CN109748821B - 一种含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物及其在有机电致发光器件上的应用 - Google Patents
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 76
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 185
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 5
- -1 cyano, thiocyano Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 172
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 35
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 abstract description 10
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 abstract description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 59
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 59
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 49
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 27
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 27
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 25
- CYNYIHKIEHGYOZ-UHFFFAOYSA-N 1-bromopropane Chemical compound CCCBr CYNYIHKIEHGYOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000002330 electrospray ionisation mass spectrometry Methods 0.000 description 23
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 21
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 21
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000002390 rotary evaporation Methods 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 6
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 6
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 6
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 6
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000006392 deoxygenation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000004809 thin layer chromatography Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ASGMFNBUXDJWJJ-JLCFBVMHSA-N (1R,3R)-3-[[3-bromo-1-[4-(5-methyl-1,3,4-thiadiazol-2-yl)phenyl]pyrazolo[3,4-d]pyrimidin-6-yl]amino]-N,1-dimethylcyclopentane-1-carboxamide Chemical compound BrC1=NN(C2=NC(=NC=C21)N[C@H]1C[C@@](CC1)(C(=O)NC)C)C1=CC=C(C=C1)C=1SC(=NN=1)C ASGMFNBUXDJWJJ-JLCFBVMHSA-N 0.000 description 3
- KQZLRWGGWXJPOS-NLFPWZOASA-N 1-[(1R)-1-(2,4-dichlorophenyl)ethyl]-6-[(4S,5R)-4-[(2S)-2-(hydroxymethyl)pyrrolidin-1-yl]-5-methylcyclohexen-1-yl]pyrazolo[3,4-b]pyrazine-3-carbonitrile Chemical compound ClC1=C(C=CC(=C1)Cl)[C@@H](C)N1N=C(C=2C1=NC(=CN=2)C1=CC[C@@H]([C@@H](C1)C)N1[C@@H](CCC1)CO)C#N KQZLRWGGWXJPOS-NLFPWZOASA-N 0.000 description 3
- UNILWMWFPHPYOR-KXEYIPSPSA-M 1-[6-[2-[3-[3-[3-[2-[2-[3-[[2-[2-[[(2r)-1-[[2-[[(2r)-1-[3-[2-[2-[3-[[2-(2-amino-2-oxoethoxy)acetyl]amino]propoxy]ethoxy]ethoxy]propylamino]-3-hydroxy-1-oxopropan-2-yl]amino]-2-oxoethyl]amino]-3-[(2r)-2,3-di(hexadecanoyloxy)propyl]sulfanyl-1-oxopropan-2-yl Chemical compound O=C1C(SCCC(=O)NCCCOCCOCCOCCCNC(=O)COCC(=O)N[C@@H](CSC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC)OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC)C(=O)NCC(=O)N[C@H](CO)C(=O)NCCCOCCOCCOCCCNC(=O)COCC(N)=O)CC(=O)N1CCNC(=O)CCCCCN\1C2=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C2CC/1=C/C=C/C=C/C1=[N+](CC)C2=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C2C1 UNILWMWFPHPYOR-KXEYIPSPSA-M 0.000 description 3
- PYRKKGOKRMZEIT-UHFFFAOYSA-N 2-[6-(2-cyclopropylethoxy)-9-(2-hydroxy-2-methylpropyl)-1h-phenanthro[9,10-d]imidazol-2-yl]-5-fluorobenzene-1,3-dicarbonitrile Chemical compound C1=C2C3=CC(CC(C)(O)C)=CC=C3C=3NC(C=4C(=CC(F)=CC=4C#N)C#N)=NC=3C2=CC=C1OCCC1CC1 PYRKKGOKRMZEIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JQUCWIWWWKZNCS-LESHARBVSA-N C(C1=CC=CC=C1)(=O)NC=1SC[C@H]2[C@@](N1)(CO[C@H](C2)C)C=2SC=C(N2)NC(=O)C2=NC=C(C=C2)OC(F)F Chemical compound C(C1=CC=CC=C1)(=O)NC=1SC[C@H]2[C@@](N1)(CO[C@H](C2)C)C=2SC=C(N2)NC(=O)C2=NC=C(C=C2)OC(F)F JQUCWIWWWKZNCS-LESHARBVSA-N 0.000 description 3
- 229940127007 Compound 39 Drugs 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940125810 compound 20 Drugs 0.000 description 3
- 229940125877 compound 31 Drugs 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- NJSUFZNXBBXAAC-UHFFFAOYSA-N ethanol;toluene Chemical compound CCO.CC1=CC=CC=C1 NJSUFZNXBBXAAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JAXFJECJQZDFJS-XHEPKHHKSA-N gtpl8555 Chemical compound OC(=O)C[C@H](N)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N1CCC[C@@H]1C(=O)N[C@H](B1O[C@@]2(C)[C@H]3C[C@H](C3(C)C)C[C@H]2O1)CCC1=CC=C(F)C=C1 JAXFJECJQZDFJS-XHEPKHHKSA-N 0.000 description 3
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- NHDIQVFFNDKAQU-UHFFFAOYSA-N tripropan-2-yl borate Chemical compound CC(C)OB(OC(C)C)OC(C)C NHDIQVFFNDKAQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- MPDDTAJMJCESGV-CTUHWIOQSA-M (3r,5r)-7-[2-(4-fluorophenyl)-5-[methyl-[(1r)-1-phenylethyl]carbamoyl]-4-propan-2-ylpyrazol-3-yl]-3,5-dihydroxyheptanoate Chemical compound C1([C@@H](C)N(C)C(=O)C2=NN(C(CC[C@@H](O)C[C@@H](O)CC([O-])=O)=C2C(C)C)C=2C=CC(F)=CC=2)=CC=CC=C1 MPDDTAJMJCESGV-CTUHWIOQSA-M 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003512 tertiary amines Chemical group 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100072645 Arabidopsis thaliana IPS3 gene Proteins 0.000 description 1
- NUGPIZCTELGDOS-QHCPKHFHSA-N N-[(1S)-3-[4-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)piperidin-1-yl]-1-pyridin-3-ylpropyl]cyclopentanecarboxamide Chemical compound C(C)(C)C1=NN=C(N1C1CCN(CC1)CC[C@@H](C=1C=NC=CC=1)NC(=O)C1CCCC1)C NUGPIZCTELGDOS-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 1
- LFZAGIJXANFPFN-UHFFFAOYSA-N N-[3-[4-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)piperidin-1-yl]-1-thiophen-2-ylpropyl]acetamide Chemical compound C(C)(C)C1=NN=C(N1C1CCN(CC1)CCC(C=1SC=CC=1)NC(C)=O)C LFZAGIJXANFPFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000009456 molecular mechanism Effects 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
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Abstract
本发明公开了一种含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物及其在有机电致发光器件上的应用，该化合物由氰基苯或者硫氰基苯基团组成，具有深的HOMO能级和高电子迁移率，适合作为空穴阻挡材料或电子传输材料应用；本发明含有空穴基团的结构，可平衡材料的电子和空穴，使得材料可作为偏电子型发光层主体材料使用；另外，本发明化合物基团刚性较强，具有分子间不易结晶、不易聚集、具有良好成膜性的特点。作为有机电致发光功能层材料应用于OLED器件后，器件的电流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同时，对于器件寿命提升非常明显。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物，以及其在有机电致发光器件上的应用。
背景技术
有机电致发光(OLED:Organic Light Emission Diodes)器件技术既可以用来制造新型显示产品，也可以用于制作新型照明产品，有望替代现有的液晶显示和荧光灯照明，应用前景十分广泛。OLED发光器件犹如三明治的结构，包括电极材料膜层，以及夹在不同电极膜层之间的有机功能材料，各种不同功能材料根据用途相互叠加在一起共同组成OLED发光器件。作为电流器件，当对OLED发光器件的两端电极施加电压，并通过电场作用有机层功能材料膜层中的正负电荷，正负电荷进一步在发光层中复合，即产生OLED电致发光。
当前，OLED显示技术已经在智能手机，平板电脑等领域获得应用，进一步还将向电视等大尺寸应用领域扩展，但是，和实际的产品应用要求相比，OLED器件的发光效率，使用寿命等性能还需要进一步提升。对于OLED发光器件提高性能的研究包括：降低器件的驱动电压，提高器件的发光效率，提高器件的使用寿命等。为了实现OLED器件的性能的不断提升，不但需要从OLED器件结构和制作工艺的创新，更需要OLED光电功能材料不断研究和创新，创制出更高性能OLED的功能材料。应用于OLED器件的OLED光电功能材料从用途上可划分为两大类，即电荷注入传输材料和发光材料，进一步，还可将电荷注入传输材料分为电子注入传输材料、电子阻挡材料、空穴注入传输材料和空穴阻挡材料，还可以将发光材料分为主体发光材料和掺杂材料。为了制作高性能的OLED发光器件，要求各种有机功能材料具备良好的光电特性，譬如，作为电荷传输材料，要求具有良好的载流子迁移率，高玻璃化转化温度等，作为发光层的主体材料要求材料具有良好双极性，适当的HOMO/LUMO能阶等。
构成OLED器件的OLED光电功能材料膜层至少包括两层以上结构，产业上应用的OLED 器件结构，则包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等多种膜层，也就是说应用于OLED器件的光电功能材料至少包含空穴注入材料，空穴传输材料，发光材料，电子传输材料等，材料类型和搭配形式具有丰富性和多样性的特点。另外，对于不同结构的OLED器件搭配而言，所使用的光电功能材料具有较强的选择性，相同的材料在不同结构器件中的性能表现，也可能完全迥异。因此，针对当前OLED器件的产业应用要求，以及OLED器件的不同功能膜层，器件的光电特性需求，必须选择更适合，具有高性能的OLED功能材料或材料组合，才能实现器件的高效率、长寿命和低电压的综合特性。就当前OLED显示照明产业的实际需求而言，目前OLED材料的发展还远远不够，落后于面板制造企业的要求，作为材料企业开发更高性能的有机功能材料显得尤为重要。
发明内容
针对现有技术存在的上述问题，本申请人提供了一种含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物及其在有机电致发光器件上的应用。本发明具有较高的玻璃化温度和分子热稳定性，合适的 HOMO和LUMO能级，高电子迁移率，应用于OLED器件制作后，可有效提高器件的发光效率和OLED器件的使用寿命。本发明的技术方案如下：
一种含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物，所述化合物的结构如通式(1)所示：
通式(1)
其中，X1表示为单键；z等于0或1；
X2表示为单键、氧原子、C1-10直链或支链烷基取代的亚烷基、芳基取代的亚烷基、烷基取代的叔胺基或芳基取代的叔胺基中的一种；
m、n分别等于0或1，且m+n≥1；
Ar表示为通式(2)所示结构：
通式(2)
通式(2)中，X3、X4分别独立的表示为氰基、硫氰基或氢原子；X3与X4有且只有一个为氢原子；
通式(2)中，Ar1、Ar2分别独立的表示为取代或未取代的C6-60芳基、含有一个或多个杂原子取代或未取代的5-60元杂芳基中的一种；所述杂原子为氮、氧或硫；Ar1、Ar2相同或不同；
通式(2)中，L表示为单键、取代或未取代的C6-60亚芳基、含有一个或多个杂原子取代或未取代的5～60元杂亚芳基中的一种；所述杂原子为氮、氧或硫。
所述化合物的结构如通式(3)、通式(4)、通式(5)、通式(6)、通式(7)或通式(8) 所示：
所述通式(2)中Ar1、Ar2分别独立的表示为氢原子、苯基、联苯基、萘基、吡啶基、二苯并呋喃、9,9-二甲基芴或N-苯基咔唑；L表示为单键、亚苯基、亚联苯基或亚萘基的一种。
所述通式(1)中的Ar表示为：
一种所述化合物的制备方法，所述制备方法涉及的反应方程式为：
具体反应过程为：
将原料A和中间体M溶解于甲苯和乙醇的混合溶液中，除氧后加入Pd(PPh3)4和K2CO3，在惰性气氛下95～110℃反应10～24个小时，待原料反应完全后，冷却、过滤，将滤液旋蒸除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到目标化合物；所述的甲苯和乙醇的用量为每克原料A使用30～50mL 甲苯和5～10mL乙醇，中间体M与原料A的摩尔比为1～3:1，Pd(PPh3)4与原料A的摩尔比为0.006～0.03:1，K2CO3与原料A的摩尔比为1.5～4.5:1。
一种含有所述化合物的有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括至少一层功能层含有所述含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物。
一种含有所述化合物的有机电致发光器件，包括空穴阻挡层/电子传输层，所述空穴阻挡层/ 电子传输层含有所述含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物。
一种含有所述化合物的有机电致发光器件，包括发光层，所述发光层含有所述含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物。
一种所述有机电致发光器件制成的照明或显示元件。
本发明有益的技术效果在于：
本发明化合物以氰基苯或者硫氰基苯为骨架，氰基苯或者硫氰基苯均为强电子性基团，具有深的HOMO能级和高电子迁移率，通过其他芳香基团的修饰，使HOMO能级自由调整，可以作为电子型发光材料使用，也可以作为空穴阻挡或电子传输层材料使用。本发明含有空穴基团的结构，可平衡材料的电子和空穴，使得材料可作为偏电子型发光层主体材料使用。
另外，本发明化合物分子具有不对称性，避免分子间的聚集作用，本发明化合物基团刚性较强，具有分子间不易结晶、不易聚集、具有良好成膜性的特点，具有高的玻璃化温度及热稳定性，所以，本发明化合物应用于OLED器件时，可保持材料成膜后的膜层稳定性，提高OLED 器件使用寿命。
本发明所述化合物作为有机电致发光功能层材料应用于OLED器件后，器件的电流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同时，对于器件寿命提升非常明显，在OLED发光器件中具有良好的应用效果，具有良好的产业化前景。
附图说明
图1为本发明所列举的材料应用于OLED器件的结构示意图；
其中，1为透明基板层，2为ITO阳极层，3为空穴注入层，4为空穴传输或电子阻挡层，5 为发光层，6为电子传输或空穴阻挡层，7为电子注入层，8为阴极反射电极层。
图2为本发明实施例器件在不同温度下测量的效率曲线图。
具体实施方式
实施例1：中间体M的合成：
(1)将原料B和原料C溶解于甲苯和乙醇的混合溶液中，除氧后加入Pd(PPh3)4和K2CO3，在惰性气氛下95～110℃反应10～24个小时，反应过程中不断用TLC监测反应进程，待原料反应完全后，冷却、过滤，将滤液旋蒸除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到中间体S；所述的甲苯和乙醇的用量为每克原料C使用30～50mL甲苯和5～10mL乙醇，原料B与原料C的摩尔比为 (1～1.5):1，Pd(PPh3)4与原料C的摩尔比为(0.006～0.02):1，K2CO3与原料C的摩尔比为(1.5～2):1。
(2)在氮气保护下，称取中间体S溶于四氢呋喃中，冷却至-78℃，然后向反应体系中加入 1.6mol/L正丁基锂的四氢呋喃溶液，在-78℃下反应3h后加入硼酸三异丙酯，反应2h，然后将反应体系升至0℃，加入2mol/L盐酸溶液，搅拌3h，反应完全，加入乙醚萃取，萃取液加入无水硫酸镁干燥，旋蒸，用乙醇溶剂重结晶，得到中间体M；所述中间体S与正丁基锂的摩尔比为1:1～1.5；所述中间体S与硼酸三异丙酯的摩尔比为1:1～1.5。
以中间体M-1合成为例：
(1)将0.01mol原料C-1和0.012mol原料B-1溶解于甲苯和乙醇的150mL(V甲苯：V乙醇＝5：1)混合溶液中，除氧后加入0.0002mol Pd(PPh3)4和0.02mol K2CO3，在惰性气氛下110℃反应24个小时，反应过程中不断用TLC监测反应进程，待原料反应完全后，冷却、过滤，将滤液旋蒸除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到中间体S-1；元素分析结构(分子式C25H16BrN)：理论值C,73.18；H,3.93；Br,19.47；N,3.41；测试值：C,73.18；H,3.93；Br,19.46；N,3.42； ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为409.05，实测值为409.95。
(2)在氮气保护下，称取中间体0.01mol S-1溶于四氢呋喃中，冷却至-78℃，然后向反应体系中加入8ml 1.6mol/L正丁基锂的四氢呋喃溶液，在-78℃下反应3h后加入0.013mol硼酸三异丙酯，反应2h，然后将反应体系升至0℃，加入10ml 2mol/L盐酸溶液，搅拌3h，反应完全，加入乙醚萃取，萃取液加入无水硫酸镁干燥，旋蒸，用乙醇溶剂重结晶，得到中间体M-1；元素分析结构(分子式C25H18BNO2)：理论值C,80.02；H,4.84；B,2.88；N,3.73；测试值：C,80.01； H,4.84；B,2.88；N,3.74。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为375.14，实测值为375.74。以中间体M-1的合成方法制备中间体M，具体结构如表1所示。
表1
实施例2：化合物2的合成：
在250mL三口瓶中，将0.01mol原料A-1和0.012mol原料B-3溶解于甲苯和乙醇的150mL (V甲苯：V乙醇＝5：1)混合溶液中，除氧后加入0.0002mol Pd(PPh3)4和0.02mol K2CO3，在惰性气氛下110℃反应24个小时，反应过程中不断用TLC监测反应进程，待原料反应完全后，冷却、过滤，将滤液旋蒸除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到目标产物；元素分析结构(分子式C44H27NS)：理论值C,87.82；H,4.52；N,2.33；S,5.33；测试值：C,87.82；H,4.52；N,2.34；S,5.32； ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为601.19，实测值为601.47。
实施例3：化合物6的合成：
在250mL三口瓶中，将0.01mol原料A-2和0.012mol原料B-3溶解于甲苯和乙醇的150mL (V甲苯：V乙醇＝5：1)混合溶液中，除氧后加入0.0002mol Pd(PPh3)4和0.02mol K2CO3，在惰性气氛下110℃反应24个小时，反应过程中不断用TLC监测反应进程，待原料反应完全后，冷却、过滤，将滤液旋蒸除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到目标产物；元素分析结构(分子式C44H27NOS)：理论值C,85.55；H,4.41；N,2.27；S,5.19；测试值：C,85.55；H,4.41；N,2.27；S,5.18； ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为617.18，实测值为617.48。
实施例4：化合物9的合成：
化合物9的制备方法同实施例2，不同之处在于用原料A-3替换原料A-1，用原料B-1替换原料B-3。元素分析结构(分子式C44H27NO)：理论值C,90.23；H,4.65；N,2.39；测试值：C,90.23； H,4.65；N,2.38。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为585.21，实测值为585.55。
实施例5：化合物13的合成：
化合物13的制备方法同实施例2，不同之处在于用原料A-4替换原料A-1，用原料B-1替换原料B-3。元素分析结构(分子式C47H33N)：理论值C,92.27；H,5.44；N,2.29；测试值：C,92.27； H,5.45；N,2.28。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为611.26，实测值为611.64。
实施例6：化合物20的合成：
化合物20的制备方法同实施例2，不同之处在于用原料A-5替换原料A-1，用原料B-4替换原料B-3。元素分析结构(分子式C44H27NS)：理论值C,87.82；H,4.52；N,2.33；S,5.33；测试值：C,87.82；H,4.52；N,2.32；S,5.34。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为601.19，实测值为601.88。
实施例7：化合物31的合成：
化合物31的制备方法同实施例2，不同之处在于用原料A-6替换原料A-1，用原料B-2替换原料B-3。元素分析结构(分子式C47H33N)：理论值C,92.27；H,5.44；N,2.29；测试值：C,92.28； H,5.44；N,2.28。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为611.26，实测值为611.91。
实施例8：化合物39的合成：
化合物39的制备方法同实施例2，不同之处在于用原料A-7替换原料A-1，用原料B-2替换原料B-3。元素分析结构(分子式C44H27NO)：理论值C,90.23；H,4.65；N,2.39；测试值：C, 90.23；H,4.65；N,2.38。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为585.21，实测值为585.66。
实施例9：化合物44的合成：
化合物44的制备方法同实施例2，不同之处在于用原料A-8替换原料A-1，用原料B-4替换原料B-3。元素分析结构(分子式C44H27NOS)：理论值C,85.55；H,4.41；N,2.27；S,5.19；测试值：C,85.55；H,4.41；N,2.27；S,5.20。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为617.18，实测值为617.55。
实施例10：化合物50的合成：
在250mL三口瓶中，将0.01mol原料A-1和0.012mol中间体M-2溶解于甲苯和乙醇的150mL (V甲苯：V乙醇＝5：1)混合溶液中，除氧后加入0.0002mol Pd(PPh3)4和0.02mol K2CO3，在惰性气氛下110℃反应24个小时，反应过程中不断用TLC监测反应进程，待原料反应完全后，冷却、过滤，将滤液旋蒸除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到目标产物；元素分析结构(分子式C50H31N)：理论值C,92.99；H,4.84；N,2.17；测试值：C,92.98；H,4.84；N,2.18。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为645.25，实测值为645.65。
实施例11：化合物64的合成：
化合物64的制备方法同实施例10，不同之处在于用原料A-2替换原料A-1，用中间体M-9 替换中间体M-2。元素分析结构(分子式C50H31NOS)：理论值C,86.55；H,4.50；N,2.02；S,4.62；测试值：C,86.55；H,4.50；N,2.02；S,4.61。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为693.21，实测值为693.33。
实施例12：化合物79的合成：
化合物79的制备方法同实施例10，不同之处在于用原料A-3替换原料A-1，用中间体M-6 替换中间体M-2。元素分析结构(分子式C50H31NO)：理论值C,90.74；H,4.72；N,2.12；测试值： C,90.74；H,4.72；N,2.13。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为661.24，实测值为661.81。
实施例13：化合物94的合成：
化合物94的制备方法同实施例10，不同之处在于用原料A-4替换原料A-1，用中间体M-12 替换中间体M-2。元素分析结构(分子式C53H37NS)：理论值C,88.42；H,5.18；N,1.95；S,4.45；测试值：C,88.42；H,5.18；N,1.96；S,4.44。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为719.26，实测值为719.77。
实施例14：化合物107的合成：
化合物107的制备方法同实施例10，不同之处在于用原料A-5替换原料A-1，用中间体M-11 替换中间体M-2。元素分析结构(分子式C50H31NS)：理论值C,88.59；H,4.61；N,2.07；S,4.73；测试值：C,88.59；H,4.61；N,2.06；S,4.74。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为677.22，实测值为677.22。
实施例15：化合物111的合成：
化合物111的制备方法同实施例10，不同之处在于用原料A-9替换原料A-1，用中间体M-1 替换中间体M-2。元素分析结构(分子式C50H31NO)：理论值C,90.74；H,4.72；N,2.12；测试值： C,90.74；H,4.72；N,2.13。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为661.24，实测值为661.24。
实施例16：化合物125的合成：
化合物125的制备方法同实施例10，不同之处在于用原料A-10替换原料A-1，用中间体 M-8替换中间体M-2。元素分析结构(分子式C50H31NOS)：理论值C,86.55；H,4.50；N,2.02；S, 4.62；测试值：C,86.55；H,4.50；N,2.02；S,4.61。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为693.21，实测值为693.74。
实施例17：化合物141的合成：
化合物141的制备方法同实施例10，不同之处在于用原料A-6替换原料A-1，用中间体M-4 替换中间体M-2。元素分析结构(分子式C53H37N)：理论值C,92.54；H,5.42；N,2.04；测试值： C,92.54；H,5.41；N,2.05。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为687.29，实测值为687.98。
实施例18：化合物156的合成：
化合物156制备方法同实施例10，不同之处在于用原料A-11替换原料A-1，用中间体M-10 替换中间体M-2。元素分析结构(分子式C50H31NS)：理论值C,88.59；H,4.61；N,2.07；S,4.73；测试值：C,88.59；H,4.61；N,2.08；S,4.72。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为677.22，实测值为677.87。
实施例19：化合物162的合成：
化合物162制备方法同实施例10，不同之处在于用原料A-7替换原料A-1，用中间体M-7 替换中间体M-2。元素分析结构(分子式C50H31NOS)：理论值C,86.55；H,4.50；N,2.02；S,4.62；测试值：C,86.55；H,4.50；N,2.01；S,4.62。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为693.21，实测值为693.66。
实施例20：化合物176的合成：
化合物176的制备方法同实施例10，不同之处在于用原料A-8替换原料A-1，用中间体M-5 替换中间体M-2。元素分析结构(分子式C50H31NO)：理论值C,90.74；H,4.72；N,2.12；测试值： C,90.74；H,4.72；N,2.13。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为661.24，实测值为661.74。
实施例21：化合物181的合成：
化合物181的制备方法同实施例10，不同之处在于用原料A-12替换原料A-1，用中间体M-3替换中间体M-2。元素分析结构(分子式C53H37N)：理论值C,92.54；H,5.42；N,2.04；测试值：C,92.54；H,5.43；N,2.03。ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为687.29，实测值为687.59。
实施例22：化合物202的合成：
化合物202的制备方法同实施例10，不同之处在于用原料A-13替换原料A-1。元素分析结构(分子式C50H33NO)：理论值C,90.47；H,5.01；N,2.11；测试值：C,90.47；H,5.01；N,2.10。 ESI-MS(m/z)(M+)：理论值为663.26，实测值为663.55。
本有机化合物在发光器件中使用，具有高的Tg(玻璃转化温度)温度和三线态能级(T1)，合适的HOMO、LUMO能级，可作为空穴阻挡/电子传输材料使用，也可作为发光层材料使用。对本发明化合物及现有材料分别进行热性能、T1能级以及HOMO能级测试，结果如表2所示。
表2
注：三线态能级T1是由日立的F4600荧光光谱仪测试，材料的测试条件为2*10-5的甲苯溶液；玻璃化温度Tg由示差扫描量热法(DSC，德国耐驰公司DSC204F1示差扫描量热仪)测定，升温速率10℃/min；热失重温度Td是在氮气气氛中失重1％的温度，在日本岛津公司的TGA-50H热重分析仪上进行测定，氮气流量为20mL/min；最高占据分子轨道HOMO能级是由电离能量测试系统(IPS3)测试，测试为大气环境。
由上表数据可知，对比目前应用的CBP和TPBi材料，本发明的有机化合物具有高的玻璃转化温度，可提高材料膜相态稳定性，进一步提高器件使用寿命；具有高的三线态能级，可以阻挡发光层能量损失，从而提升器件发光效率。同时本发明材料和应用材料具有相似的HOMO 能级。因此，本发明含有氰基苯或者硫氰基苯的有机材料在应用于OLED器件的不同功能层后，可有效提高器件的发光效率及使用寿命。
以下通过器件实施例1～21和器件比较例1详细说明本发明合成的OLED材料在器件中的应用效果。本发明所述器件实施例2～21、器件比较例1与器件实施例1相比所述器件的制作工艺完全相同，并且所采用了相同的基板材料和电极材料，电极材料的膜厚也保持一致，所不同的是器件实施例2～15对器件中的发光层材料做了变换；器件实施例16～21对器件的空穴阻挡/电子传输层材料做了变换，各实施例所得器件的性能测试结果如表3所示。
器件实施例1：
如图1所示，一种电致发光器件，其制备步骤包括：a)清洗透明基板层1上的ITO阳极层 2，分别用去离子水、丙酮、乙醇超声清洗各15分钟，然后在等离子体清洗器中处理2分钟；b) 在ITO阳极层2上，通过真空蒸镀方式蒸镀空穴注入层材料HAT-CN，厚度为10nm，这层作为空穴注入层3；c)在空穴注入层3上，通过真空蒸镀方式蒸镀空穴传输材料NPB，厚度为80nm，该层为空穴传输层/电子阻挡层4；d)在空穴传输/电子阻挡层4之上蒸镀发光层5，主体材料为本发明化合物2和化合物GH，掺杂材料为Ir(ppy)3，化合物2、GH和Ir(ppy)3三者质量比为为 50:50:10，厚度为30nm；e)在发光层5之上，通过真空蒸镀方式蒸镀电子传输材料TPBI，厚度为40nm，这层有机材料作为空穴阻挡/电子传输层6使用；f)在空穴阻挡/电子传输层6之上，真空蒸镀电子注入层LiF，厚度为1nm，该层为电子注入层7；g)在电子注入层7之上，真空蒸镀阴极Al(100nm)，该层为阴极反射电极层8；按照上述步骤完成电致发光器件的制作后，测量器件的驱动电压，电流效率，其结果见表3所示。相关材料的分子机构式如下所示：
器件实施例2：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物9、GH和 Ir(ppy)3按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：35nm，材料：TPBI)/ 电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。
器件实施例3：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物13、GH和 Ir(ppy)3按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：35nm，材料：TPBI)/ 电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。
器件实施例4：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物20、GH和 Ir(ppy)3按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：35nm，材料：TPBI)/ 电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。
器件实施例5：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物31、GH和 Ir(ppy)3按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：35nm，材料：TPBI)/ 电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。
器件实施例6：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物44、GH和 Ir(ppy)3按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：35nm，材料：TPBI)/ 电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。
器件实施例7：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物50、GH和 Ir(ppy)3按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：35nm，材料：TPBI)/ 电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。
器件实施例8：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物79、GH和 Ir(ppy)3按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：35nm，材料：TPBI)/ 电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。
器件实施例9：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物94、GH和 Ir(ppy)3按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：35nm，材料：TPBI)/ 电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。
器件实施例10：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN) /空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物107、GH 和Ir(ppy)3按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：35nm，材料：TPBI) /电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。
器件实施例11：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN) /空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物125、GH 和Ir(ppy)3按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：35nm，材料：TPBI) /电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。
器件实施例12：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN) /空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物141、GH 和Ir(ppy)3按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：35nm，材料：TPBI) /电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。
器件实施例13：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN) /空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物156、GH 和Ir(ppy)3按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：35nm，材料：TPBI) /电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。
器件实施例14：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN) /空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物176、GH 和Ir(ppy)3按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：35nm，材料：TPBI) /电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。
器件实施例15：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN) /空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：化合物181、GH 和Ir(ppy)3按重量比50:50:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：35nm，材料：TPBI) /电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。
器件实施例16：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN) /空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：CBP和Ir(ppy)3按重量比90:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：35nm，材料：化合物6)/电子注入层 7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。
器件实施例17：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN) /空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：CBP和Ir(ppy)3按重量比90:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：35nm，材料：化合物39)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。
器件实施例18：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN) /空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：CBP和Ir(ppy)3按重量比90:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：35nm，材料：化合物64)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。
器件实施例19：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN) /空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：CBP和Ir(ppy)3按重量比90:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：35nm，材料：化合物111)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。
器件实施例20：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN) /空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：CBP和Ir(ppy)3按重量比90:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：35nm，材料：化合物162)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。
器件实施例21：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN) /空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：CBP和Ir(ppy)3按重量比90:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：35nm，材料：化合物202)/电子注入层7(厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。
器件比较例1：ITO阳极层2(厚度：150nm)/空穴注入层3(厚度：10nm，材料：HAT-CN)/空穴传输层4(厚度：80nm，材料：NPB)/发光层5(厚度：40nm，材料：CBP和Ir(ppy)3按重量比90:10混掺构成)/空穴阻挡/电子传输层6(厚度：35nm，材料：TPBI)/电子注入层7 (厚度：1nm，材料：LiF)/Al(厚度：100nm)。所得电致发光器件的检测数据见表3所示。
表3
由表3的结果可以看出本发明有机化合物可应用于OLED发光器件制作，并且与比较例相比，无论是效率还是寿命均比已知OLED材料获得较大改观，特别是器件的使用寿命获得较大的提升。
进一步的本发明材料制备的OLED器件在低温下工作时效率也比较稳定，将器件实施例6、12、18和器件比较例1在-10～80℃区间进行效率测试，所得结果如表4和图2所示。
表4
从表4和图2的数据可知，器件实施例6、12、18为本发明材料和已知材料搭配的器件结构，和器件比较例1相比，不仅低温效率高，而且在温度升高过程中，效率平稳升高。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(6)或通式(8)所示：
m等于1，n等于0；
Ar表示为通式(2)所示结构：
通式(2)中，X3、X4分别独立的表示为氰基、硫氰基或氢原子；X3与X4有且只有一个为氢原子；
通式(2)中，Ar1、Ar2分别独立的表示为苯基；
通式(2)中，L表示为单键、亚苯基的一种。
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物的具体结构式为：
3.一种含有权利要求1～2任一项所述化合物的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括至少一层功能层含有所述含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物。
4.一种含有权利要求1～2任一项所述化合物的有机电致发光器件，包括发光层，其特征在于，所述发光层含有所述含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物，所述发光层还含有：
5.一种由权利要求3所述有机电致发光器件制成的照明或显示元件。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711072747.8A CN109748821B (zh) | 2017-11-03 | 2017-11-03 | 一种含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物及其在有机电致发光器件上的应用 |
| PCT/CN2018/107222 WO2019085684A1 (zh) | 2017-11-03 | 2018-09-25 | 一种含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物及其在有机电致发光器件上的应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711072747.8A CN109748821B (zh) | 2017-11-03 | 2017-11-03 | 一种含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物及其在有机电致发光器件上的应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109748821A CN109748821A (zh) | 2019-05-14 |
| CN109748821B true CN109748821B (zh) | 2021-03-30 |
Family
ID=66331334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711072747.8A Active CN109748821B (zh) | 2017-11-03 | 2017-11-03 | 一种含有氰基苯或者硫氰基苯的化合物及其在有机电致发光器件上的应用 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109748821B (zh) |
| WO (1) | WO2019085684A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11925106B2 (en) * | 2018-12-28 | 2024-03-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Condensed cyclic compound, composition including the same, and organic light-emitting device including the condensed cyclic compound |
| CN113402525B (zh) * | 2021-05-21 | 2023-05-12 | 吉林奥来德光电材料股份有限公司 | 含有氰基芳香基的化合物、其合成方法、有机材料、功能层和有机电致发光器件 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105254561A (zh) * | 2015-11-10 | 2016-01-20 | 江苏三月光电科技有限公司 | 一种用于oled的含芴有机化合物及其应用 |
| CN105418357A (zh) * | 2015-11-20 | 2016-03-23 | 江苏三月光电科技有限公司 | 一种苯并螺芴化合物及其在oled上的应用 |
| US20160118599A1 (en) * | 2014-10-22 | 2016-04-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Compound and organic light-emitting device including the same |
| TW201733997A (zh) * | 2016-02-23 | 2017-10-01 | Ｌｇ化學股份有限公司 | 雜環化合物及包含此雜環化合物的有機發光裝置 |
-
2017
- 2017-11-03 CN CN201711072747.8A patent/CN109748821B/zh active Active
-
2018
- 2018-09-25 WO PCT/CN2018/107222 patent/WO2019085684A1/zh active Application Filing
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN105254561A (zh) * | 2015-11-10 | 2016-01-20 | 江苏三月光电科技有限公司 | 一种用于oled的含芴有机化合物及其应用 |
| CN105418357A (zh) * | 2015-11-20 | 2016-03-23 | 江苏三月光电科技有限公司 | 一种苯并螺芴化合物及其在oled上的应用 |
| TW201733997A (zh) * | 2016-02-23 | 2017-10-01 | Ｌｇ化學股份有限公司 | 雜環化合物及包含此雜環化合物的有機發光裝置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109748821A (zh) | 2019-05-14 |
| WO2019085684A1 (zh) | 2019-05-09 |
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