入0.0002mol Pd(PPh₃)₄和0.02mol K₂CO₃，在惰性气氛下110℃反应24个小时，反应过程中不断用TLC监测反应进程，待原料反应完全后，冷却、过滤，将滤液旋蒸除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到目标产物；元素分析结构(分子式C₃₆H₂₃N₃)：理论值C,86.90；H,4.66；N,8.44；测试值：C,86.95；H,4.72；N,8.47；ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为497.19，实测值为497.23。

实施例3：化合物3的合成：

在250mL三口瓶中，将0.01mol原料A-1和0.012mol原料B-4溶解于甲苯和乙醇的150mL(V_甲苯：V_乙醇＝5：1)混合溶液中，除氧后加入0.0002mol Pd(PPh₃)₄和0.02mol K₂CO₃，在惰性气氛下110℃反应24个小时，反应过程中不断用TLC监测反应进程，待原料反应完全后，冷却、过滤，将滤液旋蒸除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到目标产物；元素分析结构(分子式C₃₆H₂₃N₃S)：理论值C,81.64；H,4.38；N,7.93；S,6.05；测试值：C,81.67；H,4.39；N,7.97；S,6.08；ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为529.16，实测值为529.18。

实施例4：化合物17的合成：

化合物17的制备方法同实施例2，不同之处在于用中间体M-1替换原料B-1。元素分析结构(分子式C₄₂H₂₇N₃)：理论值C,87.93；H,4.74；N,7.32；测试值：C,87.95；H,4.75；N,7.38。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为573.22，实测值为573.26。

实施例5：化合物22的合成：

化合物22的制备方法同实施例2，不同之处在于用原料A-2替换原料A-1，用中间体M-4替换原料B-1。元素分析结构(分子式C₄₂H₂₇N₃)：理论值C,87.93；H,4.74；N,7.32；测试值：C,87.97；H,4.75；N,7.38。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为573.22，实测值为573.24。

实施例6：化合物32的合成：

化合物32的制备方法同实施例2，不同之处在于用原料A-4替换原料A-1，用中间体M-7替换原料B-1。元素分析结构(分子式C₄₂H₂₇N₃S)：理论值C,83.28；H,4.49；N,6.94；S,5.29；测试值：C,83.29；H,4.52；N,6.96；S,5.34。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为605.19，实测值为605.23。

实施例7：化合物33的合成：

化合物33的制备方法同实施例2，不同之处在于用中间体M-2替换原料B-1。元素分析结构(分子式C₄₂H₂₇N₃)：理论值C,87.93；H,4.74；N,7.32；测试值：C,87.95；H,4.77；N,7.34。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为573.22，实测值为573.26。

实施例8：化合物34的合成：

化合物34的制备方法同实施例2，不同之处在于用中间体M-5替换原料B-1。元素分析结构(分子式C₄₂H₂₇N₃)：理论值C,87.93；H,4.74；N,7.32；测试值：C,87.95；H,4.77；N,7.37。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为573.22，实测值为573.25。

实施例9：化合物37的合成：

化合物37的制备方法同实施例2，不同之处在于用中间体M-3替换原料B-1。元素分析结构(分子式C₄₂H₂₇N₃)：理论值C,87.93；H,4.74；N,7.32；测试值：C,87.95；H,4.77；N,7.37。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为573.22，实测值为573.25。

实施例10：化合物38的合成：

化合物38的制备方法同实施例2，不同之处在于用中间体M-6替换原料B-1。元素分析结构(分子式C₄₂H₂₇N₃)：理论值C,87.93；H,4.74；N,7.32；测试值：C,87.94；H,4.78；N,7.35。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为573.22，实测值为573.27。

实施例11：化合物48的合成：

化合物48的制备方法同实施例2，不同之处在于用原料A-5替换原料A-1，用中间体M-7替换原料B-1。元素分析结构(分子式C₄₂H₂₇N₃S)：理论值C,83.28；H,4.49；N,6.94；S,5.29；测试值：C,83.31；H,4.52；N,6.97；S,5.31。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为605.19，实测值为605.28。

实施例12：化合物52的合成：

化合物52的制备方法同实施例2，不同之处在于用原料A-6替换原料A-1，用中间体M-7替换原料B-1。元素分析结构(分子式C₄₂H₂₇N₃S)：理论值C,83.28；H,4.49；N,6.94；S,5.29；测试值：C,83.33；H,4.51；N,6.98；S,5.32。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为605.19，实测值为605.22。

实施例13：化合物79的合成：

化合物79的制备方法同实施例2，不同之处在于用中间体M-8替换原料B-1。元素分析结构(分子式C₄₆H₂₉N₃S)：理论值C,84.25；H,4.46；N,6.41；S,4.89；测试值：C,84.27；H,4.48；N,6.46；S,4.94。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为655.21，实测值为655.27。

实施例14：化合物82的合成：

化合物82的制备方法同实施例2，不同之处在于用中间体M-9替换原料B-1。元素分析结构(分子式C₄₈H₃₁N₃)：理论值C,88.72；H,4.81；N,6.47；测试值：C,88.75；H,4.83；N,6.49。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为649.25，实测值为649.32。

实施例15：化合物110的合成：

化合物110的制备方法同实施例2，不同之处在于用中间体M-10替换原料B-1。元素分析结构(分子式C₄₁H₂₆N₄)：理论值C,85.69；H,4.56；N,9.75；测试值：C,85.74；H,4.62；N,9.77。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为574.22，实测值为574.29。

实施例16：化合物123的合成：

化合物123的制备方法同实施例2，不同之处在于用原料B-7替换原料B-1。元素分析结构(分子式C₃₅H₂₂N₄)：理论值C,84.31；H,4.45；N,11.24；测试值：C,84.35；H,4.48；N,11.27。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为498.18，实测值为498.24。

实施例17：化合物130的合成：

化合物130的制备方法同实施例2，不同之处在于用中间体M-11替换原料B-1。元素分析结构(分子式C₄₁H₂₆N₄S)：理论值C,81.16；H,4.32；N,9.23；S,5.28；测试值：C,81.19；H,4.35；N,9.26；S,5.29。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为606.19，实测值为606.27。

实施例18：化合物133的合成：

化合物133制备方法同实施例2，不同之处在于用中间体M-12替换原料B-1。元素分析结构(分子式C₄₁H₂₆N₄)：理论值C,85.69；H,4.56；N,9.75；测试值：C,85.73；H,4.61；N,9.78。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为574.22，实测值为574.27。

实施例19：化合物145的合成：

化合物145制备方法同实施例2，不同之处在于用中间体M-13替换原料B-1。元素分析结构(分子式C₄₅H₂₈N₄)：理论值C,86.51；H,4.52；N,8.97；测试值：C,86.55；H,4.53；N,8.99。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为624.23，实测值为624.26。

实施例20：化合物167的合成：

化合物167的制备方法同实施例2，不同之处在于用原料A-4替换原料A-1，用原料B-8替换原料B-1。元素分析结构(分子式C₃₄H₂₁N₅)：理论值C,81.74；H,4.24；N,14.02；测试值：C,81.77；H,4.26；N,14.08。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为499.18，实测值为499.25。

实施例21：化合物173的合成：

化合物173的制备方法同实施例2，不同之处在于用中间体M-14替换原料B-1。元素分析结构(分子式C₄₀H₂₅N₅)：理论值C,83.46；H,4.38；N,12.17；测试值：C,83.49；H,4.43；N,12.21。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为575.21，实测值为575.29。

实施例22：化合物185的合成：

化合物185的制备方法同实施例2，不同之处在于用中间体M-15替换原料B-1。元素分析结构(分子式C₄₄H₂₇N₅)：理论值C,84.46；H,4.35；N,11.19；测试值：C,84.47；H,4.39；N,11.21。ESI-MS(m/z)(M⁺)：理论值为625.23，实测值为625.25。

本有机化合物在发光器件中使用，具有高的Tg(玻璃转化温度)温度和三线态能级(T1)，合适的HOMO、LUMO能级，可作为空穴阻挡/电子传输材料使用，也可作为发光层材料使用。对本发明化合物及现有材料分别进行热性能、T1能级以及HOMO能级测试，结果如表2所示。

表2

注：三线态能级T1是由日立的F4600荧光光谱仪测试，材料的测试条件为2*10^-5的甲苯溶液；玻璃化温度Tg由示差扫描量热法(DSC，德国耐驰公司DSC204F1示差扫描量热仪)测定，升温速率10℃/min；热失重温度Td是在氮气气氛中失重1％的温度，在日本岛津公司的TGA-50H热重分析仪上进行测定，氮气流量为20mL/min；最高占据分子轨道HOMO能级是由电离能量测试系统(IPS3)测试，测试为大气环境。

由上表数据可知，对比目前应用的CBP和TPBi材料，本发明的有机化合物具有高的玻璃转化温度，可提高材料膜相态稳定性，进一步提高器件使用寿命；具有高的三线态能级，可以阻挡发光层能量损失，从而提升器件发光效率。同时本发明材料和应用材料具有相似的HOMO能级。因此，本发明含有氰基苯或者硫氰基苯的有机材料在应用于OLED器件的不同功能层后，可有效提高器件的发光效率及使用寿命。

以下通过器件实施例1～21和器件比较例1详细说明本发明合成的OLED材料在器件中的应用效果。本发明所述器件实施例2～21、器件比较例1与器件实施例1相比所述器件的制作工艺完全相同，并且所采用了相同的基板材料和电极材料，电极材料的膜厚也保持一致，所不同的是器件实施例2～15对器件中的发光层材料做了变换；器件实施例16～21对器件的空穴阻挡/电子传输层材料做了变换，各实施例所得器件的性能测试结果如表3所示。

器件实施例1：

如图1所示，一种电致发光器件，其制备步骤包括：a)清洗透明基板层1上的ITO阳极层2，分别用去离子水、丙酮、乙醇超声清洗各15分钟，然后在等离子体清洗器中处理2分钟；b)在ITO阳极层2上，通过真空蒸镀方式蒸镀空穴注入层材料HAT-CN，厚度为10nm，这层作为空穴注入层3；c)在空穴注入层3上，通过真空蒸镀方式蒸镀空穴传输材料NPB，厚度为80nm，该层为空穴传输层/电子阻挡层4；d)在空穴传输/电子阻挡层4之上蒸镀发光层5，主体材料为本发明化合物1和化合物GH，掺杂材料为Ir(ppy)₃，化合物1、GH和Ir(ppy)₃三者质量比为为50:50:10，厚度为40nm；e)在发光层5之上，通过真空蒸镀方式蒸镀电子传输材料TPBI，厚度为40nm，这层有机材料作为空穴阻挡/电子传输层6使用；f)在空穴阻挡/电子传输层6之上，真空蒸镀电子注入层LiF，厚度为1nm，该层为电子注入层7；g)在电子注入层7之上，真空蒸镀阴极Al(100nm)，该层为阴极反射电极层8；按照上述步骤完成电致发光器件的制作后，测量器件的驱动电压，电流效率，其结果见表3所示。相关材料的分子机构式如下所示：

器件实施例2：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物17、GH和Ir(ppy)₃按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：40nm，材料：TPBI)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例3：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物22、GH和Ir(ppy)₃按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：40nm，材料：TPBI)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例4：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物32、GH和Ir(ppy)₃按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：40nm，材料：TPBI)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例5：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物33、GH和Ir(ppy)₃按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：40nm，材料：TPBI)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例6：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物37、GH和Ir(ppy)₃按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：40nm，材料：TPBI)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例7：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物38、GH和Ir(ppy)₃按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：40nm，材料：TPBI)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例8：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物52、GH和Ir(ppy)₃按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：40nm，材料：TPBI)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例9：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物79、GH和Ir(ppy)₃按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：40nm，材料：TPBI)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例10：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物82、GH和Ir(ppy)₃按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：40nm，材料：TPBI)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例11：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物123、GH和Ir(ppy)₃按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：40nm，材料：TPBI)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例12：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物130、GH和Ir(ppy)₃按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：40nm，材料：TPBI)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例13：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物133、GH和Ir(ppy)₃按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：40nm，材料：TPBI)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例14：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物167、GH和Ir(ppy)₃按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：40nm，材料：TPBI)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例15：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物173、GH和Ir(ppy)₃按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：40nm，材料：TPBI)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例16：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：CBP和Ir(ppy)₃按重量比90:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：40nm，材料：化合物3)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例17：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：CBP和Ir(ppy)₃按重量比90:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：40nm，材料：化合物34)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例18：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：CBP和Ir(ppy)₃按重量比90:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：40nm，材料：化合物48)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例19：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：CBP和Ir(ppy)₃按重量比90:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：40nm，材料：化合物110)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例20：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：CBP和Ir(ppy)₃按重量比90:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：40nm，材料：化合物145)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件实施例21：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：CBP和Ir(ppy)₃按重量比90:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：40nm，材料：化合物185)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。

器件比较例1：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：CBP和Ir(ppy)₃按重量比90:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：40nm，材料：TPBI)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。所得电致发光器件的检测数据见表3所示。

表3

由表3的结果可以看出本发明有机化合物可应用于OLED发光器件制作，并且与比较例相比，无论是效率还是寿命均比已知OLED材料获得较大改观，特别是器件的使用寿命获得较大的提升。

进一步的本发明材料制备的OLED器件在低温下工作时效率也比较稳定，将器件实施例1、12、18和器件比较例1在-10～80℃区间进行效率测试，所得结果如表4和图2所示。

表4

从表4和图2的数据可知，器件实施例1、12、18为本发明材料和已知材料搭配的器件结构，和器件比较例1相比，不仅低温效率高，而且在温度升高过程中，效率平稳升高。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。